具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
本发明C1-10直链或支链烷基取代的芳基即为C1-10直链烷基取代的芳基或C1-10支链烷基取代的芳基;C1-10直链或支链烷基取代的杂芳基即为C1-10直链烷基取代的杂芳基或C1-10支链烷基取代的杂芳基;C1-10烷基取代或未取代的芳基即为C1-10烷基取代的芳基或未取代的芳基;C1-10烷基或环烷基取代的芳基即为C1-10烷基取代的芳基或环烷基取代的芳基。
R
14、R
15、R
16、R
17分别为
中的一种R18为甲基、苯基、环己基或叔丁基中的一种。
在氮气保护下,依次称取原料Ⅱ-1、原料Ⅲ-1、叔丁醇钠、Pd2(dba)3、三叔丁基膦,用甲苯搅拌混合,加热至110~120℃,回流反应12~24小时,取样点板,显示无原料Ⅱ-1剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液进行减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体S1;上述反应中,原料Ⅱ-1与原料Ⅲ-1摩尔比为1:1~2;原料Ⅱ-1与叔丁醇钠的摩尔比为1:1~3;原料Ⅱ-1与Pd2(dba)3和三叔丁基膦的摩尔比均为1:0.01~0.05;
在氮气保护下,依次称取中间体S1、原料Ⅰ-1、叔丁醇钠、Pd2(dba)3、三叔丁基膦,用甲苯搅拌混合,加热至110~120℃,回流反应12~24小时,取样点板,显示无中间体S1剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液进行减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体S2;上述反应中,原料Ⅰ-1与中间体S1摩尔比为1:1~2;原料Ⅰ-1与叔丁醇钠的摩尔比为1:1~3;原料Ⅰ-1与Pd2(dba)3和三叔丁基膦的摩尔比均为1:0.01~0.05;
在氮气保护下,依次称取中间体S2、中间体S3、叔丁醇钠、Pd2(dba)3、三叔丁基膦,用甲苯搅拌混合,加热至110~120℃,回流反应12~24小时,取样点板,显示无中间体S2剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液进行减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体Ⅰ-3;上述反应中,中间体S2与中间体S3摩尔比为1:1~2;中间体S2与叔丁醇钠的摩尔比为1:1~3;中间体S2与Pd2(dba)3和三叔丁基膦的摩尔比均为1:0.01~0.05。
X12、X13、X14、X15分别为N或C
R
14、R
15分别为
中的一种R18为甲基、苯基、环己基或叔丁基中的一种。
在氮气保护下,依次称取原料I-2、中间体S1、叔丁醇钠、Pd2(dba)3、三叔丁基膦,用甲苯搅拌混合,加热至110~120℃,回流反应12~24小时,取样点板,显示无原料I-2剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液进行减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体Ⅰ-2;上述反应中,原料I-2与中间体S1摩尔比为1:1~3,原料I-2与叔丁醇钠摩尔比为1:1.5~3,原料I-2与Pd2(pda)3摩尔比为1:0.01~0.05,原料I-2与三叔丁基膦的摩尔比为1:0.01~0.05。
分别以中间体C3和中间体C10的合成为例:
以中间体C3为例:
1)250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.03mol 2,3,5-三甲基苯胺、0.04mol化合物1-溴-2,3,5-三甲基苯、0.04mol叔丁醇钠、0.0015mol Pd2(dba)3、0.0015mol三叔丁基膦、150ml甲苯,搅拌混合,加热至120℃,回流反应12小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体E1,HPLC纯度90.49%,收率62.30%。
2)250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 3,6-二溴-9H-咔唑、0.024mol中间体E1、0.04mol叔丁醇钠、0.001mol Pd2(dba)3、0.001mol三叔丁基膦、150ml甲苯,搅拌混合,加热至120℃,回流反应16小时,取样点板,显示无3,6-二溴-9H-咔唑剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液进行减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到目标产物,HPLC纯度98.60%,收率49.10%。
元素分析结构(分子式C48H51N3):理论值C,86.05;H,7.67;N,6.27;测试值:C,86.09;H,7.61;N,6.30。
HPLC-MS(m/z):理论值为669.41,实测值669.46。
以中间体C10为例:
1)250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.02mol 8-溴-5H-吡啶并[4,3-b]吲哚、0.024mol(3,5-二甲基苯基)胺、0.04mol叔丁醇钠、0.001mol Pd2(dba)3、0.001mol三叔丁基膦、150ml甲苯,搅拌混合,加热至120℃,回流反应16小时,取样点板,显示无8-溴-5H-吡啶并[4,3-b]吲哚剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液进行减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体C10,HPLC纯度98.60%,收率49.10%。
元素分析结构(分子式C27H25N3):理论值C,82.83;H,6.44;N,10.73;测试值:C,82.81;H,6.41;N,10.76。
HPLC-MS(m/z):理论值为391.20,实测值391.21。
由原料I、原料Ⅱ-1、原料Ⅲ-1和中间体S1合成中间体I,具体结构如表1所示;
表1
称取原料I-4和原料Ⅱ-4,用甲苯溶解,在惰性气氛下,加入碳酸钾、四三苯基磷钯、乙醇和水溶液,搅拌升温至110~120℃,反应10~24小时;反应结束后,冷却至室温,过滤,滤液分层,有机相旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到目标产物中间体S3;上述反应中,原料I-4与原料Ⅱ-4的摩尔比为1:1~2;原料I-4与碳酸钾的摩尔比为1:1~3;原料I-4与四三苯基磷钯的摩尔比为1:0.01~0.05;
称取上一步制备的中间体S3和原料Ⅲ-4,用甲苯溶解,在惰性气氛下,加入碳酸钾、四三苯基磷钯、乙醇和水溶液,搅拌升温至110~120℃,反应10~24小时;反应结束后,冷却至室温,过滤,滤液分层,有机相旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到目标产物中间体S4;上述反应中,中间体S3与原料Ⅲ-4的摩尔比为1:1~2;中间体S3与碳酸钾的摩尔比为1:1~3;中间体S3与四三苯基磷钯的摩尔比为1:0.01~0.05;
在通氮气保护下,称取中间体S4、联硼酸频那醇酯、乙酸钾、Pd(dppf)Cl2、1,4-二氧六环混合搅拌,加热至80~100℃,反应10~24小时,取样点板,显示无中间体S4剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液进行减压旋蒸至无馏分,然后过中性硅胶柱,得中间体S5;上述反应中,中间体S4与联硼酸频那醇酯摩尔比为1:1~3;中间体S4与乙酸钾的摩尔比为1:1~3;中间体S4与Pd(dppf)Cl2的摩尔比为1:0.01~0.05;
称取上一步制备的中间体S5和原料Ⅳ-4,用甲苯溶解,在惰性气氛下,加入碳酸钾、四三苯基磷钯、乙醇和水溶液,搅拌升温至110~120℃,反应10~24小时;反应结束后,冷却至室温,过滤,滤液分层,有机相旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到目标产物中间体Ⅱ-4;上述反应中,中间体S5与原料Ⅳ-4的摩尔比为1:1~2;中间体S5与碳酸钾的摩尔比为1:1~3;中间体S5与四三苯基磷钯的摩尔比为1:0.01~0.05。
以中间体B1为例:
1)在250ml的三口瓶中,依次加入0.05mol 2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪、0.12mol(4-(叔丁基)苯基)硼酸、100ml甲苯搅拌溶解,通氮气保护下,加入0.005mol Pd(PPh3)4、0.15mol碳酸钾、50ml水和乙醇体积比为1:1的混合溶液,搅拌升温至120℃,回流反应12小时,取样点板,显示无2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液分层,取有机相进行减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体S3-1,HPLC纯度99.3%,收率61.2%;
2)在250ml的三口瓶中,通氮气保护下,加入0.04mol中间体S3-1、0.05mol联硼酸频那醇酯、0.06mol乙酸钾、0.002mol Pd(dppf)Cl2、100ml1,4-二氧六环,搅拌混合,加热至80℃,反应12小时,取样点板,显示无中间体S3-1剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液减压蒸馏至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体S4-1,HPLC纯度99.2%,收率65.9%;
3)在250ml的三口瓶中,通氮气保护下,加入0.05mol中间体S4-1,0.06mol对二溴苯、150ml甲苯搅拌混合,加入0.0025mol Pd(PPh3)4,0.06mol碳酸钾、50ml水和乙醇体积比为1:1的混合溶液,搅拌升温至120℃,回流反应24小时,取样点板,显示无中间体S4-1剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液分层,取有机相进行减压旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体B1,HPLC纯度99.3%,收率59.2%;
元素分析结构(分子式C29H30BrN3):理论值C,69.60;H,6.04;N,8.40;测试值:C,69.62;H,6.08;N,8.34。
HPLC-MS(m/z):理论值为499.16,实测值499.18。
由原料Ⅰ,原料Ⅱ、原料Ⅲ和原料Ⅳ合成中间体Ⅱ,具体结构如表2所示;
表2
实施例1化合物1的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二-(4-叔丁基苯基)-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四对苯甲基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度99.60%,收率67.39%。
HPLC-MS(m/z):理论值为976.52,实测值976.59。
实施例2化合物5的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(3-溴苯基)-4,6-二(4-叔丁基苯基)-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四对苯甲基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度98.78%,收率53.00%。
HPLC-MS(m/z):理论值为976.52,实测值976.68
实施例3化合物8的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol2-(4-溴苯基)-4-二苯并呋喃-2-基-6-苯基-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四对苯甲基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度98.15%,收率46.80%。
HPLC-MS(m/z):理论值为954.40,实测值954.48。
实施例4化合物10的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四对苯甲基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度99.88%,收率66.80%。
HPLC-MS(m/z):理论值为1096.52,实测值1096.71。
实施例5化合物18的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二(4-叔丁基苯基)-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四-(4-叔丁基苯基)-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度96.81%,收率33.40%。
HPLC-MS(m/z):理论值为1144.71,实测值1144.82。
实施例6化合物19的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二苯基-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四-(2,3,5-三甲基苯基)-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度98.99%,收率82.20%。
HPLC-MS(m/z):理论值为976.52,实测值976.59
实施例7化合物27的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二(4-叔丁基苯基)-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四-(3,4,5-三甲基苯基)-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度98.53%,收率44.59%。
HPLC-MS(m/z):理论值为1088.64,实测值1088.69
实施例8化合物37的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二苯基-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四-(3,5-二甲基苯基)-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度97.10%,收率58.50%。
HPLC-MS(m/z):理论值为920.46,实测值920.62
实施例9化合物50的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-6-苯基-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N3,N3-二(4-甲基萘-1-基)-N6,N6-二对甲苯基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度99.20%,收率65.60%。
HPLC-MS(m/z):理论值为1080.49,实测值1080.56
实施例10化合物67的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二对甲苯基-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N-联苯-2-基-N,N',N'-三对甲苯基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度96.783%,收率45.60%。
HPLC-MS(m/z):理论值为954.44,实测值954.58。
实施例11化合物85的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二(4-叔丁基苯基)-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N3,N3-二(4-环己基苯基)-N6,N6-二对甲苯基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度99.30%,收率39.20%。
HPLC-MS(m/z):理论值为1112.64,实测值1112.76。
实施例12化合物89的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二(4-甲苯基)-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N'-二-(4-环己基苯基)-N,N'-二(3,4,5-三甲苯基)-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度97.80%,收率58.90%。
HPLC-MS(m/z):理论值为1084.61,实测值1084.69。
实施例13化合物94的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4-(4-环己基苯基)-6-对甲苯基-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四对苯甲基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度99.91%,收率53.50%。
HPLC-MS(m/z):理论值为960.49,实测值960.55。
实施例14化合物100的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4,6-二-(4-环己基苯基-[1,3,5]-三嗪,0.015mol N,N,N',N'-四对苯甲基-9H-咔唑-3,6-二胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度99.86%,收率48.80%。
HPLC-MS(m/z):理论值为1100.64,实测值1100.73
实施例15化合物119的合成
现提供该化合物的具体合成路线:
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.01mol 2-(4-溴苯基)-4-(4-叔丁基苯基)-6-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-[1,3,5]-三嗪,0.015mol二(3,5-二甲基苯基)-(5H-吡咯[4,3-b]吲哚-8-基)胺,0.03mol叔丁醇钠,1×10-4mol Pd2(dba)3,1×10-4mol三叔丁基膦,150ml甲苯,加热回流24小时,取样点板,反应完全,自然冷却,过滤,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物,纯度99.20%,收率32.80%。
HPLC-MS(m/z):理论值为870.44,实测值870.48。
本发明化合物可以作为发光层掺杂或辅助主体材料使用,对本发明化合物1、化合物8、化合物37、化合物67、化合物100和现有材料CBP分别进行△Est和Φf的测定,检测结果如表3所示。
表3
化合物 |
△Est(eV) |
Φf |
化合物1 |
0.107 |
72.4 |
化合物8 |
0.115 |
48.9 |
化合物37 |
0.162 |
56.5 |
化合物67 |
0.104 |
62.0 |
化合物100 |
0.143 |
67.5 |
材料CBP |
0.81 |
26.1 |
注:Φf是固体粉末荧光量子效率(利用美国海洋光学的Maya2000Pro光纤光谱仪,美国蓝菲公司的C-701积分球和海洋光学LLS-LED光源组成的测试固体荧光量子效率测试系统,参照文献Adv.Mater.1997,9,230-232的方法进行测定);△Est是先分别测试化合物的荧光发射光谱和磷光发射光谱,并由荧光发射峰和磷光发射峰计算得到(测试设备:利用Edinburgh Instruments的FLS980荧光光谱仪,Oxford Instruments的Optistat DN-V2低温组件)。
由上表数据可知,本发明化合物具有较低的△Est,容易实现高T1→S1态激子转化率,适合作为发光层的辅助主体材料;本发明化合物同时具有较高的Φf和较高的S1态辐射跃迁速率,使得应用本发明化合物作为掺杂材料的OLED器件效率和寿命得到提升。
以下通过实施例16-23和比较例1-3详细说明本发明合成的化合物在器件中作为发光层掺杂材料的应用效果。实施例17-23与实施例16相比,所述器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是器件中发光层的掺杂材料发生了改变。实施例16-23与比较例1-3相比,比较例1-3所述器件的发光层材料采用的是现有常用原料,而实施例16-23的器件发光层掺杂材料采用的是本发明化合物。各实施例所得器件的结构组成如表3所示。各器件的性能测试结果见表4。
实施例16
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和化合物1按照100:5的重量比混掺,厚度30nm))/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。各化合物的分子结构式如下:
具体制备过程如下:
透明基板层1采用透明材料,如玻璃;对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤,即依次进行碱洗涤、纯水洗涤、干燥后再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。
在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上,利用真空蒸镀装置,蒸镀膜厚为10nm的三氧化钼MoO3作为空穴注入层3使用。紧接着蒸镀80nm厚度的TAPC作为空穴传输层4。
上述空穴传输材料蒸镀结束后,制作OLED发光器件的发光层5,其结构包括OLED发光层5所使用材料CBP作为主体材料,化合物1作为掺杂材料,掺杂材料掺杂比例为5%重量比,发光层膜厚为30nm。
在上述发光层5之后,继续真空蒸镀电子传输层材料为TPBI,该材料的真空蒸镀膜厚为40nm,此层为电子传输层6。
在电子传输层6上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为1nm的氟化锂(LiF)层,此层为电子注入层7。
在电子注入层7上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为80nm的铝(Al)层,此层为阴极反射电极层8使用。
如上所述地完成OLED发光器件后,用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来,测量器件的发光效率,发光光谱以及器件的电流-电压特性。
实施例17
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和化合物8按照100:5的重量比混掺,厚度30nm)/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
实施例18
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和化合物18按照100:5的重量比混掺,厚度30nm)/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
实施例19
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和化合物37按照100:5的重量比混掺,厚度30nm)/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
实施例20
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和化合物85按照100:5的重量比混掺,厚度30nm)/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
实施例21
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和化合物94按照100:5的重量比混掺,厚度30nm)/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
实施例22
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和化合物100按照100:5的重量比混掺,厚度30nm)/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
实施例23
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和化合物119按照100:5的重量比混掺,厚度30nm)/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
比较例1
ITO阳极层2/空穴注入层3(三氧化钼MoO3,厚度10nm)/空穴传输层4(TAPC,厚度80nm)/发光层5(CBP和Refer按照100:5的重量比混掺,厚度30nm)/电子传输层6(TPBI,厚度40nm)/电子注入层7(LiF,厚度1nm)/阴极电极层8(Al)。
表4.实施例16-23及对比例1所得器件的结构组成
表5.实施例16-23及对比例1所制作的OLED发光器件的测试结果。
器件代号 |
电流效率 |
色彩 |
LT95寿命 |
实施例16 |
3.60 |
绿光 |
2.1 |
实施例17 |
2.30 |
绿光 |
3.0 |
实施例18 |
3.10 |
绿光 |
2.6 |
实施例19 |
3.70 |
绿光 |
2.3 |
实施例20 |
2.60 |
绿光 |
1.9 |
实施例21 |
1.40 |
绿光 |
3.2 |
实施例22 |
2.90 |
绿光 |
2.7 |
实施例23 |
2.08 |
天蓝光 |
3.3 |
比较例1 |
1 |
绿光 |
1 |
注:器件测试性能以比较例1作为参照,比较例1器件各项性能指标设为1.0。比较例1的电流效率为6.5cd/A(@10mA/cm2);启动电压为4.3V(@1cd/m2),5000nit亮度下LT95寿命衰减为3.8Hr。寿命测试系统为本发明的所有权人和上海大学共同开发的OLED器件寿命测试仪。
从表4的结果可以看出本发明所述化合物作为发光层掺杂材料可应用与OLED发光器件制作,并且与比较例1相比,无论是效率还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观,特别是器件的驱动寿命获得较大的提升。
以下通过实施例24-30和比较例2说明本发明合成的化合物在器件中作为发光层辅助主体材料的应用效果。本发明所述24-30、比较例2与实施例16相比所述器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是对器件中的空穴传输层厚度和发光层的组成做了变换。所得各器件的结构组成如表6所示。各器件的性能测试结果如表7所示。
表6.实施例24-30及比较例2各器件的结构组成
表7.实施例24-30及比较例2所制作的OLED发光器件的测试结果
从表6的结果可以看出本发明所述化合物作为发光层辅助主体材料可应用与OLED发光器件制作,并且与比较例2相比,无论是效率还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观,特别是器件的驱动寿命获得较大的提升。
为了比较不同器件在高电流密度下效率衰减的情况,定义效率衰减系数φ进行表示,它表示驱动电流为100mA/cm2时器件的最大效率μ100与器件的最大效率μm之差与最大效率之间的比值,φ值越大,说明器件的效率滚降越严重,反之,说明器件在高电流密度下快速衰降的问题得到了控制。
本发明化合物可以作为发光层材料使用,对本发明化合物和比较例1至2制备器件分别进行效率衰减系数φ的测定,检测结果如表7所示。
表8本发明实施例化合物和比较例1至2制备器件分别进行效率衰减系数φ的测定结果
器件代号 |
效率衰减系数φ |
器件实施例16 |
0.29 |
器件实施例20 |
0.25 |
器件实施例24 |
0.28 |
器件实施例28 |
0.27 |
比较例1 |
0.33 |
|
|
比较例2 |
0.30 |
从以上数据应用来看,本发明化合物作为发光层材料在OLED发光器件中具有良好的应用效果,具有良好的产业化前景。
虽然已通过实施例和优选实施方式公开了本发明,但应理解,本发明不限于所公开的实施方式。相反,本领域技术人员应明白,其意在涵盖各种变型和类似的安排。因此,所附权利要求的范围应与最宽的解释相一致以涵盖所有这样的变型和类似的安排。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。