JP3339285B2 - Ｘ線撮像装置 - Google Patents
Ｘ線撮像装置Info
- Publication number
- JP3339285B2 JP3339285B2 JP1728296A JP1728296A JP3339285B2 JP 3339285 B2 JP3339285 B2 JP 3339285B2 JP 1728296 A JP1728296 A JP 1728296A JP 1728296 A JP1728296 A JP 1728296A JP 3339285 B2 JP3339285 B2 JP 3339285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- scintillator
- imaging apparatus
- ray imaging
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 98
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 210000000214 mouth Anatomy 0.000 description 2
- 101000857682 Homo sapiens Runt-related transcription factor 2 Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 102100025368 Runt-related transcription factor 2 Human genes 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療用のＸ線画像
撮影装置、特に歯科診療において使用されるＸ線画像撮
影装置に関する。
撮影装置、特に歯科診療において使用されるＸ線画像撮
影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】人体の透過Ｘ線写真の撮影は医科及び歯
科の診断方法として広く行われてきた。例えば歯科にお
ける歯牙部の口腔内撮影は口腔外にＸ線発生装置を配置
し、口腔内の歯牙裏面にフィルムを指先で当接支持し、
フィルムをＸ線発生装置から放射され被写体である歯牙
部を透過したＸ線で感光させＸ線写真を得る。またパノ
ラマ撮影では固定された患者の周囲をＸ線源とフィルム
とを同期的にフィルムの移動を伴いながら回転しつつ、
スリット状のＸ線を照射してフィルムにＸ線写真を撮影
する。
科の診断方法として広く行われてきた。例えば歯科にお
ける歯牙部の口腔内撮影は口腔外にＸ線発生装置を配置
し、口腔内の歯牙裏面にフィルムを指先で当接支持し、
フィルムをＸ線発生装置から放射され被写体である歯牙
部を透過したＸ線で感光させＸ線写真を得る。またパノ
ラマ撮影では固定された患者の周囲をＸ線源とフィルム
とを同期的にフィルムの移動を伴いながら回転しつつ、
スリット状のＸ線を照射してフィルムにＸ線写真を撮影
する。
【０００３】しかしながら、フィルムによるＸ線写真の
撮影は、Ｘ線照射後に、フィルムの現像、定着、水洗等
の手間と時間がかかるとともに、フィルムの保管や管理
も容易でない。
撮影は、Ｘ線照射後に、フィルムの現像、定着、水洗等
の手間と時間がかかるとともに、フィルムの保管や管理
も容易でない。
【０００４】また、Ｘ線フィルムの感度が低いためにＸ
線照射時間が比較的長く、口腔内の歯牙撮影では手指の
動き、またパノラマ撮影においては頭部の動きによるぶ
れが生じやすく診断に影響を及ぼすことがある。
線照射時間が比較的長く、口腔内の歯牙撮影では手指の
動き、またパノラマ撮影においては頭部の動きによるぶ
れが生じやすく診断に影響を及ぼすことがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｘ線フィルムの代わり
にＸ線を直接電気信号に変換する固体撮像素子を用いれ
ば、撮影画像を電気信号として保管できるため保管や管
理が容易になる。
にＸ線を直接電気信号に変換する固体撮像素子を用いれ
ば、撮影画像を電気信号として保管できるため保管や管
理が容易になる。
【０００６】Ｘ線撮影用の固体撮像素子としてＣＣＤの
受光面側の全面にシンチレータを設けシンチレーでＸ線
を可視光であるシンチレーション光に変換し、ＣＣＤに
て検出するものがあるが、シンチレーション光には指向
性がないので画素間でのクロストークが起こり、解像度
が低下する欠点がある。またＸ線の検出効率をあげるに
はシンチレータを厚くする必要があるが、厚くするほど
シンチレータ内のクロストークが増え解像度が低下する
のでシンチレータの厚さが制限され検出効率の向上が困
難であった。この欠点を克服するものとしてＣＣＤの各
画素ごとに分割してシンチレータを設けた構成が特開平
５−９３７８０号公報に提案されている。以下特開平５
−９３７８０号に公示された例について図面を参照しな
がら説明する。図１１はＸ線撮像用の固体撮像素子の構
成を示すもの１１０は固体撮像素子、１１１は撮像素子
の各画素ごとに分割して設けられたシンチレータの柱状
結晶、２００はガラス基板である。この従来例において
は固体撮像素子１１０の各画素ごとにＳｉＯ２の凸状パ
ターンが形成され、凸状パターンの上面にシンチレータ
の柱状結晶１１１が結晶成長されている。このような構
成ではシンチレータが固体撮像素子の画素に対応して分
割されているのでクロストークは少ないが新たに設けた
前記凸状パターンによりシンチレーション光の一部が吸
収され撮像素子の検出効率が低下する。
受光面側の全面にシンチレータを設けシンチレーでＸ線
を可視光であるシンチレーション光に変換し、ＣＣＤに
て検出するものがあるが、シンチレーション光には指向
性がないので画素間でのクロストークが起こり、解像度
が低下する欠点がある。またＸ線の検出効率をあげるに
はシンチレータを厚くする必要があるが、厚くするほど
シンチレータ内のクロストークが増え解像度が低下する
のでシンチレータの厚さが制限され検出効率の向上が困
難であった。この欠点を克服するものとしてＣＣＤの各
画素ごとに分割してシンチレータを設けた構成が特開平
５−９３７８０号公報に提案されている。以下特開平５
−９３７８０号に公示された例について図面を参照しな
がら説明する。図１１はＸ線撮像用の固体撮像素子の構
成を示すもの１１０は固体撮像素子、１１１は撮像素子
の各画素ごとに分割して設けられたシンチレータの柱状
結晶、２００はガラス基板である。この従来例において
は固体撮像素子１１０の各画素ごとにＳｉＯ２の凸状パ
ターンが形成され、凸状パターンの上面にシンチレータ
の柱状結晶１１１が結晶成長されている。このような構
成ではシンチレータが固体撮像素子の画素に対応して分
割されているのでクロストークは少ないが新たに設けた
前記凸状パターンによりシンチレーション光の一部が吸
収され撮像素子の検出効率が低下する。
【０００７】またＣＣＤの撮像面の光電変換領域以外の
部分に光露光工程及びリフトオフ法により金属被膜を形
成し、メッキ電極としメッキ電極の上にメッキにより金
属壁を形成した後にシンチレータを塗布しシンチレータ
を金属壁で分離した例があるがシンチレータユニットの
製造工程が複雑であること、同製造工程にてＣＣＤが化
学的に処理されるので劣化のおそれがあること。また、
画素サイズを小さくするとシンチレータの厚さが画素よ
り大きくなり製造が困難になる。従ってＸ線の検出効率
が高くかつ画素サイズが小さく解像度の良い撮像装置を
提供することはできない。
部分に光露光工程及びリフトオフ法により金属被膜を形
成し、メッキ電極としメッキ電極の上にメッキにより金
属壁を形成した後にシンチレータを塗布しシンチレータ
を金属壁で分離した例があるがシンチレータユニットの
製造工程が複雑であること、同製造工程にてＣＣＤが化
学的に処理されるので劣化のおそれがあること。また、
画素サイズを小さくするとシンチレータの厚さが画素よ
り大きくなり製造が困難になる。従ってＸ線の検出効率
が高くかつ画素サイズが小さく解像度の良い撮像装置を
提供することはできない。
【０００８】本発明は上記従来の問題を解決するもの
で、Ｘ線を直接電気信号に変換でき、解像度及び検出効
率の高く、しかも製造しやすいＸ線撮像装置を提供する
ことを目的としたものである。
で、Ｘ線を直接電気信号に変換でき、解像度及び検出効
率の高く、しかも製造しやすいＸ線撮像装置を提供する
ことを目的としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の第１の手段は、Ｘ線または放射線を可視光に
変換する手段としてのシンチレータと、受光部と垂直Ｃ
ＣＤと垂直ＣＣＤを覆う遮光部と前記シンチレータとの
間に設けられた絶縁部とからなる撮像素子とからなり、
前記受光部と前記遮光部とは少なくとも段差を持って構
成され、前記受光部と前記遮光部の段差を利用して蒸着
等の結晶成長手段により前記柱状結晶を前記受光部の上
方と遮光部の上方とに分離して形成したものである。
に本発明の第１の手段は、Ｘ線または放射線を可視光に
変換する手段としてのシンチレータと、受光部と垂直Ｃ
ＣＤと垂直ＣＣＤを覆う遮光部と前記シンチレータとの
間に設けられた絶縁部とからなる撮像素子とからなり、
前記受光部と前記遮光部とは少なくとも段差を持って構
成され、前記受光部と前記遮光部の段差を利用して蒸着
等の結晶成長手段により前記柱状結晶を前記受光部の上
方と遮光部の上方とに分離して形成したものである。
【００１０】
【００１１】さらに、本発明の第２手段は、Ｘ線または
放射線を可視光に変換する手段としてのシンチレータ
と、受光部と垂直ＣＣＤと垂直ＣＣＤを覆う遮光壁と前
記シンチレータとの間に設けられた絶縁部とからなる撮
像素子とからなり、前記シンチレータは前記撮像素子上
全体に設けられ、前記シンチレータの厚さは前記遮光壁
より厚く構成したものである。
放射線を可視光に変換する手段としてのシンチレータ
と、受光部と垂直ＣＣＤと垂直ＣＣＤを覆う遮光壁と前
記シンチレータとの間に設けられた絶縁部とからなる撮
像素子とからなり、前記シンチレータは前記撮像素子上
全体に設けられ、前記シンチレータの厚さは前記遮光壁
より厚く構成したものである。
【００１２】また、本発明の第３の手段は、Ｘ線または
放射線を可視光に変換する手段としてのシンチレータ
と、受光部と垂直ＣＣＤと垂直ＣＣＤを覆う遮光部と前
記シンチレータとの間に設けられた絶縁部とからなる撮
像素子と、前記撮像素子の上方において前記撮像素子を
覆う格子状に穴が設けられた遮光板とを有し、前記遮光
板の格子状の穴に前記シンチレータを充填し、前記撮像
素子の撮像面の各受光部と前記遮光板の格子状の穴がそ
れぞれ相対するように配置したものである。
放射線を可視光に変換する手段としてのシンチレータ
と、受光部と垂直ＣＣＤと垂直ＣＣＤを覆う遮光部と前
記シンチレータとの間に設けられた絶縁部とからなる撮
像素子と、前記撮像素子の上方において前記撮像素子を
覆う格子状に穴が設けられた遮光板とを有し、前記遮光
板の格子状の穴に前記シンチレータを充填し、前記撮像
素子の撮像面の各受光部と前記遮光板の格子状の穴がそ
れぞれ相対するように配置したものである。
【００１３】
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の手段は、撮像素子
の各画素の受光部にそれぞれ独立してシンチレータの柱
状結晶を成長させたもので、各画素は光学的に分割さ
れ、一つの画素の柱状結晶にて変換された可視光が隣接
する画素に漏れることがきわめて少なくなる作用を有す
る。また、遮光壁により少なくとも画素部に近接する部
分のシンチレータは画素毎に分離されるので前記シンチ
レータで発生した可視光の隣接画素への漏れが少なくな
る作用を有する。
の各画素の受光部にそれぞれ独立してシンチレータの柱
状結晶を成長させたもので、各画素は光学的に分割さ
れ、一つの画素の柱状結晶にて変換された可視光が隣接
する画素に漏れることがきわめて少なくなる作用を有す
る。また、遮光壁により少なくとも画素部に近接する部
分のシンチレータは画素毎に分離されるので前記シンチ
レータで発生した可視光の隣接画素への漏れが少なくな
る作用を有する。
【００１５】さらに本発明の第２の手段は、遮光板によ
りシンチレータの厚みをましても遮光板の無い場合に比
し可視光の漏れは抑制される作用を有する。
りシンチレータの厚みをましても遮光板の無い場合に比
し可視光の漏れは抑制される作用を有する。
【００１６】また本発明の第３の手段は、画素間が遮光
板および反射板により完全に分離されるのでシンチレー
タで発生した可視光の隣接画素への漏れは防止される作
用を有する。
板および反射板により完全に分離されるのでシンチレー
タで発生した可視光の隣接画素への漏れは防止される作
用を有する。
【００１７】
【００１８】（実施の形態１）以下本発明の実施の形態
１について、図１を参照しながら説明する。図１におい
て、１はＣＣＤで、このＣＣＤ１の単位画素は基本的に
は光ダイオード２と垂直ＣＣＤ３からなる。４はゲート
電極、５は遮光部で、この遮光部５は合成樹脂にＡｌ、
Ｃ、Ｔｉ、Ｐｂ等が混合されている。６は絶縁層、７
ａ、７ｂはシンチレータで、シンチレータ７ａはＣＣＤ
１の光ダイオード２の上に、また前記シンチレータ７ｂ
は遮光部５の上にそれぞれ分離独立して設けたものであ
る。
１について、図１を参照しながら説明する。図１におい
て、１はＣＣＤで、このＣＣＤ１の単位画素は基本的に
は光ダイオード２と垂直ＣＣＤ３からなる。４はゲート
電極、５は遮光部で、この遮光部５は合成樹脂にＡｌ、
Ｃ、Ｔｉ、Ｐｂ等が混合されている。６は絶縁層、７
ａ、７ｂはシンチレータで、シンチレータ７ａはＣＣＤ
１の光ダイオード２の上に、また前記シンチレータ７ｂ
は遮光部５の上にそれぞれ分離独立して設けたものであ
る。
【００１９】この構成のＸ線撮像装置では、Ｘ線または
放射線が入射すると、分離独立して設けられたシンチレ
ータ７ａ、７ｂにてそれぞれシンチレーション光に変換
される。そして、ＣＣＤ１の光ダイオード２上のシンチ
レータ７ａで変換されたシンチレーション光はシンチレ
ータ７ａ中を伝搬し光ダイオード２に到達し、この光ダ
イオード２で電荷に変換され、垂直ＣＣＤ３に移され蓄
積される。つぎにゲート電極４の操作により転送され映
像情報として出力される。また、シンチレータ７ｂにて
変換されたシンチレーション光は遮光部５にて遮断され
る。シンチレータ７ｂはシンチレータ７ａと空間で分離
されているのでシンチレータ７ｂで変換されたシンチレ
ーション光が隣接するシンチレータ７ａを経て光ダイオ
ード２に到達する割合は非常に少なく、また遮光膜５の
働きにより光ダイオード２へ直接入射することもない。
さらに遮光部５を隔てた隣の画素の光ダイオード２に設
けられたシンチレータ７ａで変換されたシンチレーショ
ン光が到達することも、より多くの空間で分離されてい
るのでない。したがってＣＣＤ１を構成する画素間の光
のクロストークはなく、解像度の高いＸ線撮像装置が提
供される。またシンチレータ７ａ、７ｂの表面がシンチ
レーション光の反射面として働くので検出効率が向上す
る。さらにシンチレータ７ａ、７ｂの上面にＡ１やＣｒ
の反射膜８を設けることにより光ダイオード２の反対側
に向かうシンチレーション光の成分も反射により光ダイ
オード２に到達し検出されるので、さらに検出効率が向
上する。
放射線が入射すると、分離独立して設けられたシンチレ
ータ７ａ、７ｂにてそれぞれシンチレーション光に変換
される。そして、ＣＣＤ１の光ダイオード２上のシンチ
レータ７ａで変換されたシンチレーション光はシンチレ
ータ７ａ中を伝搬し光ダイオード２に到達し、この光ダ
イオード２で電荷に変換され、垂直ＣＣＤ３に移され蓄
積される。つぎにゲート電極４の操作により転送され映
像情報として出力される。また、シンチレータ７ｂにて
変換されたシンチレーション光は遮光部５にて遮断され
る。シンチレータ７ｂはシンチレータ７ａと空間で分離
されているのでシンチレータ７ｂで変換されたシンチレ
ーション光が隣接するシンチレータ７ａを経て光ダイオ
ード２に到達する割合は非常に少なく、また遮光膜５の
働きにより光ダイオード２へ直接入射することもない。
さらに遮光部５を隔てた隣の画素の光ダイオード２に設
けられたシンチレータ７ａで変換されたシンチレーショ
ン光が到達することも、より多くの空間で分離されてい
るのでない。したがってＣＣＤ１を構成する画素間の光
のクロストークはなく、解像度の高いＸ線撮像装置が提
供される。またシンチレータ７ａ、７ｂの表面がシンチ
レーション光の反射面として働くので検出効率が向上す
る。さらにシンチレータ７ａ、７ｂの上面にＡ１やＣｒ
の反射膜８を設けることにより光ダイオード２の反対側
に向かうシンチレーション光の成分も反射により光ダイ
オード２に到達し検出されるので、さらに検出効率が向
上する。
【００２０】つぎに、実施の形態１の製造工程について
図２を参照しながら説明する。図２（ａ）（ｂ）は実施
の形態１のシンチレータ部の製造工程を示す断面図であ
る。図２（ａ）は加工前を示し、図２（ｂ）は加工後を
示す。図２（ａ）に示すようにＣＣＤ１の撮像面は光ダ
イオード２が凹に、遮光部５が凸になって段差が形成さ
れる。蒸着または気相成長等によりシンチレータ例えば
ＣｓＩを撮像面に結晶成長させると、凹の光ダイオード
２と凸の遮光部５から柱状結晶が別個に成長し、図２
（ｂ）に示すように分離したシンチレータ７ａ、７ｂが
得られる。このシンチレータ７ａ、７ｂの上面に蒸着に
より反射膜８を設ける。このように実施の形態１によれ
ば簡単に高解像度で変換効率の高いＸ線撮像装置が得ら
れる。
図２を参照しながら説明する。図２（ａ）（ｂ）は実施
の形態１のシンチレータ部の製造工程を示す断面図であ
る。図２（ａ）は加工前を示し、図２（ｂ）は加工後を
示す。図２（ａ）に示すようにＣＣＤ１の撮像面は光ダ
イオード２が凹に、遮光部５が凸になって段差が形成さ
れる。蒸着または気相成長等によりシンチレータ例えば
ＣｓＩを撮像面に結晶成長させると、凹の光ダイオード
２と凸の遮光部５から柱状結晶が別個に成長し、図２
（ｂ）に示すように分離したシンチレータ７ａ、７ｂが
得られる。このシンチレータ７ａ、７ｂの上面に蒸着に
より反射膜８を設ける。このように実施の形態１によれ
ば簡単に高解像度で変換効率の高いＸ線撮像装置が得ら
れる。
【００２１】なお、シンチレータ７ａ、７ｂをＣｓＩと
して説明したが同様な作用のある輝尽性シンチレータ等
でも良い。また反射膜８をＡ１及びＣｒで説明したが、
これに限定されるものではない。
して説明したが同様な作用のある輝尽性シンチレータ等
でも良い。また反射膜８をＡ１及びＣｒで説明したが、
これに限定されるものではない。
【００２２】（実施の形態２）以下本発明の実施の形態
２について、図３を参照しながら説明する。図３におい
て３０は遮光壁、３１はシンチレータである。なお図１
と同じ構成部分については同じ符号で示し、同様にＣＣ
Ｄ１の単位画素は基本的に光ダイオード２と垂直ＣＣＤ
３からなる。実施の形態２では垂直ＣＣＤ３を覆う遮光
部５上に遮光壁３０が設けられ、各単位画素間を分割す
る。そして、シンチレータ３１は撮像面全体に設けられ
ておりシンチレータ３１の厚みは遮光壁３０より厚い。
２について、図３を参照しながら説明する。図３におい
て３０は遮光壁、３１はシンチレータである。なお図１
と同じ構成部分については同じ符号で示し、同様にＣＣ
Ｄ１の単位画素は基本的に光ダイオード２と垂直ＣＣＤ
３からなる。実施の形態２では垂直ＣＣＤ３を覆う遮光
部５上に遮光壁３０が設けられ、各単位画素間を分割す
る。そして、シンチレータ３１は撮像面全体に設けられ
ておりシンチレータ３１の厚みは遮光壁３０より厚い。
【００２３】この構成のＸ線撮像装置について以下その
動作を説明する。Ｘ線がシンチレータ３１に入射すると
シンチレーション光に変換される。このシンチレーショ
ン光は光ダイオード２に到達し実施の形態１と同様の過
程を経て映像情報が出力される。そして、Ｘ線はシンチ
レーション光に変換されると指向性を失う。したがって
シンチレーション光の成分の内でＸ線が入射した位置の
光ダイオード２に到達する以外に隣の画素の光ダイオー
ド２に到達する成分もある。これがクロストークとな
る。この実施の形態２では画素間に遮光壁３０が設けら
れているので、シンチレーション光の隣の画素の光ダイ
オード２へのクロストークが防がれる。遮光壁３０の高
さはシンチレータ３１の厚さより低く遮光は十分ではな
いが遮光壁３０の無い場合に比してクロストークの量は
大幅に低減される。遮光壁３０の高さがシンチレータ３
１より低い利点としては印刷にて遮光壁が形成できる点
にある。一般に印刷でこのような構成の遮光壁３０を形
成する場合、遮光壁３０の高さを高めることが難しい。
一方、シンチレータ３１はＸ線を効率良く吸収、変換す
るためにある程度厚さが必要である。実施の形態２はこ
のような制約を満たすものでＸ線を検出するのに適当な
シンチレータ３１の厚さがあり、かつ遮光壁３０が簡単
に形成できることである。また遮光壁３０にＰｂやＴｉ
等のＸ線の吸収効率が良い実効原子番号の大きな材料の
粉末を混入すればシンチレータ３１を通り抜けて垂直Ｃ
ＣＤ３に飛び込むＸ線の量を抑制でき、垂直ＣＣＤ３へ
のＸ線の入射による画像上の悪影響も低下する。実施の
形態２によれば、シンチレーション光のクロストークが
少ない高解像度でかつＸ線の検出効率の高いＸ線撮像装
置が得られる。
動作を説明する。Ｘ線がシンチレータ３１に入射すると
シンチレーション光に変換される。このシンチレーショ
ン光は光ダイオード２に到達し実施の形態１と同様の過
程を経て映像情報が出力される。そして、Ｘ線はシンチ
レーション光に変換されると指向性を失う。したがって
シンチレーション光の成分の内でＸ線が入射した位置の
光ダイオード２に到達する以外に隣の画素の光ダイオー
ド２に到達する成分もある。これがクロストークとな
る。この実施の形態２では画素間に遮光壁３０が設けら
れているので、シンチレーション光の隣の画素の光ダイ
オード２へのクロストークが防がれる。遮光壁３０の高
さはシンチレータ３１の厚さより低く遮光は十分ではな
いが遮光壁３０の無い場合に比してクロストークの量は
大幅に低減される。遮光壁３０の高さがシンチレータ３
１より低い利点としては印刷にて遮光壁が形成できる点
にある。一般に印刷でこのような構成の遮光壁３０を形
成する場合、遮光壁３０の高さを高めることが難しい。
一方、シンチレータ３１はＸ線を効率良く吸収、変換す
るためにある程度厚さが必要である。実施の形態２はこ
のような制約を満たすものでＸ線を検出するのに適当な
シンチレータ３１の厚さがあり、かつ遮光壁３０が簡単
に形成できることである。また遮光壁３０にＰｂやＴｉ
等のＸ線の吸収効率が良い実効原子番号の大きな材料の
粉末を混入すればシンチレータ３１を通り抜けて垂直Ｃ
ＣＤ３に飛び込むＸ線の量を抑制でき、垂直ＣＣＤ３へ
のＸ線の入射による画像上の悪影響も低下する。実施の
形態２によれば、シンチレーション光のクロストークが
少ない高解像度でかつＸ線の検出効率の高いＸ線撮像装
置が得られる。
【００２４】つぎに、実施の形態２について図４（ａ）
（ｂ）（ｃ）を参照しながら説明する。図４において図
４（ａ）は加工前図２（ｂ）、（ｃ）は加工中、後を示
す。以下工程順に説明する。まず、図４（ａ）に示すＣ
ＣＤ１の撮像面の遮光部５の上に遮光材料を混合した合
成樹脂をパターン印刷すると、図４（ｂ）に示すように
画素間に遮光壁３０が形成される。遮光成分は前記Ｐ
ｂ、Ｔｉ、Ｃ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属及び金属化合物の粉
末である。つぎにシンチレータを印刷すると、図３
（ｃ）に示すようにシンチレータ３１が画素間で遮光壁
３０で分割された構造が得られる。実施の形態２によれ
ば簡単な製造工程にて高解像度で検出効率の高いＸ線撮
像装置が提供される。
（ｂ）（ｃ）を参照しながら説明する。図４において図
４（ａ）は加工前図２（ｂ）、（ｃ）は加工中、後を示
す。以下工程順に説明する。まず、図４（ａ）に示すＣ
ＣＤ１の撮像面の遮光部５の上に遮光材料を混合した合
成樹脂をパターン印刷すると、図４（ｂ）に示すように
画素間に遮光壁３０が形成される。遮光成分は前記Ｐ
ｂ、Ｔｉ、Ｃ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属及び金属化合物の粉
末である。つぎにシンチレータを印刷すると、図３
（ｃ）に示すようにシンチレータ３１が画素間で遮光壁
３０で分割された構造が得られる。実施の形態２によれ
ば簡単な製造工程にて高解像度で検出効率の高いＸ線撮
像装置が提供される。
【００２５】なお、撮像素子をＣＣＤとして説明したが
他のイメージセンサであっても良い。また遮光材料とし
てＰｂ、Ｔｉ、Ｃ、Ａｌ、Ｎｉの例をあげたが他の金属
材料及びその化合物も考えられる。
他のイメージセンサであっても良い。また遮光材料とし
てＰｂ、Ｔｉ、Ｃ、Ａｌ、Ｎｉの例をあげたが他の金属
材料及びその化合物も考えられる。
【００２６】（実施の形態３）以下、実施の形態３につ
いて、図５を参照しながら説明する。図５において５０
は遮光板、５１は接着剤である。なお図１と同じ構成部
分については同じ符号で示した。また、同様にＣＣＤ１
の単位画素は基本的に光ダイオード２と垂直ＣＣＤ３か
らなる。実施の形態３では遮光板５０に格子状に穴が設
けられ、穴にはシンチレータ３１が充填される。遮光板
５０とＣＣＤ１は遮光板５０の穴とＣＣＤ１の各単位画
素の光ダイオード２が相対するように接着剤５１にて接
着固定したものである。
いて、図５を参照しながら説明する。図５において５０
は遮光板、５１は接着剤である。なお図１と同じ構成部
分については同じ符号で示した。また、同様にＣＣＤ１
の単位画素は基本的に光ダイオード２と垂直ＣＣＤ３か
らなる。実施の形態３では遮光板５０に格子状に穴が設
けられ、穴にはシンチレータ３１が充填される。遮光板
５０とＣＣＤ１は遮光板５０の穴とＣＣＤ１の各単位画
素の光ダイオード２が相対するように接着剤５１にて接
着固定したものである。
【００２７】この構成のＸ線撮像装置について以下その
動作を説明する。図５の上部より照射されたＸ線は遮光
板５０の穴に充填されたシンチレータ３１に入射しシン
チレーション光に変換される。このシンチレーション光
は接着剤５１を透過してＣＣＤ１の各単位画素の光ダイ
オード２に入射し実施の形態１と同様の過程を経て映像
情報として出力される。この構成ではシンチレータ３１
が遮光板５０により画素間で完全に分割されており、シ
ンチレーション光の画素間のクロストークはなくなる。
動作を説明する。図５の上部より照射されたＸ線は遮光
板５０の穴に充填されたシンチレータ３１に入射しシン
チレーション光に変換される。このシンチレーション光
は接着剤５１を透過してＣＣＤ１の各単位画素の光ダイ
オード２に入射し実施の形態１と同様の過程を経て映像
情報として出力される。この構成ではシンチレータ３１
が遮光板５０により画素間で完全に分割されており、シ
ンチレーション光の画素間のクロストークはなくなる。
【００２８】つぎに、実施の形態３のＸ線撮像装置の製
造工程を図６を参照しながら説明する。図６において５
２は黒色ポリイミドフィルム、５３パターンマスク、５
４はエキシマレーザ光、５５は穴である。他の符号につ
いて図５と同様であり説明は省略する。図６（ａ）に示
すように黒色のポリイミドフィルム５２に格子状のパタ
ーンマスク５３を介してエキシマレーザ光５４を照射す
る。そして図６（ｂ）に示すようにレーザ光５４の照射
された部分が噴出しポリイミドフィルム５２に格子状の
穴５５が形成される。つぎに図６（ｃ）に示すように、
この格子状の穴５５が設けられた面にシンチレータ３１
を塗布し塗布面からプレスすると、図６（ｄ）に示すよ
うに穴５５にシンチレータ３１が充填されたシンチレー
タユニットが形成される。つぎに、このシンチレータユ
ニットの穴５５とＣＣＤ１の各画素の光ダイオード２が
相対するように向かい合わせ接着すると、図６（ｅ）に
示すように、シンチレータ３１が画素単位で分割された
Ｘ線撮像装置が製造される。図７に格子状の穴５５の別
の形成法を示す。黒色ポリイミドフィルム５５に光露光
工程により格子枠７１を形成した後、格子枠７１を保護
膜として上面よりシリカ粒子７２をふきつけると格子状
の穴５５が形成される。実施の形態３によれば簡単な製
造工程にて高解像度で検出効率の高いＸ線撮像装置が得
られる。
造工程を図６を参照しながら説明する。図６において５
２は黒色ポリイミドフィルム、５３パターンマスク、５
４はエキシマレーザ光、５５は穴である。他の符号につ
いて図５と同様であり説明は省略する。図６（ａ）に示
すように黒色のポリイミドフィルム５２に格子状のパタ
ーンマスク５３を介してエキシマレーザ光５４を照射す
る。そして図６（ｂ）に示すようにレーザ光５４の照射
された部分が噴出しポリイミドフィルム５２に格子状の
穴５５が形成される。つぎに図６（ｃ）に示すように、
この格子状の穴５５が設けられた面にシンチレータ３１
を塗布し塗布面からプレスすると、図６（ｄ）に示すよ
うに穴５５にシンチレータ３１が充填されたシンチレー
タユニットが形成される。つぎに、このシンチレータユ
ニットの穴５５とＣＣＤ１の各画素の光ダイオード２が
相対するように向かい合わせ接着すると、図６（ｅ）に
示すように、シンチレータ３１が画素単位で分割された
Ｘ線撮像装置が製造される。図７に格子状の穴５５の別
の形成法を示す。黒色ポリイミドフィルム５５に光露光
工程により格子枠７１を形成した後、格子枠７１を保護
膜として上面よりシリカ粒子７２をふきつけると格子状
の穴５５が形成される。実施の形態３によれば簡単な製
造工程にて高解像度で検出効率の高いＸ線撮像装置が得
られる。
【００２９】なお、実施の形態３では遮光板５０を黒色
ポリイミドを用いて加工したが、黒色ＰＥＴフィルム等
の遮光性を持った素材でれば良い。また、穴加工をほど
こすレーザ光をエキシマレーザとして説明したが微細加
工が可能な他のレーザ光であっても良い。また、撮像素
子をＣＣＤとして説明したが他のイメージセンサであっ
ても良い。またシンチレータを遮光板の穴一杯に充填し
たが、一部に充填されていても良い。
ポリイミドを用いて加工したが、黒色ＰＥＴフィルム等
の遮光性を持った素材でれば良い。また、穴加工をほど
こすレーザ光をエキシマレーザとして説明したが微細加
工が可能な他のレーザ光であっても良い。また、撮像素
子をＣＣＤとして説明したが他のイメージセンサであっ
ても良い。またシンチレータを遮光板の穴一杯に充填し
たが、一部に充填されていても良い。
【００３０】（実施の形態４） 以下実施の形態４について、図８を参照しながら説明す
る。図８において８０は反射板、８１は反射膜である。
なお、実施の形態４でもＣＣＤ１の単位画素は基本的に
光ダイオード２と垂直ＣＣＤ３からなる。実施の形態４
では遮光板５０に格子状に貫通孔が設けられ、この貫通
孔にはシンチレータ３１が充填される。遮光板５０の上
面に反射板８０が設けられ、実施の形態３と同様に遮光
板５０の孔とＣＣＤ１の各単位画素の光ダイオード２が
相対するように接着剤５１にて固定したものである。
る。図８において８０は反射板、８１は反射膜である。
なお、実施の形態４でもＣＣＤ１の単位画素は基本的に
光ダイオード２と垂直ＣＣＤ３からなる。実施の形態４
では遮光板５０に格子状に貫通孔が設けられ、この貫通
孔にはシンチレータ３１が充填される。遮光板５０の上
面に反射板８０が設けられ、実施の形態３と同様に遮光
板５０の孔とＣＣＤ１の各単位画素の光ダイオード２が
相対するように接着剤５１にて固定したものである。
【００３１】以上のように構成されたＸ線撮像装置につ
いて以下その動作を説明する。図８の上部より照射され
たＸ線は遮光板５０の孔に充填されたシンチレータ３１
に入射しシンチレーション光に変換される。このシンチ
レーション光は接着剤５１を透過してＣＣＤ１の各単位
画素の光ダイオード２に入射し実施の形態１と同様の過
程を経て映像情報として出力される。この構成ではシン
チレータ３１が遮光板５０により画素間で完全に分割さ
れており、シンチレーション光の画素間でのクロストー
クはなくなる。さらに反射板８０により光ダイオード２
の反対側に向かうシンチレーション光も反射により光ダ
イオード２に到達し検出されるので検出効率が向上す
る。また、貫通孔の内面に反射膜８１を設けると遮光壁
が反射面として働くので検出効率がさらに向上する。
いて以下その動作を説明する。図８の上部より照射され
たＸ線は遮光板５０の孔に充填されたシンチレータ３１
に入射しシンチレーション光に変換される。このシンチ
レーション光は接着剤５１を透過してＣＣＤ１の各単位
画素の光ダイオード２に入射し実施の形態１と同様の過
程を経て映像情報として出力される。この構成ではシン
チレータ３１が遮光板５０により画素間で完全に分割さ
れており、シンチレーション光の画素間でのクロストー
クはなくなる。さらに反射板８０により光ダイオード２
の反対側に向かうシンチレーション光も反射により光ダ
イオード２に到達し検出されるので検出効率が向上す
る。また、貫通孔の内面に反射膜８１を設けると遮光壁
が反射面として働くので検出効率がさらに向上する。
【００３２】つぎに、実施の形態４の製造工程について
図９を参照しながら説明する。図９は実施の形態４にお
けるシンチレータ部の製造工程を示す断面図である。図
９において８０は反射板、９０は貫通孔である。以下工
程順に説明する。まず、図９（ａ）に示すように黒色の
ポリイミドフィルム５２に格子状のパターンマスク５３
を介してエキシマレーザ光５４を照射する。つぎに、図
９（ｂ）に示すようにレーザ光５４の照射された部分が
噴出しポリイミドフィルム５２に格子状の貫通孔９０が
形成される。そして図９（ｃ）に示すように、この格子
状の貫通孔９０が設けられた面にシンチレータ３１を塗
布し塗布面からプレスすると、図９（ｄ）に示す貫通孔
９０にシンチレータ３１が充填されたシンチレータユニ
ットが形成される。さらに、このユニットの貫通孔９０
とＣＣＤ１の各画素の光ダイオード２が相対するように
接着し、遮光板５０の上面に反射板８０を接着すると、
図９（ｅ）に示すシンチレータ３１が画素単位で分割さ
れたＸ線撮像装置が製造される。ここで実施の形態３と
同様、粉体吹き付けによっても貫通孔９０は形成でき
る。実施の形態４によれば簡単な製造工程にて高解像度
で検出効率の高いＸ線撮像装置が得られる。
図９を参照しながら説明する。図９は実施の形態４にお
けるシンチレータ部の製造工程を示す断面図である。図
９において８０は反射板、９０は貫通孔である。以下工
程順に説明する。まず、図９（ａ）に示すように黒色の
ポリイミドフィルム５２に格子状のパターンマスク５３
を介してエキシマレーザ光５４を照射する。つぎに、図
９（ｂ）に示すようにレーザ光５４の照射された部分が
噴出しポリイミドフィルム５２に格子状の貫通孔９０が
形成される。そして図９（ｃ）に示すように、この格子
状の貫通孔９０が設けられた面にシンチレータ３１を塗
布し塗布面からプレスすると、図９（ｄ）に示す貫通孔
９０にシンチレータ３１が充填されたシンチレータユニ
ットが形成される。さらに、このユニットの貫通孔９０
とＣＣＤ１の各画素の光ダイオード２が相対するように
接着し、遮光板５０の上面に反射板８０を接着すると、
図９（ｅ）に示すシンチレータ３１が画素単位で分割さ
れたＸ線撮像装置が製造される。ここで実施の形態３と
同様、粉体吹き付けによっても貫通孔９０は形成でき
る。実施の形態４によれば簡単な製造工程にて高解像度
で検出効率の高いＸ線撮像装置が得られる。
【００３３】なお、実施の形態４では反射板８０はＡｌ
等の反射作用のある板であれば良い。
等の反射作用のある板であれば良い。
【００３４】（実施の形態５）以下、実施の形態５につ
いて、図面１０を参照しながら説明する。図１０におい
て、１００は粘着フィルムで加熱により接着剤が溶解し
粘着性を持つ。以下工程順に説明する。まず、図１０
（ａ）に示すように反射板８０上に粘着フィルム１００
を介してシンチレータ３１の粉末を配置する。つぎに格
子状のパターンマスク５３を介してエキシマレーザ光５
４を照射するとエキシマレーザが照射された部分のみ接
着剤が溶解し、シンチレータ３１が固定される。さらに
振動手段により未固定のシンチレータを取り除くと図１
０（ｂ）に示すような独立したシンチレータ柱１０１が
形成される。ここでシンチレータ柱１０１のピッチは、
後ほど貼り付けるＣＣＤ１の画素ピッチと同一である。
さらに図１０（ｃ）に示すように実施の形態４と同様の
方法にて貫通孔９０を形成したポリイミドフィルムより
なる遮光板５０に反射板８０をそれぞれのシンチレータ
柱が貫通孔９０内に挿入されるように接着固定する。こ
こでシンチレータ柱１０１の高さは黒色ポリイミドフィ
ルム５０の厚さより低くて良い。さらに、実施の形態４
と同様にＣＣＤ１の撮像面と貼り合わせるとＣＣＤ１の
各画素に対応して独立したシンチレータ３１が設けられ
たＸ線撮像装置が製造される。この実施の態様５におい
ても画素間は遮光板５０にて分離されており、シンチレ
ーション光のクロストークが防止される。また実施の形
態４と同様に反射板８０の働きにより検出効率が向上す
る。さらに貫通孔９０の内面に反射膜を設けると遮光板
８０が反射面として働くので検出効率がさらに向上する
ものである。以上のように実施の形態５によれば解像度
及び検出効率が高いＸ線撮像装置が提供される。
いて、図面１０を参照しながら説明する。図１０におい
て、１００は粘着フィルムで加熱により接着剤が溶解し
粘着性を持つ。以下工程順に説明する。まず、図１０
（ａ）に示すように反射板８０上に粘着フィルム１００
を介してシンチレータ３１の粉末を配置する。つぎに格
子状のパターンマスク５３を介してエキシマレーザ光５
４を照射するとエキシマレーザが照射された部分のみ接
着剤が溶解し、シンチレータ３１が固定される。さらに
振動手段により未固定のシンチレータを取り除くと図１
０（ｂ）に示すような独立したシンチレータ柱１０１が
形成される。ここでシンチレータ柱１０１のピッチは、
後ほど貼り付けるＣＣＤ１の画素ピッチと同一である。
さらに図１０（ｃ）に示すように実施の形態４と同様の
方法にて貫通孔９０を形成したポリイミドフィルムより
なる遮光板５０に反射板８０をそれぞれのシンチレータ
柱が貫通孔９０内に挿入されるように接着固定する。こ
こでシンチレータ柱１０１の高さは黒色ポリイミドフィ
ルム５０の厚さより低くて良い。さらに、実施の形態４
と同様にＣＣＤ１の撮像面と貼り合わせるとＣＣＤ１の
各画素に対応して独立したシンチレータ３１が設けられ
たＸ線撮像装置が製造される。この実施の態様５におい
ても画素間は遮光板５０にて分離されており、シンチレ
ーション光のクロストークが防止される。また実施の形
態４と同様に反射板８０の働きにより検出効率が向上す
る。さらに貫通孔９０の内面に反射膜を設けると遮光板
８０が反射面として働くので検出効率がさらに向上する
ものである。以上のように実施の形態５によれば解像度
及び検出効率が高いＸ線撮像装置が提供される。
【００３５】なお、実施の形態５では遮光板５０を黒色
ポリイミドフィルムとしたが黒色ＰＥＴフィルム等の遮
光性を持った素材であれば良い。また、反射板８０をＡ
１としたが反射作用のある板であれば良い。レーザ光を
エキシマレーザとして説明したが微細加工が可能な他の
レーザ光であっても良い。また、撮像素子はＣＣＤとし
て説明したが他のイメージセンサであっても良い。
ポリイミドフィルムとしたが黒色ＰＥＴフィルム等の遮
光性を持った素材であれば良い。また、反射板８０をＡ
１としたが反射作用のある板であれば良い。レーザ光を
エキシマレーザとして説明したが微細加工が可能な他の
レーザ光であっても良い。また、撮像素子はＣＣＤとし
て説明したが他のイメージセンサであっても良い。
【００３６】
【発明の効果】以上のように本発明のＸ線撮像装置は、
Ｘ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、
シンチレーション光を検出し映像情報として出力する撮
像素子を有し、前記シンチレータが柱状結晶で撮像素子
の各単位画素毎に独立して設けられるか、前記シンチレ
ータの画素間が遮光壁にて分離されるのでシンチレーシ
ョン光のクロストークが抑制でき、解像度及び検出効率
の高いＸ線撮像装置を提供できる。
Ｘ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、
シンチレーション光を検出し映像情報として出力する撮
像素子を有し、前記シンチレータが柱状結晶で撮像素子
の各単位画素毎に独立して設けられるか、前記シンチレ
ータの画素間が遮光壁にて分離されるのでシンチレーシ
ョン光のクロストークが抑制でき、解像度及び検出効率
の高いＸ線撮像装置を提供できる。
【００３７】本願の他の発明によれば、前記撮像素子の
単位画素毎に独立して設けられたシンチレータの柱状結
晶は撮像面の凹凸を利用して蒸着等の結晶成長手段によ
り簡単に形成でき、また遮光壁を撮像素子の撮像面に印
刷するか遮光板にレーザ加工により穴もしくは格子状の
区画を設け前記穴または格子状の区画にシンチレータを
充填し撮像素子の各画素と相対するように固定すること
で前記シンチレータの画素間を分離する遮光壁が形成さ
れるので、解像度及び検出効率の高いＸ線撮像装置が容
易に実現できる。
単位画素毎に独立して設けられたシンチレータの柱状結
晶は撮像面の凹凸を利用して蒸着等の結晶成長手段によ
り簡単に形成でき、また遮光壁を撮像素子の撮像面に印
刷するか遮光板にレーザ加工により穴もしくは格子状の
区画を設け前記穴または格子状の区画にシンチレータを
充填し撮像素子の各画素と相対するように固定すること
で前記シンチレータの画素間を分離する遮光壁が形成さ
れるので、解像度及び検出効率の高いＸ線撮像装置が容
易に実現できる。
【００３８】従って本発明のＸ線撮像装置ではＸ線撮影
の時間を短縮でき患者の動きによる画像のぶれも少なく
鮮明なＸ線画像が撮影できることや撮像素子から映像信
号が電気信号として出力されるので光磁気ディスク等の
記憶媒体へ容易に保管でき、撮影画像管理が容易となる
優れた効果を奏するものである。
の時間を短縮でき患者の動きによる画像のぶれも少なく
鮮明なＸ線画像が撮影できることや撮像素子から映像信
号が電気信号として出力されるので光磁気ディスク等の
記憶媒体へ容易に保管でき、撮影画像管理が容易となる
優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明の実施の形態１におけるＸ線撮像装置の
一部断面図
一部断面図
【図２】（ａ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成前
の状態を示す一部断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部断面図
の状態を示す一部断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部断面図
【図３】本発明の実施の形態２におけるＸ線撮像装置の
一部断面図
一部断面図
【図４】（ａ）同Ｘ線撮像装置の遮光壁の形成前の状態
を示す一部断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置の遮光壁の形成状態を示す一部断
面図 （ｃ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部断面図
を示す一部断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置の遮光壁の形成状態を示す一部断
面図 （ｃ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部断面図
【図５】本発明の実施の形態３におけるＸ線撮像装置の
一部断面図
一部断面図
【図６】（ａ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の形成工程を示
す一部略断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の略断面図 （ｃ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成工程を示す
一部略断面図 （ｄ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部略断面図 （ｅ）同Ｘ線撮像装置の概略断面図
す一部略断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の略断面図 （ｃ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成工程を示す
一部略断面図 （ｄ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部略断面図 （ｅ）同Ｘ線撮像装置の概略断面図
【図７】（ａ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の別の形成工程
を示す一部略断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の状態を示す一部略断面
図
を示す一部略断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の状態を示す一部略断面
図
【図８】本発明の実施の形態４におけるＸ線撮像装置の
一部断面図
一部断面図
【図９】（ａ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の形成工程を示
す一部略断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の形成状態を示す一部略
断面図 （ｃ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成工程を示す
一部略断面図 （ｄ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部略断面図 （ｅ）同Ｘ線撮像装置の概略断面図
す一部略断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置の遮光板の形成状態を示す一部略
断面図 （ｃ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成工程を示す
一部略断面図 （ｄ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部略断面図 （ｅ）同Ｘ線撮像装置の概略断面図
【図１０】（ａ）同実施の形態５におけるＸ線撮像装置
のシンチレータの形成工程を示す一部略断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部略断面図 （ｃ）同Ｘ線撮像装置の概略断面図
のシンチレータの形成工程を示す一部略断面図 （ｂ）同Ｘ線撮像装置のシンチレータの形成状態を示す
一部略断面図 （ｃ）同Ｘ線撮像装置の概略断面図
【図１１】従来のＸ線撮像装置の斜視図
１ ＣＣＤ（撮像素子） ２ 光ダイオード ３ 垂直ＣＣＤ ５ 遮光部 ６ 絶縁層 ７ａ、７ｂ シンチレータ ８ 反射膜 ３０ 遮光壁 ３１ シンチレータ ５０ 遮光板 ５１ 接着剤 ５３ パターンマスク ５４ エキシマレーザ光 ５５ 穴 ７１ 格子枠 ７２ シリカ粒子（粉体） ８０ 反射板 ８１ 反射膜 ９０ 貫通孔 １００ 粘着フィルム（粘着剤） １０１ シンチレータ柱
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ (72)発明者 眞梶 康彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 松田 祐二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−188148（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−27863（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−333348（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−232977（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−93780（ＪＰ，Ａ) 特表 平５−502764（ＪＰ，Ａ) 特表 平４−505810（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) A61B 6/14 300 A61B 6/00 300 G01T 1/20 H01L 27/14 H01L 31/09
Claims (16)
- 【請求項１】Ｘ線または放射線を可視光に変換する手段
としてのシンチレータと、受光部と垂直ＣＣＤと前記垂
直ＣＣＤを覆う遮光部と前記シンチレータとの間に設け
られた絶縁部とからなる撮像素子とからなり、前記受光
部と前記遮光部とは少なくとも段差を持って構成され、
前記受光部と前記遮光部の段差を利用して蒸着により前
記シンチレータを前記受光部の上方と遮光部の上方とに
分離して形成したＸ線撮像装置。 - 【請求項２】撮像素子はＣＣＤである請求項１記載のＸ
線撮像装置。 - 【請求項３】柱状結晶がＣｓＩである請求項１記載のＸ
線撮像装置。 - 【請求項４】Ｘ線または放射線を可視光に変換する手段
としてのシンチレータと、受光部と垂直ＣＣＤと前記垂
直ＣＣＤを覆う遮光壁と前記シンチレータとの間に設け
られた絶縁部とからなる撮像素子とからなり、前記遮光
壁を設けた後に前記シンチレータを設け、前記シンチレ
ータは前記撮像素子上全体に設けられ、前記シンチレー
タの厚さは前記遮光壁より厚いＸ線撮像装置。 - 【請求項５】遮光壁が合成樹脂に遮光材料を混合したも
のである請求項４記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項６】遮光材料がＰｂ，Ｔｉ，Ｃ，Ａｌ，Ｃｒ，
Ｎｉやその化合物である請求項５記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項７】シンチレータの厚さより低い遮光壁を印刷
手段により撮像素子の撮像面に形成し請求項４記載のＸ
線撮像装置。 - 【請求項８】撮像素子がＣＣＤである請求項４記載のＸ
線撮像装置。 - 【請求項９】Ｘ線または放射線を可視光に変換する手段
としてのシンチレータと、受光部と垂直ＣＣＤと前記垂
直ＣＣＤを覆う遮光部と前記シンチレータとの間に設け
られた絶縁部とからなる撮像素子と、前記撮像素子の上
方において前記撮像素子を覆う格子状に穴が設けられた
遮光板とを有し、前記遮光板の格子状の穴に前記シンチ
レータを充填し、前記撮像素子の撮像面の各受光部と前
記遮光板の格子状の穴がそれぞれ相対するように配置し
たＸ線撮像装置。 - 【請求項１０】遮光板に格子状に設けられた穴に、シン
チレータを一杯に充填した請求項９記載のＸ線撮像装
置。 - 【請求項１１】遮光板に格子状に設けられた穴の一部
に、シンチレータを充填した請求項９記載のＸ線撮像装
置。 - 【請求項１２】レーザ加工にて穴を設けた請求項９記載
のＸ線撮像装置。 - 【請求項１３】Ｘ線または放射線を可視光に変換する手
段としてのシンチレータと、受光部と垂直ＣＣＤと前記
垂直ＣＣＤを覆う遮光部と前記シンチレータとの間に設
けられた絶縁部とからなる撮像素子と、前記撮像素子を
覆うように設けられた遮光板と前記遮光板に格子状に設
けられた貫通孔と、この貫通孔を覆うように設けられた
反射板とからなり、前記シンチレータを前記受光部の上
方部に充填し、前記遮光部の上方に遮光板を設けたＸ線
撮像装置。 - 【請求項１４】格子状に区切られた空間にシンチレータ
を一杯に充填し、前記シンチレータを撮像素子の撮像面
と相対させた請求項１３記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項１５】格子状に区切られた空間の一部にシンチ
レータを充填し、前記シンチレータを撮像素子の撮像面
と相対させた請求項１３記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項１６】格子状に区切られた空間の内表面に反射
層を設けた請求項１３記載のＸ線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1728296A JP3339285B2 (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Ｘ線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1728296A JP3339285B2 (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Ｘ線撮像装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002172316A Division JP2003014850A (ja) | 2002-06-13 | 2002-06-13 | シンチレータユニットおよびシンチレータユニットの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09206296A JPH09206296A (ja) | 1997-08-12 |
| JP3339285B2 true JP3339285B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=11939635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1728296A Expired - Fee Related JP3339285B2 (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | Ｘ線撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3339285B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5998790A (en) * | 1997-06-18 | 1999-12-07 | The Regents Of The University Of California | Transmission electron microscope CCD camera |
| DE69837090T2 (de) * | 1998-03-25 | 2007-10-31 | Mitsubishi Denki K.K. | Echtzeit - röntgenabbildungssystem mit hoher auflösung |
| JP2001299734A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｘ線撮影装置 |
| US6800858B1 (en) * | 2001-11-02 | 2004-10-05 | Varian Medical Systems Technologies, Inc. | X-ray image acquisition apparatus |
| US7233640B2 (en) * | 2003-11-26 | 2007-06-19 | General Electric Company | CT detector having an optical mask layer |
| CN101142497B (zh) * | 2005-03-16 | 2011-06-01 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有像素内处理电路的x射线检测器 |
| WO2010026789A1 (ja) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 放射線シンチレータおよび放射線画像検出器 |
| US9905607B2 (en) * | 2015-07-28 | 2018-02-27 | General Electric Company | Radiation detector fabrication |
| CN115399798A (zh) * | 2022-09-20 | 2022-11-29 | 合肥综合性国家科学中心人工智能研究院(安徽省人工智能实验室) | 光子计数多能谱ct成像装置及方法 |
-
1996
- 1996-02-02 JP JP1728296A patent/JP3339285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09206296A (ja) | 1997-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3486490B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
| US7426260B2 (en) | Polychronic digital radiography detector with patterned mask for single-exposure energy-sensitive X-ray imaging | |
| US5434418A (en) | Intra-oral sensor for computer aided radiography | |
| US6528796B1 (en) | Radiation image pickup device and radiation image pickup system | |
| US7247858B2 (en) | Method for creating a contiguous image using multiple X-ray imagers | |
| JPH0466147B2 (ja) | ||
| JPH0727864A (ja) | 放射線検出器 | |
| JP3339285B2 (ja) | Ｘ線撮像装置 | |
| JPH0362411B2 (ja) | ||
| JP2985731B2 (ja) | Ｘ線撮像装置 | |
| JP4472407B2 (ja) | 多数のｘ線画像を使用して連続画像を作る方法 | |
| WO2007054893A2 (en) | Method for reducing 3d ghost artefacts in an x-ray detector | |
| JP3526891B2 (ja) | 放射線画像信号読出方法およびそれに用いられる放射線検出器 | |
| JP2003014850A (ja) | シンチレータユニットおよびシンチレータユニットの製造方法 | |
| JPH0772255A (ja) | 放射線検出器および画像信号処理方法 | |
| JP2002318283A (ja) | ２次元アレイ型放射線検出器とそのｘ線遮蔽壁の製造方法 | |
| JPH0772252A (ja) | 画像信号読出方法 | |
| JP2976840B2 (ja) | 歯科用ｘ線画像検出器 | |
| JP3228975B2 (ja) | 医療用ｘ線画像検出装置 | |
| Rosen et al. | Prototype CCD-based detector for whole-breast digital mammography | |
| JP4016580B2 (ja) | 放射線撮影装置 | |
| JPS59150358A (ja) | 放射線検出装置 | |
| JP3661196B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
| JP2023117956A (ja) | センサ基板、放射線撮像装置、放射線撮像システム、および、センサ基板の製造方法 | |
| JP2005006886A (ja) | 放射線画像撮影装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070816 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |