CN107994041B - 拍摄装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

以覆盖配置有光电二极管(PD)的区域的方式，在栅极电极(NLGE、PLGE)的侧壁面形成偏移隔离膜(OSS)。接下来，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成外延区域(LNLD、LPLD)。接下来，实施将覆盖在配置有光电二极管的区域上的偏移隔离膜除去的处理。接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(SWI)。接下来，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模而形成源极/漏极区域(HPDF、LPDF、HNDF、LNDF)。

Description

拍摄装置的制造方法
本发明申请是国际申请日为2012年10月29日、国际申请号为PCT/JP2012/077855、进入中国国家阶段的国家申请号为201280076690.8、发明名称为“拍摄装置的制造方法及拍摄装置”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及拍摄装置的制造方法及拍摄装置，尤其能够在具有图像传感器用的光电二极管的拍摄装置的制造方法中合适地利用。
背景技术
在数码相机等中，采用了例如具有CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor；互补金属氧化物半导体)图像传感器的拍摄装置。在这样的拍摄装置中，形成有：配置有将所入射的光转换成电荷的光电二极管的像素区域；和配置有将由光电二极管转换成的电荷作为电信号进行处理等的外围电路的外围电路区域。在像素区域中，在光电二极管中产生的电荷通过传输用晶体管而被向浮置扩散(Floating Diffusion)区域传输。传输来的电荷在外围电路区域中通过放大用晶体管而被转换成电信号，并作为图像信号输出。作为公开了拍摄装置的文献，有日本特开2010-56515号公报(专利文献1)及日本特开2006-319158号公报(专利文献2)。
在拍摄装置中，一直为了高感光度化和低耗电化而推进微细化。若伴随着微细化，处理电信号的场效应型晶体管的栅极电极的栅极长度为100nm以下，则会采用用于确保实际起作用的栅极长度以改善晶体管特性的手段。即，在形成侧壁绝缘膜之前，在已在栅极电极的侧壁面上形成了偏移隔离(offset spacer)膜的状态下进行外延注入(LDD(LightlyDoped Drain；轻掺杂漏)注入)。由此，能够确保场效应型晶体管的实际起作用的栅极长度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-56515号公报
专利文献2:日本特开2006-319158号公报
发明内容
然而，在以往的拍摄装置中，存在下面这样的问题。偏移隔离膜通过对以覆盖栅极电极等的方式形成于半导体衬底的表面上的、作为侧壁隔离膜的绝缘膜的整个面实施各向异性蚀刻处理(回蚀刻处理)而形成。因此，在光电二极管中，由于将覆盖光电二极管的绝缘膜除去时的干蚀刻处理，所以会发生损伤(等离子体损伤)。一旦光电二极管中发生损伤，暗电流就会增加，导致光电二极管中即使没有光入射也会有电流流过的情况。
关于其他技术问题及新的特征，根据本说明书的记载以及附图能够得以明确。
在一实施方式的拍摄装置的制造方法中，以覆盖元件形成区域及栅极电极的方式形成作为偏移隔离膜的第一绝缘膜。使第一绝缘膜中覆盖光电转换部的部分残留，并对第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极的侧壁面形成偏移隔离膜。通过实施湿蚀刻处理而将覆盖光电转换部的第一绝缘膜的部分除去。
在另一实施方式的拍摄装置的制造方法中，以覆盖元件形成区域及栅极电极的方式形成作为偏移隔离膜的第一绝缘膜。使第一绝缘膜中覆盖光电转换部的部分残留，并对第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极部的侧壁面形成偏移隔离膜。
在另外再一实施方式的拍摄装置中，在隔着传输栅极电极而位于一侧的像素区域的部分形成有光电转换部。以除配置有光电转换部的区域以外的状态，在栅极电极的侧壁面形成有偏移隔离膜。
发明的效果
根据一实施方式的拍摄装置的制造方法，能够制造出抑制暗电流的拍摄装置。
根据另一实施方式的拍摄装置的制造方法，能够制造出抑制暗电流的拍摄装置。
根据另外再一实施方式的拍摄装置，能够抑制暗电流。
附图说明
图1是示出各实施方式的拍摄装置中的像素区域的电路的框图。
图2是示出各实施方式的拍摄装置的像素区域的等价电路的图。
图3是示出各实施方式的拍摄装置的一个像素区域的等价电路的图。
图4是示出各实施方式的拍摄装置的像素区域下部的平面布局的一例的局部平面图。
图5是示出各实施方式的拍摄装置的像素区域上部的平面布局的一例的局部平面图。
图6是示出各实施方式的拍摄装置的制造方法中的主要部分的部分流程图。
图7A是示出实施方式1的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图7B是示出实施方式1的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图8A是示出在该实施方式中在图7A及图7B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图8B是示出在该实施方式中在图7A及图7B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图9A是示出在该实施方式中在图8A及图8B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图9B是示出在该实施方式中在图8A及图8B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图10A是示出在该实施方式中在图9A及图9B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图10B是示出在该实施方式中在图9A及图9B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图11A是示出在该实施方式中在图10A及图10B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图11B是示出在该实施方式中在图10A及图10B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图12A是示出在该实施方式中在图11A及图11B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图12B是示出在该实施方式中在图11A及图11B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图13A是示出在该实施方式中在图12A及图12B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图13B是示出在该实施方式中在图12A及图12B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图14A是示出在该实施方式中在图13A及图13B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图14B是示出在该实施方式中在图13A及图13B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图15A是示出在该实施方式中在图14A及图14B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图15B是示出在该实施方式中在图14A及图14B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图16A是示出在该实施方式中在图15A及图15B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图16B是示出在该实施方式中在图15A及图15B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图17A是示出在该实施方式中在图16A及图16B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图17B是示出在该实施方式中在图16A及图16B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图18A是示出在该实施方式中在图17A及图17B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图18B是示出在该实施方式中在图17A及图17B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图19A是示出在该实施方式中在图18A及图18B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图19B是示出在该实施方式中在图18A及图18B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图20A是示出在该实施方式中在图19A及图19B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图20B是示出在该实施方式中在图19A及图19B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图21A是示出在该实施方式中在图20A及图20B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图21B是示出在该实施方式中在图20A及图20B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图21C是示出在该实施方式中在图20A及图20B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图22是示出在该实施方式中在图21A～图21C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图23A是示出在该实施方式中在图22所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图23B是示出在该实施方式中在图22所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图23C是示出在该实施方式中在图22所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图24A是示出在该实施方式中在图23A～图23C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图24B是示出在该实施方式中在图23A～图23C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图24C是示出在该实施方式中在图23A～图23C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图25A是示出在该实施方式中在图24A～图24C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图25B是示出在该实施方式中在图24A～图24C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图25C是示出在该实施方式中在图24A～图24C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图26A是示出在该实施方式中在图25A～图25C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图26B是示出在该实施方式中在图25A～图25C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图26C是示出在该实施方式中在图25A～图25C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图27A是示出比较例的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图27B是示出比较例的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图28A是示出图27A及图27B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图28B是示出图27A及图27B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图29A是示出图28A及图28B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图29B是示出图28A及图28B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图30A是示出图29A及图29B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图30B是示出图29A及图29B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图31A是示出图30A及图30B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图31B是示出图30A及图30B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图32A是示出图31A及图31B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图32B是示出图31A及图31B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图33A是示出图32A及图32B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图33B是示出图32A及图32B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图34A是示出图33A及图33B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图34B是示出图33A及图33B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图35A是示出图34A及图34B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图35B是示出图34A及图34B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图36A是示出图35A及图35B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图36B是示出图35A及图35B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图37A是示出图36A及图36B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图37B是示出图36A及图36B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图38A是示出图37A及图37B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图38B是示出图37A及图37B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图39A是示出实施方式2的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图39B是示出实施方式2的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图40A是示出在该实施方式中在图39A及图39B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图40B是示出在该实施方式中在图39A及图39B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图40C是示出在该实施方式中在图39A及图39B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图41是示出在该实施方式中在图40A～图40C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图42A是示出在该实施方式中在图41所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图42B是示出在该实施方式中在图41所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图43A是示出在该实施方式中在图42A及图42B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图43B是示出在该实施方式中在图42A及图42B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图43C是示出在该实施方式中在图42A及图42B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图44A是示出在该实施方式中在图43A～图43C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图44B是示出在该实施方式中在图43A～图43C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图44C是示出在该实施方式中在图43A～图43C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图45是示出在该实施方式中在图44A～图44C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图46A是示出在该实施方式中在图45所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图46B是示出在该实施方式中在图45所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图46C是示出在该实施方式中在图45所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图47A是示出在该实施方式中在图46A～图46C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图47B是示出在该实施方式中在图46A～图46C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图47C是示出在该实施方式中在图46A～图46C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图48A是示出在该实施方式中在图47A～图47C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图48B是示出在该实施方式中在图47A～图47C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图48C是示出在该实施方式中在图47A～图47C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图49是用于说明在实施方式1或实施方式2中拍摄装置的像素区域中的硅化物保护膜等的作用效果的图。
图50A是示出实施方式3的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图50B是示出实施方式3的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图51A是示出在该实施方式中在图50A及图50B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图51B是示出在该实施方式中在图50A及图50B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图52A是示出在该实施方式中在图51A及图51B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图52B是示出在该实施方式中在图51A及图51B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图53A是示出在该实施方式中在图52A及图52B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图53B是示出在该实施方式中在图52A及图52B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图54A是示出在该实施方式中在图53A及图53B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图54B是示出在该实施方式中在图53A及图53B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图55A是示出在该实施方式中在图54A及图54B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图55B是示出在该实施方式中在图54A及图54B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图56A是示出在该实施方式中在图55A及图55B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图56B是示出在该实施方式中在图55A及图55B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图57A是示出在该实施方式中在图56A及图56B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图57B是示出在该实施方式中在图56A及图56B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图58A是示出在该实施方式中在图57A及图57B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图58B是示出在该实施方式中在图57A及图57B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图59A是示出在该实施方式中在图58A及图58B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图59B是示出在该实施方式中在图58A及图58B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图59C是示出在该实施方式中在图58A及图58B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图60A是示出在该实施方式中在图59A～图59C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图60B是示出在该实施方式中在图59A～图59C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图60C是示出在该实施方式中在图59A～图59C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图61A是示出在该实施方式中在图60A～图60C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图61B是示出在该实施方式中在图60A～图60C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图61C是示出在该实施方式中在图60A～图60C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图62A是示出实施方式4的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图62B是示出实施方式4的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图63A是示出在该实施方式中在图62A及图62B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图63B是示出在该实施方式中在图62A及图62B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图64是示出在该实施方式中在图63A及图63B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图65A是示出在该实施方式中在图64所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图65B是示出在该实施方式中在图64所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图65C是示出在该实施方式中在图64所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图66A是示出在该实施方式中在图65A～图65C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图66B是示出在该实施方式中在图65A～图65C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图66C是示出在该实施方式中在图65A～图65C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图67A是示出在该实施方式中在图66A～图66C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图67B是示出在该实施方式中在图66A～图66C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图67C是示出在该实施方式中在图66A～图66C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图68A是示出在该实施方式中在图67A～图67C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图68B是示出在该实施方式中在图67A～图67C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图68C是示出在该实施方式中在图67A～图67C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图69A是示出在该实施方式中在图68A～图68C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图69B是示出在该实施方式中在图68A～图68C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图69C是示出在该实施方式中在图68A～图68C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图70A是示出在该实施方式中在图69A～图69C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图70B是示出在该实施方式中在图69A～图69C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图70C是示出在该实施方式中在图69A～图69C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图71是用于说明在实施方式3或实施方式4中拍摄装置的像素区域中的硅化物保护膜等的作用效果的图。
图72A是示出实施方式5的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图72B是示出实施方式5的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图73是示出在该实施方式中在图72A及图72B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图74A是示出在该实施方式中在图73所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图74B是示出在该实施方式中在图73所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图75A是示出在该实施方式中在图74A及图74B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图75B是示出在该实施方式中在图74A及图74B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图76A是示出在该实施方式中在图75A及图75B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图76B是示出在该实施方式中在图75A及图75B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图77A是示出在该实施方式中在图76A及图76B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图77B是示出在该实施方式中在图76A及图76B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图77C是示出在该实施方式中在图76A及图76B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图78A是示出在该实施方式中在图77A～图77C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图78B是示出在该实施方式中在图77A～图77C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图78C是示出在该实施方式中在图77A～图77C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图79A是示出实施方式6的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图79B是示出实施方式6的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图80A是示出在该实施方式中在图79A及图79B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图80B是示出在该实施方式中在图79A及图79B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图80C是示出在该实施方式中在图79A及图79B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图81A是示出在该实施方式中在图80A～图80C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图81B是示出在该实施方式中在图80A～图80C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图81C是示出在该实施方式中在图80A～图80C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图82A是示出实施方式7的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图82B是示出实施方式7的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图83A是示出在该实施方式中在图82A及图82B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图83B是示出在该实施方式中在图82A及图82B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图84A是示出在该实施方式中在图83A及图83B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图84B是示出在该实施方式中在图83A及图83B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图85A是示出在该实施方式中在图84A及图84B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图85B是示出在该实施方式中在图84A及图84B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图86A是示出在该实施方式中在图85A及图85B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图86B是示出在该实施方式中在图85A及图85B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图87A是示出在该实施方式中在图86A及图86B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图87B是示出在该实施方式中在图86A及图86B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图88A是示出在该实施方式中在图87A及图87B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图88B是示出在该实施方式中在图87A及图87B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图88C是示出在该实施方式中在图87A及图87B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图89A是示出在该实施方式中在图88A～图88C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图89B是示出在该实施方式中在图88A～图88C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图89C是示出在该实施方式中在图88A～图88C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图90A是示出实施方式8的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图90B是示出实施方式8的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图91A是示出在该实施方式中在图90A及图90B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图91B是示出在该实施方式中在图90A及图90B所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图91C是示出在该实施方式中在图90A及图90B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图92A是示出在该实施方式中在图91A～图91C所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图92B是示出在该实施方式中在图91A～图91C所示的工序之后进行的工序的各像素区域的剖视图。
图92C是示出在该实施方式中在图91A～图91C所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图93A是示出实施方式9的拍摄装置的制造方法的一个工序的像素区域等的剖视图。
图93B是示出实施方式9的拍摄装置的制造方法的一个工序的外围区域的剖视图。
图94A是示出在该实施方式中在图93A及图93B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图94B是示出在该实施方式中在图93A及图93B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图95A是示出在该实施方式中在图94A及图94B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图95B是示出在该实施方式中在图94A及图94B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图96A是示出在该实施方式中在图95A及图95B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图96B是示出在该实施方式中在图95A及图95B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图97A是示出在该实施方式中在图96A及图96B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图97B是示出在该实施方式中在图96A及图96B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图98A是示出在该实施方式中在图97A及图97B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图98B是示出在该实施方式中在图97A及图97B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图99A是示出在该实施方式中在图98A及图98B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图99B是示出在该实施方式中在图98A及图98B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图100A是示出在该实施方式中在图99A及图99B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图100B是示出在该实施方式中在图99A及图99B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图101A是示出在该实施方式中在图100A及图100B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图101B是示出在该实施方式中在图100A及图100B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图102A是示出在该实施方式中在图101A及图101B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图102B是示出在该实施方式中在图101A及图101B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图103A是示出在该实施方式中在图102A及图102B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图103B是示出在该实施方式中在图102A及图102B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图104A是示出在该实施方式中在图103A及图103B所示的工序之后进行的工序的像素区域等的剖视图。
图104B是示出在该实施方式中在图103A及图103B所示的工序之后进行的工序的外围区域的剖视图。
图105是用于说明在该实施方式中由三层构成的侧壁绝缘膜的作用效果的图。
具体实施方式
首先，对拍摄装置的概要进行说明。如图1及图2所示，拍摄装置IS由以矩阵状配置的多个像素PE构成。在各个像素PE中形成有pn结型光电二极管PD。在光电二极管PD中经光电转换的电荷按像素被电压转换电路VTC转换成电压。被转换成电压的信号通过信号线而被水平扫描电路HSC及垂直扫描电路VSC读出。在水平扫描电路HVC和电压转换电路VTC之间连接有列电路RC。
在各像素中，如图3所示，光电二极管PD、传输用晶体管TT、放大用晶体管AT、选择用晶体管ST及复位用晶体管RT互相电连接。在光电二极管PD中，来自被拍体的光被作为电荷而蓄积。传输用晶体管TT将电荷向杂质区域(浮置扩散区域)传输。复位用晶体管RT在电荷被向浮置扩散区域传输之前使浮置扩散区域的电荷复位。
传输至浮置扩散区域的电荷被输入给放大用晶体管AT的栅极电极，从而被转换成电压(Vdd)并放大。若选择像素的特定行的信号被输入至选择用晶体管ST的栅极电极，则转换成电压的信号作为图像信号(Vsig)而被读出。
如图4所示，光电二极管PD、传输用晶体管TT、放大用晶体管AT、选择用晶体管ST及复位用晶体管RT配置于通过在半导体衬底上形成元件分离绝缘膜而规定的多个元件形成区域中的规定的元件形成区域EF1、EF2、EF3、EF4中。
传输用晶体管TT形成于元件形成区域EF1。传输用晶体管TT的栅极电极TGE以横切该元件形成区域EF1的方式形成。在隔着栅极电极TGE而位于一侧的元件形成区域EF1的部分中形成光电二极管PD，在位于另一侧的元件形成区域EF1的部分形成浮置扩散区域FDR。在元件形成区域EF2中形成有包括栅极电极AGE的放大用晶体管AT。在元件形成区域EF3中形成有包括栅极电极SGE的选择用晶体管ST。在元件形成区域EF4中形成有包括栅极电极RGE的复位用晶体管RT。
以覆盖光电二极管PD、传输用晶体管TT、放大用晶体管AT、选择用晶体管ST及复位用晶体管RT的方式形成有多层的层间绝缘膜(未图示)。在一层间绝缘膜与另一层间绝缘膜之间形成有金属布线。如图5所示，包括第三布线M3的金属布线以不覆盖配置有光电二极管PD的区域的方式形成。在光电二极管PD的正上方配置有使光汇聚的微透镜ML。
下面，对拍摄装置的制造方法的概要进行说明。在各实施方式的拍摄装置的制造方法中，为了防止形成偏移隔离膜时对光电二极管的蚀刻损伤，而以覆盖配置有光电二极管的区域的方式形成偏移隔离膜，然后，通过湿蚀刻处理将覆盖该光电二极管的偏移隔离膜除去，或是实施将该偏移隔离膜留下的处理。
其主要工序的流程图在图6中示出。如图6所示，形成包括传输用晶体管在内的场效应型晶体管的栅极电极(步骤S1)。接下来，以覆盖配置有光电二极管的区域的方式，在栅极电极的侧壁面形成偏移隔离膜(步骤S2)。然后，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成场效应型晶体管的外延(LDD)区域。
接下来，在将覆盖配置有光电二极管的区域的偏移隔离膜除去的情况下，通过湿蚀刻处理来除去(步骤S3及步骤S4)。另一方面，在不将覆盖配置有光电二极管的区域的偏移隔离膜除去的情况下，残留偏移隔离膜(步骤S3及步骤S5)。
接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(步骤S6)。然后，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模，形成场效应型晶体管的源极/漏极区域。接着，为了提高向光电二极管入射的光的光量，进行硅化物保护膜的分配(步骤S7)。硅化物保护膜对于保留覆盖光电二极管的偏移隔离膜(绝缘膜)的情况和不保留偏移隔离膜(绝缘膜)的情况，按照像素分开形成。
以下，在各实施方式中，关于偏移隔离膜和硅化物保护膜的形成方式的变化具体地进行说明。
实施方式1
此处，对下面的情况进行说明，即：通过整面湿蚀刻处理除去偏移隔离膜，并针对像素区域，分配形成硅化物保护膜的像素区域和不形成硅化物保护膜的像素区域。
如图7A及图7B所示，通过在半导体衬底上形成元件分离绝缘膜EI，从而作为元件形成区域，规定有像素区域RPE、像素晶体管区域RPT、第一外围区域RPCL及第二外围区域RPCA。在像素区域RPE中形成有光电二极管及传输用晶体管。在像素晶体管区域RPT中形成有复位用晶体管、放大用晶体管及选择用晶体管。另外，作为工序图，为了图面的简化，将这些晶体管用一个晶体管来代表。
在第一外围区域RPCL中，作为供场效应型晶体管形成的区域，进一步规定有区域RNH、RPH、RNL、RPL。在区域RNH，形成由相对高的电压(例如3.3V左右)驱动的n沟道型场效应型晶体管。此外，在区域RPH，形成由相对高的电压(例如3.3V左右)驱动的p沟道型场效应型晶体管。在区域RNL，形成由相对低的电压(例如1.5V左右)驱动的n沟道型场效应型晶体管。此外，在区域RPL，形成由相对低的电压(例如1.5V左右)驱动的p沟道型场效应型晶体管。
在第二外围区域RPCA，作为供场效应型晶体管形成的区域，规定了区域RAT。在区域RAT，形成由相对高的电压(例如3.3V左右)驱动的n沟道型场效应型晶体管。形成于区域RAT的场效应型晶体管用于处理模拟信号。
接下来，依次进行通过照相制版处理形成规定的抗蚀图案(未图示)，并将该抗蚀图案作为注入掩模，注入规定导电型的杂质的工序，由此分别形成规定导电型的阱。如图8A及图8B所示，在像素区域RPE及像素晶体管区域RPT形成P型阱PPWL和P型阱PPWH。在第一外围区域RPCL形成P型阱HPW、LPW和N型阱HNW、LNW。在第二外围区域RPCA形成P型阱HPW。
P型阱PPWL的杂质浓度比P型阱PPWH的杂质浓度低。P型阱PPWH从半导体衬底SUB的表面起在比P型阱PPWL浅的区域范围内形成。P型阱HPW、LPW及N型阱HNW、LNW分别从半导体衬底SUB的表面起在规定的深度范围内形成。
接下来，通过组合进行热氧化处理、和将通过热氧化处理而形成的绝缘膜部分地除去的处理，形成膜厚不同的的栅极绝缘膜。在像素区域RPE及像素晶体管区域RPT形成膜厚相对厚的栅极绝缘膜GIC。在第一外围区域RPCL的区域RNH、RPH、RAT形成膜厚相对厚的栅极绝缘膜GIC。在第一外围区域RPCL的区域RNL、RPL，形成膜厚相对薄的栅极绝缘膜GIN。栅极绝缘膜GIC的膜厚例如为大约7nm。
接下来，以覆盖栅极绝缘膜GIC、GIN的方式形成作为栅极电极的多晶硅膜等导电膜(未图示)。接着，通过对该导电膜实施规定的照相制版处理和蚀刻处理而形成栅极电极。在像素区域RPE形成传输用晶体管的栅极电极TGE。在像素晶体管区域RPT形成复位用晶体管、放大用晶体管或选择用晶体管的栅极电极PEGE。
在第一外围区域RPCL的区域RNH形成栅极电极NHGE。在区域RPH形成栅极电极PHGE。在区域RNL形成栅极电极NLGE。在区域RPL形成栅极电极PLGE。在第二外围区域RPCA的区域RAT形成栅极电极NHGE。栅极电极PEGE、NHGE、PHGE形成为各自栅极长度方向上的长度比栅极电极NLGE、PLGE的栅极长度方向上的长度长。
接下来，在像素区域RPE形成光电二极管。形成抗蚀图案(未图示)，该抗蚀图案使隔着栅极电极TGE位于一侧的P型阱PPWL的表面露出而覆盖其他区域。接着，将该抗蚀图案作为注入掩模，注入n型的杂质，由此从半导体衬底SUB的表面(P型阱PPWL的表面)起在规定的深度范围内形成n型区域NR。进一步地，通过注入p型的杂质，从半导体衬底SUB的表面起在比规定的深度浅的深度范围形成p型区域PR。通过n型区域NR与p型阱PPWL的pn结形成光电二极管PD。
接下来，分别在供由相对高的电压驱动的场效应型晶体管形成的区域RPT、RNH、RAT、RPH中形成外延(LDD)区域。如图9A及图9B所示，通过实施规定的照相制版处理形成使像素晶体管区域RPT、区域RNH及区域RAT露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MHNL。
接下来，将抗蚀图案MHNL及栅极电极PEGE、NHGE等作为注入掩模，注入n型的杂质，由此分别在露出的像素晶体管区域RPT、区域RNH及区域RAT中形成n型的外延区域HNLD。此外，在像素区域RPE中，在隔着栅极电极TGE而与光电二极管PD的形成侧相反的一侧的P型阱PPWH的部分上形成外延区域HNLD。然后，除去抗蚀图案MHNL。
接下来，通过实施规定的照相制版处理，如图10A及图10B所示，形成使区域RPH露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MHPL。接下来，将该抗蚀图案MHPL及栅极电极PHGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在露出的区域RPH形成p型的外延区域HPLD。然后，除去抗蚀图案MHPL。
接下来，如图11A及图11B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的方式，形成作为偏移隔离膜的绝缘膜OSSF。该绝缘膜OSSF例如由TEOS(Tetra EthylOrtho Silicate glass；正硅酸乙酯)类氧化硅膜等构成。此外，绝缘膜OSSF的膜厚例如为15nm左右。
接下来，通过实施规定的照相制版处理，形成抗蚀图案MOSE(参照图12A)，该抗蚀图案MOSE覆盖配置有光电二极管PD的区域而使其他区域露出。接下来，如图12A及图12B所示，将抗蚀图案MOSE作为蚀刻掩模，对露出的绝缘膜OSSF实施各向异性蚀刻处理。由此，将位于栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面上的绝缘膜OSSF的部分除去，通过残留在栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上的绝缘膜OSSF的部分形成偏移隔离膜OSS。然后，将抗蚀图案MOSE除去。
接下来，分别在供由相对低的电压驱动的场效应型晶体管形成的区域RNL、RPL形成外延(LDD)区域。如图13A及图13B所示，通过实施规定的照相制版处理，形成使区域RNL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MLNL。接下来，将抗蚀图案MLNL、偏移隔离膜OSS及栅极电极NLGE作为注入掩模，注入n型的杂质，由此在露出的区域RNL形成外延区域LNLD。然后，将抗蚀图案MLNL除去。
接下来，通过实施规定的照相制版处理，如图14A及图14B所示，形成使区域RPL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MLPL。接下来，将该抗蚀图案MLPL、偏移隔离膜OSS及栅极电极PLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在露出的区域RPL形成外延区域LPLD。然后，将抗蚀图案MLPL除去。
接下来，如图15A及图15B所示，通过对半导体衬底SUB的整个面实施湿蚀刻处理(参照双线箭头)，将覆盖光电二极管PD的偏移隔离膜OSS(绝缘膜OSSF)、及形成在栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上的偏移隔离膜OSS除去。此时，在光电二极管PD中，与通过干蚀刻处理将偏移隔离膜除去的情况相比，通过湿蚀刻处理将偏移隔离膜OSS(绝缘膜OSSF)除去的情况不会带来损伤。
接下来，如图16A及图16B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的方式形成作为侧壁绝缘膜的绝缘膜SWF。作为绝缘膜SWF，形成在氧化膜之上层叠氮化膜而成的二层构成的绝缘膜。另外，在各图，为了图面的简化，将绝缘膜SWF作为单层示出。
接下来，形成抗蚀图案MSW(参照图17A)，该抗蚀图案MSW覆盖配置有光电二极管PD的区域而使其他区域露出。接下来，如图17A及图17B所示，将抗蚀图案MSW作为蚀刻掩模，在露出的绝缘膜SWF上实施各向异性蚀刻处理。由此，将位于栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面上的绝缘膜SWF的部分除去，并通过残留在栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上的绝缘膜SWF的部分形成侧壁绝缘膜SWI。然后，将抗蚀图案MSW除去。
接下来，分别在供p沟道型的场效应型晶体管形成的区域RPH、RPL形成源极/漏极区域。如图18A及图18B所示，通过实施规定的照相制版处理，形成使区域RPH、RPL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MPDF。接下来，将抗蚀图案MPDF、侧壁绝缘膜SWI及栅极电极PHGE、PLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在区域RPH形成源极/漏极区域HPDF，在区域RPL形成源极/漏极区域LPDF。然后，将抗蚀图案MPDF除去。
接下来，分别在供n沟道型的场效应型晶体管形成的区域RPT、RNH、RNL、RAT形成源极/漏极区域。如图19A及图19B所示，通过实施规定的照相制版处理，形成使区域RPT、RNH、RNL、RAT露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MNDF。接下来，将抗蚀图案MNDF、侧壁绝缘膜SWI及栅极电极TGE、PEGE、NHGE、NLGE作为注入掩模，注入n型的杂质，由此分别在区域RPT、RNH、RAT形成源极/漏极区域HNDF，在区域RNL形成源极/漏极区域LNDF。此外，此时，在像素区域RPE，形成浮置扩散区域FDR。然后，将抗蚀图案MNDF除去。
通过至此的工序，在像素区域RPE中形成了传输用晶体管TT。在像素晶体管区域RPT中形成了n沟道型的场效应型晶体管NHT。在第一外围区域RPCL的区域RNH中形成了n沟道型的场效应型晶体管NHT。在区域RPH中形成了p沟道型的场效应型晶体管PHT。在区域RNL中形成了n沟道型的场效应型晶体管NLT。在区域RPL中形成了p沟道型的场效应型晶体管PLT。在第二外围区域RPCA的区域RAT中形成了n沟道型的场效应型晶体管NHAT。
接下来，针对场效应型晶体管NHT、PHT、NLT、PLT、NHAT中的未形成金属硅化物膜的场效应型晶体管NHAT，形成阻止硅化物化的硅化物保护膜。此外，该硅化物保护膜在像素区域RPE中被用作防止反射膜，被分配给形成硅化物保护膜的像素区域、和不形成硅化物保护膜的像素区域。
如图20A及图20B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成阻止硅化物化的硅化物保护膜SP1。作为硅化物保护膜SP1，例如形成氧化硅膜等。接下来，如图21A及图21B所示，形成抗蚀图案MSP1，该抗蚀图案MSP1覆盖区域RAT和规定的像素区域RPE而使其他区域露出。在像素区域RPE中，形成多个与红色、绿色及蓝色各自对应的像素区域。
此处，如图21C所示，在像素区域RPE中，为了对与三色中规定的一色相对应的像素区域RPEC形成硅化物保护膜，抗蚀图案MSP1形成为覆盖像素区域RPEC且使与其余二色相对应的像素区域RPEA、RPEB露出。
接下来，如图22所示，将抗蚀图案MSP1作为蚀刻掩模而实施湿蚀刻处理，由此将露出的硅化物保护膜SP1除去。接下来，将抗蚀图案MSP1除去，由此如图23A所示，使残留在像素区域RPEC中的硅化物保护膜SP1露出。此时，如图23B及图23C所示，在第二外围区域RPCA的区域RAT中，残留的硅化物保护膜SP1露出。另一方面，在像素晶体管区域RPT、第一外围区域RPCL中，硅化物保护膜SP1被除去。
接下来，通过自对准硅化物(SALICIDE:Self ALIgned siliCIDE)法形成金属硅化物膜。首先，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的方式形成钴等规定的金属膜(未图示)。接下来，通过实施规定的热处理使金属与硅反应，从而形成金属硅化物膜MS(参照图24A～图24C)。然后，除去未反应的金属。这样，如图24A及图24B所示，在像素区域RPE中，在像素区域RPEA、RPEB、RPEC各自的传输用晶体管TT的栅极电极TGE的上表面的一部分及浮置扩散区域FDR的表面上形成金属硅化物膜MS。在像素晶体管RTP中，在场效应型晶体管的栅极电极PEGE的上表面及源极/漏极区域HNDF的表面形成金属硅化物膜MS。
如图24C所示，在第一外围区域RPCL中，在场效应型晶体管NHT的栅极电极NHGE的上表面及源极/漏极区域HNDF的表面形成金属硅化物膜MS。在场效应型晶体管PHT的栅极电极PHGE的上表面及源极/漏极区域HPDF的表面形成金属硅化物膜MS。在场效应型晶体管NLT的栅极电极NLGE的上表面及源极/漏极区域LNDF的表面形成金属硅化物膜MS。在场效应型晶体管PLT的栅极电极PLGE的上表面及源极/漏极区域LPDF的表面形成金属硅化物膜MS。另一方面，在第二外围区域RPCA中，由于形成有硅化物保护膜SP1，因此不会形成金属硅化物膜。
接下来，如图25A、图25B及图25C所示，以覆盖传输用晶体管TT及场效应型晶体管NHT、PHT、NLT、PLT、NHAT等的方式形成应力衬膜SL。作为应力衬膜SL，例如形成了在氧化硅膜之上层叠氮化硅膜而成的层叠膜。接下来，以覆盖该应力衬膜SL的方式形成第一层间绝缘膜IF1来作为接触层间膜。接下来，通过实施规定的照相制版处理来形成用于形成接触孔的抗蚀图案(未图示)。
接下来，将该抗蚀图案作为蚀刻掩模，对第一层间绝缘膜IF1等实施各向异性蚀刻处理，在像素区域RPE中形成接触孔CH，该接触孔CH使在浮置扩散区域FDR中形成的金属硅化物膜MS的表面露出。在像素晶体管区域RPT中形成接触孔CH，该接触孔CH使在源极/漏极区域HNDF中形成的金属硅化物膜MS的表面露出。
在第一外围区域RPCL中形成接触孔CH，该接触孔CH使分别在源极/漏极区域HNDF、HPDF、LNDF、LPDF中形成的金属硅化物膜MS的表面露出。在第二外围区域RPCA中形成接触孔CH，该接触孔CH使源极/漏极区域HNDF的表面露出。然后，将抗蚀图案除去。
接下来，如图26A、图26B及图26C所示，在各接触孔CH中分别形成接触插塞CP。接着，以与第一层间绝缘膜IF1的表面相接触的方式形成第一布线M1。以覆盖该第一布线M1的方式形成第二层间绝缘膜IF2。接着，以贯通第二层间绝缘膜IF的方式分别形成与所对应的第一布线M1电连接的第一过孔V1。接着，以与第二层间绝缘膜IF2的表面相接触的方式形成第二布线M2。各第二布线M2分别与所对应的第一过孔V1电连接。
接着，以覆盖第二布线M2的方式形成第三层间绝缘膜IF3。接着，以贯通第三层间绝缘膜IF3的方式分别形成与所对应的第二布线M2电连接的第二过孔V2。接下来，以与第三层间绝缘膜IF3的表面相接触的方式形成第三布线M3。第三布线M3分别与所对应的第二过孔V2电连接。接下来，以覆盖第三布线M3的方式形成第四层间绝缘膜IF4。接下来，以与第四层间绝缘膜IF4的表面相接触的方式形成例如氮化硅膜等绝缘膜SNI。接下来，在像素区域RPE中，形成与红色、绿色及蓝色中的某一色对应的规定的彩色滤光片CF。然后，在像素区域RPE中配置使光汇聚的微透镜ML。这样就完成了拍摄装置的主要部分。
在上述的拍摄装置中，与通过实施干蚀刻处理来除去偏移隔离膜的情况相比，通过实施湿蚀刻处理来除去偏移隔离膜能够避免对光电二极管的蚀刻损伤。关于此，根据与比较例的拍摄装置的制造方法的关系来进行说明。另外，在比较例的拍摄装置中，关于与实施方式的拍摄装置相同的部件，使用在该实施方式的拍摄装置的部件的附图标记前附上了标记“C”的附图标记，除有必要不再重复其说明。
首先，经由与图7A及图7B～图10A及图10B所示工序同样的工序，如图27A及图27B所示，以覆盖栅极电极CTGE、CPEGE、CNHGE、CPHGE、CNLGE、CPLGE的方式形成作为偏移隔离膜的绝缘膜COSSF。接下来，如图28A及图28B所示，对绝缘膜COSSF的整个面实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极CTGE、CPEGE、CNHGE、CPHGE、CNLGE、CPLGE的侧壁面上形成偏移隔离膜COSS。此时，在光电二极管CPD上会产生损伤(等离子体损伤)。
接下来，如图29A及图29B所示，将抗蚀图案CMLNL、偏移隔离膜COSS及栅极电极CNLGE作为注入掩模，注入n型的杂质，由此在露出的区域CRNL形成外延区域CLNLD。然后，将抗蚀图案CMLNL除去。接着，如图30A及图30B所示，将抗蚀图案CMLPL、偏移隔离膜COSS及栅极电极CPLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在露出的区域CRPL形成外延区域CLPLD。然后，将抗蚀图案CMLPL除去。
接下来，如图31A及图31B所示，以覆盖栅极电极CTGE、CPEGE、CNHGE、CPHGE、CNLGE、CPLGE的方式形成作为侧壁绝缘膜的绝缘膜CSWF。接下来，如图32A及图32B所示，将覆盖光电二极管CPD的抗蚀图案CMSW作为蚀刻掩模，对露出的绝缘膜CSWF实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极CTGE、CPEGE、CNHGE、CPHGE、CNLGE、CPLGE的侧壁面上形成侧壁绝缘膜CSWI。侧壁绝缘膜CSWI以覆盖位于栅极电极CTGE、CPEGE、CNHGE、CPHGE、CNLGE、CPLGE的侧壁面上的偏移隔离膜COSS的方式形成。然后，将抗蚀图案CMSW除去。
接着，如图33A及图33B所示，将抗蚀图案CMPDF、侧壁绝缘膜CSWI、偏移隔离膜COSS及栅极电极CPHGE、CPLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在区域CRPH形成源极/漏极区域CHPDF，在区域CRPL形成源极/漏极区域CLPDF。然后，将抗蚀图案CMPDF除去。
接着，如图34A及图34B所示，将抗蚀图案CMNDF、侧壁绝缘膜CSWI、偏移隔离膜COSS及栅极电极CTGE、CPEGE、CNHGE、CNLGE作为注入掩模，注入n型的杂质，由此分别在各区域CRPT、CRNH、CRAT形成源极/漏极区域CHNDF，在区域CRNL形成源极/漏极区域CLNDF。此外，此时，在像素区域CRPE中形成浮置扩散区域CFDR。然后，将抗蚀图案CMNDF除去。
接着，如图35A及图35B所示，以覆盖栅极电极CTGE、CPEGE、CNHGE、CPHGE、CNLGE、CPLGE等的方式形成硅化物保护膜CSP。接下来，形成覆盖区域CRAT而使其他区域露出的抗蚀图案CMSP(参照图36B)。接下来，如图36A及图36B所示，将抗蚀图案CMSP作为蚀刻掩模来实施湿蚀刻处理，由此将露出的硅化物保护膜CSP除去。然后，将抗蚀图案CMSP除去。
接着，如图37A及图37B所示，利用自对准硅化物法在除区域CRAT以外的区域形成金属硅化物膜CMS。然后，经与图25A及图25C所示工序同样的工序和图26A及图26C所示工序同样的工序，如图38A及图38B所示，完成了比较例的拍摄装置的主要部分。
在比较例的拍摄装置中，如图28A及图28B所示，偏移隔离膜COSS是通过对绝缘膜COSSF的整个面实施各向异性蚀刻处理而形成的。因此，在像素区域CRPE中，随着各向异性蚀刻处理而会在光电二极管CPD中产生损伤(等离子体损伤)。一旦光电二极管CPD中产生损伤，暗电流就会增加，从而产生光电二极管CPD中即使没有光入射也会有电流流过的不良情况。
相对于比较例，在实施方式1的拍摄装置的制造方法中，由于对绝缘膜OSSF实施各向异性蚀刻处理，所以在形成偏移隔离膜OSS时，光电二极管PD被抗蚀图案MOSE覆盖着(参照图12A及图12B)。由此，不会在光电二极管PD中产生由各向异性蚀刻处理带来的损伤(等离子体损伤)。
此外，覆盖光电二极管PD的绝缘膜OSSF会在以偏移隔离膜等为注入掩模形成外延区域LNLD、LPLD后，连同偏移隔离膜OSS一并通过实施湿蚀刻处理而被除去(参照图15A及图15B)。通过该湿蚀刻处理也不会在光电二极管PD中产生损伤。其结果是，在拍摄装置中，能够降低由损伤引起的暗电流。
再者，在像素区域RPE中，在形成作为防止反射膜发挥作用的侧壁绝缘膜SWI之前，将覆盖光电二极管PD的绝缘膜OSSF除去(参照图15A、图15B、图16A及图16B)。由此，能够抑制入射到光电二极管PD中的光量的减少，能够防止拍摄装置的感光度劣化。
此外，如图26B所示，在像素区域RPE，配置有供作为防止反射膜发挥作用的硅化物保护膜形成的像素区域RPEC、和不形成硅化物保护膜的像素区域RPEA、RPEB。由此，能够根据光的颜色(波长)来调整透过覆盖光电二极管PD的膜而入射到光电二极管的光的强度(聚光率)，从而能够使像素的感光度与所希望的感光度一致。关于此将在实施方式2中具体地说明。
实施方式2
在实施方式1中，对在拍摄装置的像素区域中分配了形成硅化物保护膜的像素区域和不形成硅化物保护膜的像素区域的情况进行了说明。此处，对通过整面湿蚀刻处理除去偏移隔离膜并分配硅化物保护膜的膜厚的情况进行说明。另外，对与在实施方式1中说明过的拍摄装置相同的部件标注相同的附图标记，除了必要情况不再重复其说明。
首先，在经过与从图7A及图7B所示工序到图14A及图14B所示工序同样的工序之后，通过与图15A及图15B所示工序同样的工序，将覆盖像素区域RPE的绝缘膜OSSF连同偏移隔离膜OSS一并通过湿蚀刻处理除去。然后，在经过与从图16A及图16B所示工序到图19A及图19B所示工序同样的工序之后，对像素区域进行硅化物保护膜的膜厚分配。
首先，如图39A及图39B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成第一层硅化物保护膜SP1。接着，如图40A及图40B所示，形成覆盖规定的像素区域RPE而使其他区域露出的抗蚀图案MSP1。如已经说明的那样，在像素区域RPE中，形成多个与红色、绿色及蓝色各自对应的像素区域。此处，如图40C所示，在像素区域RPE中，为了对与三色中规定的一色相对应的像素区域RPEB形成第一层硅化物保护膜，抗蚀图案MSP1以覆盖像素区域RPEB而使与其余二色相对应的像素区域RPEA、RPEC露出的方式形成。
接下来，如图41所示，通过将抗蚀图案MSP1作为蚀刻掩模而实施湿蚀刻处理，而将露出的硅化物保护膜SP1除去。然后，将抗蚀图案MSP1除去，由此如图42A所示，使残留在像素区域RPEB的硅化物保护膜SP1露出。此时，如图42B所示，将覆盖第一外围区域RPCL的硅化物保护膜SP1除去，并将覆盖第二外围区域RPCA的区域RAT的硅化物保护膜SP1也除去。
接下来，如图43A及图43B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成第二层硅化物保护膜SP2。此时，如图43C所示，在像素区域RPE中，在形成了第一层硅化物保护膜SP1的像素区域RPEB中，以覆盖该硅化物保护膜SP1和栅极电极TGE等的方式形成硅化物保护膜SP2。在没有形成硅化物保护膜SP1的像素区域RPEA、RPEC中，以覆盖绝缘膜SWF及栅极电极TGE的方式形成硅化物保护膜SP2。
接下来，如图44A及图44B所示，形成抗蚀图案MSP2，该抗蚀图案MSP2覆盖规定的像素区域RPE和第二外围区域RPCA的区域RAT而使其他区域露出。此处，如图44C所示，为了在像素区域RPE对与规定的一色相对应的像素区域RPEB形成第二层硅化物保护膜，且对与另外的规定的一色相对应的像素区域RPEC形成第一层硅化物保护膜，抗蚀图案MSP2以覆盖像素区域RPEB、RPEC而使像素区域RPEA露出的方式形成。
接下来，如图45所示，将抗蚀图案MSP2作为蚀刻掩模来实施湿蚀刻处理，由此将露出的硅化物保护膜SP2除去。然后，通过除去抗蚀图案MSP2，如图46A所示，使残留在像素区域RPEB、RPEC的硅化物保护膜SP2分别露出。由此，在像素区域RPEB形成两层硅化物保护膜SP1、SP2，在像素区域RPEC形成一层硅化物保护膜SP2。此外，在像素区域RPEA中不形成硅化物保护膜。这样就对像素区域RPE分配了硅化物保护膜的膜厚。
另一方面，如图46B及图46C所示，在像素晶体管区域RPT及第一外围区域RPCL中，硅化物保护膜SP2被除去。在第二外围区域RPCA的区域RAT中，残留的硅化物保护膜SP2露出。
接下来，通过自对准硅化物法形成金属硅化物膜。如图47A及图47B所示，在像素区域RPE，在传输用晶体管TT的栅极电极TGE的上表面的一部分及浮置扩散区域FDR的表面形成金属硅化物膜MS。在像素晶体管RTP中，在场效应型晶体管的栅极电极PEGE的上表面及源极/漏极区域HNDF的表面形成金属硅化物膜MS。如图47C所示，在第一外围区域RPCL中，在栅极电极NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面及源极/漏极区域HNDF、HPDF、LNDF、LPDF的表面形成金属硅化物膜MS。另一方面，在第二外围区域RPCA中，由于形成有硅化物保护膜SP2，因此不形成金属硅化物膜。
然后，在经与图25A、图25B及图25C所示工序同样的工序之后，经与图26A、图26B及图26C所示工序同样的工序，则如图48A、图48B及图48C所示，完成了拍摄装置的主要部分。
在实施方式2的拍摄装置的制造方法中，与实施方式1的拍摄装置的制造方法相同，在形成偏移隔离膜OSS时，光电二极管PD被抗蚀图案MOSE覆盖。然后，覆盖该光电二极管PD的绝缘膜OSSF在外延区域LNLD、LPLD形成之后连同偏移隔离膜OSS一并通过实施湿蚀刻处理而被除去。由此，如在实施方式1中说明的那样，不会在光电二极管PD中产生损伤，其结果是在拍摄装置中能够降低由损伤引起的暗电流。
此外，在实施方式2的拍摄装置的像素区域RPE中，将作为偏移隔离膜的绝缘膜除去，并分配作为防止反射膜发挥功能的硅化物保护膜的膜厚。具体而言，在像素区域RPE配置有：形成有膜厚相对厚的硅化物保护膜SP1、SP2的像素区域RPEB；形成有膜厚相对薄的硅化物保护膜SP2的像素区域RPEC；以及没有形成硅化物保护膜的像素区域RPEA(参照图51B)。
另一方面，在实施方式1的拍摄装置的像素区域PRE中，作为偏移隔离膜的绝缘膜被除去，并配置有形成有硅化物保护膜SP1的像素区域RPEC和没有形成硅化物保护膜的像素区域RPEA、RPEB(参照图26B)。
由此，能够根据光的颜色(波长)提高透过覆盖光电二极管PD的膜(层叠膜)而入射到光电二极管的光的强度(聚光率)。关于此，以红色、绿色及蓝色中的一色光为例，来说明覆盖光电二极管的层叠膜的透过率与硅化物保护膜等的膜厚之间的关系。
如图49所示，首先，使覆盖光电二极管的侧壁绝缘膜SWI为氧化膜和氮化膜这两层。使硅化物保护膜SP为氧化膜。使应力衬膜SL为氧化膜和氮化膜这两层。
此时，在图表中示出由发明人评价的、覆盖光电二极管的层叠膜的透过率与将硅化物保护膜(氧化膜)和应力衬膜的氧化膜加起来的膜厚之间的关系。如图表所示可知，透过率依赖于硅化物保护膜等的膜厚而变动。
该结果是针对分光成红色、绿色或蓝色的光的一例的图表，但是发明人确认：关于一例以外的光，也是透过率依赖于硅化物保护膜等的膜厚而变动。因此，通过分配形成硅化物保护膜的像素区域和不形成硅化物保护膜的像素区域、以及在供硅化物保护膜形成的像素区域中分配其膜厚，能够制造出具有例如与数码相机等所要求的规格相应的最佳像素区域的拍摄装置。即，通过调整硅化物保护膜的膜厚，能够提高像素的感光度，或是抑制感光度以避免像素的感光度过度升高，从而能够使像素的感光度与所希望的感光度高精度地一致。
实施方式3
此处，对保留偏移隔离膜并在像素区域中分配形成硅化物保护膜的像素区域和不形成硅化物保护膜的像素区域的情况进行说明。另外，对与在实施方式1中说明过的拍摄装置相同的部件标注相同的附图标记，除了必要情况不再重复其说明。
首先，在经过与从图7A及图7B所示工序到图12A及图12B所示工序同样的工序之后，将抗蚀图案MLPL除去，由此，如图50A及图50B所示，使在覆盖光电二极管PD的绝缘膜OSSF及栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上形成的偏移隔离膜OSS露出。
接下来，如图51A及图51B所示，通过实施规定的照相制版处理，形成使区域RNL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MLNL。接下来，将抗蚀图案MLNL、偏移隔离膜OSS及栅极电极NLGE作为注入掩模，注入n型的杂质，由此在露出的区域RNL形成外延区域LNLD。然后，将抗蚀图案MLNL除去。
接下来，通过实施规定的照相制版处理，如图52A及图52B所示，形成使区域RPL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MLPL。接下来，将该抗蚀图案MLPL、偏移隔离膜OSS及栅极电极PLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在露出的区域RPL形成外延区域LPLD。然后，将抗蚀图案MLPL除去。
接下来，如图53A及图53B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE及偏移隔离膜OSS的方式形成作为侧壁绝缘膜的绝缘膜SWF。接下来，通过实施规定的照相制版处理形成抗蚀图案MSW(参照图54A)，该抗蚀图案MSW覆盖配置有光电二极管PD的区域而使其他区域露出。接下来，如图54A及图54B所示，将抗蚀图案MSW作为蚀刻掩模，对露出的绝缘膜SWF实施各向异性蚀刻处理。
由此，位于栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面上的绝缘膜SWF的部分被除去，由残留在栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上的绝缘膜SWF的部分形成侧壁绝缘膜SWI。侧壁绝缘膜SWI以覆盖偏移隔离膜OSS的方式形成。然后，将抗蚀图案MSW除去。
接下来，如图55A及图55B所示，通过实施规定的照相制版处理来形成使区域RPH、RPL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MPDF。接下来，将抗蚀图案MPDF、侧壁绝缘膜SWI、偏移隔离膜OSS及栅极电极PHGE、PLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在区域RPH形成源极/漏极区域HPDF，且在区域RPL形成源极/漏极区域LPDF。然后，将抗蚀图案MPDF除去。
接下来，如图56A及图56B所示，通过实施规定的照相制版处理来形成使区域RPT、RNH、RNL、RAT露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MNDF。接下来，将抗蚀图案MNDF、侧壁绝缘膜SWI、偏移隔离膜OSS及栅极电极TGE、PEGE、NHGE、NLGE作为注入掩模，注入n型的杂质，由此分别在各区域RPT、RNH、RAT形成源极/漏极区域HNDF，且在区域RNL形成源极/漏极区域LNDF。此外，此时，在像素区域RPE中形成浮置扩散区域FDR。然后，将抗蚀图案MNDF除去。
接下来，如图57A及图57B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成阻止硅化物化的硅化物保护膜SP1。接下来，以与图21A～图21C所示工序同样的方式，如图58A及图58B所示形成抗蚀图案MSP1，该抗蚀图案MSP1覆盖区域RAT和与规定的一色对应的像素区域RPE(RPEC)而使其他区域露出。接下来，将抗蚀图案MSP1作为蚀刻掩模而实施湿蚀刻处理，由此将露出的硅化物保护膜SP1除去。然后，将抗蚀图案MSP1除去，由此如图59A、图59B及图59C所示，使像素区域RPE中的残留在像素区域RPEC中的硅化物保护膜SP1露出。此外，使残留在第二外围区域RPCA的区域RAT中的硅化物保护膜SP1露出。
接着，通过自对准硅化物法形成金属硅化物膜。如图60A及图60B所示，在像素区域RPE中，在传输用晶体管TT的栅极电极TGE的上表面的一部分及浮置扩散区域FDR的表面上形成金属硅化物膜MS。在像素晶体管RTP中，在场效应型晶体管NHT的栅极电极PEGE的上表面及源极/漏极区域HNDF的表面上形成金属硅化物膜MS。如图60C所示，在第一外围区域RPCL中，在栅极电极NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面及源极/漏极区域HNDF、HPDF、LNDF、LPDF的表面上形成金属硅化物膜MS。另一方面，在第二外围区域RPCA中，由于形成有硅化物保护膜SP1，所以不形成金属硅化物膜。
然后，在经与图25A、图25B及图25C所示工序同样的工序之后，经与图26A、图26B及图26C所示工序同样的工序，如图61A、图61B及图61C所示，完成了拍摄装置的主要部分。
在实施方式3的拍摄装置的制造方法中，在形成偏移隔离膜OSS时，光电二极管PD被抗蚀图案MOSE覆盖。而且，覆盖该光电二极管PD的绝缘膜OSSF不被除去而被残留。由此，与通过实施干蚀刻处理除去偏移隔离膜的比较例的拍摄装置相比，不会在光电二极管PD中产生损伤，其结果是在拍摄装置中能够降低由损伤引起的暗电流。
此外，如图61B所示，在像素区域RPE中，残留偏移隔离膜OSS(OSSF)，并配置供作为防止反射膜而发挥作用的硅化物保护膜形成的像素区域RPEC、和不形成硅化物保护膜的像素区域RPEA、RPEB。由此，能够根据光的颜色(波长)调整透过覆盖光电二极管PD的膜而入射到光电二极管中的光的强度(聚光率)，从而能够使像素的感光度与所希望的感光度一致。关于此，将在实施方式4中具体说明。
再者，在实施方式3的拍摄装置中，场效应型晶体管NHT、PHT、NLT、PLT、NHAT的源极/漏极区域HNDF、HPDF、LNDF、LPDF以栅极电极PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE和形成在该栅极电极的侧壁面上的偏移隔离膜OSS及侧壁绝缘膜SWI为注入掩模而形成(参照图55B及图56B)。
在该场效应型晶体管NHT、PHT、NLT、PLT、NHAT中，由低电压驱动的场效应型晶体管NLT、PLT的栅极电极NLGE、PLGE的栅极长度方向上的长度被设定成比由高电压驱动的场效应型晶体管NHT、PHT、NHAT的栅极电极NHGE、PHGE的栅极长度方向上的长度短。因此，在场效应型晶体管NLT、PLT的源极/漏极区域LNDF、LPDF，与在栅极电极的侧壁面上没有形成偏移隔离膜的情况相比，能够确保栅极长度方向上的距离，从而能够抑制作为场效应型晶体管的特性变动。
实施方式4
在实施方式3的拍摄装置的像素区域中，对分配形成硅化物保护膜的像素区域、和不形成硅化物保护膜的像素区域的情况进行了说明。在此，对残留偏移隔离膜并分配硅化物保护膜的膜厚的情况进行说明。另外，对与在实施方式1中说明过的拍摄装置相同的部件标注相同的附图标记，除了必要情况不再重复其说明。
在经与从图50A及图50B所示工序到图56A及图56B所示工序同样的工序之后，对像素区域进行硅化物保护膜的膜厚的分配。如图62A及图62B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成第一层硅化物保护膜SP1。接下来，通过实施规定的照相制版处理，如图63A及图63B所示，形成覆盖规定的像素区域RPE而使其他区域露出的抗蚀图案MSP1。
此处，与实施方式2的情况相同，在像素区域RPE中，为了对与三色中规定的一色相对应的像素区域RPEB(参照图64)形成第一层硅化物保护膜，抗蚀图案MSP1形成为覆盖像素区域RPEB且使与其余二色相对应的像素区域RPEA、RPEC露出。
接下来，如图64所示，将抗蚀图案MSP1作为蚀刻掩模来实施湿蚀刻处理，由此将露出的硅化物保护膜SP1除去。此时，能够将覆盖在第二外围区域RPCA的区域RAT上的硅化物保护膜SP1也除去。然后，将抗蚀图案MSP1除去。接下来，如图65A及图65B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成第二层硅化物保护膜SP2。
此时，如图65C所示，在像素区域RPE中，在已形成有第一层硅化物保护膜SP1的像素区域RPEB中以覆盖该硅化物保护膜SP1和栅极电极TGE等的方式形成硅化物保护膜SP2。在没有形成硅化物保护膜SP1的像素区域RPEA、RPEC中，以覆盖绝缘膜SWF及栅极电极TGE的方式形成硅化物保护膜SP2。
接下来，实施规定的照相制版处理，由此如图66A及图66B所示形成抗蚀图案MSP2，该抗蚀图案MSP2覆盖规定的像素区域RPE和第二外围区域RPCA的区域RAT，而使其他区域露出。此处，如图66C所示，在像素区域RPE中，为了在与规定的一色相对应的像素区域RPEB形成第二层硅化物保护膜，在与另外的规定的一色相对应的像素区域RPEC形成第一层硅化物保护膜，抗蚀图案MSP2形成为覆盖像素区域RPEB、RPEC而使像素区域RPEA露出。
接下来，如图67A、图67B及图67C所示，将抗蚀图案MSP2作为蚀刻掩模来实施湿蚀刻处理，由此将露出的硅化物保护膜SP2除去。然后，将抗蚀图案MSP2除去，由此如图68A及图68B所示，使残留在像素区域RPE及区域RAT中的硅化物保护膜SP2露出。由此，如图68C所示，在像素区域RPEB形成两层硅化物保护膜SP1、SP2，在像素区域RPEC形成一层硅化物保护膜SP2。此外，在像素区域RPEA不形成硅化物保护膜。这样就对像素区域RPE分配了硅化物保护膜的膜厚。
接下来，通过自对准硅化物法形成金属硅化物膜。如图69A及图69B所示，在像素区域RPE中，在传输用晶体管TT的栅极电极TGE的上表面的一部分及浮置扩散区域FDR的表面上形成金属硅化物膜MS。在像素晶体管RTP中，在场效应型晶体管的栅极电极PEGE的上表面及源极/漏极区域HNDF的表面形成金属硅化物膜MS。如图69C所示，在第一外围区域RPCL中，在栅极电极NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面及源极/漏极区域HNDF、HPDF、LNDF、LPDF的表面形成金属硅化物膜MS。另一方面，在第二外围区域RPCA中，由于形成有硅化物保护膜SP2，因此不形成金属硅化物膜。
然后，在经与图25A、图25B及图25C所示工序同样的工序之后，经与图26A、图26B及图26C所示工序同样的工序，就如图70A、图70B及图70C所示完成了拍摄装置的主要部分。
在实施方式4的拍摄装置的制造方法中，与实施方式3的拍摄装置的制造方法同样，在形成偏移隔离膜OSS时，光电二极管PD被抗蚀图案MOSE覆盖。而且，覆盖该光电二极管PD的绝缘膜OSSF不被除去而被留下。由此，与通过实施干蚀刻处理除去偏移隔离膜的比较例的拍摄装置相比，不会在光电二极管PD中产生损伤，其结果是，在拍摄装置中能够降低由损伤引起的暗电流。
此外，在实施方式4的拍摄装置的像素区域RPE中，作为偏移隔离膜的绝缘膜不被除去而被留下，并以覆盖该留下的绝缘膜的方式分配作为防止反射膜而发挥作用的硅化物保护膜的膜厚。具体而言，在像素区域RPE中配置有：形成有膜厚相对厚的硅化物保护膜SP1、SP2的像素区域RPEB；形成有膜厚相对薄的硅化物保护膜SP2的像素区域RPEC；和不形成硅化物保护膜的像素区域RPEA(参照图70B)。
另一方面，在实施方式3的拍摄装置的像素区域PRE中，作为偏移隔离膜的绝缘膜不被除去而被留下，并配置有：形成有硅化物保护膜SP1的像素区域RPEC；和不形成硅化物保护膜的像素区域RPEA、RPEB(参照图61B)。
由此，能够根据光的颜色(波长)来提高透过覆盖光电二极管PD的膜而入射到光电二极管中的光的强度(聚光率)。关于此，以红色、绿色及蓝色中一色的光为例，来说明覆盖光电二极管的层叠膜的透过率与硅化物保护膜等的膜厚之间的关系。
如图71所示，首先使偏移隔离膜OSS为氧化膜。使覆盖光电二极管的侧壁绝缘膜SWI为氧化膜和氮化膜这两层。使硅化物保护膜SP为氧化膜。使应力衬膜SL为氧化膜和氮化膜这两层。
此时，在图表中示出由发明人评价的、覆盖光电二极管的层叠膜的透过率与将硅化物保护膜(氧化膜)和应力衬膜的氧化膜加起来的膜厚之间的关系。如图表所示可知，透过率依赖于硅化物保护膜等的膜厚而变动。
该结果是针对分光成红色、绿色或蓝色的光的一例的图表，但是发明人确认：关于一例以外的光，也是透过率依赖于硅化物保护膜等的膜厚而变动。因此，通过分配形成硅化物保护膜的像素区域和不形成硅化物保护膜的像素区域、以及在供硅化物保护膜形成的像素区域中分配其膜厚，能够制造出具有例如与数码相机等所要求的规格相应的最佳像素区域的拍摄装置。即，通过调整硅化物保护膜的膜厚，能够提高像素的感光度，或是抑制感光度以避免像素的感光度过度升高，从而能够使像素的感光度与所希望的感光度高精度地一致。
再者，在实施方式4的拍摄装置中，与实施方式3的情况同样，具有栅极长度方向上的长度相对短的栅极电极NLGE、PLGE的场效应型晶体管NLT、PLT的源极/漏极区域LNDF、LPDF以栅极电极NLGE、PLGE和形成在该栅极电极的侧壁面上的偏移隔离膜OSS及侧壁绝缘膜SWI为注入掩模而形成。由此，在场效应型晶体管NLT、PLT的源极/漏极区域LNDF、LPDF中，与在栅极电极的侧壁面不形成偏移隔离膜的情况相比，能够确保栅极长度方向上的距离，从而能够抑制作为场效应型晶体管的特性变动。
实施方式5
此处，对利用蚀刻掩模除去偏移隔离膜并在像素区域中分配形成硅化物保护膜的像素区域和不形成硅化物保护膜的像素区域的情况进行说明。另外，对与在实施方式1中说明过的拍摄装置相同的部件标注相同的附图标记，除了必要情况不再重复其说明。
首先，在经与从图7A及图7B所示工序到图14A及图14B所示工序相同的工序之后，如图72A及图72B所示，实施规定的照相制版处理，由此形成抗蚀图案MOSS，该抗蚀图案MOSS使覆盖在光电二极管PD上的作为偏移隔离膜OSS的绝缘膜OSSF露出，而覆盖其他区域。接下来，如图73所示，将该抗蚀图案MOSS作为蚀刻掩模来实施湿蚀刻处理，由此将覆盖在光电二极管PD上的作为偏移隔离膜OSS的绝缘膜OSSF除去。然后，将抗蚀图案MOSS除去。
接下来，如图74A及图74B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE及偏移隔离膜OSS的方式，形成作为侧壁绝缘膜的绝缘膜SWF。接下来，形成覆盖配置有光电二极管PD的区域而使其他区域露出的抗蚀图案MSW(参照图75A)。接下来，如图75A及图75B所示，将抗蚀图案MSW作为蚀刻掩模来对露出的绝缘膜SWF实施各向异性蚀刻处理。
由此，将位于栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面上的绝缘膜SWF的部分除去，并由残留在栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上的绝缘膜SWF的部分形成侧壁绝缘膜SWI。侧壁绝缘膜SWI以覆盖偏移隔离膜的方式形成。然后，将抗蚀图案MSW除去。
接下来，通过与图18A及图18B(图55A及图55B)所示工序同样的工序，形成源极/漏极区域HPDF、LPDF(参照图76B)。接下来，通过与图19A及图19B(图56A及图56B)所示工序同样的工序，形成源极/漏极区域HNDF、LNDF(参照图76A及图76B)。接下来，如图76A及图76B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式，形成阻止硅化物化的氧化硅膜等硅化物保护膜SP1。
接下来，经与从图21A、图21B及图21C所示工序到图23A、图23B及图23C所示工序同样的工序，如图77A、图77B及图77C所示，在像素区域RPE中的像素区域RPEC形成硅化物保护膜SP1。此外，在第二外围区域RPCA的区域RAT中形成硅化物保护膜SP1。接下来，经与图24A、图24B及图24C所示工序同样的工序，形成金属硅化物膜MS(参照图78A等)。此时，在第二外围区域RPCA中，由于形成有硅化物保护膜SP1，因此不形成金属硅化物膜。
然后，在经与图25A、图25B及图25C所示工序同样的工序之后，经与图26A、图26B及图26C所示工序同样的工序，就如图78A、图78B及图78C所示完成了拍摄装置的主要部分。
在实施方式5的拍摄装置的制造方法中，覆盖光电二极管PD的作为偏移隔离膜的绝缘膜OSSF以抗蚀图案MOSS为蚀刻掩模通过实施湿蚀刻处理而被除去。由此，如在实施方式1中说明的那样，不会在光电二极管PD中产生损伤，其结果是，在拍摄装置中能够降低由损伤引起的暗电流。
此外，在实施方式5的拍摄装置的像素区域RPE中，作为偏移隔离膜的绝缘膜被除去，并配置有：供作为防止反射膜而发挥作用的硅化物保护膜形成的像素区域RPEC；和不形成硅化物保护膜的像素区域RPEA、RPEB。由此，如主要在实施方式2中说明的那样，通过分配形成硅化物保护膜的像素区域和不形成硅化物保护膜的像素区域，能够提高像素的感光度，或是抑制感光度以避免像素的感光度过度提高，从而能够使像素的感光度与所希望的感光度高精度地一致。
再者，在实施方式5的拍摄装置中，与实施方式3的情况同样，具有栅极长度方向上的长度相对短的栅极电极NLGE、PLGE的场效应型晶体管NLT、PLT的源极/漏极区域LNDF、LPDF以栅极电极NLGE、PLGE和形成在该栅极电极的侧壁面上的偏移隔离膜OSS及侧壁绝缘膜SWI为注入掩模而形成。由此，在场效应型晶体管NLT、PLT的源极/漏极区域LNDF、LPDF，与在栅极电极的侧壁面没有形成偏移隔离膜的情况相比，能够确保栅极长度方向上的距离，从而能够抑制作为场效应型晶体管的特性变动。
实施方式6
对在实施方式5的拍摄装置的像素区域中，分配形成硅化物保护膜的像素区域、和不形成硅化物保护膜的像素区域的情况进行了说明。在此，对利用蚀刻掩模将偏移隔离膜除去，并在像素区域中分配硅化物保护膜的膜厚的情况进行说明。另外，对与在实施方式1中说明过的拍摄装置相同的部件标注相同的附图标记，除了必要情况不再重复其说明。
在经与图72A及图72B所示工序到图75A及图75B所示工序同样的工序之后，对像素区域进行硅化物保护膜的膜厚的分配。如图79A及图79B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成第一层硅化物保护膜SP1。
接下来，经与从图40A及图40B所示工序到图46B及图46C所示工序同样的工序，如图80A，图80B及图80C所示，在像素区域RPEB形成有两层硅化物保护膜SP1、SP2，在像素区域RPEC形成有一层硅化物保护膜SP2。此外，在像素区域RPEA不形成硅化物保护膜。此外，在第二外围区域RPCA形成有硅化物保护膜SP2。这样就对像素区域RPE分配了硅化物保护膜的膜厚。
接下来，经与图24A、图24B及图24C所示工序同样的工序，形成金属硅化物膜MS(参照图81A等)。此时，在第二外围区域RPCA中，由于形成有硅化物保护膜SP2，因此没有形成金属硅化物膜。
然后，在经与图25A、图25B及图25C所示工序同样的工序之后，经与图26A、图26B及图26C所示工序同样的工序，就如图81A、图81B及图81C所示完成了拍摄装置的主要部分。
在实施方式6的拍摄装置的制造方法中，与实施方式5的情况同样，覆盖光电二极管PD的作为偏移隔离膜的绝缘膜OSSF以抗蚀图案MOSS为蚀刻掩模通过实施湿蚀刻处理而被除去。由此，如在实施方式1中说明的那样，不会在光电二极管PD中产生损伤，其结果是，在拍摄装置中能够降低由损伤引起的暗电流。
此外，在实施方式6的拍摄装置的像素区域RPE中，将作为偏移隔离膜的绝缘膜除去，并分配作为防止反射膜而发挥作用的硅化物保护膜的膜厚。由此，如主要在实施方式2中说明的那样，在形成硅化物保护膜的像素区域中，通过分配其膜厚而能够提高像素的感光度，或是能够抑制感光度以避免像素的感光度过度升高，从而能够使像素的感光度与所希望的感光度高精度地一致。
再者，在实施方式6的拍摄装置中，与实施方式3的情况同样，具有栅极长度方向上的长度相对短的栅极电极NLGE、PLGE的场效应型晶体管NLT、PLT的源极/漏极区域LNDF、LPDF以栅极电极NLGE、PLGE和在该栅极电极的侧壁面上形成的偏移隔离膜OSS及侧壁绝缘膜SWI为注入掩模而形成。由此，在场效应型晶体管NLT、PLT的源极/漏极区域LNDF、LPDF中，与在栅极电极的侧壁面上不形成偏移隔离膜的情况相比，能够确保栅极长度方向上的距离，从而能够抑制作为场效应型晶体管的特性变动。
实施方式7
此处，对下述情况进行说明，即：在像素区域等中残留偏移隔离膜，并通过整面湿蚀刻处理而将该残留的偏移隔离膜除去，并在像素区域中分配形成硅化物保护膜的像素区域、和不形成硅化物保护膜的像素区域。另外，对与在实施方式1中说明过的拍摄装置相同的部件标注相同的附图标记，除了必要情况不再重复其说明。
经与从图7A及图7B所示工序到图11A及图11B所示工序同样的工序，如图82A及图82B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的方式形成作为偏移隔离膜的绝缘膜OSSF。
接下来，实施规定的照相制版处理，由此形成覆盖像素区域RPE及像素晶体管区域RPT而使其他区域露出的抗蚀图案MOSE(参照图83A)。接下来，如图83A及图83B所示，将抗蚀图案MOSE作为蚀刻掩模来对露出的绝缘膜OSSF实施各向异性蚀刻处理。由此，位于栅极电极NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的上表面上的绝缘膜OSSF的部分被除去，并由残留在栅极电极NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上的绝缘膜OSSF的部分形成偏移隔离膜OSS。然后，将抗蚀图案MOSE除去。
接下来，如图84A及图84B所示，实施规定的照相制版处理，由此形成使区域RNL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MLNL。接下来，将抗蚀图案MLNL、偏移隔离膜OSS及栅极电极NLGE作为注入掩模，注入n型的杂质，由此在露出的区域RNL形成外延区域LNLD。然后，将抗蚀图案MLNL除去。
接下来，实施规定的照相制版处理，由此如图85A及图85B所示，形成使区域RPL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MLPL。接下来，将该抗蚀图案MLPL、偏移隔离膜OSS及栅极电极PLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在露出的区域RPL形成外延区域LPLD。然后，将抗蚀图案MLPL除去。
接下来，如图86A及图86B所示，对半导体衬底SUB的整个面实施湿蚀刻处理，由此将覆盖像素区域RPE及像素晶体管区域RPT的偏移隔离膜OSS(绝缘膜OSSF)及形成在栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上的偏移隔离膜OSS除去。
接下来，在经与从图16A及图16B所示工序到图19A及图19B所示工序同样的工序之后，如图87A及图87B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成硅化物保护膜SP1。
接下来，经与从图21A、图21B及图21C所示工序到图23A、图23B及图23C所示工序同样的工序，如图88A、图88B及图88C所示，在像素区域RPE中的像素区域RPEC形成硅化物保护膜SP1。此外，在第二外围区域RPCA的区域RAT形成硅化物保护膜SP1。接下来，经与图24A、图24B及图24C所示工序同样的工序，形成金属硅化物膜MS(参照图89A等)。此时，在第二外围区域RPCA中，由于形成有硅化物保护膜SP1，因此不形成金属硅化物膜。
然后，在经与图25A、图25B及图25C所示工序同样的工序之后，经与图26A、图26B及图26C所示工序同样的工序，就如图89A、图89B及图89C所示完成了拍摄装置的主要部分。
在实施方式7的拍摄装置的制造方法中，覆盖像素区域RPE及像素晶体管区域RPT的作为偏移隔离膜的绝缘膜OSSF连同偏移隔离膜OSS一并通过实施整面湿蚀刻处理而被除去(参照图87A及图87B)。由此，如在实施方式1中说明的那样，不会在光电二极管PD中产生损伤，其结果是，在拍摄装置中能够降低由损伤引起的暗电流。
此外，在实施方式7的拍摄装置的像素区域RPE中，作为偏移隔离膜的绝缘膜被除去，并配置供作为防止反射膜而发挥作用的硅化物保护膜形成的像素区域RPEC、和不形成硅化物保护膜的像素区域RPEA、RPEB。由此，如主要在实施方式2中说明的那样，通过分配形成硅化物保护膜的像素区域和不形成硅化物保护膜的像素区域，能够提高像素的感光度，或是抑制感光度以避免像素的感光度过度升高，从而能够使像素的感光度与所希望的感光度高精度地一致。
实施方式8
对在实施方式7的拍摄装置的像素区域中分配形成硅化物保护膜的像素区域、和不形成硅化物保护膜的像素区域的情况进行了说明。此处，对下述情况进行说明，即：在像素区域等中残留偏移隔离膜，并通过整面湿蚀刻处理将该残留的偏移隔离膜除去，关于像素区域，在像素区域中分配硅化物保护膜的膜厚。另外，对与在实施方式1中说明过的拍摄装置相同的部件标注相同的附图标记，除了必要情况不再重复其说明。
在经与图82A及图82B所示工序到图86A及图86B所示工序同样的工序之后，对像素区域进行硅化物保护膜的膜厚分配。如图90A及图90B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成第一层硅化物保护膜SP1。
接下来，经与从图40A及图40B所示工序到图46B及图46C所示工序同样的工序，如图91A、图91B及图91C所示，在像素区域RPEB中形成两层硅化物保护膜SP1、SP2，在像素区域RPEC中形成一层硅化物保护膜SP2。此外，在像素区域RPEA中不形成硅化物保护膜。此外，在第二外围区域RPCA中形成硅化物保护膜SP2。这样就对像素区域RPE分配了硅化物保护膜的膜厚。
接下来，经与图24A、图24B及图24C所示工序同样的工序，形成金属硅化物膜MS(参照图92A等)。此时，在第二外围区域RPCA中，由于形成有硅化物保护膜SP2，因此不形成金属硅化物膜。
然后，在经与图25A、图25B及图25C所示工序同样的工序之后，经图26A、图26B及图26C所示工序同样的工序，就如图92A、图92B及图92C所示完成了拍摄装置的主要部分。
在实施方式8的拍摄装置的制造方法中，如与实施方式7的情况同样，覆盖像素区域RPE及像素晶体管区域RPT的作为偏移隔离膜的绝缘膜OSSF连同偏移隔离膜OSS一并通过实施整面湿蚀刻处理而被除去(参照图86A及图86B)。由此，如在实施方式1中说明的那样，不会在光电二极管PD中产生损伤，其结果是，在拍摄装置中能够降低由损伤引起的暗电流。
此外，在实施方式8的拍摄装置的像素区域RPE中，作为偏移隔离膜的绝缘膜被除去，并分配作为防止反射膜而发挥作用的硅化物保护膜的膜厚。由此，如主要在实施方式2中说明的那样，在形成硅化物保护膜的像素区域中，通过分配其膜厚而能够提高像素的感光度，或是能够抑制感光度以避免像素的感光度过度升高，从而能够使像素的感光度与所希望的感光度高精度地一致。
实施方式9
在各实施方式中，作为侧壁绝缘膜，以由二层构成的侧壁绝缘膜为例进行了说明。在此处对下述的情况进行说明，即：在实施方式1的拍摄装置的制造方法中，作为侧壁绝缘膜，形成由三层构成的侧壁绝缘膜。另外，对与在实施方式1中说明过的拍摄装置相同的部件标注相同的附图标记，除了必要情况不再重复其说明。
经与从图7A及图7B所示工序到图11A及图11B所示工序同样的工序，如图93A及图93B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的方式，形成作为偏移隔离膜的绝缘膜OSSF。接下来，通过实施规定的照相制版处理，形成抗蚀图案MOSE(参照图94A)，该抗蚀图案MOSE覆盖配置有光电二极管PD的区域而使其他区域露出。接下来，如图94A及图94B所示，将抗蚀图案MOSE作为蚀刻掩模，对露出的绝缘膜OSSF实施各向异性蚀刻处理，由此形成偏移隔离膜OSS。然后，将抗蚀图案MOSE除去。
接下来，如图95A及图95B所示，通过实施规定的照相制版处理，形成使区域RNL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MLNL。接下来，将抗蚀图案MLNL、偏移隔离膜OSS及栅极电极NLGE作为注入掩模，注入n型的杂质，由此在露出的区域RNL形成外延区域LNLD。然后，将抗蚀图案MLNL除去。
接下来，通过实施规定的照相制版处理，如图96A及图96B所示，形成使区域RPL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MLPL。接下来，将该抗蚀图案MLPL、偏移隔离膜OSS及栅极电极PLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在露出的区域RPL形成外延区域LPLD。然后，将抗蚀图案MLPL除去。
接下来，如图97A及图97B所示，对半导体衬底SUB的整个面实施湿蚀刻处理，由此将覆盖光电二极管PD的偏移隔离膜OSS(绝缘膜OSSF)及形成在栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上的偏移隔离膜OSS除去。
接下来，如图98A及图98B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的方式形成作为侧壁绝缘膜的绝缘膜。作为该绝缘膜，形成了由依次层叠氧化膜SWF1、氮化膜SWF2及氧化膜SWF3的三层构成的绝缘膜。接下来，形成抗蚀图案MSW(参照图99A)，该抗蚀图案MSW覆盖配置有光电二极管PD的区域而使其他区域露出。
接下来，如图99A及图99B所示，将抗蚀图案MSW作为蚀刻掩模，对于露出的绝缘膜SWF3、SWF2、SWF1实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE的侧壁面上形成侧壁绝缘膜SWI1、SWI2、SWI3。然后，将抗蚀图案MSW除去。
接下来，如图100A及图100B所示，通过实施规定的照相制版处理，形成使区域RPH、RPL露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MPDF。接下来，将抗蚀图案MPDF、侧壁绝缘膜SWI1～SWI3及栅极电极PHGE、PLGE作为注入掩模，注入p型的杂质，由此在区域RPH形成源极/漏极区域HPDF，在区域RPL形成源极/漏极区域LPDF。然后，将抗蚀图案MPDF除去。
接下来，如图101A及图101B所示，通过实施规定的照相制版处理，形成使区域RPT、RNH、RNL、RAT露出而覆盖其他区域的抗蚀图案MNDF。接下来，将抗蚀图案MNDF、侧壁绝缘膜SWI1～SWI3及栅极电极TGE、PEGE、NHGE、NLGE作为注入掩模，注入n型杂质，由此分别在各个区域RPT、RNH、RAT形成源极/漏极区域HNDF，在区域RNL形成源极/漏极区域LNDF。此外，此时，在像素区域RPE中形成浮置扩散区域FDR。然后，将抗蚀图案MNDF除去。
接下来，对半导体衬底SUB的整个面实施湿蚀刻处理。由此，如图102A及图102B所示，将由三层构成的侧壁绝缘膜SWI1～SWI3中位于最上层的侧壁绝缘膜SWI3除去。此处，通过将最上层的侧壁绝缘膜SWI3除去而成为与形成由二层构成的侧壁绝缘膜的情况实质上相同的构造。
接下来，如图103A及图103B所示，以覆盖栅极电极TGE、PEGE、NHGE、PHGE、NLGE、PLGE等的方式形成阻止硅化物化的氧化硅膜等硅化物保护膜SP1。接下来，经与从图21A、图21B及图21C所示工序到图26A、图26B及图26C所示工序同样的工序，就如图104A及图104B所示完成了拍摄装置的主要部分。
在实施方式9的拍摄装置的制造方法中，除了能够获得在实施方式1中说明过的、降低由损伤引起的暗电流的效果、和制造出具有最佳像素区域的拍摄装置的效果，还能够获得如下的效果。
首先，如图105的上图所示，在比较例的拍摄装置中的例如传输用晶体管CTT中，在栅极电极CTGE的侧壁面残留有偏移隔离膜COSS。以覆盖偏移隔离膜COSS的方式，在栅极电极CTGE的侧壁面形成侧壁绝缘膜CSWI。侧壁绝缘膜CSWI由侧壁绝缘膜CSWI1和侧壁绝缘膜CSWI2这两层构成。
传输用晶体管CTT的浮置扩散区域CFDR以栅极电极CTGE、偏移隔离膜COSS及侧壁绝缘膜CSWI为注入掩模而形成。此时，从栅极电极CTGE的侧壁面正下方位置到浮置扩散区域CFDR的距离(长度)为距离DC。
接下来，如图105的中图所示，在实施方式1的拍摄装置中的传输用晶体管TT中，在栅极电极TGE的侧壁面不残留偏移隔离膜而形成侧壁绝缘膜SWI。侧壁绝缘膜SWI由侧壁绝缘膜SWI1和侧壁绝缘膜SWI2这两层构成。传输用晶体管TT的浮置扩散区域FDR以栅极电极TGE及侧壁绝缘膜SWI为注入掩模而形成。此时，从栅极电极TGE的侧壁面的正下方位置到浮置扩散区域FDR的距离(长度)为距离D1。
接下来，如图105的下图所示，在实施方式9的拍摄装置中的传输用晶体管TT中，在栅极电极TGE的侧壁面不残留偏移隔离膜而形成侧壁绝缘膜SWI。侧壁绝缘膜SWI由侧壁绝缘膜SWI1、侧壁绝缘膜SWI2及侧壁绝缘膜SWI3这三层构成。传输用晶体管TT的浮置扩散区域FDR以栅极电极TGE及侧壁绝缘膜SWI为注入掩模而形成。此时，从栅极电极TGE的侧壁面的正下方位置到浮置扩散区域FDR的距离(长度)为距离D2。
于是，距离D1较比较例中的距离DC短出与偏移隔离膜被除去相当的量。另一方面，关于距离D2，虽然偏移隔离膜被除去，但是由于侧壁绝缘膜SWI由三层构成，所以距离D2比距离D1长。由此，在实施方式9的拍摄装置中，能够确保从栅极电极TGE的侧壁面的正下方位置到浮置扩散区域FDR的距离(长度)，从而能够抑制传输用晶体管TT的晶体管特性的变动。
另外，这里以传输用栅极电极为例进行了说明，但是关于要除去偏移隔离膜的其他场效应型晶体管，同样能够抑制晶体管特性的变动。此外，虽然是基于实施方式1的制造方法进行的说明，但是并不限于该制造方法，能够应用于要除去偏移隔离膜的拍摄装置的制造方法。
以上，根据实施方式对本发明的发明人作出的发明进行了具体的说明，但本发明当然不限于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。
附图标记的说明
IS拍摄装置，PE像素，PEA像素A，PEB像素B，PEC像素C，VSC垂直扫描电路，HSC水平扫描电路，PD光电二极管，NR n型区域，PR p型区域，VTC电压转换电路，RC列电路，TT传输用晶体管，TGE栅极电极，FDR浮置扩散区域，RT复位用晶体管，RGE栅极电极，AT放大用晶体管，AGE栅极电极，ST选择用晶体管，SGE栅极电极，PEGE栅极电极，SUB半导体衬底，EI元件分离绝缘膜，EF1、EF2、EF3、EF4元件形成区域，RPE、RPEA、RPEB、RPEC像素区域，RPT像素晶体管区域，RPCL第一外围区域，RPCA第二外围区域，RNH、RPH、RNL、RPL、RAT区域，NHT、PHT、NLT、PLT、NHAT场效应型晶体管，PPWL、PPWH P型阱，HPW P型阱，HNW N型阱，LPW P型阱，LNW N型阱，GIC、GIN栅极绝缘膜，NHGE、PHGE、NLGE、PLGE、PEGE栅极电极，HNLD、HPLD外延区域，OSS偏移隔离膜，LNLD、LPLD外延区域，SWF绝缘膜，SWI侧壁绝缘膜，SWF1、SWF2、SWF3绝缘膜，SWI1、SWI2、SWI3侧壁绝缘膜，HPDF、LPDF、HNDF、LNDF源极/漏极区域，SP1、SP2硅化物保护膜，MS金属硅化物膜，SL应力衬膜，IF1第一层间绝缘膜，CH接触孔，CP接触插塞，M1第一布线，IF2第二层间绝缘膜，V1第一过孔，M2第二布线，IF3第三层间绝缘膜，V2第二过孔，M3第三布线，IF4第四层间绝缘膜，SNI绝缘膜，CF彩色滤光片，ML微透镜，MHNL、MHPL、MOSE、MOSS、MLNL、MLPL、MSW、MPDF、MNDF、MSP1、MSP2抗蚀图案。

Claims (17)

1.一种拍摄装置的制造方法，所述拍摄装置具有：将入射的光转换为电荷的光电转换部、传输在所述光电转换部中生成的电荷的传输用晶体管及将所述电荷作为信号进行处理的第一外围晶体管，所述拍摄装置的制造方法包括下述工序：
（a）工序，即通过在半导体衬底形成元件分离绝缘膜而规定出像素区域及外围区域；
（b）工序，即在所述像素区域形成所述传输用晶体管的传输栅极电极，并且在所述外围区域形成所述第一外围晶体管的第一外围栅极电极，其中所述传输栅极电极具有第一侧面及与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第一外围栅极电极具有第三侧面及与所述第三侧面相对的第四侧面；
（c）工序，即在位于所述传输栅极电极的所述第一侧面侧的所述像素区域的部分形成光电转换部；
（d）工序，即以覆盖所述像素区域及外围区域的方式形成第一绝缘膜；
（e）工序，即以将位于所述光电转换部及所述传输栅极电极的所述第一侧面的所述第一绝缘膜的部分覆盖的方式形成第一抗蚀图案；
（f）工序，即以所述第一抗蚀图案为蚀刻掩模而对所述第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在所述传输栅极电极的所述第二侧面、所述第一外围栅极电极的第三侧面和所述第一外围栅极电极的第四侧面形成偏移隔离膜；
（g）工序，即除去所述第一抗蚀图案；
（h）工序，即以覆盖所述像素区域的方式形成第二抗蚀图案；
（i）工序，即通过将所述第一外围栅极电极及所述偏移隔离膜作为掩模而注入规定导电型的杂质，由此在位于所述第一外围栅极电极的所述第三侧面这一侧的所述外围区域的部分和位于所述第一外围栅极电极的所述第四侧面这一侧的所述外围区域的部分形成第一外延区域；
（j）工序，即除去所述第二抗蚀图案；以及
（k）工序，即通过实施湿蚀刻处理来将覆盖所述光电转换部的所述第一绝缘膜的部分除去。
2.根据权利要求1所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，还包括下述工序：
（l）工序，即以覆盖所述像素区域及所述外围区域的方式形成第二绝缘膜；
（m）工序，即以覆盖所述像素区域的方式形成第三抗蚀图案；
（n）工序，即以所述第三抗蚀图案为蚀刻掩模来对所述第二绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此隔着所述偏移隔离膜在所述第一外围栅极电极的第三侧面和所述第一外围栅极电极的第四侧面形成侧壁隔离膜；
（o）工序，即除去所述第三抗蚀图案；
（p）工序，即以覆盖所述像素区域的方式形成第四抗蚀图案；
（q）工序，即以所述第一外围栅极电极及所述侧壁隔离膜为掩模来注入规定导电型的杂质，由此在位于所述第一外围栅极电极的所述第三侧面这一侧的所述外围区域的部分和位于所述第一外围栅极电极的所述第四侧面这一侧的所述外围区域的部分形成源极/漏极区域；以及
（r）工序，即除去所述第四抗蚀图案。
3.根据权利要求2所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述（m）工序的第三抗蚀图案以覆盖位于所述光电转换部及所述传输栅极电极的所述第一侧面的所述第二绝缘膜的部分的方式形成，
通过所述（n）工序在所述传输栅极电极的所述第二侧面形成侧壁隔离膜，
所述（p）工序的第四抗蚀图案以覆盖位于所述光电转换部及所述传输栅极电极的所述第一侧面的所述第二绝缘膜的部分的方式形成，
通过所述（q）工序而以所述传输栅极电极及所述侧壁隔离膜为掩模在位于所述传输栅极电极的所述第二侧面侧的所述像素区域的部分形成浮置扩散区域。
4.根据权利要求2所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
在所述（l）工序中，所述第二绝缘膜由氧化膜和氮化膜这两层形成。
5.根据权利要求2所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述（a）工序包含作为所述像素区域而规定出与红色对应的第一像素区域、与绿色对应的第二像素区域以及与蓝色对应的第三像素区域的工序，
所述（c）工序包含作为所述光电转换部而在所述第一像素区域形成第一光电转换部、在所述第二像素区域形成第二光电转换部、在所述第三像素区域形成第三光电转换部的工序，
在所述（r）工序之后包括下述工序：
（s）工序，即以将包含所述第一光电转换部、所述第二光电转换部及所述第三光电转换部的所述像素区域覆盖的方式形成阻止硅化物化膜；
（t）工序，即除去所述阻止硅化物化膜的部分；以及
（u）工序，即形成金属硅化物膜，
在所述（t）工序中，将所述第一光电转换部、所述第二光电转换部及所述第三光电转换部中的至少一个光电转换部覆盖的所述阻止硅化物化膜的部分被除去。
6.根据权利要求5所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
在所述（r）工序中，将所述第一光电转换部、所述第二光电转换部及所述第三光电转换部中的两个光电转换部覆盖的所述阻止硅化物化膜的部分被余留，
余留在所述两个光电转换部中一方的光电转换部上的所述阻止硅化物化膜的膜厚与余留在另一方的光电转换部上的所述阻止硅化物化膜的膜厚形成得不同。
7.根据权利要求1所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜由TEOS类氧化硅膜构成。
8.根据权利要求2所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜由TEOS类氧化硅膜构成，
所述第二绝缘膜由氧化膜和氮化膜这两层构成。
9.根据权利要求1所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述第一外围晶体管是复位用晶体管、放大用晶体管或者选择用晶体管。
10.根据权利要求1所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
在所述（b）工序中，在所述外围区域形成第二外围晶体管的第二外围栅极电极，其中所述第二外围栅极电极具有第5侧面及与所述第5侧面相对的第6侧面，
在所述（b）工序之后且所述（d）工序之前，还包括下述工序：
（v）工序，即以覆盖除了形成第二外围晶体管的区域以外的像素区域及外围区域的方式形成第5抗蚀图案；
（w）工序，即通过以所述第5抗蚀图案、所述第二外围栅极电极为掩模而注入规定导电型的杂质，由此在位于所述第二外围栅极电极的所述第5侧面这一侧的所述外围区域的部分和位于所述第二外围栅极电极的所述第6侧面这一侧的所述外围区域的部分形成第二外延区域；以及
（x）工序，即除去所述第5抗蚀图案。
11.根据权利要求9所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述（v）工序的抗蚀图案以将所述光电转换部、所述传输栅极电极的所述第一侧面和形成第一外围晶体管的区域覆盖的方式形成，
通过所述（w）工序在位于所述传输栅极电极的所述第二侧面侧的所述像素区域的部分形成第三外延区域。
12.一种拍摄装置的制造方法，所述拍摄装置具有：将入射的光转换为电荷的光电转换部、传输在所述光电转换部中生成的电荷的传输用晶体管以及将所述电荷作为信号进行处理的第一外围晶体管，所述拍摄装置的制造方法包括下述工序：
（a）工序，即通过在半导体衬底形成元件分离绝缘膜而规定出像素区域及外围区域；
（b）工序，即在所述像素区域形成所述传输用晶体管的传输栅极电极，并且在所述外围区域形成所述第一外围晶体管的第一外围栅极电极，其中所述传输栅极电极具有第一侧面及与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第一外围栅极电极具有第三侧面及与所述第三侧面相对的第四侧面；
（c）工序，即在位于所述传输栅极电极的所述第一侧面侧的所述像素区域的部分形成光电转换部；
（d）工序，即以覆盖所述像素区域及外围区域的方式形成第一绝缘膜；
（e）工序，即以将位于所述光电转换部及所述传输栅极电极的所述第一侧面的所述第一绝缘膜的部分覆盖的方式形成第一抗蚀图案；
（f）工序，即以所述第一抗蚀图案为蚀刻掩模而对所述第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在所述传输栅极电极的所述第二侧面、所述第一外围栅极电极的第三侧面和所述第一外围栅极电极的第四侧面形成偏移隔离膜；
（g）工序，即除去所述第一抗蚀图案；
（h）工序，即以覆盖所述像素区域的方式形成第二抗蚀图案；
（i）工序，即以所述第一外围栅极电极及所述偏移隔离膜作为掩模而注入规定导电型的杂质，由此在位于所述第一外围栅极电极的所述第三侧面这一侧的所述外围区域的部分和位于所述第一外围栅极电极的所述第四侧面这一侧的所述外围区域的部分形成第一外延区域；
（j）工序，即除去所述第二抗蚀图案；
（k）工序，即以覆盖所述像素区域及所述外围区域的方式形成第二绝缘膜；
（l）工序，即以覆盖所述像素区域的方式形成第三抗蚀图案；
（m）工序，即以所述第三抗蚀图案为蚀刻掩模而对所述第二绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此隔着所述偏移隔离膜在所述第一外围栅极电极的第三侧面和所述第一外围栅极电极的第四侧面形成侧壁隔离膜；
（n）工序，即除去所述第三抗蚀图案；
（o）工序，即以覆盖所述像素区域的方式形成第四抗蚀图案；
（p）工序，即以所述第一外围栅极电极及所述侧壁隔离膜为掩模而注入规定导电型的杂质，由此在位于所述第一外围栅极电极的所述第三侧面这一侧的所述外围区域的部分和位于所述第一外围栅极电极的所述第四侧面这一侧的所述外围区域的部分形成源极/漏极区域；以及
（q）工序，即除去所述第四抗蚀图案。
13.根据权利要求12所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述（l）工序的第三抗蚀图案以将位于所述光电转换部及所述传输栅极电极的所述第一侧面的所述第二绝缘膜的部分覆盖的方式形成，
通过所述（m）工序在所述传输栅极电极的所述第二侧面形成侧壁隔离膜，
所述（o）工序的第四抗蚀图案以将位于所述光电转换部及所述传输栅极电极的所述第一侧面的所述第二绝缘膜的部分覆盖的方式形成，
通过所述（p）工序，以所述传输栅极电极及所述侧壁隔离膜为掩模而在位于所述传输栅极电极的所述第二侧面侧的所述像素区域的部分形成浮置扩散区域。
14.根据权利要求12所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
在所述（l）工序中，所述第二绝缘膜由氧化膜和氮化膜这两层形成。
15.根据权利要求12所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述（a）工序包含作为所述像素区域而规定出与红色对应的第一像素区域、与绿色对应的第二像素区域及与蓝色对应的第三像素区域的工序，
所述（c）工序包含作为所述光电转换部而在所述第一像素区域形成第一光电转换部、在所述第二像素区域形成第二光电转换部、在所述第三像素区域形成第三光电转换部的工序，
在所述（r）工序之后还包括下述工序：
（s）工序，即以将包括所述第一光电转换部、所述第二光电转换部及所述第三光电转换部的所述像素区域覆盖的方式形成阻止硅化物化膜；
（t）工序，即除去所述阻止硅化物化膜的部分；以及
（u）工序，即形成金属硅化物膜，
在所述（t）工序中，将所述第一光电转换部、所述第二光电转换部以及所述第三光电转换部中的、至少一个光电转换部覆盖的所述阻止硅化物化膜的部分被除去。
16.根据权利要求15所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
在所述（t）工序中，将所述第一光电转换部、所述第二光电转换部及所述第三光电转换部中的两个光电转换部覆盖的所述阻止硅化物化膜的部分被余留，
余留在所述两个光电转换部中一方的光电转换部上的所述阻止硅化物化膜的膜厚与余留在另一方的光电转换部上的所述阻止硅化物化膜的膜厚形成得不同。
17.根据权利要求12所述的拍摄装置的制造方法，其特征在于，
所述第一绝缘膜由TEOS类氧化硅膜构成，
所述第二绝缘膜由氧化膜和氮化膜这两层构成。
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