CN108084918A - Led封装用导电胶及其制备方法 - Google Patents

Led封装用导电胶及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108084918A
CN108084918A CN201711366253.0A CN201711366253A CN108084918A CN 108084918 A CN108084918 A CN 108084918A CN 201711366253 A CN201711366253 A CN 201711366253A CN 108084918 A CN108084918 A CN 108084918A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive adhesive
tube line
led encapsulation
silver powder
carbon nano
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201711366253.0A
Other languages
English (en)
Inventor
胡进
蔡赛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Billion Photoelectric Technology Co Ltd Billiton
Original Assignee
Suzhou Billion Photoelectric Technology Co Ltd Billiton
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Billion Photoelectric Technology Co Ltd Billiton filed Critical Suzhou Billion Photoelectric Technology Co Ltd Billiton
Priority to CN201711366253.0A priority Critical patent/CN108084918A/zh
Publication of CN108084918A publication Critical patent/CN108084918A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02Electrically-conducting adhesives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/04Non-macromolecular additives inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02Non-macromolecular additives
    • C09J11/06Non-macromolecular additives organic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02Elements
    • C08K3/08Metals
    • C08K2003/0806Silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/04Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • C08K5/092Polycarboxylic acids
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/22Expanded, porous or hollow particles
    • C08K7/24Expanded, porous or hollow particles inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00Use of pretreated ingredients
    • C08K9/02Ingredients treated with inorganic substances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本发明揭示了一种LED封装用导电胶及其制备方法,该LED封装用导电胶包括13~16.5wt.%树脂体系、0.9~1.4wt.%双氰胺固化体系、0.1~0.35wt.%短链二元酸、65~75wt.%银粉、5~15wt.%修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线、以及5~10wt.%其他助剂。采用双氰胺可以使得树脂体系的固化最高峰从低温区偏移,加快其固化速度,短链二元酸可以去除一些银粉表面的有机绝缘润滑剂,且并不会造成由于绝缘润滑剂去除过快而造成的银粉团聚现象,优化导电胶的导电性能,同时,该短链二元酸还可以使得修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线均匀地分散在银粉之间,使得碳纳米管线能够均匀地连接银粉,而碳纳米管线表面修饰的纳米金属粒子可以增强碳纳米管线与银粉之间的界面接触,降低两者之间的接触电阻,提升LED导电胶的热导率。

Description

LED封装用导电胶及其制备方法
技术领域
本发明属于LED发光技术领域,具体涉及一种LED封装用导电胶及其制备方法。
背景技术
传统白炽灯耗能高、寿命短,在全球资源紧缺的今天,已渐渐被各国政府禁止生产,随之替代产品是电子节能灯,电子节能灯虽然提高了节能效果,但由于使用了诸多污染环境的重金属元素,又有悖于环境保护的大趋势。随着LED技术的高速发展LED照明逐渐成为新型绿色照明的不二之选。LED 在发光原理、节能、环保的层面上都远远优于传统照明产品。
在LED产业快速扩张的同时,其发展的瓶颈问题也越发突出,以LED 封装领域而言,由于LED光效转换水平很低,约80%的输入电能转变成为热量且需要及时散发出去,以免由于温度过高而损坏相关电子元器件。而LED 芯片是LED产品的产热区,其面积非常小,因此芯片散热是LED封装必须解决的关键问题。
导电胶作为连接LED芯片与基板的关键界面连接材料,其导热性能和热稳定性能的提升是LED封装散热性能和热稳定性能研究的关键问题。同时目前使用的需低温储存的导电胶也越来越不适应LED产业快速增长的需求。因此,开发出具有自主知识产权的导电及导热性能良好、机械性能优异、可常温储存的导电胶不仅具有重要的学术价值同时对提升我国LED产业的发展水平具有重要意义。
发明内容
本发明一实施例提供一种LED封装用导电胶及其制备方法,其具有优异的电导率以及极高的剪切强度,该LED封装用导电胶包括:
13~16.5wt.%树脂体系、0.9~1.4wt.%双氰胺固化体系、0.1~0.35wt.%短链二元酸、65~75wt.%银粉、5~15wt.%修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线、以及 5~10wt.%其他助剂。
一实施例中,所述修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线的长度与半径比为 10:1~100:1,优选为20:1~30:1。
一实施例中,所述纳米金属粒子为银纳米粒子,所述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线的含量优选为7.2wt.%。
一实施例中,所述纳米金属粒子为金纳米粒子,所述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线的含量优选为9.8wt.%。
一实施例中,所述树脂体系包括双酚A型环氧树脂、酚醛环氧树脂、双酚 F型树脂中的一种或几种的组合;和/或所述树脂体系含量优选为16wt.%。
一实施例中,所述双氰胺固化体系含量优选为1.3wt.%。
一实施例中,所述短链二元酸包括丁二酸、戊二酸、已二酸中的一种或几种的组合;和/或所述短链二元酸含量优选为0.35wt.%。
一实施例中,所述银粉的平均粒径为6~8μm,优选为6.5μm;所述银粉的含量优选为72wt.%。
一实施例中,所述其他助剂包括消泡剂、分散剂、以及偶联剂。
本发明一实施例还提供一种如上所述的LED封装用导电胶的制备方法,该方法包括:
采用电镀法在碳纳米管线表面修饰纳米金属粒子;
取13~16.5wt.%树脂、0.9~1.4wt.%双氰胺、0.1~0.35wt.%短链二元酸、以及4.5~10wt.%其他助剂混合均匀,缓慢加入65~75wt.%银粉以及5~15wt.%上述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
与现有技术相比,本申请的技术方案具有以下有益效果:
采用双氰胺可以使得树脂体系的固化最高峰从低温区偏移,加快其固化速度,短链二元酸可以去除一些银粉表面的有机绝缘润滑剂,且并不会造成由于绝缘润滑剂去除过快而造成的银粉团聚现象,优化导电胶的导电性能,同时,该短链二元酸还可以使得修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线均匀地分散在银粉之间,使得碳纳米管线能够均匀地连接银粉,而碳纳米管线表面修饰的纳米金属粒子可以增强碳纳米管线与银粉之间的界面接触,降低两者之间的接触电阻,提升LED导电胶的热导率。
具体实施方式
以下将结合具体实施方式对本申请进行详细描述。但这些实施方式并不限制本申请,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本申请的保护范围内。
本发明一实施例提供一种LED封装用导电胶及其制备方法,其具有优异的电导率以及极高的剪切强度,该LED封装用导电胶包括:
13~16.5wt.%树脂体系、0.9~1.4wt.%双氰胺固化体系、0.1~0.35wt.%短链二元酸、65~75wt.%银粉、5~15wt.%修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线、以及 5~10wt.%其他助剂。
一实施例中,所述修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线的长度与半径比为 10:1~100:1,优选为20:1~30:1。
一实施例中,所述纳米金属粒子为银纳米粒子,所述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线的含量优选为7.2wt.%。
一实施例中,所述纳米金属粒子为金纳米粒子,所述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线的含量优选为9.8wt.%。
一实施例中,所述树脂体系包括双酚A型环氧树脂、酚醛环氧树脂、双酚F型树脂中的一种或几种的组合;和/或所述树脂体系含量优选为16wt.%。
一实施例中,所述双氰胺固化体系含量优选为1.3wt.%。
一实施例中,所述短链二元酸包括丁二酸、戊二酸、已二酸中的一种或几种的组合;和/或所述短链二元酸含量优选为0.35wt.%。
一实施例中,所述银粉的平均粒径为6~8μm,优选为6.5μm;所述银粉的含量优选为72wt.%。
一实施例中,所述其他助剂包括消泡剂、分散剂、以及偶联剂。
本发明一实施例还提供一种如上所述的LED封装用导电胶的制备方法,该方法包括:
采用电镀法在碳纳米管线表面修饰纳米金属粒子;
取13~16.5wt.%树脂、0.9~1.4wt.%双氰胺、0.1~0.35wt.%短链二元酸、以及4.5~10wt.%其他助剂混合均匀,缓慢加入65~75wt.%银粉以及5~15wt.%上述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
实施例1
采用电镀法在长度与半径比为10:1的碳纳米管线表面修饰纳米银粒子;
取13wt.%树脂、1.4wt.%双氰胺、0.1wt.%短链二元酸、以及8.5wt.%消泡剂、分散剂、以及偶联剂混合均匀,缓慢加入72wt.%银粉以及5wt.%上述修饰有纳米银粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
经测试,本实施例的导电胶可以在室温下储存3个月,在185℃、55min条件下固化,固化后电阻率为1.13*10-4Ω·cm,热导率为10.74W/(m·K),剪切强度为18.9MPa。
实施例2
采用电镀法在长度与半径比为20:1的碳纳米管线表面修饰纳米银粒子;
取13wt.%树脂、1.4wt.%双氰胺、0.1wt.%短链二元酸、以及8.5wt.%消泡剂、分散剂、以及偶联剂混合均匀,缓慢加入72wt.%银粉以及5wt.%上述修饰有纳米银粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
经测试,本实施例的导电胶可以在室温下储存3个月,在185℃、55min条件下固化,固化后电阻率为1.05*10-4Ω·cm,热导率为10.92W/(m·K),剪切强度为18.8MPa。
实施例3
采用电镀法在长度与半径比为30:1的碳纳米管线表面修饰纳米银粒子;
取13wt.%树脂、1.4wt.%双氰胺、0.1wt.%短链二元酸、以及8.5wt.%消泡剂、分散剂、以及偶联剂混合均匀,缓慢加入72wt.%银粉以及5wt.%上述修饰有纳米银粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
经测试,本实施例的导电胶可以在室温下储存3个月,在185℃、55min条件下固化,固化后电阻率为1.02*10-4Ω·cm,热导率为11.03W/(m·K),剪切强度为18.65MPa。
实施例4
采用电镀法在长度与半径比为100:1的碳纳米管线表面修饰纳米银粒子;
取13wt.%树脂、1.4wt.%双氰胺、0.1wt.%短链二元酸、以及8.5wt.%消泡剂、分散剂、以及偶联剂混合均匀,缓慢加入72wt.%银粉以及5wt.%上述修饰有纳米银粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
经测试,本实施例的导电胶可以在室温下储存3个月,在185℃、55min条件下固化,固化后电阻率为1.38*10-4Ω·cm,热导率为10.25W/(m·K),剪切强度为17.35MPa。
实施例5
采用电镀法在长度与半径比为20:1的碳纳米管线表面修饰纳米银粒子;
取16.5wt.%树脂、0.9wt.%双氰胺、0.35wt.%短链二元酸、以及4.5wt.%消泡剂、分散剂、以及偶联剂混合均匀,缓慢加入70wt.%银粉以及7.75wt.%上述修饰有纳米银粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
经测试,本实施例的导电胶可以在室温下储存3个月,在185℃、55min条件下固化,固化后电阻率为1.03*10-4Ω·cm,热导率为10.95W/(m·K),剪切强度为18.5MPa。
实施例6
采用电镀法在长度与半径比为20:1的碳纳米管线表面修饰纳米银粒子;
取16wt.%树脂、1.1wt.%双氰胺、0.2wt.%短链二元酸、以及7.9wt.%消泡剂、分散剂、以及偶联剂混合均匀,缓慢加入65wt.%银粉以及9.8wt.%上述修饰有纳米金粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
经测试,本实施例的导电胶可以在室温下储存3个月,在185℃、55min条件下固化,固化后电阻率为1.02*10-4Ω·cm,热导率为10.91W/(m·K),剪切强度为18.75MPa。
实施例7
采用电镀法在长度与半径比为30:1的碳纳米管线表面修饰纳米银粒子;
取16wt.%树脂、1.3wt.%双氰胺、0.35wt.%短链二元酸、以及5.15wt.%消泡剂、分散剂、以及偶联剂混合均匀,缓慢加入70wt.%银粉以及7.2wt.%上述修饰有纳米银粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
经测试,本实施例的导电胶可以在室温下储存3个月,在185℃、55min条件下固化,固化后电阻率为1.03*10-4Ω·cm,热导率为10.88W/(m·K),剪切强度为18.55MPa。
本发明通过上述实施方式,具有以下有益效果:
采用双氰胺可以使得树脂体系的固化最高峰从低温区偏移,加快其固化速度,短链二元酸可以去除一些银粉表面的有机绝缘润滑剂,且并不会造成由于绝缘润滑剂去除过快而造成的银粉团聚现象,优化导电胶的导电性能,同时,该短链二元酸还可以使得修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线均匀地分散在银粉之间,使得碳纳米管线能够均匀地连接银粉,而碳纳米管线表面修饰的纳米金属粒子可以增强碳纳米管线与银粉之间的界面接触,降低两者之间的接触电阻,提升LED导电胶的热导率。
应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施方式中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本申请的可行性实施方式的具体说明,它们并非用以限制本申请的保护范围,凡未脱离本申请技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种LED封装用导电胶,其特征在于,包括13~16.5wt.%树脂体系、0.9~1.4wt.%双氰胺固化体系、0.1~0.35wt.%短链二元酸、65~75wt.%银粉、5~15wt.%修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线、以及5~10wt.%其他助剂。
2.根据权利要求1所述的LED封装用导电胶,其特征在于,所述修饰有纳米金属粒子的碳纳米管线的长度与半径比为10:1~100:1,优选为20:1~30:1。
3.根据权利要求1所述的LED封装用导电胶,其特征在于,所述纳米金属粒子为银纳米粒子,所述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线的含量优选为7.2wt.%。
4.根据权利要求1所述的LED封装用导电胶,其特征在于,所述纳米金属粒子为金纳米粒子,所述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线的含量优选为9.8wt.%。
5.根据权利要求1所述的LED封装用导电胶,其特征在于,所述树脂体系包括双酚A型环氧树脂、酚醛环氧树脂、双酚F型树脂中的一种或几种的组合;和/或所述树脂体系含量优选为16wt.%。
6.根据权利要求1所述的LED封装用导电胶,其特征在于,所述双氰胺固化体系含量优选为1.3wt.%。
7.根据权利要求1所述的LED封装用导电胶,其特征在于,所述短链二元酸包括丁二酸、戊二酸、已二酸中的一种或几种的组合;和/或所述短链二元酸含量优选为0.35wt.%。
8.根据权利要求1所述的LED封装用导电胶,其特征在于,所述银粉的平均粒径为6~8μm,优选为6.5μm;所述银粉的含量优选为72wt.%。
9.根据权利要求1所述的LED封装用导电胶,其特征在于,所述其他助剂包括消泡剂、分散剂、以及偶联剂。
10.如权利要求1至9任一项所述的LED封装用导电胶的制备方法,其特征在于,该方法包括:
采用电镀法在碳纳米管线表面修饰纳米金属粒子;
取13~16.5wt.%树脂、0.9~1.4wt.%双氰胺、0.1~0.35wt.%短链二元酸、以及4.5~10wt.%其他助剂混合均匀,缓慢加入65~75wt.%银粉以及5~15wt.%上述修饰有纳米金属纳米粒子的碳纳米管线,真空除泡,得到LED封装用导电胶。
CN201711366253.0A 2017-12-18 2017-12-18 Led封装用导电胶及其制备方法 Withdrawn CN108084918A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711366253.0A CN108084918A (zh) 2017-12-18 2017-12-18 Led封装用导电胶及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711366253.0A CN108084918A (zh) 2017-12-18 2017-12-18 Led封装用导电胶及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108084918A true CN108084918A (zh) 2018-05-29

Family

ID=62177024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711366253.0A Withdrawn CN108084918A (zh) 2017-12-18 2017-12-18 Led封装用导电胶及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108084918A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109777335A (zh) * 2019-01-18 2019-05-21 昆明贵金属研究所 一种纳米银修饰碳纳米管制备高导热导电胶的方法
CN110079266A (zh) * 2019-03-26 2019-08-02 昆明理工大学 一种纳米银修饰碳纳米管制备高导热导电胶及其制备方法
CN110890169A (zh) * 2019-11-11 2020-03-17 深圳第三代半导体研究院 一种碳纳米管复合金属膏制备方法
WO2020225208A1 (de) * 2019-05-08 2020-11-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1931946A (zh) * 2006-10-10 2007-03-21 贵州振华亚太高新电子材料有限公司 可常温储存运输的单组份银填充型导电胶
CN105255385A (zh) * 2015-10-23 2016-01-20 中国电器科学研究院有限公司 一种单组份高性能导电银胶及其制备方法
CN107393620A (zh) * 2017-07-20 2017-11-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种碳纳米管复合材料及其制备方法和应用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1931946A (zh) * 2006-10-10 2007-03-21 贵州振华亚太高新电子材料有限公司 可常温储存运输的单组份银填充型导电胶
CN105255385A (zh) * 2015-10-23 2016-01-20 中国电器科学研究院有限公司 一种单组份高性能导电银胶及其制备方法
CN107393620A (zh) * 2017-07-20 2017-11-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种碳纳米管复合材料及其制备方法和应用

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109777335A (zh) * 2019-01-18 2019-05-21 昆明贵金属研究所 一种纳米银修饰碳纳米管制备高导热导电胶的方法
CN110079266A (zh) * 2019-03-26 2019-08-02 昆明理工大学 一种纳米银修饰碳纳米管制备高导热导电胶及其制备方法
WO2020225208A1 (de) * 2019-05-08 2020-11-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements
CN110890169A (zh) * 2019-11-11 2020-03-17 深圳第三代半导体研究院 一种碳纳米管复合金属膏制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108084918A (zh) Led封装用导电胶及其制备方法
CN104231994B (zh) 黏合材料
CN102443370A (zh) 一种低卤高导电性单组份银导电胶
CN102504741A (zh) 一种碳纳米管填充型大功率led用高导热导电固晶胶粘剂
CN102013281A (zh) 高功率led用导电银胶
CN202758373U (zh) 可嵌入橡胶产品的超高频rfid标签
CN105419672A (zh) 一种高功率led用高散热性导电胶的制备方法
CN102191001A (zh) 一种环氧导电胶组合物
CN110776819A (zh) 一种电子电器用石墨烯散热涂料
CN108003825A (zh) Led封装用导电胶及其制备方法
CN102277097A (zh) 一种炭黑导电胶及其制备方法
CN103897331A (zh) 一种导热聚甲醛复合材料及其制备方法
CN202276542U (zh) 复合式导热铜箔基板
CN107032799A (zh) 一种受电弓滑板用石墨烯增强玻璃纤维及制备方法
CN107502258A (zh) 一种导热胶及其制备方法
CN107129744B (zh) 一种封装材料及其制备方法和应用
CN101565535A (zh) 耐热环氧树脂及其制备方法
CN114591708B (zh) 一种树脂组合物、树脂胶膜及其应用
CN101325235B (zh) 一种用于led的硅基氮化镓外延层转移方法
CN104845343A (zh) 一种含有纳米碳球粒子的led灯用散热塑料及其制备方法
TWI444399B (zh) 導熱電絕緣高分子材料及包含該導熱電絕緣高分子材料之散熱基板
CN104882532A (zh) 一种led灯用散热塑料及其制备方法
JP2009132798A (ja) 電極接続用接着剤とその製造方法
CN107858117A (zh) 一种led封装用导电胶
CN106753108A (zh) 一种可高温快速固化的环氧树脂胶粘剂

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20180529

WW01 Invention patent application withdrawn after publication