CN108122893A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108122893A
CN108122893A CN201710674725.2A CN201710674725A CN108122893A CN 108122893 A CN108122893 A CN 108122893A CN 201710674725 A CN201710674725 A CN 201710674725A CN 108122893 A CN108122893 A CN 108122893A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flexible substrate
low reflection
reflection layer
display device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710674725.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108122893B (zh
Inventor
金恩雅
尹相天
李塞里努里
李美凛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN108122893A publication Critical patent/CN108122893A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108122893B publication Critical patent/CN108122893B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
    • H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

公开了一种用于减少外部光的反射并防止由静电引起的有缺陷驱动的显示装置。显示装置包括第一柔性基板、在第一柔性基板上的低反射层、在低反射层上的第二柔性基板、在第二柔性基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管、配置为封装薄膜晶体管和有机发光二极管的上保护构件、以及配置为将低反射层连接至上保护构件的银点。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种用于减少外部光的反射以及防止由静电引起的有缺陷驱动的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，显示图像的显示设备的需求以各种方式增加。在显示装置的领域中，大尺寸阴极射线管(CRT)已经被具有薄轮廓、低重量和大尺寸屏幕的优点的平板显示器(FPD)快速替代。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器(EPD)。
OLED显示器包括能够自己发光的自发光元件，并且具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角的优点。特别地，OLED显示器可以使用柔性塑料基板。此外，与等离子体显示面板或无机电致发光显示器相比，OLED显示器具有较低的驱动电压、较低的功耗和较好的色调的优点。
使用柔性塑料基板例如聚酰亚胺基板的OLED显示器通过如下步骤制造：在玻璃支承基板上涂覆聚酰亚胺；形成诸如薄膜晶体管和有机发光二极管的部件；以及将膜上芯片(COF)附接至焊盘部分。此外，执行将玻璃支承基板与聚酰亚胺基板分离的过程。因此，制造了包括柔性聚酰亚胺基板的OLED显示器。然而，在玻璃支承基板的分离过程中产生的静电留在聚酰亚胺基板上，导致有缺陷驱动。此外，由于聚酰亚胺基板在聚酰亚胺性质方面具有各向异性，因此难以将偏振器施加至聚酰亚胺基板。然而，由于在没有偏振器的情况下的高反射率，存在显示面板的可见性特性劣化的问题。
发明内容
本公开提供了一种能够减少外部光的反射并防止由静电引起的有缺陷驱动的显示装置。
在一个方面，提供了一种显示装置，其包括第一柔性基板；在第一柔性基板上的低反射层；在低反射层上的第二柔性基板；在第二柔性基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管；上保护构件，其配置为封装薄膜晶体管和有机发光二极管；以及银点，其配置为将低反射层连接至上保护构件。
低反射层的面积小于第一柔性基板的面积而大于第二柔性基板的面积。
低反射层在第二柔性基板的至少一侧处暴露于外部。
低反射层由钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)、钕(Nd)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)或其合金中至少之一形成。
低反射层通过设置在无机绝缘层中的至少一个暴露孔暴露。
银点填充在暴露孔中并接触低反射层。
在另一方面，提供了一种显示装置，其包括第一柔性基板；在第一柔性基板上的低反射层；在低反射层上的第二柔性基板；在第二柔性基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管；上保护构件，其配置为封装薄膜晶体管和有机发光二极管；后盖，其配置为容纳从第一柔性基板到上保护构件的结构；以及银点，其配置为将低反射层连接至后盖。
低反射层的面积小于第一柔性基板的面积而大于第二柔性基板的面积。
低反射层在第二柔性基板的至少一侧处暴露于外部。
低反射层由钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)、钕(Nd)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)或其合金中至少之一形成。
低反射层通过设置在无机绝缘层中的至少一个暴露孔暴露。
银点填充在暴露孔中并接触低反射层。
显示装置还包括通过粘合剂层附接到第一柔性基板的下表面的下保护构件。
后盖包围下保护构件的至少一侧。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并被并入说明书且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方案并与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图；
图2示出子像素的电路构造的第一实例；
图3示出子像素的电路构造的第二实例；
图4是根据第一示例性实施方案的OLED显示器的平面图；
图5是根据第一示例性实施方案的OLED显示器的截面图；
图6是根据第二示例性实施方案的OLED显示器的截面图；
图7是根据第二示例性实施方案的OLED显示器的截面图；
图8示出根据是否施加偏振器测量显示装置的反射率的图像；
图9示出由于显示装置的静电而产生缺陷的图像；
图10示出驱动根据一个示例性实施方案的显示装置的图像；
图11是示出根据一个示例性实施方案根据是否施加低反射层的白色像素的反射率的图；以及
图12是示出钼(Mo)单层的透光率和PI/Mo/PI多层的透光率的图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施方案，其实例在附图中示出。尽可能地，遍及附图将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部件。要注意的是，如果确定已知技术可能误导本发明的实施方案，则将省略对已知技术的详细描述。在以下说明中使用的各个元件的名称仅为了便于书写说明书而选择，因而可能与实际产品中使用的名称不同。
根据一个示例性实施方案的显示装置是柔性显示装置，其中显示元件形成在柔性基板上。柔性显示装置的实例包括有机发光二极管(OLED)显示器、液晶显示器(LCD)和电泳显示器。通过示例的方式使用OLED显示器来描述实施方案。OLED显示器包括在用作阳极的第一电极与用作阴极的第二电极之间的由有机材料形成的有机层。OLED显示器是自发光显示装置，其配置为：通过将从第一电极接收的空穴与从第二电极接收的电子在有机层内部复合而形成空穴-电子对，即激子；并且通过当激子返回至基态能级时产生的能量发射光。
下面参照图1至图12描述示例性实施方案。
图1是OLED显示器的框图。图2示出子像素的电路构造的第一实例。图3示出子像素的电路构造的第二实例。
参照图1，根据一个示例性实施方案的OLED显示器包括图像处理单元10、定时控制器20、数据驱动器30、栅极驱动器40和显示面板50。
图像处理单元10输出从外部提供的数据信号DATA和数据使能信号DE。除了数据使能信号DE之外，图像处理单元10还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。为了简洁和易读，这些信号未显示。图像处理单元10作为集成电路(IC)形成在系统电路板上。
定时控制器20从图像处理单元10接收数据信号DATA和驱动信号包括数据使能信号DE或垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号等。
定时控制器20基于驱动信号输出用于控制栅极驱动器40的操作定时的栅极定时控制信号GDC和用于控制数据驱动器30的操作定时的数据定时控制信号DDC。定时控制器20可以作为IC形成在控制电路板上。
数据驱动器30响应于从定时控制器20提供的数据定时控制信号DDC对从定时控制器20接收的数据信号DATA进行采样和锁存，并且使用伽马参考电压转换采样和锁存的数据信号DATA。数据驱动器30将转换的数据信号DATA输出至数据线DL1至DLn。数据驱动器30作为IC连接至基板。
栅极驱动器40响应于从定时控制器20提供的栅极定时控制信号GDC在移位栅极电压的电平的同时输出栅极信号。栅极驱动器40将栅极信号输出至栅极线GL1至GLm。栅极驱动器40形成在栅极电路板上作为IC或者以栅极(GIP)的方式形成在显示面板50上。
显示面板50响应于分别从数据驱动器30和栅极驱动器40接收的数据信号DATA和栅极信号显示图像。显示面板50包括用于显示图像的子像素SP。
如图2所示，每个子像素可以包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、补偿电路CC和有机发光二极管(OLED)。OLED基于由驱动晶体管DR生成的驱动电流来工作以发光。
开关晶体管SW响应于通过栅极线GL1提供的栅极信号执行开关操作，使得通过第一数据线DL1提供的数据信号存储在电容器Cst中作为数据电压。驱动晶体管DR基于存储在电容器Cst中的数据电压使得驱动电流能够在高电位电力线VDD和低电位电力线GND之间流动。补偿电路CC是用于补偿驱动晶体管DR的阈值电压的电路。连接至开关晶体管SW或驱动晶体管DR的电容器可以安装在补偿电路CC内部。补偿电路CC包括一个或更多个薄膜晶体管(TFT)和电容器。补偿电路CC的结构可以根据补偿方法而不同地改变。将对补偿电路CC进行简要描述。
如图3所示，包括补偿电路CC的子像素还可以包括信号线和电力线以用于驱动补偿TFT以及提供预定信号或电力。栅极线GL1可以包括向开关晶体管SW提供栅极信号的1-1栅极线GL1a和用于驱动包括在子像素中的补偿TFT的1-2栅极线GL1b。添加的电力线可以定义为用于将子像素的预定节点初始化为预定电压的初始化电力线INIT。然而，这仅是实例，实施方案不限于此。
图2和图3以示例的方式示出一个子像素包括补偿电路CC。然而，当要补偿的对象(例如，数据驱动器30)位于子像素外部时，可以省略补偿电路CC。子像素具有2T(晶体管)1C(电容器)的结构，其中设置有开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器和OLED。然而，当补偿电路CC被添加到子像素时，子像素可以具有诸如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等的各种结构。另外，图2和图3以示例的方式示出补偿电路CC定位在开关晶体管SW与驱动晶体管DR之间。然而，补偿电路CC可以另外地定位在驱动晶体管DR与OLED之间。补偿电路CC的位置和结构不限于图2和图3所示的补偿电路CC的位置和结构。
<第一示例性实施方案>
图4是根据第一示例性实施方案的OLED显示器的平面图。图5是根据第一示例性实施方案的OLED显示器的截面图。
参照图4，根据第一示例性实施方案的OLED显示器包括：插入在第一柔性基板PI1和第二柔性基板PI2之间的低反射层LAL；在第二柔性基板PI2上的显示区域A/A；以及除了显示区域A/A之外设置在第二柔性基板PI2的下侧处的焊盘上的膜上芯片(COF)。
第一柔性基板PI1和第二柔性基板PI2是具有柔性特性的树脂基板，并且可以由相同的材料或不同的材料制成。低反射层LAL设置在第一柔性基板PI1与第二柔性基板PI2之间。第二柔性基板PI2用于增强第一柔性基板PI1的刚度并且还使低反射层LAL绝缘。低反射层LAL用于减少从外部入射的光的反射以及释放静电。低反射层LAL通过暴露孔LH连接至稍后将描述的银(Ag)点AGD并且接地到外部，由此释放静电。稍后将给出更详细的描述。
显示区域A/A可以包括多个子像素SP。例如，显示区域A/A的R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)子像素或R、G、B和W(白色)子像素可以发光以表示全色。GIP驱动器(未示出)设置在显示区域A/A的一侧，例如显示区域A/A的右侧，并且向显示区域A/A施加栅极驱动信号。膜上芯片COF附接至焊盘部(未示出)，该焊盘部设置在一侧例如显示区域A/A的下侧上。数据信号和电力通过膜上芯片COF施加至连接至显示区域A/A的多条信号线(未示出)。
下面参照图5描述根据实施方案的OLED显示器的截面结构。作为一个示例，使用OLED显示器的一个子像素来描述截面结构。
参照图5，在根据实施方案的OLED显示器中，低反射层LAL设置在第一柔性基板PI1与第二柔性基板PI2之间。
更具体地，第一柔性基板PI1和第二柔性基板PI2可以由柔性树脂膜例如聚酰亚胺树脂形成。因此，根据实施方案的第一柔性基板PI1和第二柔性基板PI2可以具有柔性特性。第一柔性基板PI1和第二柔性基板PI2可以由相同的材料或不同的材料制成。然而，实施方案不限于此。
第一柔性基板PI1和第二柔性基板PI2之间的低反射层LAL用于减少从外部入射的光的反射以及释放静电。在根据实施方案的OLED显示器中，光在第一柔性基板PI1下面发射。因此，根据实施方案的OLED显示器可以防止通过第一柔性基板PI1入射的外部光从具有低反射率的低反射层LAL反射。此外，低反射层LAL连接至银点AGD并且接地至外部，由此将静电放电到外部。根据实施方案的低反射层LAL可以由具有低反射率的导电材料形成。例如，根据实施方案的低反射层LAL可以由钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)、钕(Nd)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)或其合金中至少之一形成。例如，根据实施方案的低反射层LAL可以由钼(Mo)形成。
低反射层LAL的面积可以小于第一柔性基板PI1的面积，并且可以大于第二柔性基板PI2的面积。如图4所示，第一柔性基板PI1、第二柔性基板PI2和低反射层LAL可以在显示区域A/A的Y轴方向上具有相同的长度。此外，第一柔性基板PI1、第二柔性基板PI2和低反射层LAL可以在显示区域A/A的X轴方向上具有不同的长度。例如，第一柔性基板PI1可以在X轴方向上最长，并且低反射层LAL可以在X轴方向上比第一柔性基板PI1短。此外，第二柔性基板PI2可以在X轴方向上比低反射层LAL短。因此，低反射层LAL通过暴露孔LH暴露于第二柔性基板PI2的外侧，因此可以连接至银点AGD。
因此，根据实施方案的OLED显示器可以防止通过第一柔性基板PI1入射的外部光从具有低反射率的低反射层LAL反射。此外，低反射层LAL连接至银点AGD并且接地至外部，由此将静电释放到外部。
第一缓冲层BUF1定位在第二柔性基板PI2上。第一缓冲层BUF1保护后续工艺中形成的薄膜晶体免受杂质例如从第二柔性基板PI2排出的碱离子的影响。第一缓冲层BUF1可以是硅氧化物(SiOx)层，硅氮化物(SiNx)层或其多层。
屏蔽层LS定位在第一缓冲层BUF1上。屏蔽层LS防止可能由使用聚酰亚胺基板而产生的面板驱动电流的降低。第二缓冲层BUF2定位在屏蔽层LS上。第二缓冲层BUF2保护后续工艺中形成的薄膜晶体管免受杂质例如从屏蔽层LS排出的碱离子的影响。第二缓冲层BUF2可以是硅氧化物(SiOx)层，硅氮化物(SiNx)层或其多层。
半导体层ACT定位在第二缓冲层BUF2上，并且可以由硅半导体或氧化物半导体形成。硅半导体可以包括非晶硅或结晶的多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，大于100cm2/Vs)、低功耗和优异的可靠性。因此，可以将多晶硅应用于用于驱动元件的栅极驱动器和/或复用器(MUX)，或者应用于OLED显示器的每个像素的驱动TFT。由于氧化物半导体具有低的断开电流，所以氧化物半导体适用于具有短的导通时间和较长断开时间的开关TFT。此外，因为氧化物半导体由于低断开电流而增加像素的电压保持时间，所以氧化物半导体适合于需要低速驱动和/或低功耗的显示装置。此外，半导体层ACT包括各自包含p型或n型杂质的漏极区和源极区，并且还包括在漏极区和源极区之间的沟道区。
栅极绝缘层GI定位在半导体层ACT上，并且可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。栅电极GA以对应于半导体层ACT的预定区域(即注入杂质时的沟道区域)的位置定位在栅极绝缘层GI上。栅电极GA可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其组合之一形成。此外，栅电极GA可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其组合之一形成的多层。例如，栅电极GA可以形成为Mo/Al-Nd或Mo/Al的双层。
层间电介质层ILD定位在栅电极GA上并使栅电极GA绝缘。层间绝缘层ILD可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。在层间电介质层ILD和栅极绝缘层GI的每一个的一部分中形成暴露半导体层ACT的一部分的接触孔CH。
漏电极DE和源电极SE定位在层间电介质层ILD上。漏电极DE通过暴露半导体层ACT的漏极区的接触孔CH连接至半导体层ACT，并且源电极SE通过暴露半导体层ACT的源极区的接触孔CH连接至半导体层ACT。源电极SE和漏电极DE中的每一个可以形成为单层或多层。当源电极SE和漏电极DE中的每一个形成为单层时，源电极SE和漏电极DE中的每一个可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或其组合之一形成。当源电极SE和漏电极DE中的每一个形成为多层时，源电极SE和漏电极DE中的每一个可以形成为Mo/Al-Nd的双层或Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三层。因此，形成了包括半导体层ACT、栅电极GA、源电极SE和漏电极DE的薄膜晶体管TFT。
此外，钝化层PAS定位在包括薄膜晶体管TFT的第二柔性基板PI2上。钝化层PAS是保护钝化层PAS下面的部件的绝缘层，并且可以是硅氧化物(SiOx)层、硅氮化物(SiNx)层或其多层。滤色器CF定位在钝化层PAS上。滤色器CF用于将由有机发光二极管OLED发射的白光转换成红光、绿光或蓝光。覆盖层OC定位在滤色器CF上。覆盖层OC可以是用于降低下面结构的高度差的平坦化层，并且可以由有机材料如聚酰亚胺、基于苯并环丁烯的树脂和丙烯酸酯形成。例如，覆盖层OC可以通过旋涂玻璃(SOG)方法形成，旋涂玻璃(SOG)方法用于以液态涂覆有机材料然后固化有机材料。
暴露薄膜晶体管TFT的漏电极DE的通孔VIA定位在覆盖层OC的一部分中。有机发光二极管OLED定位在覆盖层OC上。更具体地，第一电极ANO定位在覆盖层OC上。第一电极ANO用作像素电极，并且通过通孔VIA连接至薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一电极ANO是阳极，并且可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌(ZnO)的透明导电材料形成。当第一电极ANO是反射电极时，第一电极ANO还可以包括反射层。反射层可以由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)、钯(Pd)或其组合形成。例如，反射层可以由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。
另外，限定像素的堤层BNK定位在包括第一电极ANO的第二柔性基板PI2上。堤层BNK可以由有机材料如聚酰亚胺、基于苯并环丁烯的树脂和丙烯酸酯形成。堤层BNK包括暴露第一电极ANO的像素限定部分。接触第一电极ANO的有机层OLE定位在第二柔性基板PI2的前表面处。有机层OLE是在其中电子和空穴复合并发射光的发光层。空穴注入层和/或空穴传输层可以定位在有机层OLE与第一电极ANO之间，并且电子注入层和/或电子传输层可以定位在有机层OLE上。
第二电极CAT定位在有机层OLE上，并且可以定位在显示区域A/A的整个表面上(参见图4)。此外，第二电极CAT是阴极电极，并且可以由具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其组合形成。当第二电极CAT是透射电极时，第二电极CAT可以足够薄以透射光。此外，当第二电极CAT是反射电极时，第二电极CAT可以足够厚以反射光。
上保护构件UP通过粘合剂层ADL附接至第二柔性基板PI2的上表面，在第二柔性基板PI2的上表面上形成有薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED。上保护构件UP可以是透明柔性基板或金属薄膜。例如，在实施方案中上保护构件UP可以是金属薄膜。此外，下保护构件LP通过粘合层ADL附接至柔性基板PI的下表面。由于下保护构件LP透射光，所以下保护构件LP可以由透明塑料膜形成。
低反射层LAL通过形成在无机绝缘层IOL中的暴露孔LH暴露于第二柔性基板PI2的外部。无机绝缘层IOL可以包括选自第一缓冲层BUF1、第二缓冲层BUF2、栅极绝缘层GI、层间电介质层ILD和钝化层PAS中的一个或更多个。如图4所示，暴露孔LH可以以多个点的形状形成在低反射层LAL的两侧上，并且可以暴露低反射层LAL。然而，暴露孔LH可以仅设置在低反射层LAL的一侧上，或者可以以除了点形状以外的线形状形成，或者以各种其他形状形成。
银点AGD设置在暴露孔LH上，并将低反射层LAL连接至上保护构件UP。因此，银点AGD将低反射层LAL接地至由金属薄膜制成的上保护构件UP上。上保护构件UP可用作接地并释放静电。银点AGD可以根据暴露孔LH的形状而以包括点形状和线形状的各种形状形成。
如上所述，根据实施方案的OLED显示器在具有低反射率的低反射层LAL中吸收通过第一柔性基板PI1入射的外部光，由此减少外部光的反射到外部的量。此外，根据实施方案的低反射层LAL连接至银点AGD并且接地至上保护构件UP，由此释放静电。因此，低反射层LAL可以防止由静电引起的有缺陷驱动。
<第二示例性实施方案>
图6是根据第二示例性实施方案的OLED显示器的截面图。图7是根据第二示例性实施方案的OLED显示器的截面图。在第二示例性实施方案中，与第一示例性实施方案中所示的结构和部件相同或等同的结构和部件用相同的附图标记表示，并且可以简要地进行进一步描述或者可以完全省略。
如图6和图7所示，在根据第二示例性实施方案的OLED显示器中，银点不连接至上保护构件，而是可以连接至后盖。
更具体地，参照图6，根据第二示例性实施方案的OLED显示器包括在第一柔性基板PI1与第二柔性基板PI2之间的低反射层LAL，以及在第二柔性基板PI2上的薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED。上保护构件UP设置在有机发光二极管OLED上，并且下保护构件LP设置在第一柔性基板PI1下。
如此形成的OLED显示器容纳在后盖BC中。后盖BC配置为保护和容纳OLED显示器，并且可以由具有刚性的轻质材料例如铝形成。
在第二示例性实施方案中，连接至低反射层LAL的银点AGD接触后盖BC。后盖BC用作接地，并且当低反射层LAL通过银点AGD接地时，可以释放低反射层LAL的静电。在这种情况下，银点AGD可以以如下方式接触后盖BC：银点AGD形成在低反射层LAL上并且然后容纳在后盖BC中。
如图6所示，根据实施方案的后盖BC可以配置为部分地覆盖第一柔性基板PI1的下表面。另一方面，如图7所示，后盖CB可以配置为仅包围第一柔性基板PI1的侧面而不覆盖第一柔性基板PI1的下表面。
如上所述，根据实施方案的OLED显示器在具有低反射率的低反射层LAL中吸收通过第一柔性基板PI1入射的外部光，由此减少外部光的反射到外部的量。此外，根据实施方案的低反射层LAL连接至银点AGD并接地到后盖CB，由此释放静电。
图8示出根据是否施加偏振器来测量显示装置的反射率的图像。图9示出由于显示装置的静电而产生缺陷的图像。图10示出驱动根据一个示例性实施方案的显示装置的图像。
参照图8，当将偏振器施加至显示装置时，显示装置的反射率等于或小于约4.5％。另一方面，当偏振器未施加至显示装置时，显示装置的反射率为约37％。从图8的结果可以看出，当没有为显示装置提供偏振器时，由于外部光的反射，显示装置的显示质量劣化。
参照图9，当在包括柔性基板的显示装置的制造过程中，在将玻璃基板与柔性基板分离的过程中产生的静电保留在柔性基板上，即使带电体(例如，手指)在接触带电体的区域中移除，也产生有缺陷驱动，在有缺陷驱动中显示装置不能正常驱动。从图9的结果可以看出，存在于柔性基板中的静电导致有缺陷驱动。
参照图10，在图5所示的OLED显示器中-该OLED显示器配置为使得低反射层设置在第一柔性基板和第二柔性基板之间并且通过银点接地，在将玻璃基板与柔性基板分离的过程中产生的静电通过地面被释放。因此，不产生有缺陷驱动。
从图9和图10的结果可以看出，实施方案可以通过低反射层释放在柔性基板中产生的静电，由此防止有缺陷驱动。
图11是示出根据一个示例性实施方案根据是否施加低反射层的白色像素的反射率的图。图12是示出钼(Mo)单层的透光率和PI/Mo/PI多层的透光率的图。
参照图11，当不施加根据实施方案的低反射层时，显示装置的白色像素的平均反射率为约72％。另一方面，当施加根据实施方案的低反射层时，显示装置的白色像素的平均反射率为约32％。
从图11的结果可以看出，在施加根据实施方案的低反射层时平均反射率降低了约40％或更多。
参照图12，钼(Mo)单层的透光率为约35％。另一方面，其中在根据实施方案的第一柔性基板与第二柔性基板之间(在图12中的由“PI”表示)设置有钼层的PI/Mo/PI多层的透光率为约44％。
从图12的结果可以看出，即使钼层(即低反射层)设置在第一柔性基板与第二柔性基板之间，透光率也不会显著降低。因此，可以施加钼层(即，低反射层)。
如上所述，根据实施方案的OLED显示器在具有低反射率的低反射层中吸收通过第一柔性基板入射的外部光，由此减少了外部光反射到外部的量。此外，根据实施方案的低反射层连接至银点并接地至上保护构件或后盖，由此释放静电。因此，低反射层可以防止由静电引起的有缺陷驱动。
虽然已经参考本公开的多个说明性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，本领域技术人员可以设计出许多其它修改方案和实施方案，这些修改方案和实施方案将落在本公开的原理的范围内。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，各个组合部分和/或主题组合布置的各种变型和修改是可能的。除了组件和/或布置的变型和修改之外，替代用途对于本领域技术人员来说也是明显的。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括：
第一柔性基板；
在所述第一柔性基板上的低反射层；
在所述低反射层上的第二柔性基板；
在所述第二柔性基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管；
上保护构件，其配置为封装所述薄膜晶体管和所述有机发光二极管；以及
银点，其配置为将所述低反射层连接至所述上保护构件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述低反射层的面积小于所述第一柔性基板的面积而大于所述第二柔性基板的面积。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述低反射层在所述第二柔性基板的至少一侧处暴露于外部。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述低反射层由钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)、钕(Nd)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)或其合金中至少之一形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述低反射层通过设置在无机绝缘层中的至少一个暴露孔暴露。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述银点填充在所述暴露孔中并接触所述低反射层。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述低反射层通过所述暴露孔连接至所述银点以及接地至所述上保护构件。
8.一种显示装置，包括：
第一柔性基板；
在所述第一柔性基板上的低反射层；
在所述低反射层上的第二柔性基板；
在所述第二柔性基板上的薄膜晶体管和有机发光二极管；
上保护构件，其配置为封装所述薄膜晶体管和所述有机发光二极管；
后盖，其配置为容纳从所述第一柔性基板到所述上保护构件的结构；以及
银点，其配置为将所述低反射层连接至所述后盖。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述低反射层的面积小于所述第一柔性基板的面积而大于所述第二柔性基板的面积。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述低反射层在所述第二柔性基板的至少一侧处暴露于外部。
11.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述低反射层由钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)、钕(Nd)、铁(Fe)、锰(Mn)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)或其合金中至少之一形成。
12.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述低反射层通过设置在无机绝缘层中的至少一个暴露孔暴露。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述银点填充在所述暴露孔中并接触所述低反射层。
14.根据权利要求8所述的显示装置，还包括通过粘合剂层附接至所述第一柔性基板的下表面的下保护构件。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述后盖包围所述下保护构件的至少一侧。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述低反射层通过所述暴露孔连接至所述银点以及接地至所述后盖。
CN201710674725.2A 2016-11-30 2017-08-09 显示装置 Active CN108122893B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0161543 2016-11-30
KR1020160161543A KR102609533B1 (ko) 2016-11-30 2016-11-30 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108122893A true CN108122893A (zh) 2018-06-05
CN108122893B CN108122893B (zh) 2021-03-12

Family

ID=62190507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710674725.2A Active CN108122893B (zh) 2016-11-30 2017-08-09 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10600856B2 (zh)
KR (1) KR102609533B1 (zh)
CN (1) CN108122893B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3351852B1 (en) * 2017-01-24 2019-10-30 OSRAM GmbH A lighting device and corresponding manufacturing method
JP2019032456A (ja) * 2017-08-09 2019-02-28 株式会社ジャパンディスプレイ 押圧センサを備える表示装置
CN108615749B (zh) * 2018-05-18 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 发光模组及显示装置
CN110634399B (zh) * 2019-08-22 2020-12-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性盖板、柔性显示装置及柔性盖板的制作方法
KR20210156927A (ko) * 2020-06-18 2021-12-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20220014626A (ko) * 2020-07-29 2022-02-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
CN113721391A (zh) * 2021-11-01 2021-11-30 惠科股份有限公司 背光模组及液晶显示器
KR20230102596A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR20240001763A (ko) * 2022-06-27 2024-01-04 삼성디스플레이 주식회사 복수의 표시 셀들을 포함하는 모기판과 표시 장치의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1523406A (zh) * 2002-07-10 2004-08-25 Nec液晶技术株式会社 半透型液晶显示装置及其制造方法
CN1707341A (zh) * 2004-06-05 2005-12-14 Lg.菲利浦Lcd株式会社 透反射式液晶显示器件及其制造方法
US20080007159A1 (en) * 2006-06-08 2008-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
US20130293816A1 (en) * 2012-05-03 2013-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip-on-film package and device assembly including the same
CN105825773A (zh) * 2015-01-26 2016-08-03 三星显示有限公司 显示装置和用于制造该显示装置的方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004309827A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Sony Corp 電気光学表示装置の製造方法
US7541671B2 (en) * 2005-03-31 2009-06-02 General Electric Company Organic electronic devices having external barrier layer
KR100839750B1 (ko) * 2007-01-15 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR20080104324A (ko) * 2008-09-19 2008-12-02 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 가요성 전기발광 소자
US9419065B2 (en) * 2012-08-07 2016-08-16 Apple Inc. Flexible displays
KR101971201B1 (ko) * 2012-08-20 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 양면 표시 장치 및 이의 제작 방법
KR102245511B1 (ko) 2012-12-27 2021-04-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102222680B1 (ko) * 2013-02-01 2021-03-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9349969B2 (en) * 2013-02-01 2016-05-24 Lg Display Co., Ltd. Electronic devices with flexible display and method for manufacturing the same
KR102097150B1 (ko) * 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
US9740035B2 (en) * 2013-02-15 2017-08-22 Lg Display Co., Ltd. Flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR102032383B1 (ko) * 2013-06-03 2019-11-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR102101362B1 (ko) * 2013-07-05 2020-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102077525B1 (ko) * 2013-07-30 2020-02-14 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조 방법
KR102063815B1 (ko) 2013-07-31 2020-01-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치
US9450038B2 (en) * 2014-07-31 2016-09-20 Lg Display Co., Ltd. Flexible display
US9276055B1 (en) * 2014-08-31 2016-03-01 Lg Display Co., Ltd. Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same
US9425418B2 (en) * 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
US9356087B1 (en) * 2014-12-10 2016-05-31 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bridged wire traces
JP6404158B2 (ja) * 2015-03-30 2018-10-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102380057B1 (ko) * 2015-06-09 2022-03-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102542179B1 (ko) * 2015-11-23 2023-06-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20180032742A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 패널 및 플렉시블 디스플레이 패널 벤딩 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1523406A (zh) * 2002-07-10 2004-08-25 Nec液晶技术株式会社 半透型液晶显示装置及其制造方法
CN1707341A (zh) * 2004-06-05 2005-12-14 Lg.菲利浦Lcd株式会社 透反射式液晶显示器件及其制造方法
US20080007159A1 (en) * 2006-06-08 2008-01-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device
US20130293816A1 (en) * 2012-05-03 2013-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Chip-on-film package and device assembly including the same
CN105825773A (zh) * 2015-01-26 2016-08-03 三星显示有限公司 显示装置和用于制造该显示装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180062520A (ko) 2018-06-11
US20180151655A1 (en) 2018-05-31
US10600856B2 (en) 2020-03-24
KR102609533B1 (ko) 2023-12-05
CN108122893B (zh) 2021-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108122893A (zh) 显示装置
CN106486526B (zh) 有机发光二极管显示器
US10418430B2 (en) Display device
CN107644889B (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示装置
CN106486524B (zh) 显示装置
CN107978690B (zh) 显示装置
CN108110029A (zh) 显示装置
US11882732B2 (en) Display device
KR102583621B1 (ko) 표시장치 및 그 제조방법
CN108122881A (zh) 膜上芯片以及包括该膜上芯片的显示装置
CN110010658A (zh) 显示装置
CN106920819B (zh) 显示装置
CN109728034B (zh) 显示装置
KR102597232B1 (ko) 표시장치
KR20190075751A (ko) 칩 온 필름 및 이를 포함하는 표시장치
KR20190012706A (ko) 표시장치
KR102646400B1 (ko) 표시장치
KR102652076B1 (ko) 표시장치
KR20240030760A (ko) 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant