CN107924926A - 辐射检测器制造 - Google Patents

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Abstract

本发明方法涉及辐射检测器的制造。在某些实施例中，采用诸如3D金属印刷技术等增材制造技术来制造检测器的一个或多个部分。在一个所述印刷实施例的一个示例中，可以首先将非晶硅设置在衬底上，并且可以使用激光来熔化所述非晶硅的一部分或全部，以形成光成像仪面板的晶体硅电路。也可以采用所述印刷技术来制造辐射检测器的其他方面，例如闪烁体层。

Description

辐射检测器制造
相关申请案的交叉引用
本申请案主张对2015年7月28日递交的美国专利申请案14/811566的优先权，该专利全文以引用方式并入本说明书中。
背景技术
本说明书中公开的主题涉及一种X射线成像系统，并且确切地说，涉及一种使用数字X射线检测器的X射线成像系统，所述X射线检测器具有采用晶体硅制造的像素。
数字X射线成像系统用于以非侵入性方式生成数字数据，并将所述数字数据重建成有用的射线照相图像。在当前的数字X射线成像系统中，来自辐射源的辐射指向主体或对象，通常是医疗诊断应用中的患者、安全检查应用中的包裹或行李，或工业质量控制或检查应用中的制成部件。一部分辐射将通过所述主体或对象并冲击检测器。所述检测器的闪烁体将较高能量X射线辐射转换成使用光敏部件(例如，光电二极管或其他适当光检测器)感测的较低能量光子。所述检测器通常分成离散图元或像素的矩阵，并且基于冲击每个像素区域的辐射数量或强度对输出信号进行编码。之后可对所述信号进行处理以生成图像，该图像可显示出来以供查看。
实际上，所述检测器特征可以基于硅半导体衬底或由所述硅半导体衬底形成。所述硅衬底可以作为由有序硅基质(例如晶序良好的晶格)构成的晶体硅(c-Si)或不具有有序基质(例如，不规则晶格)的非晶硅(a-Si)提供。不规则晶格的a-Si允许＜1cm2/(v·s)的电子迁移率，而有序晶格的c-Si允许约1,400cm2/(v·s)的电子迁移率。由于与c-Si相关的电子迁移率较高，因此可使用c-Si形成的特征的尺寸可远大于由a-Si形成的特征，从而能够实现多栅极有源像素设计，所述设计具有位于像素内的电荷放大器以及包括模数转换器(A/D)的板内读出电路。
因此，实际上，已经证明基于c-Si技术的X射线检测器，例如使用由c-Si形成的互补金属氧化物半导体(CMOS)的X射线检测器，在多个方面中优于基于a-Si的常规X射线检测器，包括但不限于：相对更耐电磁干扰(EMI)、电子噪声减少、图像延迟缩短、空间分辨率更高、帧速率更高、闪烁材料选择更广泛等。但是，使用c-Si的缺点包括：成本更高；由于电压摆动更小导致动态范围更小；以及面板尺寸更小(由于用于制造c-Si装置的硅晶片的实际尺寸存在限制)，因而需要将多个较小面板平铺在一起以形成一个较大的检测器面板。这种平铺布置还会导致操作所述检测器面板所需的电互连布置更为复杂。
发明内容
下文概述了与最早提出权利要求的本发明的范围相符的某些实施例。这些实施例的目的并不在于限制本发明的范围，而这些实施例的目的仅在于概述本发明的可能形式。实际上，本发明可涵盖可与下述实施例类似或不同的各种形式。此外，本说明书中所用的短语“晶体硅”并不意图排除特定形式晶体硅的实施例。相反，所述术语广泛指任何形式的晶体硅，包括但不限于：单晶硅、多晶硅、微晶硅、原晶硅等。
根据第一实施例，提供了一种用于制造辐射检测器的光成像仪面板的方法。根据所述方法，将非晶硅(a-Si)设置在衬底上。使a-Si熔化。随后将a-Si固化以在衬底上形成晶体硅(c-Si)电路。所述c-Si电路包括至少多个检测器像素，每个检测器像素包括至少场效应晶体管、光电二极管和电荷放大器。
根据进一步实施例，提供了一种用于制造辐射检测器的闪烁体的方法。根据所述方法，提供了一种光成像仪面板。将一层闪烁体材料印刷在所述光成像仪面板上。
根据另一个实施例，提供了一种用于辐射检测器的光成像仪面板。根据所述实施例，所述光成像仪包括非硅衬底和印刷在所述非硅衬底上的多个像素。每个像素包括对应于至少一个场效应晶体管、至少一个光电二极管和至少一个电荷放大器的晶体硅(c-Si)电路。
附图说明
参照附图阅读以下详细说明将更好地理解本发明主题的这些和其他特征、方面及优点，在附图中，相同字符表示附图中的相同部分，其中：
图1示出根据本发明各方面的数字X射线成像系统的一个实施例的方框图；
图2示出使用a-Si技术制造的常规X射线检测器像素的示意图；
图3示出根据本发明各方面的使用c-Si技术制造的X射线检测器像素的示意图；
图4示出根据本发明各方面的检测器面板的特定层的分解图；
图5示出根据本发明各方面的使用金属印刷技术在衬底上制造c-Si电路的示意图；
图6示出根据本发明各方面的使用金属印刷技术制造辐射检测器的闪烁体层的示意图；
图7示出根据本发明各方面的使用辐射检测器像素化闪烁体层的示意图；
图8示出根据本发明各方面的闪烁体像素的截面图；以及
图9示出工艺流程图，其中示出了根据本发明各方面的制造辐射检测器的一个实施方案。
具体实施方式
下文将描述本发明主题的一个或多个具体实施例。为了提供这些实施例的简要描述，说明书中可能不会描述实际实施方案中的所有特征。应了解，在任何工程或设计项目中开发任何此类实际实施方案时，必须做出特定于某个实施方案的大量决定以实现开发人员的特定目标，例如，遵守与系统相关以及与业务相关的限制，而这些限制可能会因实施方案的不同而有所不同。另外，应当了解，此类开发工作可能复杂而且耗时，但对受益于本发明的所属领域中的普通技术人员而言，这将仍是设计、制造以及生产中的常规任务。
在介绍本发明主题的各实施例中的元件时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或多个这种元件。术语“包含”、“包括”和“具有”旨在于包括性含义，且表示除了所列元件外，可能还有其他元件。
本发明方法涉及使用降低成本、增加动态范围并且构建大型单件(即，不是平铺结构)的光成像仪面板的技术来制造有源像素X射线检测器面板。确切地说，本发明方法的各方面克服了基于c-Si的X射线检测器的缺点，同时维持这种检测器的优点。与基于c-Si的现有X射线检测器基于硅晶片构建二维(2D)像素阵列不同，本发明方法利用与a-Si光成像仪沉积工艺类似的衬底，例如玻璃或铝衬底。c-Si结构(即有序晶格)通过采用聚焦激光束以定向方式熔化a-Si硅线和走线来实现。作为示例，可以使用多光子光聚合，例如可用于三维(3D)微制造的多光子光聚合，来实现具有晶体基质的硅沉积。也就是说，a-Si硅在初始时可以以适当沉积或印刷方式涂覆，随后使用热能结晶成c-Si，例如可以使用与3D金属印刷机相关联的一种或多种激光，如选择性激光熔融(SLM)微制造或双光子吸收(TPA)微制造来施加所述热能。或者，所述硅可以在涂覆之前熔化，以使c-Si在印刷过程中直接涂覆到衬底上。
结合以上内容，现在转向附图，图1以图解方式示出用于使用根据本说明书中所述方法制造的检测器来采集和处理离散像素图像数据的成像系统10。在图示实施例中，系统10是根据本发明的设计用于采集原始图像数据并处理图像数据以供显示的数字X射线系统。成像系统10可以是固定式或移动式X射线系统。在图1所示的实施例中，成像系统10包括X射线辐射源12，所述X射线辐射源将辐射流16发射到对象或主体18所在的区域中。辐射20的一部分穿过或绕过所述主体并且冲击数字X射线检测器(例如，CMOS检测器)，所述数字X射线检测器大体采用参考数字22表示。所述检测器22可以是便携式的或永久安装到系统10。在特定实施例中，检测器22可以将入射的X射线光子转换成被检测的低能光子。将响应于检测到的光子产生电信号，并且对这些信号进行处理以重建对象或主体内的特征的图像。
源12由电源/控制电路24控制，所述电源/控制电路提供用于检查序列的功率信号和控制信号。此外，检测器22包括检测器控制器26(例如，控制电路)，所述检测器控制器发出采集检测器22中产生的信号的命令。检测器控制器26还可执行各种信号处理和过滤功能，例如动态范围的初调、数字图像数据的交错等等。电源/控制电路24和检测器控制器26均响应于来自系统控制器28的信号。一般来说，系统控制器28发出成像系统的操作命令，以便执行检查协议并处理所采集的图像数据。在本发明中，系统控制器28还可以包括信号处理电路以及一个或多个数据存储结构，例如光存储装置、磁存储装置或固态存储装置，用于存储系统10的处理器为执行各种功能而执行的程序和例程。在一个实施例中，编程计算机系统可以设有硬件、电路、固件和/或软件，用于执行归于电源/控制电路24、检测器控制器26和/或系统控制器28中的一者或多者的功能。
在图1所示的实施例中，系统控制器28链接到诸如显示器或印刷机的以参考数字30表示的至少一个输出装置。所述输出装置可以包括标准或专用监测器和相关联的处理电路。系统内可以进一步链接一个或多个操作员工作站32，以输出系统参数、请求检查、查看图像等。一般来说，系统内提供的显示器、印刷机、工作站和类似装置可以位于数据采集部件的本地，也可以位于这些部件的远程位置处，例如设在机构或医院内的其他地方，或者设在完全不同的位置中，通过互联网、虚拟专用网、基于云的网络等一个或多个可配置网络链接到图像采集系统。
为便于和简化说明，仅描述了成像系统10中可能存在的某些部件。但是可能存在其他部件或功能。作为示例，可能存在其上安装源12或检测器22中的一者或两者的结构部件，例如台架或C形臂。采用所述安装结构便于检查期间在一定角度范围内采集数据，例如在计算机断层摄影(CT)、断层合成或C形臂血管造影系统的情况下。类似地，也可以存在各种旋转定位子系统(例如用于控制源12和检测器22的旋转)和/或线性定位子系统(例如用于在检查期间线性平移对象或患者18)，实际上，成像系统10可以是任何适当的基于X射线的成像系统，包括但不限于常规放射照相系统、CT成像系统、断层合成系统、C形臂系统、荧光透视系统、乳房造影系统、双重或多能量系统、导航或介入成像系统等。
鉴于上述内容，常规a-Si和c-Si检测器制造方法的描述可有助于理解本发明方法。例如，转向图2，其中示出基于a-Si技术制成的典型X射线检测器22的部件(此处是光成成像仪面板(虚线56所示)和相关读出电路)的示意图。图示的示例是无源式1T像素。由于与a-Si相关的限制，导电通路相对较宽(相对于c-Si可能达到的程度而言)，因而对可能与像素相关联的特征的尺寸施加了限制。因此，基于a-Si的像素大体上可以仅包括两个电子部件：场效应晶体管(FET)开关和光电二极管。
此外，由于与a-Si相关联的这些特征尺寸限制，在图示示例中，物理面板56本身没有空间来包括列读出电子设备54或行读出选择电路52。相反，列读出电子设备54和行选择电路52通常构建成单独的模块，并且通过柔性电路连接到面板56上的列数据线60和行选择扫描线58。因此，多个读出电路相对于所制造的光成像仪而言成形于“面板之外”，并通过其他导电部件例如柔性电路连接到所述面板。通常，由于与a-Si相关联的特征尺寸约束，a-Si制造中形成于面板56上的像素内部件数量相对最小，以便为感测入射光子的光电二极管62留出足够表面空间。通常，像素由单个读出选择栅极64和光电二极管62组成。
转到图3，其中示出例如根据本发明的方法使用c-Si制成的光成像仪面板56的示意图。与图2的像素不同，图3是有源3T或4T像素。根据本发明实施例，本说明书中所讨论的检测器像素可具有50微米到200微米范围内的侧面尺寸(即，长度和/或宽度)。由于晶体硅(相对于非晶硅)内存在快速电子迁移，因此c-Si制造中的特征尺寸可能小得多，这样使得除了FET开关和光电二极管之外，像素内可形成更多部件(例如，电荷放大电路)。此外，列读出电子设备54和行读出选择电路52可以在物理面板56本身上制造，而不需要外部模块和连接。
在c-Si背景中，与a-Si像素中通常具有单个栅极(例如，读出选择栅极64)相反，c-Si像素可以具有三个、四个或更多个栅极。在图示的示例中，所示的像素具有三个栅极：电荷放大器栅极70、行读出选择栅极64和电荷复位栅极72。将电荷放大器移动到面板56上(例如，像素内部)具有某些优点，例如可降低电子噪声和提高EMI抗扰度。
尽管如上所述，c-Si制造的这些优点是有用的，但是通常存在相关的缺点。如上所述，使用c-Si制造诸如基于CMOS的X射线检测器等检测器部件的一个缺点是面板尺寸小。这是因为基于CMOS的X射线检测器光成像仪面板56通常在圆形硅晶片上制造。可商购的硅晶片的直径包括1英寸(25mm)、2英寸(51mm)、3英寸(76mm)、4英寸(100mm)、5英寸(130mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)、12英寸(300mm)、17英寸(450mm)。由于在12英寸和17英寸晶片上制造成本高，因此大多数常规X射线检测器均采用8英寸晶片通过平铺从圆形晶片切出的多个方形或矩形板来制成。切除所述圆形晶片的剩余部分较为浪费，并且额外的平铺过程也会使检测器更昂贵并且在电气上更复杂。
c-Si制造的另一个缺点是，基于CMOS的X射线检测器的跨电荷储存电容器的电压摆动远远小于基于a-Si的X射线检测器的电压摆动。例如，基于CMOS的X射线检测器中的典型电压摆动是约2伏，而基于a-Si的检测器为约10伏。因此，基于CMOS的X射线检测器中的电容器必须比基于a-Si的X射线检测器的电容大得多才能储存相同量的电荷。其结果是，与基于a-Si的X射线检测器相比，基于CMOS的X射线检测器通常具有较低动态范围。
另一方面，只要在设备处理能力内，基于a-Si的X射线检测器在技术上对面板尺寸没有任何限制。遗憾的是，a-Si的不规则(即非有序)晶格结构会导致电子迁移率非常低。因此，如上所述，电子部件无法构造成与c-Si制造中的一样小。
考虑到采用a-Si和c-Si制造的X射线检测器的这些各种优点和缺点，本发明方法提供了通常与a-Si和c-Si制造这两者均相关的优点。现在转到图4，其中描述了本发明实施例的一个示例。在此示例中，示出了X射线检测器面板22的分解图，所述X射线检测器面板包括闪烁体层90和光成像仪面板56，所述光成像仪面板包括构建在诸如玻璃板等衬底92上的有源像素二维感测阵列。
用于制造X射线光成像仪面板56的像素的材料包括导电材料、非导电材料和半导电材料。所述导电材料可以包括铝(Al)、钼(Mo)、氧化铟锡(ITO)等。在本发明背景下，这些材料的电子迁移率通常不存在问题。非导电材料用作绝缘体并且不需要电子迁移，并且实际上，所述迁移率可能与绝缘功能不一致。
但是根据本发明制造方法，特别涉及到半导体材料，例如P^+Si和N^+Si。在a-Si制造工艺中，硅层通常通过例如等离子体增强化学气相沉积来沉积。在所述沉积中，采用电场对源材料进行电离，并且将离子化颗粒沉积到衬底上。由于此沉积工艺中的颗粒不会进入液态，因此晶格结构是不规则的。因此，所得的硅简称为非晶硅或a-Si。
根据本发明方法，使用沉积或其他增材制造技术在衬底(例如，玻璃衬底)上形成a-Si特征。然后通过将a-Si熔化到位(例如通过以一种或多种定向激光的形式增加热能)来将a-Si结晶化，而不损坏衬底或相邻特征。在一个实施例中，可以使用适于制造小特征(例如，约65nm或更小)的三维(3D)金属印刷机，通过将a-Si结晶(即，以有序状态熔化和固化)到衬底上来制造(例如，“印刷”)c-Si特征。此方法允许在任何预期形状和尺寸的衬底上制造有源像素阵列的3T或4T栅极。适当印刷机的示例可以是采用选择性激光熔化(SLM)微制造或双光子吸收(TPA)微制造的3D金属印刷机。
转到图4，其中示出所述方法的高级示例。在此示例中，示出了使用本方法制造的检测器22的一些层的分解图。确切地说，检测器22包括衬底92(例如，玻璃衬底)、有源像素感测阵列形式的光成像仪面板56和形成于光成像仪面板56上、与衬底92相对的闪烁体90。衬底92可以使用一系列非硅材料形成，包括但不限于玻璃、金属、陶瓷、碳、塑料等。凭借相对于衬底材料的这种灵活性，检测器22能够以适于包括便携式应用在内的相应应用的重量和/或坚固度形成。此外，关于衬底的灵活性还使得能够在任何临床所需的单面板(例如，22cm×22cm、40cm×40cm、43cm×36cm等)处形成光成像仪面板(和相应检测器)，而不需要对较小面板尺寸进行镶嵌或平铺，以达到预期的总体尺寸。
在制造方面，转向图5，在一个实施例中，c-Si通过使用金属印刷或其他技术直接沉积在衬底92上，以形成上述预期的有源像素电路，例如用于c-Si有源像素光成像仪面板。但在另一个实施例中，a-Si沉积在衬底92上，随后通过施加热能转化为c-Si。可以沉积a-Si以便紧密地符合预期电路设计(从而实现最少浪费)，或者可以更普遍地涂覆到衬底表面，随后在预期的电路位置处通过激光作用将a-Si转变成c-Si，之后再去除未转变的a-Si。
可以由适当3D金属印刷机100产生的激光102可以沿预期电路路径将沉积的a-Si加热到其熔点之上。一旦冷却，所述电路路径将由c-Si而非a-Si构成，因此，光成像仪面板56的电路将由c-Si构成，即c-Si电路98。
转到图6，一旦将光成像仪面板56印刷成c-Si电路98，则可以使用在光成像仪面板56上的闪烁材料(例如CsI或Lu2O3)形成闪烁体90。在一个实施例中，闪烁体90可以直接印刷在光成像仪面板56上，例如使用印刷机100或另一种增材制造印刷机。可以理解，使用印刷技术可避免在使用常规闪烁体沉积工艺时发生的闪烁体原材料浪费。鉴于某些闪烁体中使用昂贵稀土元素例如Lu2O3，避免这种损失是非常需要的。此外，印刷的闪烁体使得准确地将闪烁体的各个单元对准到光成像仪的相应像素上成为可能。
在某些实施方案中，闪烁体层90可以印刷成像素化形式，以与光成像仪面板56的像素化相对应。也就是说，闪烁体材料90的离散部分(例如“针”)在空间上与光成像仪面板56的有源像素相对应，并且在像素之间彼此分离以避免像素之间发生干扰。本说明书中所用的闪烁体层90的芯材料108是实际闪烁材料，即在存在X射线光子的情况下产生低能(例如，光学)光子的材料。包层110(图7)可以是具有适当光折射率、产生全内反射的任何材料，例如空气和二氧化硅纤维SiO2，以便与光成像仪面板56接合和限定像素。在某些实施方案中，包层110可以是适当的光反射或光吸收材料。应理解，图示比例和尺寸仅用于说明目的。闪烁体材料的芯尺寸加上包层壁的厚度等于光成像仪的像素尺寸。包层壁的厚度可以为例如从几百纳米到几微米。
在某些实施方案中，闪烁体材料(即，芯材料108)可以由彼此之间通过空气隔开的单独、离散的闪烁材料“针”的聚集体构成。本发明的闪烁体印刷方法能够实现有关这些材料的某些益处，包括能够印刷或定向材料针，以避免、最小化或减少横向光反射(这可防止光子光到达光检测器元件)和/或避免针定向平行于X射线束(这减少了穿过隔开各个针的空气的X射线光子数量)。通常，闪烁体印刷方法可以优化闪烁体针和空隙尺寸。
在一个实施例中，为避免X射线光子冲击包层材料110而不产生光子，闪烁体芯材料108可以印刷成弯曲(即非线性)“管”或结构116，而不是直针，只要满足全内光反射条件即可。图8是印刷闪烁体90的截面图，其中使用印刷技术将弯曲管116形成于芯材108内。注意，管116的形状和曲率仅用于说明目的，并且在实践中，管116可以采用任何适当的尺寸、形状和/或曲率。
尽管上文描述了使用印刷技术来形成光成像仪面板56或闪烁体90中的一者或两者，但也可以使用印刷技术形成检测器22的其他部分。例如，也可以将光反射体(例如，通常使用银层制成)印刷在闪烁体90中与光成像仪面板56相对的一侧上，并且可以将其印刷在闪烁体90的顶部上。此外，通常例如使用碳石墨制成的盖层(例如，保护闪烁体免受环境影响的外部层)也可以印刷在闪烁体上方和周围，例如在反射体上方，如果存在的话。作为示例，在一个实施方案中，光成像仪面板56、闪烁体90、反射体和盖层可以全部印刷成单件，从而实现超薄检测器包装。还可以采用坚固面板衬底，以便形成薄但坚固的检测器。
考虑到以上内容，图10中提供了示出这些步骤中的某些步骤的流程图。应理解，这些步骤中的一些或全部可以使用本说明书中所讨论的3D或金属印刷技术来执行。作为所示实施方案的初始步骤，首先提供衬底92，并且然后将a-Si 140印刷(框160)到衬底92上形成预期电路的图案和走线。之后，将a-Si走线140加热到超过熔点以使a-Si结晶(框162)，从而形成c-Si电路142。或者，这些步骤可以组合成单个步骤。在这种情况下，通过3D印刷机将a-Si材料熔化，然后将c-Si电路直接印刷到衬底上。
在图示的示例中，将闪烁体层90印刷(框164)到由c-Si电路142形成的光成像仪面板上。在其他实施例中，闪烁体90可以使用不同技术制造，包括常规沉积技术。在印刷实施方案中，如上所述，闪烁体层90可以印刷成包括芯闪烁元件108和包层元件110，从而限定闪烁体层90的像素化。此外，如本说明书中所述，闪烁体层90可以印刷成包括诸如弧形光管等光管116，以便最小化或减少X射线与包层材料相互作用，这会有效地减少可用信号。
在图示示例中，反射体144(框166)印刷到闪烁体层90上。当存在时，反射体144反射由闪烁体90产生的位于波长范围内的光学光子，并且用于将由闪烁体90产生的光子重定向到光成像仪面板。如图所示，在某些实施方案中，还可以印刷盖层146(框168)。当存在时，盖层146可帮助将闪烁体90和其他敏感检测器部件与环境密封隔绝和/或可提供加固保护。另外，可在制造期间将其他检测器部件例如防散射栅格印刷到检测器上。在防散射栅格的情况下，这可采用在闪烁体上(例如位于反射体上方，但位于盖层下方)印刷X射线衰减材料的像素化栅格的形式，以防止散射的X射线到达闪烁体。
所公开实施例的技术效果包括采用a-Si进行初始制造处理，随后获得通常与c-Si相关联的较高电子迁移率的益处。如本说明书中所讨论，这样可制造具有更薄和更长电气通路的检测器，进而又能够制造更小规模的电气部件。如在辐射检测器的上下文中所讨论，这样能够在像素内制造电荷放大器电路(但在一些实施例中使用a-Si材料进行初始沉积)，以用于板上模数字转换以及用于减小像素尺寸。这些特征又可以实现电子噪声减少、功耗降低、并且更容易地封装电气部件。
本说明书使用各种实例来公开本发明主题，包括最佳模式，同时也让所属领域的技术人员能够实践本发明，包括制造并使用任何装置或系统，以及实施所涵盖的任何方法。本发明的专利保护范围由权利要求书限定，并且可以包括所属领域中的技术人员所想出的其他实例。如果其他此类实例的结构要素与权利要求书的字面意义相同，或如果此类实例包括的等效结构要素与权利要求书的字面意义无实质差别，则此类实例也应在权利要求书的覆盖范围内。

Claims (20)

1.一种用于制造辐射检测器的光成像仪面板的方法，所述方法包括：
将非晶硅(a-Si)设置在衬底上；
使所述a-Si熔化；以及
随后使所述a-Si固化以在所述衬底上形成晶体硅(c-Si)电路，其中所述c-Si电路包括至少多个检测器像素，每个检测器像素包括至少场效应晶体管、光电二极管和电荷放大器。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括玻璃、金属、陶瓷、碳或塑料衬底中的一者或多者。
3.根据权利要求1所述的方法，其中设置所述a-Si包括将所述a-Si印刷在所述衬底上以与至少所述场效应晶体管、所述光电二极管和所述电荷放大器相对应。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是单件的，并且有一个尺寸为至少22cm。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述c-Si电路进一步包括形成于在所述衬底上的列读出电子设备或行读出选择电路中的一者或两者。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
将闪烁体层印刷在所述衬底上位于所述c-Si电路上方处。
7.根据权利要求6所述的方法，其中印刷所述闪烁体层包括印刷像素化闪烁体层，其中所述闪烁体层的像素各自与所述光成像仪面板的相应像素相对应。
8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
将反射体印刷在所述闪烁体层上方。
9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
将盖层印刷在所述闪烁体层上方，其中反射体如存在，可以位于所述盖层与所述闪烁体层之间。
10.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：
将防散射栅格印刷在所述闪烁体层上方，其中反射体如存在，可以位于所述防散射栅格与所述闪烁体层之间。
11.一种用于制造辐射检测器的闪烁体的方法，所述方法包括：
提供光成像仪面板；以及
将一层闪烁体材料印刷在所述光成像仪面板上。
12.根据权利要求11所述的方法，其中提供所述光成像仪面板包括使用所述3D印刷机将所述光成像仪面板电路印刷到衬底上。
13.根据权利要求12所述的方法，其中印刷所述光成像器面板电路包括将非晶硅(a-Si)印刷到所述衬底上、使所述a-Si熔化以及使所述熔融a-Si结晶以形成晶体硅(c-Si)电路。
14.根据权利要求11所述的方法，其中印刷所述闪烁体材料层包括：
将闪烁材料的像素化区域印刷在所述光成像器面板的相应像素上方；以及
在包层材料印刷在所述闪烁材料的所述像素化区域之间。
15.根据权利要求11所述的方法，其中印刷所述闪烁体材料层包括：
将闪烁材料的像素化区域印刷在所述光成像仪面板的相应像素上方，其中每个像素化区域内的所述闪烁材料印刷成包括闪烁材料的非线性结构。
16.一种辐射检测器的光成像仪面板，所述光成像仪面板包括：
非硅衬底；
印刷在所述非硅衬底上的多个像素，每个像素包括对应于至少一个场效应晶体管、至少一个光电二极管和至少一个电荷放大器的晶体硅(c-Si)电路。
17.根据权利要求16所述的光成像仪面板，其中所述衬底包括玻璃、金属、陶瓷、碳或塑料衬底中的一者或多者。
18.根据权利要求16所述的光成像仪面板，其中所述光成像仪面板是单件的，并且有一个尺寸为至少22cm。
19.根据权利要求16所述的光成像仪面板，其中印刷在所述非硅衬底上的所述c-Si电路进一步包括形成在所述衬底上的列读出电子设备或行读出选择电路中的一者或两者。
20.根据权利要求16所述的光成像仪面板，进一步包括闪烁体层，所述闪烁体层印刷在所述c-Si电路上与所述非硅衬底相对处。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113130524A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 韩国睿恩斯有限公司 具有在光电二极管层上印制的驱动微集成芯片的x射线检测器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3871607B1 (en) * 2017-07-04 2023-07-26 EOS Imaging Method of radiography of an organ of a patient
KR20210101360A (ko) * 2020-02-07 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 제조 장치 및 이를 이용하는 제조 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1319252A (zh) * 1998-09-25 2001-10-24 旭化成株式会社 半导体衬底及其制造方法、和使用它的半导体器件及其制造方法
CN101052895A (zh) * 2004-10-29 2007-10-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于医学df和rf成像以及ct中的gos陶瓷闪烁纤维光学x射线成像板
CN101447523A (zh) * 2007-11-29 2009-06-03 索尼株式会社 光传感器和显示装置
CN102347338A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 台湾积体电路制造股份有限公司 含背照式图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法
CN102576715A (zh) * 2009-06-17 2012-07-11 密执安州立大学董事会 平板x射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及用于基于薄膜电子器件来改进平板x射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法
US20130099290A1 (en) * 2010-04-16 2013-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing same

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2624318B2 (ja) * 1988-11-25 1997-06-25 三菱電機株式会社 イメージセンサおよびその製造方法
JP3339285B2 (ja) * 1996-02-02 2002-10-28 松下電器産業株式会社 Ｘ線撮像装置
JPH09325185A (ja) * 1996-06-03 1997-12-16 Toshiba Fa Syst Eng Kk 放射線検出器とその製造方法と透視検査装置とｃｔスキャナ
JP3618973B2 (ja) * 1997-10-01 2005-02-09 キヤノン株式会社 半導体装置及び光検出装置の製造方法
JP4255527B2 (ja) * 1997-10-20 2009-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPH11307756A (ja) * 1998-02-20 1999-11-05 Canon Inc 光電変換装置および放射線読取装置
JP3865106B2 (ja) 2000-03-31 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 シリコン膜パターンの形成方法
US7030551B2 (en) 2000-08-10 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
EP1716434B1 (en) 2004-02-11 2012-05-30 Philips Intellectual Property & Standards GmbH X-ray detector with photogates and dose control
JP4449749B2 (ja) * 2005-01-05 2010-04-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 放射線検出装置およびその製造方法
FR2891401B1 (fr) * 2005-09-23 2007-10-26 Thales Sa Realisation d'un detecteur de rayonnement.
US8586933B2 (en) 2007-04-25 2013-11-19 Koninklijke Philips N.V. Radiation detector having a split laminate optical coupling
JP5022805B2 (ja) * 2007-07-26 2012-09-12 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器
US8426905B2 (en) 2007-10-01 2013-04-23 Kovio, Inc. Profile engineered, electrically active thin film devices
JP4434253B2 (ja) * 2007-10-16 2010-03-17 ソニー株式会社 クロック信号生成回路、表示パネルモジュール、撮像デバイス及び電子機器
KR101000941B1 (ko) * 2008-10-27 2010-12-13 한국전자통신연구원 게르마늄 광 검출기 및 그 형성방법
JP5317675B2 (ja) * 2008-12-22 2013-10-16 株式会社東芝 放射線検出器およびその製造方法
JP2010258012A (ja) 2009-04-21 2010-11-11 Seiko Epson Corp シリコン膜製造装置及び電子デバイス製造装置
JP2011133395A (ja) 2009-12-25 2011-07-07 Ge Medical Systems Global Technology Co Llc 放射線検出器および放射線撮影装置
EP2577351B1 (en) 2010-05-24 2017-06-14 Koninklijke Philips N.V. Ct detector including multi-layer fluorescent tape scintillator with switchable spectral sensitivity
JP2012052965A (ja) * 2010-09-02 2012-03-15 Toshiba Corp 放射線検出器及びその製造方法
JP2012078137A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Toshiba Corp 放射線検出器およびその製造方法
JP5581235B2 (ja) 2011-01-17 2014-08-27 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP5710347B2 (ja) 2011-04-06 2015-04-30 富士フイルム株式会社 放射線撮影装置及び製造方法
WO2013010108A1 (en) * 2011-07-13 2013-01-17 Nuvotronics, Llc Methods of fabricating electronic and mechanical structures
JP2014044200A (ja) 2012-07-31 2014-03-13 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法及び放射線検出システム
RU2532645C1 (ru) * 2013-04-29 2014-11-10 Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "МТ" (ООО "НТЦ-МТ") Способ формирования структурированного сцинтиллятора на поверхности пикселированного фотоприемника (варианты) и сцинтилляционный детектор, полученнный данным способом (варианты)
JP5581436B2 (ja) 2013-12-19 2014-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｘ線カメラ
TWI579150B (zh) * 2014-01-27 2017-04-21 國立交通大學 噴頭清潔裝置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1319252A (zh) * 1998-09-25 2001-10-24 旭化成株式会社 半导体衬底及其制造方法、和使用它的半导体器件及其制造方法
CN101052895A (zh) * 2004-10-29 2007-10-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于医学df和rf成像以及ct中的gos陶瓷闪烁纤维光学x射线成像板
CN101447523A (zh) * 2007-11-29 2009-06-03 索尼株式会社 光传感器和显示装置
CN102576715A (zh) * 2009-06-17 2012-07-11 密执安州立大学董事会 平板x射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构以及用于基于薄膜电子器件来改进平板x射线成像器中的光电二极管和其他传感器结构的拓扑均匀性的方法
US20130099290A1 (en) * 2010-04-16 2013-04-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing same
CN102347338A (zh) * 2010-07-27 2012-02-08 台湾积体电路制造股份有限公司 含背照式图像感测元件的装置及图像感测元件的制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113130524A (zh) * 2019-12-30 2021-07-16 韩国睿恩斯有限公司 具有在光电二极管层上印制的驱动微集成芯片的x射线检测器

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Publication number Publication date
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JP7237582B2 (ja) 2023-03-13
EP3329514A4 (en) 2019-10-23
WO2017019686A1 (en) 2017-02-02
JP2018530906A (ja) 2018-10-18
EP3329514B1 (en) 2023-12-20
US20170033148A1 (en) 2017-02-02
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US20170062510A1 (en) 2017-03-02

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