CN107873109A - 氮化物系半导体发光元件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种能够改善氮化物系半导体发光元件的静电放电(ESD)耐压特性的氮化物系半导体发光元件及其制造方法，本发明的发光元件包括在上部面具有V形凹坑结构的第一导电性半导体层上利用低导电性物质平坦地形成的活性层和第二导电性半导体层，或者在上部面具有V形凹坑结构的第一导电性半导体层上利用低导电性物质进行平坦化且在活性层与第二导电性半导体层的邻接面具有V形凹坑结构，因此V形凹坑区域的厚度为临界厚度以上且导电性非常低，从而阻断电流流动，而其余区域的厚度为临界厚度以下，从而使电流向上部流动，因此具有减少泄漏电流并强化其他元件的耐久性的同时减少由穿透位错产生的非发光再结合，使发光强度的降低最小化的效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法，尤其，涉及一种能够改善氮化物系半导体发光元件的静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)耐压特性的氮化物系半导体发光元件及其制造方法。
背景技术
基于Ⅲ族氮化物的发光二极管中，泄漏电流与元件的可靠性、寿命、高功率工作中的特性降低有关，从而对制造要求可靠性的元件来说非常重要。
众所周知，一般Ⅲ族氮化物系发光元件的静电放电特性比其他化合物发光元件差。这是因为基板与Ⅲ族氮化物半导体层之间的晶格失配而使生长在基板上的Ⅲ族氮化物半导体层上产生的结晶缺陷向Ⅲ族氮化物半导体层的生长方向传播并形成穿透位错。
这种结晶缺陷增加元件的泄漏电流，当流入外部静电时，具有很多结晶缺陷的发光元件的活性层被强电场破坏。众所周知，一般氮化镓(GaN)薄膜中存在109～1011/cm2左右的结晶缺陷(穿透位错)。
发光元件的静电放电破坏特性对GaN系发光元件的应用范围来说是非常重要的问题。尤其，以承受由发光元件的包装设备及操作者产生的静电放电的方式设计元件对改善最终的元件的收率来说是非常重要的变量。
尤其，近年来GaN系发光元件处于被应用于户外门牌及汽车照明等环境恶劣的条件的趋势，因此，静电放电特性被视为更重要。
一般来说，现有的GaN发光元件的静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)在人体放电模式(Human Body Mode，HBM)条件下，很难向顺时针方向承受数千伏特，或很难向逆时针方向承受数百伏特。其主要原因为如上所述的元件的结晶缺陷，并且，元件的电极设计也非常重要。尤其，GaN发光元件普遍采用作为非导体的蓝宝石基板，从而，在元件的结构上，n-电极和p-电极形成在同一面，当元件实际工作时，加重电流向n-电极周围聚集的现象并使ESD特性变得更差。
如上所述，进行各种通过引入多种方法来降低穿透位错的缺陷密度来提高发光元件及其他电子元件的特性的研究。
例如，授权专利公报第10-1164026号(公告日：2012年07月18日)、公开专利公报第10-2013-0061981号(公开日：2013年06月12日)及公开专利公报第10-2014-0145368号(公开日：2014年12月23日)中，引入生长技术而使每穿透位错(Threading dislocation)形成六边形(Hexagonal)V形凹坑(V-shaped pit)，并在活性层中也形成V形凹坑，则侧壁(sidewall)上形成的活性层的厚度薄并具有高带隙，从而增加势垒高度(barrierheight)，使非发光再结合(non-radiative recombination)最小化，以增加内部量子效率。但是，在这种结构中，活性层中的V形凹坑区域不属于发光区域，因此，存在整体的发光面积减少且光输出减少的问题。
现有技术文献
[专利文献]
授权专利公报第10-1164026号(公告日：2012年07月18日)
公开专利公报第10-2013-0061981号(公开日：2013年06月12日)
公开专利公报第10-2014-0145368号(公开日：2014年12月23日)
[非专利文献]
“Suppression of Nonradiative Recombination by V-Shaped Pits in GaInN/GaN Quantum Wells Produces a Large Increase in the Light EmissionEfficiency”；A.Hangleiter,F.Hitzel,C.Netzel,D.Fuhrmann,U.Rossow,G.Ade,andP.Hinze；PRL 95,127402(2005).
“Origin of forward leakage current in GaN-based light-emittingdevices”；S.W.Lee,D.C.Oh,H.Goto,H.J.Lee,T.Hanada,M.W.Cho,and T.Yao；APPLIEDPHYSICS LETTERS 89,132117(2006).
“Improvement of Light Extraction Efficiency and Reduction of LeakageCurrent in GaN-Based LED via V-Pit Formation”；Kayo Koike,Seogwoo Lee,SungRyong Cho,Jinsub Park,Hyojong Lee,Jun-Seok Ha,Soon-Ku Hong,Hyun-Yong Lee,Meoung-Whan Cho,and Takafumi Yao；IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,VOL.24,NO.6,MARCH 15,(2012).
发明内容
(一)要解决的技术问题
为了通过改善这种现有技术中的问题来改善逆电压特性，本发明的目的在于提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法，采用V形凹坑结构，能够使整体均匀的发光特性的降低最小化。
(二)技术方案
用于实现所述目的的本发明的发光元件，其特征在于，包括：基板；第一导电性半导体层，形成在所述基板上部；高电阻半导体层，形成在所述第一导电性半导体层上部；活性层，形成在所述高电阻半导体层上部；以及第二导电性半导体层，形成在所述活性层上部，所述高电阻半导体层与所述第一导电性半导体层的邻接面具有V形凹坑(v-pit)结构，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面为平面或平缓的曲面结构。
优选地，其特征在于，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面不包含V形凹坑结构而平坦。
优选地，其特征在于，所述活性层与所述第二导电性半导体层的邻接面为平面结构。
此外，本发明的其他实施例的发光元件，其特征在于，包括：基板；第一导电性半导体层，形成在所述基板上部；高电阻半导体层，形成在所述第一导电性半导体层上部；活性层，形成在所述高电阻半导体层上部；以及第二导电性半导体层，形成在所述活性层上部，所述高电阻半导体层与所述第一导电性半导体层的邻接面以及所述活性层与所述第二导电性半导体层的邻接面分别具有V形凹坑(v-pit)结构，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面不包含V形凹坑结构而平坦，优选地，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面为平面或平缓的曲面结构，或者，所述第二导电性半导体层具有V形凹坑结构。
优选地，其特征在于，所述高电阻半导体层的硅杂质的浓度为1018/cm3以下，所述高电阻半导体层的镁杂质的浓度为1016/cm3以上，所述高电阻半导体层的厚度为10nm～1000nm。
此外，本发明的氮化物系半导体发光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基板上部生长第一导电性半导体层，并在上部表面形成V形凹坑结构；第二步骤，在所述第一导电性半导体层上部，用低导电性物质使V形凹坑结构平坦化，以形成高电阻半导体层；以及第三步骤，在平坦化的高电阻半导体层上部，依次形成活性层和第二导电性半导体层。
此外，本发明的其他实施例的氮化物系半导体发光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基板上部生长第一导电性半导体层，并在上部表面形成V形凹坑结构；第二步骤，在所述第一导电性半导体层上部，用低导电性物质使V形凹坑结构平坦化，以形成高电阻半导体层；第三步骤，在平坦化的高电阻半导体层上部形成活性层，并在上部表面形成V形凹坑结构；以及第四步骤，形成第二导电性半导体层，以使所述活性层上部的V形凹坑结构平坦化。
优选地，其特征在于，在第三步骤中，在平坦化的高电阻半导体层上部形成第一导电性半导体层之后，形成所述活性层和所述第二导电性半导体层。
(三)有益效果
根据本发明的半导体发光元件在上部面具有V形凹坑结构的第一导电性半导体层上，利用低导电性的物质进行平坦化，并形成活性层和第二导电性半导体层，由此制作发光元件，或者在上部面具有V形凹坑结构的第一导电性半导体层上，利用低导电性的物质进行平坦化，且在活性层与第二导电性半导体的邻接面具有V形凹坑结构，因此V形凹坑区域的厚度为临界厚度以上且导电性非常低，从而能够阻断电流的流动，而其余区域的厚度为临界厚度以下，从而能够使电流向上部流动，因此具有减少泄漏电流并强化其他元件的耐久性的同时，减少由穿透位错产生的非非发光再结合，使发光强度的降低最小化的效果。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施例的氮化物系半导体发光元件的剖面结构的图。
图2是简略示出本发明的第一实施例的氮化物系半导体发光元件的制造方法的流程图。
图3的(a)和(b)分别是示出通过生长条件的调节来获取的n型GaN层上的V形凹坑结构的扫描电子显微镜(SEM)图像(平面图)(立体图)。
图4的(a)和(b)分别是示出比较本发明的第一实施例的发光元件与现有技术的各波长的发光特性的图表。
图5是示出本发明的第二实施例的氮化物系半导体发光元件的剖面结构的图。
图6是简略示出本发明的第一实施例的氮化物系半导体发光元件的制造方法的流程图。
图7的(a)和(b)分别是示出通过生长条件的调节来获取的n型GaN层上的V形凹坑结构的扫描电子显微镜(SEM)图像(平面图)(立体图)。
图8是示出形成在活性层上的V形凹坑结构的透射电子显微镜(TEM)剖面图像。
图9的(a)和(b)分别是示出比较本发明的第一实施例的发光元件与现有技术的各波长的发光特性的图表。
最佳实施方式
本发明的实施例中提及的特定结构乃至功能性说明仅仅为了说明基于本发明的概念的实施例而示例的，基于本发明的概念的实施例可以以多种方式实施。并且，不能解释为限定于本说明书中说明的实施例，应理解为包含本发明的思想及技术范围所包含的所有变更物、等同物乃至代替物。
并且，本发明的实施例的说明中，当记载为形成在各组件的“上(上面)或下(下面)”时，上(上面)或下(下面)指两个组件相互直接接触或一个以上的其他组件配置在所述两个组件之间而形成。
并且，当以“上(上面)或下(下面)”进行说明时，以一个组件为基准，除了上侧方向，还可以包括下侧方向。
图中，为了说明的便利及明确性，放大或省略或概略地示出各层的厚度或大小。并且，各组件的大小并不完全反应实际大小。
下面，参照附图对本发明的实施例进行详细说明。
第一实施例
图1是示出本发明的发光元件的剖面结构的图，其特征在于，包括：基板110；第一导电性半导体层120、140，形成在基板110上部；高电阻半导体层130，形成在第一导电性半导体层120、140上部；活性层150，形成在高电阻半导体层130上部；以及第二导电性半导体层160，形成在活性层150上部，高电阻半导体层130与第一导电性半导体层120的邻接面具有V形凹坑(v-pit)结构v，高电阻半导体层130与活性层150的邻接面为平面结构或平缓的曲面。
基板110被提供为设置发光元件的基底层，并可以使用包含蓝宝石基板的透明的材料，而且除了蓝宝石，还可以利用GaN系基板、SiC基板或Si、ZnO等。
第一导电性半导体层120形成在基板110上部，并可以由向活性层150提供电子的n型半导体层实现，且可以包括掺杂Si、Ge、Sn等n型杂质的n型半导体层，例如，可以使用GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等。
在基板110与第一导电性半导体层120之间，可以根据基板的种类及生长工艺，增加用于提高晶格匹配的缓冲层(未图示)等。
第一导电性半导体层120的一部分上表面被暴露而在其上表面形成电极121。
另外，在第二导电性半导体层160上部形成由ITO等组成的透明电极170，在透明电极170的上部形成键合电极171。
第二导电性半导体层160形成在活性层150上部，并可以由向活性层150注入空穴的p型半导体层实现，且可以包括掺杂Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等p型杂质的p型半导体层，例如，可以使用GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等。
活性层150层叠在第一导电性半导体层120与第二导电性半导体层160之间，实现电子与空穴的再结合并迁移至低能级，从而产生具有相应波长的光。
例如，活性层150可以通过由含有铟和镓的氮化物半导体形成的单层或多层的量子阱结构(quantum well structure)来提供。
本实施例中，第一导电性半导体层120、140形成为多层结构，并在下部第一导电性半导体层120与上部第一导电性半导体层140之间设有高电阻半导体层130。尤其，其特征在于，下部第一导电性半导体层120与高电阻半导体层130的邻接面具有V形凹坑(v-pit)结构v，高电阻半导体层130与上部第一导电性半导体层140的邻接面为平面或平缓的曲面结构。
具体地，V形凹坑结构v形成在穿透发光元件的穿透位错101周围，防止电流向穿透位错101聚集。
这种V形凹坑结构v可以通过调节下部第一导电性半导体层120的生长温度、生长速度及气氛气体等的生长条件而形成，在下部第一导电性半导体层120上部形成V形凹坑结构v之后，通过导电性相对弱的物质使V形凹坑结构v平坦化，以形成高电阻半导体层130。
另外，本发明中，高电阻半导体层130与上部第一导电性半导体层140的邻接面为平面结构，此时，本发明中使用的“平面”结构并不限定为数学上严格定义的平面(plane)，应理解为在具有V形凹坑(v-pit)结构的范围内，包括平缓的曲面结构。
高电阻半导体层130可以通过n型化合物半导体层或任意未经掺杂的非故意掺杂(unintentionally doped)半导体层而提供，优选地，其特征在于，高电阻半导体层130的厚度为10nm～1000nm。
另外，本实施例中，在高电阻半导体层130上薄薄地形成上部第一导电性半导体层140之后，形成活性层150和第二导电性半导体层160。
如上所述，除了形成V形凹坑结构v的区域以外的其余区域的厚度为临界厚度以下，从而电流能够流动到第二导电性半导体层160，形成V形凹坑结构v区域的厚度为临界厚度以上且导电性非常低，因此电流的流动被阻断。即，一般来说，利用导电性低的物质包围并阻断通过穿透位错而聚集的电流，从而减少泄漏电流并加强其他元件的耐久性，并且，能够通过减少因穿透位错而产生的非发光再结合(non-radiative recombination)来使发光强度的降低最小化。
另外，高电阻半导体层130因导电性低而提高横向电流扩散，从而能够获得发光面积整体均匀的发光特性及逆电压特性改善效果。
另外，本实施例中，例示第一导电性半导体层120、140具有多层结构，但也可以是单层结构，此时，在高电阻半导体层130上部直接形成活性层150，高电阻半导体层130与活性层150的邻接面为平面结构。
图4中的(a)和(b)分别是示出比较本发明的发光元件(红线)与现有技术(黑线)的各波长的发光特性的图表，(a)是示出光致发光(PL)光谱的图表，(b)是示出元件的电致发光(EL)光谱的图表。
如图4中可以确认，本发明的发光元件在PL光谱和EL光谱方面相比现有技术得到改善。
第二实施例
图5是示出本发明的发光元件的平面结构的图，其特征在于，包括：基板210；第一导电性半导体层220、240，形成在基板210上部；高电阻半导体层230，形成在第一导电性半导体层220、240上部；活性层250，形成在所述高电阻半导体层230上部；以及第二导电性半导体层260，形成在所述活性层250上部，尤其，高电阻半导体层230与第一导电性半导体层220的邻接面以及活性层250与第二导电性半导体层260的邻接面分别具有V形凹坑(v-pit)结构v1、v2，高电阻半导体层230与活性层250的邻接面不包含V形凹坑结构而平坦。
基板210被提供为设置发光元件的基底层，并可以使用包含蓝宝石基板的透明的材料，而且除了蓝宝石，还利用使用GaN系基板、SiC基板或Si、ZnO等。
第一导电性半导体层220形成在基板210上部，并可以由向活性层250提供电子的n型半导体层实现，且可以包括掺杂Si、Ge、Sn等n型杂质的n型半导体层，例如，可以使用GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等。
在基板210与第一导电性半导体层220之间，可以根据基板的种类及生长工艺，增加用于提高晶格匹配的缓冲层(未图示)等。
第一导电性半导体层220的一部分上表面被暴露而在其上表面形成电极221。
另外，在第二导电性半导体层260上部形成由ITO等组成的透明电极270，在透明电极270的上部形成键合电极271。
第二导电性半导体层260形成在活性层250上部，并可以由向活性层250注入空穴的p型半导体层实现，且可以包括掺杂Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等p型杂质的p型半导体层，例如，可以使用GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等。
活性层250层叠在第一导电性半导体层220与第二导电性半导体层260之间，实现电子与空穴的再结合并迁移至低能级，从而产生具有相应波长的光。
例如，活性层250可以通过由含有铟和镓的氮化物半导体形成的单层或多层的量子阱结构(quantum well structure)来提供。
本实施例中，第一导电性半导体层220、240形成为多层结构，并在下部第一导电性半导体层220与上部第一导电性半导体层240之间设有高电阻半导体层230。
尤其，本实施例中，下部第一导电性半导体层220与高电阻半导体层230以及活性层250与第二导电性半导体层260的各邻接面具有V形凹坑(v-pit)结构v1、v2。
优选地，其特征在于，高电阻半导体层230与上部第一导电性半导体层240的邻接面为平面或平缓的曲面结构。
具体地，V形凹坑结构v1、v2形成在穿透发光元件的穿透位错201周围，防止电流向穿透位错201聚集。
本实施例中，第一V形凹坑结构v1可以通过调节下部第一导电性半导体层220的生长温度、生长速度及气氛气体等的生长条件而形成，在下部第一导电性半导体层220上部形成V形凹坑结构v1之后，通过导电性相对较弱的物质使V形凹坑结构v1平坦化，以形成高电阻半导体层230。通过相同的工艺，也在活性层250形成第二V形凹坑结构v2。
优选地，第二V凹坑结构v2的深度可以确定在范围内。
另外，本发明中，高电阻半导体层230与上部第一导电性半导体层240的邻接面为平面结构，此时，本发明中使用的“平面”结构并不限定为数学上严格定义的平面(plane)，应理解为在具有V形凹坑(v-pit)结构的范围内，包括平缓的曲面结构。
高电阻半导体层230可以通过n型化合物半导体层或任意未经掺杂的非故意掺杂(unintentionally doped)半导体层而提供，优选地，其特征在于，高电阻半导体层230的厚度为10nm～1000nm。
另外，本实施例中，在高电阻半导体层230上薄薄地形成上部第一导电性半导体层240之后，形成活性层250和第二导电性半导体层260。
如上所述，除了形成V形凹坑结构的区域以外的其余区域的厚度为临界厚度以下，从而电流能够流动到第二导电性半导体层260，形成V形凹坑结构区域的厚度为临界厚度以上且导电性非常低，因此，电流的流动被阻断。即，一般来说，利用导电性低的物质包围并阻断通过穿透位错而聚集的电流，从而减少泄漏电流并加强其他元件的耐久性，并且，能够通过减少因穿透位错而产生的非发光再结合(non-radiative recombination)来使发光强度的降低最小化。
尤其，在存在基于形成在活性层250的V型凹坑v2结构的倾斜面的状态下形成的第二导电性半导体层260，在具有V形状的歪曲结构的部位形成低导电性的具有半绝缘特性的薄膜，从而具有阻断电流的效果，并且，从活性层250上部的第二导电性半导体层260向V形状的倾斜面容易注入载流子，使得容易将载流子注入到活性层250下部，因此，能够增加有效发光层并增加整体的元件的效率。
另外，高电阻半导体层230因导电性低而提高横向电流扩散，从而能够获得发光面积整体均匀的发光特性及逆电压特性改善效果。
另外，本实施例中，例示第一导电性半导体层220、240具有多层结构，但也可以是单层结构，此时，在高电阻半导体层230上部直接形成活性层250，高电阻半导体层230与活性层250的邻接面成为平面结构。
另一方面，如图5所示，第二导电性半导体层270可以是平坦化的面，但是，也可以在上面具有V型凹坑结构。
图9中的(a)和(b)分别是比较并示出本发明的发光元件(红线)与现有技术(黑线)的各波长的发光特性的图表，(a)是示出光致发光(PL)光谱的图表，(b)是示出元件的电致发光(EL)光谱的图表。
如图9中可以确认，本发明的发光元件在PL光谱和EL光谱方面相比现有技术得到改善。
以上说明的本发明并不限定于上述实施例和附图，在不脱离本发明的技术思想的范围内，可以进行多种置换、变形及变更，这对本领域技术人员来说是显而易见的。
附图标记说明
101、201：穿透位错
110、210：基板
120、220：下部第一导电性半导体层
121、221：电极
130、230：高电阻半导体层
140、240：上部第一导电性半导体层
150、250：活性层
160、260：第二导电性半导体层
170、270：透明电极
171、271：键合电极
v、v1、v2：V型凹坑结构
Claims (13)
1.一种氮化物系半导体发光元件，其特征在于，包括：
基板；
第一导电性半导体层，形成在所述基板上部；
高电阻半导体层，形成在所述第一导电性半导体层上部；
活性层，形成在所述高电阻半导体层上部；以及
第二导电性半导体层，形成在所述活性层上部，
所述高电阻半导体层与所述第一导电性半导体层的邻接面具有V形凹坑(v-pit)结构，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面为平面或平缓的曲面结构。
2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面不包含V形凹坑结构而平坦。
3.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述活性层与所述第二导电性半导体层的邻接面为平面结构。
4.一种氮化物系半导体发光元件，其特征在于，包括：
基板；
第一导电性半导体层，形成在所述基板上部；
高电阻半导体层，形成在所述第一导电性半导体层上部；
活性层，形成在所述高电阻半导体层上部；以及
第二导电性半导体层，形成在所述活性层上部，
所述高电阻半导体层与所述第一导电性半导体层的邻接面以及所述活性层与所述第二导电性半导体层的邻接面分别具有V形凹坑(v-pit)结构，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面不包含V形凹坑结构而平坦。
5.根据权利要求4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层与所述活性层的邻接面为平面或平缓的曲面结构。
6.根据权利要求4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述第二导电性半导体层具有V形凹坑结构。
7.根据权利要求1或4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层的硅杂质的浓度为1018/cm3以下。
8.根据权利要求1或4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层的镁杂质的浓度为1016/cm3以上。
9.根据权利要求1或4所述的氮化物系半导体发光元件，其特征在于，所述高电阻半导体层的厚度为10nm～1000nm。
10.一种氮化物系半导体发光元件的制造方法，包括：
第一步骤，在基板上部生长第一导电性半导体层，并在上部表面形成V形凹坑结构；
第二步骤，在所述第一导电性半导体层上部用低导电性物质使V形凹坑结构平坦化，以形成高电阻半导体层；以及
第三步骤，在平坦化的高电阻半导体层上部依次形成活性层和第二导电性半导体层。
11.一种氮化物系半导体发光元件的制造方法，包括：
第一步骤，在基板上部生长第一导电性半导体层，并在上部表面形成V形凹坑结构；
第二步骤，在所述第一导电性半导体层上部用低导电性物质使V形凹坑结构平坦化，以形成高电阻半导体层；
第三步骤，在平坦化的高电阻半导体层上部形成活性层，并在上部表面形成V形凹坑结构；以及
第四步骤，形成第二导电性半导体层，以使所述活性层上部的V形凹坑结构平坦化。
12.根据权利要求10或11所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，在第三步骤中，在平坦化的高电阻半导体层上部形成第一导电性半导体层之后，形成所述活性层和所述第二导电性半导体层。
13.根据权利要求10或11所述的氮化物系半导体发光元件的制造方法，其特征在于，所述高电阻半导体层的厚度为10nm～1000nm。
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