CN107602397B - 一种以二苯并环庚烯为核心的化合物及其应用 - Google Patents

一种以二苯并环庚烯为核心的化合物及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种以二苯并环庚烯为核心的化合物及其在有机电致发光器件上的应用。所述以二苯并环庚烯为核心的化合物的庚环中央位置通过苯基、联苯基或萘基连接含氮的支链。本发明化合物不易结晶,具有良好的成膜性和热稳定性,合适的HOMO和LUMO能级,通过器件结构优化,可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。

Description

一种以二苯并环庚烯为核心的化合物及其应用
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其是涉及一种含二苯并环庚烯为中心骨架的化合物材料及其在OLED领域的应用。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品,也可以用于制作新型照明产品,有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明,应用前景十分广泛。OLED发光器件犹如三明治的结构,包括电极材料膜层,以及夹在不同电极膜层之间的有机功能材料,各种不同功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件,当对OLED发光器件的两端电极施加电压,并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷,正负电荷进一步在发光层中复合,即产生OLED电致发光。
当前,OLED显示技术已经在智能手机,平板电脑等领域获得应用,进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展,但是,和实际的产品应用要求相比,OLED器件的发光效率,使用寿命等性能还需要进一步提升。对于OLED发光器件提高性能的研究包括:降低器件的驱动电压,提高器件的发光效率,提高器件的使用寿命等。为了实现OLED器件的性能的不断提升,不但需要从OLED器件结构和制作工艺的创新,更需要OLED光电功能材料不断研究和创新,创制出更高性能OLED的功能材料。
应用于OLED器件的OLED光电功能材料从用途上可划分为两大类,即电荷注入传输材料和发光材料,进一步,还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料,还可以将发光材料分为主体发光材料和掺杂材料。
为了制作高性能的OLED发光器件,要求各种有机功能材料具备良好的光电特性,譬如,作为电荷传输材料,要求具有良好的载流子迁移率,高玻璃化转化温度等,作为发光层的主体材料要求材料具有良好双极性,适当的HOMO/LUMO能阶等。
构成OLED器件的OLED光电功能材料膜层至少包括两层以上结构,产业上应用的OLED器件结构,则包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等多种膜层,也就是说应用于OLED器件的光电功能材料至少包含空穴注入材料,空穴传输材料,发光材料,电子传输材料等,材料类型和搭配形式具有丰富性和多样性的特点。另外,对于不同结构的OLED器件搭配而言,所使用的光电功能材料具有较强的选择性,相同的材料在不同结构器件中的性能表现,也可能完全迥异。
因此,针对当前OLED器件的产业应用要求,以及OLED器件的不同功能膜层,器件的光电特性需求,必须选择更适合,具有高性能的OLED功能材料或材料组合,才能实现器件的高效率、长寿命和低电压的综合特性。就当前OLED显示照明产业的实际需求而言,目前OLED材料的发展还远远不够,落后于面板制造企业的要求,作为材料企业开发更高性能的有机功能材料显得尤为重要。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本发明提供了一种以二苯并环庚烯为核心的化合物及其在有机电致发光器件上应用。本发明化合物不易结晶,具有良好的成膜性和热稳定性,合适的HOMO和LUMO能级,通过器件结构优化,可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。本发明的技术方案如下:
一种以二苯并环庚烯为核心的化合物,该化合物的结构如通式(1)所示:
Figure BDA0001424431990000021
其中,Ar1、Ar2分别独立的表示为取代或未取代的C6-60亚芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5~60元杂亚芳基;所述杂原子为氮、氧或硫;
R1、R2分别独立的表示为通式(2)所示结构;R1、R2相同或者不同;R1还可以表示为氢原子;
Figure BDA0001424431990000022
通式(2)中,R3、R4分别独立地表示为取代或未取代的C6-60芳基、含有一个或多个杂原子的取代或未取代的5-60元杂芳基;所述杂原子为氮、氧或硫。
2、根据权利要求1所述的化合物,其特征在于,Ar1、Ar2分别独立的表示为亚苯基、亚联苯基或亚萘基;
R3、R4分别独立地表示为C1-10直链或支链烷基、C6-30芳基取代或未取代的:苯基、吡啶基、二联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、三嗪基、嘧啶基、喹啉基、咔唑基、二苯并呋喃基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、9,9-螺二芴基、9,9-二乙基芴基、苯并咔唑基、二苯并噻吩基、吖啶基、吲哚并咔唑基、吩噁嗪基或噻噁嗪基中的一种;R3与R4相同或者不同。
优选的,所述通式(2)具体表示为:
Figure BDA0001424431990000031
Figure BDA0001424431990000041
Figure BDA0001424431990000051
Figure BDA0001424431990000052
中的任意一种。
优选的,所述化合物具体结构为:
Figure BDA0001424431990000061
Figure BDA0001424431990000071
Figure BDA0001424431990000081
Figure BDA0001424431990000091
Figure BDA0001424431990000101
Figure BDA0001424431990000111
Figure BDA0001424431990000121
Figure BDA0001424431990000131
Figure BDA0001424431990000132
中的任意一种。
本申请人还提供了一种所述的化合物的制备方法,制备过程中发生的反应方程式是:
当R1表示为氢原子时,
Figure BDA0001424431990000133
具体制备方法为:称取原料I和H-R2,用甲苯溶解;再加入Pd2(dba)3、P(t-Bu)3、叔丁醇钠;在惰性气氛下,将上述反应物的混合溶液于95~110℃下反应10~24小时,冷却并过滤反应溶液,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到上述目标产物;所述原料I与H-R2的摩尔比为1:1.2~3.0,Pd2(dba)3与原料I的摩尔比为0.006~0.02:1,三叔丁基膦与原料I的摩尔比为0.006~0.02:1,叔丁醇钠与原料I的摩尔比为1.0~3.0:1;
当R1表示为通式(2)的结构时,
Figure BDA0001424431990000141
具体制备方法为:称取原料II和H-R1和H-R2,用甲苯溶解;再加入Pd2(dba)3、P(t-Bu)3、叔丁醇钠;在惰性气氛下,将上述反应物的混合溶液于95~110℃下反应10~24小时,冷却并过滤反应溶液,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到上述目标产物;所述原料II与H-R1和H-R2的摩尔比为1:1.0~1.5:1.0~1.5,Pd2(dba)3与原料II的摩尔比为0.006~0.02:1,三叔丁基膦与原料II的摩尔比为0.006~0.02:1,叔丁醇钠与原料II的摩尔比为1.0~3.0:1。
所述H-R1、H-R2的合成步骤如反应式2-1所示:
Figure BDA0001424431990000142
具体制备方法为:称取原料O和原料P用甲苯溶解,再加入Pd2(dba)3、P(Ph)3和叔丁醇钠;在惰性气氛下,将上述反应物的混合溶液于反应温度90~110℃下反应10~24小时,冷却、过滤反应溶液,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物;所述原料O与原料P的摩尔比为1:1.0~1.5;Pd2(dba)3与原料O的摩尔比为0.006~0.02:1,叔丁醇钠与原料P的摩尔比为2.0~3.0:1;P(Ph)3与原料O的摩尔比为2.0~3.0:1。
本申请人还提供了一种所述的以二苯并环庚烯为核心的化合物用于制备有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括至少一层功能层含有所述的以二苯并环庚烯为核心的化合物。
本申请人还提供了一种有机电致发光器件,包括空穴传输层或电子阻挡层,所述空穴传输层或电子阻挡层材料为所述的以二苯并环庚烯为核心的化合物。本申请人还提供了一种有机电致发光器件,包括发光层,所述发光层含有所述的以二苯并环庚烯为核心的化合物。
本发明有益的技术效果在于:
本发明化合物中的p-π共轭效应使得其有很强的空穴传输能力,高的空穴传输速率能够提高有机电致发光器件的效率;不对称的三芳胺类化合物能够降低分子的结晶性,较易生成永不结晶的分子玻璃,降低分子的平面性,阻止分子在平面上移动从而提高了分子的热稳定性;本发明的化合物的以二苯并环庚烯为母核,通过苯基、联苯基或萘基连接含氮的支链,该结构具有较高的介电常数,从而使化合物具有较高的折射率。
本发明的有机化合物的结构使得电子和空穴在发光层的分布更加平衡,在恰当的HOMO能级下,提升了空穴注入和传输性能;在合适的LUMO能级下,又起到了电子阻挡的作用,提升激子在发光层中的复合效率;作为OLED发光器件的发光功能层材料使用时,二苯并环庚烯搭配本发明范围内的支链可有效提高激子利用率和高荧光辐射效率,降低高电流密度下的效率滚降,降低器件电压,提高器件的电流效率和寿命。
本发明的有机化合物在OLED器件应用时,通过器件结构优化,可保持高的膜层稳定性,可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。本发明所述化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图;其中,1、透明基板层,2、ITO阳极层,3、空穴注入层,4、空穴传输层 5、电子阻挡层,6、发光层,7、空穴阻挡/电子传输层,8、电子注入层,9、阴极反射电极层。
图2为器件在不同温度下测量的效率曲线图。
具体实施方式
实施例1:中间体B(即H-R1、H-R2)的合成:
Figure BDA0001424431990000151
称取原料O和原料P用甲苯溶解,再加入Pd2(dba)3、P(Ph)3和叔丁醇钠;在惰性气氛下,将上述反应物的混合溶液于反应温度90~110℃下反应10~24小时,冷却、过滤反应溶液,滤液旋蒸,过硅胶柱,得到目标产物;所述原料O与原料P的摩尔比为1:1.0~1.5;Pd2(dba)3与原料O的摩尔比为0.006~0.02:1,叔丁醇钠与原料P的摩尔比为2.0~3.0:1;P(Ph)3与原料O的摩尔比为2.0~3.0:1;
以中间体B1的合成为例:
Figure BDA0001424431990000152
在250ml的三口瓶中,通氮气保护下,加入0.01mol苯胺,0.012mol溴苯,150ml甲苯搅拌混合,然后加入5×10-5mol Pd2(dba)3,5×10-5mol P(ph)3,0.03mol叔丁醇钠,加热至105℃,回流反应24小时,取样点板,显示无溴代物剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到中间体B1,HPLC纯度99.2%,收率77.3%。元素分析结构(分子式C12H11N):理论值C,85.17;H,6.55;N,8.28;测试值C,85.16;H,6.55;N,8.29。HPLC-MS:材料分子量为169.23,实测分子量169.17。
实施例中所需的中间体B合成原料如表1所示。
表1
Figure BDA0001424431990000161
Figure BDA0001424431990000171
实施例2:中间体AI和中间体AII的合成:
Figure BDA0001424431990000181
250ml的四口瓶,在通入氮气的气氛下,加入0.05mol Br-Ar1-Br和1.2g Mg粉(0.05mol),60ml四氢呋喃,加热回流4小时,反应完全,生成格式试剂;10.3g二苯并环庚烯-5-酮(0.05mol)溶于50mL四氢呋喃中,滴加上述格式试剂,60℃反应24小时,生成大量白色格式盐沉淀,加入饱和NHCl4溶液直至沉淀消失,格式盐转化为叔醇;反应完毕后,用100ml乙醚萃取,萃取液用无水硫酸钠干燥,溶液旋蒸脱溶剂至无馏分,得叔醇粗产物,叔醇粗产物以石油醚与二氯甲烷的混合溶剂(体积比3:2)为洗脱剂过中性硅胶柱纯化,得到略带黄色的固体叔醇;
按1:2摩尔比取上述叔醇(0.04mol)和H-Ar2(0.08mol)溶于100ml二氯甲烷中,在室温条件下滴加8ml三氟化硼·乙醚络合物,反应30分钟,加入20ml乙醇和20ml水淬灭反应,用二氯甲烷(20ml*3)萃取,萃取液用无水硫酸钠干燥,溶液旋蒸脱溶剂至无馏分,用石油醚过中性硅胶柱纯化,用乙醇和二氯甲烷重结晶,得上述中间体AI。
按1:2摩尔比取上述叔醇(0.04mol)和H-Ar2-Br(0.08mol)溶于100ml二氯甲烷中,在室温条件下滴加8ml三氟化硼·乙醚络合物,反应30分钟,加入20ml乙醇和20ml水淬灭反应,用二氯甲烷(20ml*3)萃取,萃取液用无水硫酸钠干燥,溶液旋蒸脱溶剂至无馏分,用石油醚过中性硅胶柱纯化,用乙醇和二氯甲烷重结晶,得上述中间体AII。
实施例中所需的中间体AI和中间体AII合成的部分原料如表2所示。
表2
Figure BDA0001424431990000191
实施例3:化合物2的合成:
Figure BDA0001424431990000201
在250ml的三口瓶中,通氮气保护下,加入0.01mol中间体A2,0.012mol中间体B1,150ml甲苯搅拌混合,然后加入5×10-5molPd2(dba)3,5×10-5mol P(t-Bu)3,0.03mol叔丁醇钠,加热至105℃,回流反应24小时,取样点板,显示无溴代物剩余,反应完全;自然冷却至室温,过滤,滤液旋蒸至无馏分,过中性硅胶柱,得到目标产物,HPLC纯度98.8%,收率76.5%。元素分析结构(分子式C45H33N):理论值C,91.96;H,5.66;N,2.38;测试值C,91.98;H,5.65;N,2.37。HPLC-MS:材料分子量为587.77,实测分子量587.49。
实施例4:化合物7的合成:
Figure BDA0001424431990000202
按实施例3中化合物2的合成方法制备,不同点在于用中间体A3代替中间体A2,中间体B2代替中间体B1;元素分析结构(分子式C45H33N):理论值C,91.96;H,5.66;N,2.38;测试值:C,91.92;H,5.65;N,4.43。HPLC-MS:材料分子量为587.77,实测分子量587.30。
实施例5:化合物12的合成:
Figure BDA0001424431990000203
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B3代替中间体B2;元素分析结构(分子式C48H37N):理论值C,91.83;H,5.94;N,2.23;测试值:C,91.85;H,5.92;N,2.23。HPLC-MS:材料分子量为627.83,实测分子量627.70。
实施例6:化合物21的合成:
Figure BDA0001424431990000211
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B4代替中间体B2;元素分析结构(分子式C57H45N):理论值C,92.02;H,6.10;N,1.88测试值:C,92.03;H,6.12;N,1.85。HPLC-MS:材料分子量为743.99,实测分子量743.84。
实施例7:化合物27的合成:
Figure BDA0001424431990000212
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B5代替中间体B2;元素分析结构(分子式C54H41N):理论值C,92.14;H,5.87;N,1.99;测试值:C,92.13;H,5.86;N,2.01。HPLC-MS:材料分子量为703.93,实测分子量703.81。
实施例8:化合物36的合成:
Figure BDA0001424431990000213
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B6代替中间体B2;元素分析结构(分子式C58H39N):理论值C,92.89;H,5.24;N,1.87;测试值:C,92.83;H,5.26;N,1.91。HPLC-MS:材料分子量为749.96,实测分子量749.75。
实施例9:化合物42的合成:
Figure BDA0001424431990000221
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B7代替中间体B2;元素分析结构(分子式C53H40N2):理论值C,90.31;H,5.72;N,3.97;测试值:C,90.33;H,5.74;N,3.93。HPLC-MS:材料分子量为704.92,实测分子量704.79。
实施例10:化合物45的合成:
Figure BDA0001424431990000222
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B8代替中间体B2;元素分析结构(分子式C57H41N3):理论值C,89.15;H,5.38;N,5.47;测试值:C,89.13;H,5.34;N,5.53。HPLC-MS:材料分子量为767.98,实测分子量767.78。
实施例11:化合物57的合成:
Figure BDA0001424431990000223
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B9代替中间体B2;元素分析结构(分子式C51H33NO2):理论值C,88.54;H,4.81;N,2.02;O,4.63;测试值:C,88.53;H,4.84;N,2.03;O,4.60。HPLC-MS:材料分子量为691.83,实测分子量691.21。
实施例12:化合物62的合成:
Figure BDA0001424431990000224
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B10代替中间体B2;元素分析结构(分子式C64H45N):理论值C,92.83;H,5.48;N,1.69;测试值:C,92.83;H,5.46;N,1.71。HPLC-MS:材料分子量为828.07,实测分子量827.2。
实施例13:化合物70的合成:
Figure BDA0001424431990000231
按实施例4中化合物7的合成方法制备,不同点在于用中间体B11代替中间体B2;元素分析结构(分子式C60H45N):理论值C,92.39;H,5.82;N,1.80;测试值:C,92.36;H,5.83;N,1.81。HPLC-MS:材料分子量为780.03,实测分子量779.91。
实施例14:化合物88的合成:
Figure BDA0001424431990000232
按实施例3中化合物2的合成方法制备,不同点在于用中间体A4代替中间体A2;元素分析结构(分子式C45H33N):理论值C,91.96;H,5.66;N,2.38;测试值:C,91.95;H,5.68;N,2.34。HPLC-MS:材料分子量为587.77,实测分子量587.52。
实施例15:化合物107的合成:
Figure BDA0001424431990000233
按实施例6中化合物21的合成方法制备,不同点在于用中间体A1代替中间体A3;元素分析结构(分子式C57H45N):理论值C,92.02;H,6.10;N,1.88;测试值:C,92.03;H,6.11;N,1.86。HPLC-MS:材料分子量为743.99,实测分子量743.82。
实施例16:化合物119的合成:
Figure BDA0001424431990000241
按实施例15中化合物107的合成方法制备,不同点在于用中间体B12代替中间体B4;元素分析结构(分子式C54H39NO):理论值C,90.34;H,5.48;N,1.95;O,2.23;测试值:C,90.36;H,5.45;N,1.96;O,2.23。HPLC-MS:材料分子量为717.91,实测分子量717.85。
实施例17:化合物122的合成:
Figure BDA0001424431990000242
按实施例15中化合物107的合成方法制备,不同点在于用中间体B13代替中间体B4;元素分析结构(分子式C64H43N):理论值C,93.06;H,5.25;N,1.70;测试值:C,93.08;H,5.24;N,1.73。HPLC-MS:材料分子量为826.05,实测分子量825.96。
实施例18:化合物161的合成:
Figure BDA0001424431990000243
按实施例15中化合物107的合成方法制备,不同点在于用中间体A5代替中间体A1;中间体B14代替中间体B4;元素分析结构(分子式C60H43NO):理论值C,90.76;H,5.46;N,1.76;O,2.01;测试值:C,90.78;H,5.45;N,1.75。HPLC-MS:材料分子量为794.01,实测分子量793.94。
实施例19:化合物174的合成:
Figure BDA0001424431990000251
按实施例15中化合物107的合成方法制备,不同点在于用中间体A6代替中间体A1;中间体B15代替中间体B4;元素分析结构(分子式C60H43NO):理论值C,90.76;H,5.46;N,1.76;O,2.01;测试值:C,90.78;H,5.45;N,2.02。HPLC-MS:材料分子量为794.01,实测分子量793.54。
实施例20:化合物180的合成:
Figure BDA0001424431990000252
按实施例15中化合物107的合成方法制备,不同点在于用中间体A7代替中间体A1;中间体B16代替中间体B4;元素分析结构(分子式C57H40N2O):理论值C,89.03;H,5.24;N,3.64;O,2.08;测试值:C,89.02;H,5.25;N,3.65;O,2.09。HPLC-MS:材料分子量为768.96,实测分子量768.49。
本发明化合物在发光器件中使用,可以作为电子阻挡层材料,也可以作为发光层主客体材料使用。对本发明上述实施例制备的化合物分别进行热性能、T1能级、HOMO能级、荧光量子效率(PLQY)及折射率的测试,检测结果如表3所示。
表3
Figure BDA0001424431990000253
Figure BDA0001424431990000261
注:上表中的“/”表示为未进行该项测试(发光层材料的荧光量子效率的高低对OLED器件的性能有较大的影响);玻璃化温度Tg由示差扫描量热法(DSC,德国耐驰公司DSC204F1示差扫描量热仪)测定,升温速率10℃/min;热失重温度Td是在氮气气氛中失重1%的温度,在日本岛津公司的TGA-50H热重分析仪上进行测定,氮气流量为20mL/min;三线态能级T1是由日立的F4600荧光光谱仪测试,材料的测试条件为2*10-5的甲苯溶液;荧光量子效率采用日本HAMAMATSU公司的Quantaurus-QY(C13534-11)进行鉴定;最高占据分子轨道HOMO能级是由电离能量测试系统(IPS3)测试,测试环境为大气环境;折射率是由椭偏仪(美国J.A.Woollam Co.型号:ALPHA-SE)在大气环境下测量。
由上表数据可知,本发明化合物具有合适的HOMO能级,本发明的以二苯并环庚烯为核心的化合物具有较高的热稳定性,使得所制作的含有本发明化合物的OLED器件寿命提升;本发明化合物具有较高的荧光量子效率和折射率,使得所制作的含有本发明化合物作为主体材料的OLED器件的效率和寿命有所提高。
以下通过器件实施例1~18和比较例1详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明所述器件实施例2~18、比较例1与器件实施例1相比所述器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是对器件中的发光层的主体材料或电子阻挡层材料做了更换。各实施例所得器件的性能测试结果如表4所示。
器件实施例1:
如图1所示,一种电致发光器件,其制备步骤包括:a)清洗透明基板层1上的ITO阳极层2,分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟,然后在等离子体清洗器中处理2分钟;b)在ITO阳极层2上,通过真空蒸镀方式蒸镀空穴注入层材料HAT-CN,厚度为10nm,这层作为空穴注入层3;c)在空穴注入层3上,通过真空蒸镀方式蒸镀空穴输层材料NPB,厚度为60nm,该层为空穴传输层4;d)在空穴传输层材料4之上,通过真空蒸镀的方式蒸镀NPB,厚度为20nm,该层为电子阻挡层5;e)在电子阻挡层5之上蒸镀发光层6,使用本发明化合物2作为主体材料,Ir(ppy)3作为掺杂材料,Ir(ppy)3和化合物2的质量比为1:9,厚度为30nm;f)在发光层6之上,通过真空蒸镀方式蒸镀电子传输材料TPBI,厚度为40nm,这层有机材料作为空穴阻挡/电子传输层7使用;g)在空穴阻挡层/电子传输层7之上,真空蒸镀电子注入层LiF,厚度为1nm,该层为电子注入层8;h)在电子注入层8之上,真空蒸镀阴极Al(100nm),该层为阴极反射电极层9;按照上述步骤完成电致发光器件的制作后,测量器件的电流效率和寿命,其结果见表4所示。相关材料的分子结构式如下所示:
Figure BDA0001424431990000271
器件实施例2:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物7,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物7和Ir(ppy)3的质量比为90:10。
器件实施例3:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物12,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物12和Ir(ppy)3的质量比为92:8。
器件实施例4:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物21,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物21和Ir(ppy)3的质量比为88:12。
器件实施例5:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物42,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物42和Ir(ppy)3的质量比为87:13。
器件实施例6:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物45和化合物GHN,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物45、GHN和Ir(ppy)3三者质量比为60:30:10。
器件实施例7:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物57和化合物GHN,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物57、GHN和Ir(ppy)3三者质量比为60:30:10。
器件实施例8:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的电子阻挡层材料为本发明化合物27,电致发光器件的发光层主体材料变为CBP,CBP和Ir(ppy)3的质量比为90:10。
器件实施例9:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的电子阻挡层材料为本发明化合物36,电致发光器件的发光层主体材料变为CBP,CBP和Ir(ppy)3的质量比为88:12。
器件实施例10:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的电子阻挡层材料为本发明化合物62,电致发光器件的发光层主体材料变为CBP,CBP和Ir(ppy)3的质量比为90:10。
器件实施例11:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的电子阻挡层材料为本发明化合物70,电致发光器件的发光层主体材料变为CBP,CBP和Ir(ppy)3的质量比为80:20。
器件实施例12:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的电子阻挡层材料为本发明化合物89,电致发光器件的发光层主体材料变为CBP,CBP和Ir(ppy)3的质量比85:15。
器件实施例13:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的电子阻挡层材料为本发明化合物107,电致发光器件的发光层主体材料变为CBP,CBP和Ir(ppy)3的质量比为87:13。
器件实施例14:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物119和化合物GHN,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物119、GHN和Ir(ppy)3三者质量比为60:30:10。
器件实施例15:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物122和化合物GHN,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物122、GHN和Ir(ppy)3三者质量比为60:30:10。
器件实施例16:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物161和化合物GHN,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物161、GHN和Ir(ppy)3三者质量比为60:30:10。
器件实施例17:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的发光层主体材料变为本发明制备的化合物174和化合物GHN,掺杂材料为Ir(ppy)3,化合物174、GHN和Ir(ppy)3三者质量比为60:30:10。
器件实施例18:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的电子阻挡层材料为本发明化合物180,电致发光器件的发光层主体材料变为CBP,CBP和Ir(ppy)3的质量比为90:10。
器件比较例1:与器件实施例1的不同之处在于:电致发光器件的电子阻挡层材料为NPB,电致发光器件的发光层主体材料为CBP,所得电致发光器件的检测数据见表4所示。
表4
Figure BDA0001424431990000291
注:寿命测试系统为本发明所有权人与上海大学共同研究的OLED器件寿命测试仪。
由表4的结果可以看出,本发明制备的以二苯并环庚烯为核心的化合物可应用于OLED发光器件制作,并且与器件比较例相比,无论是效率还是寿命均比已知OLED材料获得较大改观,特别是器件的寿命衰减获得较大的提升。
进一步的本发明材料制备的OLED器件在低温下工作时效率也比较稳定,将器件实施例2、8、16和器件比较例1在-10~80区间℃进行效率测试,所得结果如表5和图2所示。
表5
Figure BDA0001424431990000301
从表5和图2的数据可知,器件实施例2、8、16为本发明材料和已知材料搭配的器件结构,和器件比较例1相比,不仅低温效率高,而且在温度升高过程中,效率平稳升高。
综上,以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种以二苯并环庚烯为核心的化合物,其特征在于,所述化合物具体结构为:
Figure FDA0002661966640000011
Figure FDA0002661966640000012
中的任意一种。
2.一种如权利要求1所述的以二苯并环庚烯为核心的化合物用于制备有机电致发光器件。
3.一种有机电致发光器件,其特征在于,所述有机电致发光器件包括至少一层功能层含有权利要求1所述的以二苯并环庚烯为核心的化合物。
4.一种有机电致发光器件,包括空穴传输层或电子阻挡层,其特征在于,所述空穴传输层或电子阻挡层材料为权利要求1所述的以二苯并环庚烯为核心的化合物。
5.一种有机电致发光器件,包括发光层,其特征在于,所述发光层含有权利要求1所述的以二苯并环庚烯为核心的化合物。
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