CN107854137A - 安装构造体以及电子设备 - Google Patents

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松田洋史
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Abstract

提供一种安装构造体以及电子设备，能够提高基板间的连接可靠性。安装构造体包括：第一基板，设置有具有弹性的芯部；导电膜，从芯部上设置至第一基板上；第二基板，设置有与芯部上的导电膜连接的配线部，导电膜具有缺口，该缺口使与芯部的第一基板相接触的面的端部的一部分露出。

Description

安装构造体以及电子设备
技术领域
本发明涉及安装构造体、超声波设备、超声波探头、超声波装置以及电子设备。
背景技术
在将电子部件安装于电路基板的情况下，已知经由凸起电极电连接电路基板侧的配线和电子部件侧的配线的安装方法(例如，参照专利文献1)。
在专利文献1中，电子部件通过将IC芯片等电子元件(功能元件)和连接于功能元件的凸起电极设置于基板上而构成。其中的凸起电极具备：从功能元件引出并连接于电极垫的配线(导电膜)、能够弹性变形的树脂突起(芯部)。导电膜从功能元件引出至形成于基板周缘部的芯部，跨越该芯部并且覆盖芯部的表面的一部分。另一方面，电路基板为形成有液晶面板的基板，在配置有液晶元件区域之外形成有电极端子。使电子部件侧的凸起电极与该电路基板侧的电极端子接触，通过使其弹性变形，凸起电极及电极端子电连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-180166号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在专利文献1记载的构成中，在电子部件侧的基板与芯部的交界，可能会在导电膜上产生裂纹。也就是说，设置在芯部上的导电膜根据芯部的弹性变形而变形。另一方面，设置在基板上的导电膜相对于基板固定。因此，在芯部上和基板上会产生导电膜的变形量差异，应力集中于设置于基板及芯部的交界位置的导电膜。由于该应力的集中，可能会裂纹产生于导电膜，导电膜断裂，存在基板间的电连接可靠性(连接可靠性)下降的问题。
本发明的目的之一在于，提供能够提高基板间的连接可靠性的、作为适用例及实施方式的安装构造体、超声波设备、超声波探头、超声波装置以及电子设备。
解决课题的技术方案
本发明一适用例涉及的安装构造体，其包括：第一基板，设置有具有弹性的芯部；导电膜，从所述芯部上设置至所述第一基板上；以及第二基板，设置有与所述芯部上的所述导电膜连接的配线部，所述导电膜具有缺口，该缺口使所述芯部的与所述第一基板相接触的面的端部的一部分露出。
在本适用例中，芯部和导电膜设置于第一基板。其中，导电膜从芯部上设置至第一基板上，具有使与芯部的第一基板相接触的面(底面)的端部的一部分露出的缺口。也就是说，由于缺口形成于与导电膜的芯部及第一基板的交界重合的位置即应力易于集中的位置，因此能够缓和上述应力。从而，能够抑制导电膜的裂纹产生，进而能够提高连接可靠性。
并且，在芯部弹性变形时，能够使得芯部上的导电膜易于变形，能够缓和作用于导电膜的应力。
并且，缺口与芯部及第一基板的交界重合，使交界的一部分露出。从而，在芯部弹性变形时，能够使芯部中的未形成有导电膜的露出部分易于变形。从而，通过弹性变形能够降低导电膜的变形量，能够缓和作用于导电膜的应力。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，所述导电膜具有从所述芯部遍及至所述第一基板的外周缘，所述缺口设置于所述外周缘的与所述端部重合的位置，从所述导电膜的厚度方向观察为从所述导电膜的外侧朝向内侧的凹状。
在本适用例中，导电膜具有从芯部遍及至第一基板的外周缘。也就是说，芯部相比导电膜的外周缘位于外侧，具有从导电膜露出的露出部。该露出部相比设置有导电膜的部分更易于弹性变形。在本适用例中，缺口在外周缘的一部分朝向内侧呈凹状设置，位于露出部的附近，因此能够缓和弹性变形时作用于导电膜的应力。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，所述外周缘具有形成所述缺口的直线状的第一缘部及第二缘部，所述第一缘部和所述第二缘部在与所述端部重合的位置具有交点，并随着沿所述端部远离所述交点而远离所述端部。
在本适用例中，缺口通过直线状的第一缘部和第二缘部形成。这些第一缘部和第二缘部随着沿端部远离交点而远离端部。也就是说，第一缘部与端部的距离和第二缘部与端部的距离随着远离交点而变大。通过这种构成，由于缺口的宽度随着远离交点而增大，因此芯部变得易于变形。从而，能够随着接近交点而减小芯部的变形量，能够进一步缓和由于芯部的弹性变形而作用于导电膜的应力。
在此，第一缘部及第二缘部为直线状意指，例如从导电膜的厚度方向观察，第一缘部及第二缘部为大致直线状，也包含沿芯部、第一基板稍微弯曲的构成。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，所述缺口为圆弧状。
在此，从导电膜的厚度方向观察，在导电膜的外周缘弯曲的弯曲部中，应力根据芯部的弹性变形而易于集中。在本适用例中，缺口为圆弧状，不具有应力易于集中的弯曲部。因此，能够抑制应力集中于导电膜的外周缘的一部分并在导电膜产生裂纹。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，所述外周缘具有形成所述缺口的缘部，从所述导电膜的厚度方向观察，所述缘部在所述芯部上具有沿所述芯部弯曲的弯曲部。
在本适用例中，形成缺口的缘部具有弯曲部，该弯曲部位于芯部上。在此，在导电膜中，应力易于集中于缘部和芯部重合的位置(重叠部)。但是，在本适用例中，外周缘除了上述重叠部之外，还具有应力易于集中的弯曲部。因此，能够通过重叠部和弯曲部使应力分散，能够抑制应力集中。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，所述导电膜具有多个所述缺口。
在本适用例中，由于导电膜具有多个缺口，因此能够更加进一步缓和上述应力，能够更加进一步提高连接可靠性。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，从所述第一基板的厚度方向观察，所述导电膜的宽度尺寸比所述芯部小，所述导电膜在所述导电膜的宽度方向的两侧具有从所述芯部遍及至所述第一基板的一对外周缘，所述缺口设置于所述一对外周缘分别与所述端部重合的位置，并从所述导电膜的厚度方向观察为从所述导电膜的外侧朝向内侧的凹状。
在本适用例中，导电膜的宽度尺寸比芯部小，缺口形成于宽度方向上的两侧外周缘。在这种构成中，芯部在宽度方向的两侧具有从导电膜露出的露出部。并且，缺口也设置于宽度方向的两侧。通过这种构成，能够使芯部在宽度方向的两侧发生弹性变形。从而，能够使芯部的变形量分散，也能够使朝向导电膜的应力分散。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，所述芯部具有所述第一基板的厚度方向上的尺寸沿一方向相同的等厚部，从所述第一基板的厚度方向观察，所述导电膜沿与所述一方向交叉的交叉方向设置，所述导电膜的一部分设置于所述等厚部。
在本适用例中，芯部具有厚度尺寸相同的等厚部，等厚部沿一方向设置。并且，从第一基板的厚度方向观察，导电膜沿与一方向交叉的交叉方向设置，导电膜的一部分设置于等厚部。在这种构成中，力从配线部大致均等地作用于在厚度方向上与连接区域重合的芯部和导电膜。从而，能够抑制连接区域中的芯部及导电膜的变形量之差。从而，能够缓和由于变形量之差而在连接区域、其周围作用于导电膜的应力。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，所述导电膜在与所述配线部的连接区域周围具有第二缺口。
在本适用例中，第二缺口位于连接区域的周围。在此，芯部在与配线部所连接的连接区域重合的位置受到按压力而弹性变形。此时，由于连接区域和周围区域之间的芯部的变形例之差，在连接区域和周围区域的交界，应力集中于导电膜，有可能在导电膜产生裂纹。与此对比，通过位于周围区域的第二缺口，在上述交界能够缓和作用于导电膜的应力，能够抑制朝向导电膜的裂纹产生。
在本适用例的安装构造体中，优选的是，所述芯部具有：顶部，位于与所述第一基板相反的一侧，并与所述连接区域重合；以及倾斜部，随着远离所述顶部而朝向所述第一基板倾斜，所述导电膜具有从所述芯部遍及至所述第一基板的外周缘，所述外周缘的至少一部分位于所述倾斜部上，所述第二缺口设置于所述外周缘的与所述倾斜部重合的位置，从所述导电膜的厚度方向观察为从所述导电膜的外侧朝向内侧的凹状。
在本适用例中，芯部具有从顶部朝向第一基板倾斜的倾斜部，导电膜的外周缘的至少一部分位于倾斜部上。也就是说，芯部在导电膜的外周缘的外侧露出，相比设置有导电膜的位置更易于变形。从而，由于导电膜的外周缘内外的芯部的变形量之差，应力易于集中于导电膜的外周缘。从而，由于上述的连接区域和周围区域之间的芯部的变形量之差，应力易于集中于导电膜的外周缘。与此对比，第二缺口朝向内侧呈凹状形成于位于倾斜部上的外周缘。因此，能够缓和作用于导电膜的应力，能够抑制在导电膜产生裂纹。
本发明一适用例涉及超声波设备，其特征在于，包括：第一基板，设置有具有弹性的芯部；导电膜，从所述芯部上设置至所述第一基板上；第二基板，设置有与所述芯部上的所述导电膜连接的配线部；超声波换能器，设置于所述第一基板和所述第二基板的一方，所述导电膜具有使所述芯部的与所述第一基板相接触的面的端部的一部分露出的缺口。
在本适用例中，芯部和导电膜设置于第一基板。其中，导电膜从芯部上设置至第一基板上，并具有使芯部的与第一基板相接出的面(底面)的端部的一部分露出的缺口。在如上构成的本适用例中，与上述适用例同样地，由于能够缓和作用于导电膜的应力，能够抑制导电膜的裂纹产生，进而能够提高连接可靠性。
本发明一适用例涉及超声波探头，其特征在于，包括：第一基板，设置有具有弹性的芯部；导电膜，从所述芯部上设置至所述第一基板上；第二基板，设置有与所述芯部上的所述导电膜连接的配线部；超声波换能器，设置于所述第一基板和所述第二基板的一方；以及壳体，收纳所述第一基板及所述第二基板，所述导电膜具有使所述芯部的与所述第一基板相接触的面的端部的一部分露出的缺口。
在本适用例中，芯部和导电膜设置于第一基板。其中，导电膜从芯部上设置至第一基板上，并具有使芯部的与第一基板相接触的面(底面)的端部的一部分露出的缺口。在如上构成的本适用例中，与上述适用例同样地，由于能够缓和作用于导电膜的应力，能够抑制导电膜的裂纹产生，进而能够提高连接可靠性。
本发明一适用例涉及超声波装置，其特征在于，包括：第一基板，设置有具有弹性的芯部；导电膜，从所述芯部上设置至所述第一基板上；第二基板，设置有与所述芯部上的所述导电膜连接的配线部；超声波换能器，设置于所述第一基板和所述第二基板的一方；控制部，控制所述超声波换能器，所述导电膜具有使所述芯部的与所述第一基板相接触的面的端部的一部分露出的缺口。
在本适用例中，芯部和导电膜设置于第一基板。其中，导电膜从芯部上设置至第一基板上，并具有使芯部的与第一基板相接触的面(底面)的端部的一部分露出的缺口。在如上构成的本适用例中，与上述适用例同样地，由于能够缓和作用于导电膜的应力，能够抑制导电膜的裂纹产生，进而能够提高连接可靠性。
本发明一适用例涉及电子设备，其特征在于，包括：第一基板，设置有具有弹性的芯部；导电膜，从所述芯部上设置至所述第一基板上；第二基板，设置有与所述芯部上的所述导电膜连接的配线部；功能元件，设置于所述第一基板和所述第二基板的一方；控制部，控制所述功能元件，所述导电膜具有使所述芯部的与所述第一基板相接触的面的端部的一部分露出的缺口。
在本适用例中，芯部和导电膜设置于第一基板。其中，导电膜从芯部上设置至第一基板上，并具有使芯部的与第一基板相接触的面(底面)的端部的一部分露出的缺口。在如上构成的本适用例中，与上述适用例同样地，由于能够缓和作用于导电膜的应力，能够抑制导电膜的裂纹产生，进而能够提高连接可靠性。
附图说明
图1为示出第一实施方式的超声波测定装置的概略构成的立体图。
图2为示出第一实施方式的超声波测定装置的概略构成的框图。
图3为示出第一实施方式的超声波设备的概略构成的截面图。
图4为示出第一实施方式的超声波设备中的元件基板的概略构成的俯视图。
图5为示出第一实施方式的超声波设备中的密封板的概略构成的俯视图。
图6为示出第一实施方式的超声波设备中的导通部的概略构成的立体图。
图7为示意性示出第一实施方式的超声波设备中的导通部的俯视图。
图8为示出第二实施方式的超声波设备中的导通部的概略构成的立体图。
图9为示出第三实施方式的超声波设备中的导通部的概略构成的立体图。
图10为示出第四实施方式的超声波设备中的导通部的概略构成的立体图。
图11为示出第四实施方式的一变形例中的导通部的概略构成的立体图。
图12为示出第四实施方式的一变形例中的导通部的概略构成的立体图。
图13为示出第五实施方式的超声波设备的概略构成的截面图。
图14为示出第五实施方式的超声波设备的概略构成的截面图。
图15为示出第五实施方式的超声波设备中的导通部的概略构成的立体图。
图16为示出第五实施方式的一变形例中的导通部的概略构成的立体图。
图17为示出第五实施方式的一变形例中的导通部的概略构成的立体图。
符号说明
1…超声波测定装置，2…超声波探头，、5、5A、5B、5C、6…导通部，10…控制装置，21…壳体、22、22A…超声波设备、41…元件基板，42…密封板，45…超声波换能器，51…树脂部，52、52A、52B、52C…导电膜，61…树脂部，62…导电膜，415…配线部，511…底面，511A…端部，512…顶部，513…倾斜部，521…覆盖部，521A…第一缘部，521B…弯曲部，522…引出部，522A…第二缘部，522B…弯曲部，523、523A、523B…缺口，524…外周缘，525…交点，526、526A、526B…第二缺口，611…底面，611A…端部，613…等厚部，621A…第一缘部，622A…第二缘部，623、623A、623B…缺口，624…外周缘，625…交点，Cn…连接区域。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下，基于附图说明第一实施方式涉及的超声波测定装置。
图1为示出超声波测定装置1的概略构成的立体图。图2为示出超声波测定装置1的概略构成的框图。
如图1所示，超声波测定装置1相当于超声波装置，具备：超声波探头2、经由线缆3而电连接于超声波探头2的控制装置10。
该超声波测定装置1使超声波探头2抵接于生物体(例如人体)的表面，使超声波从超声波探头2向生物体内送出。并且，通过超声波探头2接收由生物体内的器官反射的超声波，基于该接收信号，例如取得生物体内的内部断层图像或测定生物体内的器官的状态(例如血流等)。
[控制装置的构成]
如图2所示，控制装置10相当于控制部，例如具备操作部11、显示部12、存储部13、运算部14而构成。该控制装置10例如既可以使用平板终端、智能手机、个人电脑等终端装置，也可以为用于操作超声波探头2的专用终端装置。
操作部11为用户用于操作超声波测定装置1的UI(user interface；用户界面)，例如可以由设置于显示部12上的触摸面板、操作按钮、键盘、鼠标等构成。
显示部12例如通过液晶显示器等构成，使图像显示。
存储部13存储用于控制超声波测定装置1的各种程序、各种数据。
运算部14例如由CPU(Central Processing Unit；中央处理单元)等运算电路、存储器等存储电路构成。并且，运算部14通过读入执行存储于存储部13的各种程序，进行用于向超声波探头2发送超声波的发送信号的生成及输出处理的控制，进行用于使超声波探头2接收超声波的各种处理(例如，接收信号的频率设定、增益设定等)的控制。
[超声波探头的构成]
超声波探头2具备：壳体21、收纳在壳体21内部的超声波设备22、设置有用于控制超声波设备22的驱动电路等的电路基板23(参照图2)。此外，通过超声波设备22和电路基板23构成超声波传感器24，该超声波传感器24构成超声波组件。
[壳体的构成]
如图1所示，壳体21，例如形成为俯视矩形状的箱状，传感器窗21B设置于与厚度方向正交的一表面(传感器面21A)，超声波设备22的一部分露出。并且，线缆3的通孔21C设置于壳体21的一部分(在图1所示的示例中为侧面)，线缆3从通孔21C连接于壳体21的内部的电路基板23。另外，例如树脂材料等填充于线缆3和通孔21C的间隙，从而确保防水性。
此外，在本实施方式中，示出使用线缆3连接超声波探头2和控制装置10的构成例，但不限于此，例如可以通过无线通信连接超声波探头2和控制装置10，也可以将控制装置10的各种构成设置于超声波探头2内。
[电路基板的构成]
电路基板23接合有超声波设备22，设置有用于控制超声波设备22的驱动电路等。如图2所示，该电路基板23具备：选择电路231、发送电路232及接收电路233。
选择电路231基于控制装置10的控制，切换为连接超声波设备22和发送电路232的发送连接及连接超声波设备22和接收电路233的接收连接中的任一连接状态。
在通过控制装置10的控制被切换为发送连接时，发送电路232经由选择电路231输出使超声波设备22发出超声波的发送信号。
在通过控制装置10的控制被切换为接收连接时，接收电路233经由选择电路231向控制装置10输出从超声波设备22输入的接收信号。接收电路233例如包含低噪音放大电路、电压控制衰减器、可编程增益放大器、低通滤波器、A/D转换器等而构成，在实施接收信号向数字信号的转换、噪声成分的去除、向希望信号电平的放大等各信号处理之后，将处理后的接收信号向控制装置10输出。
[超声波设备的构成]
图3为超声波设备22的截面图。图4为从密封板42侧观察超声波设备22中的元件基板41的俯视图。图5为示意性示出从保护膜44侧观察超声波换能器45的俯视图。此外，图3为通过图4中的A-A线截取超声波设备22时的截面图。
如图3所示，超声波设备22包含元件基板41、密封板42、声响层43、保护膜44而构成。如图3所示，其中的元件基板41及密封板42经由相当于第一基板的密封板42的导通部5和相当于第二基板的元件基板41的配线部415电连接。
在此，以下说明时，将元件基板41的与密封板42相对的面称为背面41A，将与背面41A相反一侧的面称为工作面41B。并且，将密封板42的与元件基板41相对的面称为内表面42A，将与内表面42A相反一侧的面称为外表面42B。此外，元件基板41及密封板42的厚度方向与Z方向大致一致。
(元件基板的构成)
如图3所示，元件基板41具备：基板主体部411、层叠于基板主体部411的振动膜412。并且，如图4所示，元件基板41在振动膜412的密封板42侧设置有压电元件413、下部电极连结线414、配线部415、上部电极引出线416、接合部417。其中，通过振动膜412的振动区域即可挠部412A和压电元件413，构成收发超声波的超声波换能器45。
如图4所示，多个收发超声波的超声波换能器45沿X方向及与X方向交叉(本实施方式中为正交)的Y方向呈矩阵状配置于位于元件基板41的中央的阵列区域Ar1。通过这些多个超声波换能器45构成超声波阵列UA。
基板主体部411例如为Si等的半导体基板。在基板主体部411中的阵列区域Ar1内，设置有对应于各个超声波换能器45的开口部411A。各开口部411A被壁部411B隔开。并且，各开口部411A被设置于密封板42侧(-Z侧)的振动膜412闭塞。
振动膜412例如通过SiO2、SiO2及ZrO2的层叠体等构成，覆盖基板主体部411的-Z侧整体而设置。该振动膜412中的闭塞开口部411A的部分构成能够弹性变形的可挠部412A。该振动膜412的厚度尺寸(厚度)相比基板主体部411为足够小的厚度尺寸(厚度)。在通过Si构成基板主体部411、通过SiO2构成振动膜412的情况下，例如，通过对基板主体部411进行氧化处理，能够容易地形成希望的厚度尺寸(厚度)的振动膜412。并且，这种情况下，通过将SiO2的振动膜412作为蚀刻终止层对基板主体部411进行蚀刻处理，能够容易地形成所述开口部411A。
并且，在闭塞各开口部411A的振动膜412的可挠部412A上分别设置有压电元件413。通过这些可挠部412A和压电元件413构成一个超声波换能器45。该压电元件413作为下部电极413A、压电膜413B以及上部电极413C的层叠体构成。
下部电极413A、上部电极413C包含一个或两个以上的由导电性材料形成的层而构成。作为这种导电性材料例如可以使用Au、Al、Cu、Ir、Pt、IrOx、Ti、TiW、TiOx等的电极材料。在本实施方式中，例如，下部电极413A通过在振动膜412上依次层叠TiW层(50nm)和Cu层(100nm)而构成。
并且，压电膜413B例如使用具有钙钛矿构造的过渡金属氧化物更具体而言使用包含Pb、Ti及Zr的锆钛酸铅而形成。
在这种超声波换能器45中，通过在下部电极413A及上部电极413C之间施加预定频率的矩形波电压，能够送出使位于开口部411A的开口区域的可挠部412A沿Z方向振动的超声波。并且，当可挠部412A由于从对象物反射的超声波而振动时，在压电膜413B的上下产生电位差。从而，通过检测在下部电极413A与上部电极413C之间产生的所述电位差，能够检测接收的超声波。
并且，在本实施方式中，如图4所示，沿X方向及Y方向配置的多个超声波换能器45中的、沿Y方向排列的两个超声波换能器45构成作为一个收发信道的超声波换能器组45A。也就是说，在超声波阵列UA中，多个作为收发信道的超声波换能器组45A沿X方向及Y方向配置，构成为二维阵列。
构成超声波换能器组45A的超声波换能器45各自的下部电极413A通过下部电极连结线414连结。该下部电极连结线414与各下部电极413A一体地形成。也就是说，下部电极连结线414例如与下部电极413A同样地，通过层叠TiW层(50nm)和Cu层(100nm)而构成。此外，下部电极连结线414可以与下部电极413A分别设置。
上部电极引出线416连接于超声波换能器45的各上部电极413C。上部电极引出线416由导电性材料形成，具备：多个引出配线部416A、连结该引出配线部416A和上部电极413C的连结部416B、配置于配线区域Ar2的连接端子部416C。
如图4所示，引出配线部416A例如在沿Y方向配置的多个超声波换能器45的列间之中，隔一个设置。该引出配线部416A中，各超声波换能器45的上部电极413C通过连结部416B连结。
连接端子部416C形成于元件基板41的外周部的配线区域Ar2，与引出配线部416A连结。虽省略了图示，该连接端子部416C经由配置部件而连接于电路基板23的接地电路(图示省略)，被设定为基准电位(例如，0电位)。也就是说，上部电极413C为被施加基准电位的共用电极。
接合部417接合如上所述构成的元件基板41和密封板42。该接合部417配置于沿元件基板41的外缘的位置、沿超声波换能器45的位置。例如，如图4所示，接合部417沿X方向配置于与背面41A的壁部411B重合的位置。
接合部417使用能够接合元件基板41和密封板42的材料例如各种粘接剂、感光性树脂材料(光刻胶)等树脂材料形成。在本实施方式中，接合部417使用感光性树脂材料形成。从而，能够以希望的形状将接合部417形成于希望的位置。
(配线部的构成)
配线部415具有导电性，设置于背面41A的与超声波换能器45不同的位置，经由下部电极连结线414而与超声波换能器45导通。具体而言，配线部415在从Z方向观察的俯视下具有大致矩形状的外形，在与壁部411B重合的位置，从下部电极连结线414朝向密封板42突出设置，电连接于后述的导通部5。也就是说，各超声波换能器45的下部电极413A经由下部电极连结线414及配线部415而电连接于导通部5。并且，配线部415与多个超声波换能器组45A的各个一一对应地设置。此外，至少包含元件基板41、配线部415、密封板42、导通部5而构成安装构造体。
如图3所示，配线部415的密封板42一侧的端面(以下也称为端部415A)比超声波换能器45的压电元件413的-Z侧的端面(以下也称为Z侧端面413D)位于密封板42一侧。并且，端部415A比超声波换能器45的Z方向上的振动范围(参照图3的箭头Rz)位于密封板42一侧。从而，能够抑制设置于密封板42侧的部件(例如导通部5等)与超声波换能器45的干涉。例如，即使驱动超声波换能器45，压电元件413的Z侧端面413D向密封板42侧移动，也能够抑制压电元件413和导通部5的干涉。
这种配线部415例如使用金属材料、包含导电性填充物的树脂材料等具有导电性的材料形成。例如，配线部415通过电镀法而能够使金属材料析出在下部电极连结线414上而形成。
此外，从Z方向观察的俯视下的配线部415的平面形状不限于矩形状，可以为圆形、椭圆形、各种多边形状等。
(密封板的构成)
图3及图5所示的密封板42例如由半导体基板等构成，通过接合部417而接合于元件基板41，增强元件基板41的强度。由于密封板42的材质、厚度会影响到超声波换能器45的频率特性，因此，优选基于收发超声波的中心频率而设定。导通部5、贯通电极421、下部电极配线422设置于该密封板42。
(导通部的构成)
图6为示出导通部5的概略构成的立体图。
图3、图5及图6所示的导通部5设置于密封板42的内表面42A，紧贴设置于元件基板41的配线部415而电连接。该导通部5具备：树脂部51、覆盖树脂部51的一部分且与贯通电极421电连接的导电膜52。
树脂部51相当于芯部，如图3所示，设置于内表面42A中的与配线部415重合的位置，从内表面42A向元件基板41突出。该树脂部51由具有弹性的树脂材料形成，形成为大致梯形状(梯形的角圆化的状态)。
如图6所示，树脂部51包括：与内表面42A相接触的面(底面)511(参照图3)、与底面511相反一侧的顶部512、底面511与顶部512之间的倾斜部513。
底面511形成为在Z方向的俯视下使得与内表面42A的交界即端部511A成为大致矩形状。
顶部512为树脂部51的弹性变形前(与配线部415抵接前)的、树脂部51的+Z侧面中的、树脂部51中Z方向尺寸最大的位置。在本实施方式中，例如是在Z方向的俯视下树脂部51的大致中央。
倾斜部513随着从顶部512朝向端部511A去而向内表面42A侧倾斜。也就是说，弹性变形前的树脂部51在Z方向的俯视下随着从顶部512朝向端部511A去而Z方向尺寸变小。
关于上述的树脂部51，使配置于内表面42A的树脂材料热熔融而形成，通过树脂材料的种类、热熔融温度条件而能够形成大致半球状。
作为树脂部51的形成材料，能够使用感光性树脂材料(光刻胶)。这种情况下，能够以希望的形状将树脂部51形成于希望的位置。并且，作为树脂部51的形成材料，除了感光性树脂材料以外，也可以使用具有弹性的各种树脂材料，例如聚酰亚胺树脂、丙烯树脂、酚醛树脂、环氧树脂、硅树脂以及改性聚酰亚胺树脂等。
导电膜52以沿Y方向跨越树脂部51并且覆盖树脂部51的一部分的方式设置。导电膜52包括：树脂部51上的覆盖部521、密封板42的内表面42A上的引出部522、使树脂部51的端部511A的一部分露出的缺口523。导电膜52的±X侧的外周缘524从树脂部51形成到密封板42。通过使该导电膜52的厚度相比树脂部51足够薄，能够使树脂部51及导电膜52弹性变形。
覆盖部521以覆盖树脂部51的一部分的方式设置。也就是说，覆盖部521从密封板42的厚度方向(Z方向)观察，以沿Y方向跨越树脂部51的方式设置，其X方向上的尺寸小于树脂部51。也就是说，覆盖部521沿X方向从顶部512设置到倾斜部513的一部分，外周缘524位于倾斜部513上。
引出部522与覆盖部521的±Y侧的各个端部(即，底面511的±Y侧端缘)连接，引出至贯通电极421的形成位置，与该贯通电极421连接(参照图5)。
缺口523跨越覆盖部521及引出部522而设置于覆盖部521和引出部522的交界部分和外周缘524重合的位置。并且，关于缺口523，从导电膜52的厚度方向(例如Z方向)观察为从导电膜52的外侧朝向内侧(即，沿X方向)的凹状。通过这种缺口523，树脂部51和密封板42的交界(底面511的±Y侧端缘)即端部511A的一部分露出。
此外，在本实施方式中，缺口523设置于导电膜52的X方向(宽度方向)上的两侧和Y方向上的树脂部51的两侧这四处。
在此，本实施方式的缺口523，通过外周缘524的一部分即直线状的第一缘部521A及第二缘部522A形成为大致三角形状。第一缘部521A为覆盖部521侧的外周缘524的一部分，第二缘部522A为引出部522侧的外周缘524的一部分。这些第一缘部521A及第二缘部522A具有与端部511A重合的交点525。
缺口523的宽度随着沿端部511A远离交点525而逐渐增大。也就是说，第一缘部521A以随着沿端部511A远离交点525，从端部511A及密封板42离开的方式相对于端部511A倾斜。从而，随着远离交点525，树脂部51的露出量增大。
并且，第二缘部522A以随着沿端部511A远离交点525，从端部511A离开的方式相对于端部511A倾斜。从而，随着远离交点525，引出部522的第二缘部522A远离覆盖部521。
在此，大致直线状的第一缘部521A是指还包括第一缘部521A以沿着树脂部51的表面而稍微弯曲的方式设置的构成。并且，同样地，大致直线状的第二缘部522A是指还包括第二缘部522A以沿着密封板42而稍微弯曲的方式设置的构成。
作为形成这种导电膜52的导电性材料，可以使用Au、Ag、TiW、Cu、Ni、Pd、Al、Cr、Ti、W、NiCr等、不含铅的焊料等。在本实施方式中，例如，导电膜52通过从内表面42A侧层叠TiW层(50nm)和Au层(100nm)而构成。
并且，如图3所示，导通部5压接于端部415A而紧贴。也就是说，在将密封板42接合于元件基板41时，导通部5的+Z侧端部被压接于端部415A，从而构成导通部5的树脂部51及覆盖部521发生弹性变形而与端部415A紧贴(导通)。从而，通过弹性变形的树脂部51及覆盖部521的复原力，导电膜52被向配线部415侧施力，能够提高导通部5和配线部415之间的电连接的可靠性。
图7为示意性示出树脂部51的弹性变形的状态的图。
在此，在导通部5的连接区域Cn连接于配线部415时，树脂部51的与连接区域Cn重合的区域(包含顶部512的区域)被向-Z侧按压而发生弹性变形。此时，例如图7的下段所示，树脂部51的变形量在未被覆盖部521覆盖的两端的X侧端部514大于被覆盖部521覆盖并比较难变形的中央部515。因此，在未形成缺口523的情况下，应力集中于与树脂部51一起变形的覆盖部521和被固定于密封板42的引出部522的交界处±X的端部。由于该应力集中，在导电膜52上产生裂纹甚至导电膜52有可能断裂。与此对比，在树脂部51的变形量变大的X侧端部514附近、即外周缘524形成缺口523。因此，能够抑制树脂部51的变形所导致的、上述应力向导电膜52的集中，能够抑制导电膜52的裂纹产生。
此外，缺口523的尺寸(即，X方向的尺寸、树脂部51的露出量等)可以根据树脂部51的变形量而适当设定。
(贯通电极的构成)
如图3及图5所示，贯通电极421在沿Y方向夹着树脂部51的位置设置一对，例如为Si贯通电极(TSV；Through-Silicon Via，硅通孔技术)、填充于贯通孔的导电性材料。并且，下部电极配线422针对各贯通电极421分别形成于密封板42的外表面42B。下部电极配线422连接于贯通电极421，经由沿外表面42B形成的配线(图示省略)而连接于电路基板23。此外，贯通电极421相对于一个导通部5至少形成一个即可，也可以为三个以上。并且，贯通电极421的配置位置不限于图示例，例如，可以形成于树脂部51的+X侧、-X侧。
(声响层及保护膜的构成)
如图3所示，声响层43填充于开口部411A。
保护膜44设置在元件基板41及声响层43上，保护这些元件基板41及声响层43。如图1所示，该保护膜44从壳体21的传感器窗21B向外部露出，在测定超声波时，抵接于生物体表面。
这些声响层43、保护膜44使从超声波换能器45发出的超声波有效地传播至作为测定对象的生物体，并且，使得在生物体内反射的超声波有效地传播至超声波换能器45。因此，声响层43及保护膜44的声阻抗被设定为接近生物体的声阻抗的值。
[第一实施方式的作用效果]
通过如上构成的第一实施方式的超声波设备22能够得到以下的效果。
导电膜52从树脂部51上设置至密封板42上，具有使树脂部51的底面511的端部511A的一部分露出的缺口523。也就是说，缺口523与树脂部51及密封板42的交界的一部分重合。
在此，导电膜52的覆盖部521与树脂部51一起弹性变形，引出部522固定于密封板42。因此，在覆盖部521和引出部522之间产生变形量的差异，由于该差异，应力作用于与导电膜52中的端部511A(树脂部51和密封板42的交界)重合的位置。与此对比，通过形成于与上述应力易于作用的端部511A重合的位置的缺口523，能够缓和上述应力。从而，能够抑制导电膜52的裂纹产生，进而能够提高连接可靠性。
并且，通过缺口523，使得树脂部51上的覆盖部521在树脂部51的弹性变形时易于变形，能够缓和作用于上述覆盖部521及引出部522的连接部分的应力。
在此，在使用超声波探头2等时，施加于超声波设备22的外力可能会作用于密封板42。这种情况下，如上所述，由于在与密封板42及树脂部51的交界重合的位置形成有缺口523，因此，能够缓和作用于覆盖部521及引出部522的连接部分的应力。从而，在使用时，也能够抑制导电膜52的裂纹产生，能够提高连接可靠性。
并且，缺口523与树脂部51和密封板42的交界重合，使该交界的一部分露出。从而，在树脂部51弹性变形时，能够使树脂部51中的未形成有导电膜52的露出部分易于变形。因而，能够缓和由于弹性变形而作用于导电膜52的应力。
导电膜52具有从树脂部51遍及至密封板42的外周缘524。也就是说，树脂部51相比外周缘524位于外侧，具有从导电膜52露出的X侧端部514。该X侧端部514相比被覆盖部521覆盖的中央部515更容易弹性变形。缺口523在接近易于弹性变形的X侧端部514的位置即X方向上的导电膜52的外周缘524，以从外侧朝向内侧的方式形成凹状(参照图7)。因此，如上所述，能够抑制树脂部51的变形所导致的上述应力向导电膜52的集中，能够抑制导电膜52的裂纹产生。
并且，导电膜52的X方向上的尺寸小于树脂部51。在这种构成中，树脂部51在宽度方向两侧具有易于变形的X侧端部514。并且，缺口523也形成于宽度方向(X方向)上的两侧外周缘524。通过这种构成，能够使树脂部51在宽度方向的两侧变形。从而，能够使树脂部51的变形量分散，也能够使朝向导电膜52的应力分散。
并且，缺口523的宽度随着沿端部511A远离交点525而增大。具体而言，在本实施方式中，第一缘部521A和端部511A的距离随着远离交点525而增大。通过这种构成，由于缺口523的宽度随着远离交点525而增大，因此，树脂部51变得易于变形。从而，能够随着接近交点525而减小树脂部51的变形量，能够进一步缓和由于树脂部51的弹性变形而作用于导电膜52的应力。
并且，第二缘部522A和端部511A的距离随着远离交点525而增大。从而，即使树脂部51以沿Y方向突出的方式发生弹性变形，也能够抑制引出部522和树脂部51发生干涉，通过该干涉能够抑制应力作用于导电膜52。
并且，缺口523通过在交点525相互交叉的大致直线状的第一缘部521A及第二缘部522A形成。通过这种构成，与缺口523例如为大致矩形状的情况相比较，能够减小交点525侧的宽度(面积)。从而，能够抑制形成较大的缺口所导致的、导电膜52的强度下降、电阻值增大等。
[第二实施方式]
以下，基于附图说明第二实施方式。
在第一实施方式中，缺口523以成为大致三角形状的方式形成于大致直线状的第一缘部521A及第二缘部522A。与此对比，在第二实施方式中，主要在通过呈圆弧状弯曲的第一缘部521A及第二缘部522A形成缺口523这点上，与第一实施方式不同。
此外，在以后的说明中，对于与第一实施方式同样的构成，标注相同符号并省略或简化其说明。
图8为示出第二实施方式的导通部5A的概略构成的立体图。
如图8所示，导通部5A的导电膜52A包括：覆盖部521、引出部522和缺口523A。
在第二实施方式中，缺口523A朝向X方向上的内侧呈凹状弯曲，形成为大致圆弧状。也就是说，覆盖部521侧的第一缘部521A弯曲为大致圆弧状。通过这种构成，与第一缘部521A为大致直线状的情况相比，树脂部51的露出量变大。
并且，覆盖部522侧的第二缘部522A弯曲为大致圆弧状。从而，与第二缘部522A为大致直线状的情况相比，能够使引出部522的第二缘部522A更加远离树脂部51、覆盖部521。
[第二实施方式的作用效果]
在第二实施方式中，除了第一实施方式的同样的作用效果之外，能够得到以下的作用效果。
构成缺口523A的第一缘部521A为圆弧状，不具有应力易于集中的弯曲部，因此，能够抑制应力集中于导电膜52外周的一部分。
并且，缺口523A为朝向交点525的凹状，例如，与各缘部521A、522A形成为大致直线状的情况相比较，能够增大缺口523A的尺寸。从而，通过使树脂部51的露出量增大，使得露出部分易于变形，能够进一步缓和由于树脂部51的弹性变形而作用于导电膜52的应力。并且，通过使得各缘部521A、522A和端部511A的距离进一步远离，能够抑制覆盖部521和引出部522的干涉。
[第三实施方式]
以下，基于附图说明第三实施方式。
在第一实施方式中，缺口523以成为大致三角形状的方式设置。与此对比，在第三实施方式中，主要在缺口以成为大致矩形状的方式设置的点上与第一实施方式不同。
此外，在以后的说明中，对于与第一实施方式同样的构成，标注相同符号并省略或简化其说明。
图9为示出第三实施方式的导通部5B的概略构成的立体图。
如图9所示，导通部5B的导电膜52B包括覆盖部521、引出部522和缺口523B。
在第三实施方式中，缺口523B形成为朝向X方向上的内侧呈凹状且形成为大致矩形状。也就是说，覆盖部521侧第一缘部521A从内表面42A朝向+Z侧沿树脂部51立起，在弯曲部521B中沿树脂部51向X方向弯曲。通过这种构成，与第一缘部521A为大致直线状的情况相比，树脂部51的露出量变大。并且，能够使第一缘部521A进一步远离引出部522。
并且，同样地，引出部522侧的第二缘部522A也从端部511A沿内表面42A且沿Y方向延伸，在弯曲部522B中向X方向弯曲。从而，与第二缘部522A为大致直线状的情况相比，能够使引出部522的第二缘部522A更加远离树脂部51、覆盖部521。
[第三实施方式的作用效果]
在第三实施方式中，除了第一实施方式的同样的作用效果之外，能够得到以下的作用效果。
形成缺口523B的第一缘部521A具有弯曲部521B。因此，在导电膜52中，应力除了交点525以外，也易于作用于弯曲部521B。从而，能够使得作用于导电膜52的应力分散，能够抑制由于应力集中而在导电膜52上产生裂纹。
并且，如上所述，第一缘部521A在树脂部51上具有弯曲部521B。通过这种构成，与第一缘部521A为大致直线状的情况相比，能够增大树脂部51的露出量，能够使得树脂部51的露出部分易于变形。从而，能够缓和树脂部51的弹性变形所导致的朝向导电膜52的应力。并且，通过使得各缘部521A、522A和端部511A的距离进一步远离，能够抑制覆盖部521和引出部522的干涉。
[第四实施方式]
以下，说明第四实施方式。
在上述第一至第三实施方式中，导电膜中形成有使树脂部51的端部511A的一部分露出的缺口。在第四实施方式中，主要在还有第二缺口形成于顶部512周围的点上，与上述第一至第三实施方式不同。
此外，在以后的说明中，对于与第一实施方式同样的构成，标注相同符号并省略或简化其说明。
图10为示出第四实施方式的导通部5C的概略构成的立体图。
导电膜52C包括覆盖部521、引出部522、缺口523和第二缺口(第二个缺口)526。该导电膜52C在与顶部512重合的连接区域Cn，与配线部415接触并电连接。
第二缺口526位于覆盖部521的连接区域Cn周围且在倾斜部513上，朝向连接区域Cn呈凹状形成。在本实施方式中，第二缺口526设置于外周缘524的一部分，从Z方向观察，从覆盖部521的外侧朝向连接区域Cn呈凹状形成。第二缺口526以Y方向的宽度朝向覆盖部521的内侧去变小的方式形成。例如，从Z方向观察，第二缺口526从外周缘朝向连接区域Cn呈大致直线状，通过在连接区域Cn周围交叉的一对缘部形成为大致三角形状。
[第四实施方式的作用效果]
在第四实施方式中，除了第一实施方式的同样的作用效果之外，能够得到以下的作用效果。
第二缺口526位于连接区域Cn的周围。在此，导通部5C在与连接区域Cn重合的位置受到按压力而弹性变形。此时，在与连接区域Cn重合的位置和其周围之间，树脂部51的变形量产生差异。应力由于该变形例之差而作用于导电膜52C，有可能会产生裂纹。与此对比，通过第二缺口526而能够缓和作用于导电膜52C的应力，能够抑制导电膜52C产生裂纹。
树脂部51具有从顶部512朝向密封板42倾斜的倾斜部513，导电膜52C的外周缘524的至少一部分位于倾斜部513上。也就是说，树脂部51的端部511A位于导电膜52C的外周缘524的外侧，相比设置有导电膜52C的部分更易于变形。从而，由于导电膜52C的外周缘524内外的树脂部51的变形量之差，应力易于集中于导电膜52C的外周缘524。并且，由于与上述那样的连接区域Cn重合的位置和其周围之间的变形量之差，应力易于集中于位于倾斜部513上的导电膜52C的外周缘524。
与此对比，第二缺口526朝向内侧呈凹状形成于位于倾斜部513上的外周缘524。因此，能够使设置于树脂部51上的覆盖部521易于变形，能够缓和作用于导电膜52C的应力。
[第四实施方式的变形例]
图11及图12为示出第四实施方式的一变形例涉及的导通部的概略构成的立体图。
在第四实施方式中，从Z方向观察，第二缺口526从外周缘朝向连接区域Cn为大致直线状，通过在连接区域Cn的周围交叉的一对缘部形成为大致三角形状。与此对比，第二缺口的形状不限于上述第四实施方式。
在图11所示的变形例中，第二缺口526A通过朝向连接区域Cn呈凹状弯曲的缘部形成。在这种构成中，与通过直线状的缘部形成的情况相比，能够增大第二缺口526A的面积。从而，通过使树脂部51的露出量增大，使得露出部分易于变形，能够进一步缓和由于树脂部51的弹性变形而作用于导电膜52C的应力。并且，由于第二缺口526A的缘部处于弯曲，不具有应力易于集中的弯曲部，因此，能够抑制应力集中于该导电膜52C的一部分。
并且，在图12所示的变形例中，第二缺口526B形成为朝向连接区域Cn呈凹状且大致矩形状。也就是说，第二缺口526B具有两个弯曲部526B1。在这种第二缺口526B中，与如第四实施方式的第二缺口526那样具有一个弯曲部的构成相比，能够使应力分散于各弯曲部。从而，能够更加可靠地抑制由于应力集中而在导电膜52C上产生裂纹。此外，第二缺口弯曲部的数量不限于一个或者两个，可以为三个以上。
此外，在图10中例示了具备大致三角形状的缺口523的构成，在图11中例示了具备圆弧状的缺口523A的构成，在图12中例示了具备大致矩形状的缺口523B的构成，但不限于上述各个的构成。也就是说，在图10所示的第四实施方式的构成中，也可以是代替三角形状的缺口523而具备其他形状的缺口(圆弧状的缺口523A、矩形状的缺口523B)的构成。图11及图12所示的例示也是同样。
[第五实施方式]
以下，说明第五实施方式。
在第一实施方式中，导通部5包括：具有从顶部512朝向密封板42倾斜的倾斜部513的树脂部51；外周缘524位于倾斜部513上的导电膜52。与此对比，在第五实施方式中，树脂部形成为大致半圆筒形状，导电膜以沿半圆筒的直径方向跨越树脂部的方式形成，在这一点上与第一实施方式不同。
此外，在以后的说明中，对于与第一实施方式同样的构成，标注相同符号并省略或简化其说明。
[超声波设备的构成]
图13为示出第五实施方式的超声波设备的主要部分的概略构成的截面图。并且，图14为示出图13的第五实施方式的超声波设备的主要部分的概略构成的截面图。并且，图15为示意性示出第五实施方式的超声波设备的导通部的立体图。此外，图13为通过图14中的B-B线截取的超声波设备的截面图。
如图13及图14所示，在第五实施方式的超声波设备22A中，导通部6设置于密封板42。该导通部6和元件基板41侧的配线部415抵接并电连接。从而，超声波换能器45的压电元件413的下部电极413A经由配线部415、导通部6、贯通电极421及下部电极配线422等而电连接于电路基板23。
此外，在第五实施方式中，如图14所示，例示了针对一个导通部6设置一个贯通电极421的构成，贯通电极421的数量、配置位置不限于第五实施方式的构成。
导通部6是Y方向为长度方向，在Z方向的俯视下，以与配线部415交叉的方式配置于密封板42的内表面42A。导通部6具备树脂部61、覆盖树脂部61的至少一部分并且与贯通电极421电连接的导电膜62。
如图15所示，树脂部61使用具有弹性的树脂材料形成，Y方向为长度方向，并且，弹性变形前的ZX截面形成为大致半圆即大致半圆筒形状。树脂部61包括与密封板42相接触的底面611、与和配线部415的连接区域重合的顶部612、设置有导电膜62的等厚部613。
等厚部613形成于树脂部61的Y方向(一方向)上的大致整个区域，在弹性变形前，与Y方向的位置无关，ZX面的截面形状大致相同。也就是说，等厚部613沿Y方向，Z方向(密封板42的厚度方向)的尺寸(厚度尺寸)大致不变。导电膜62以跨越该等厚部613的方式设置。
此外，树脂部61的ZX截面不限于大致半圆，也可以形成大致梯形(梯形的角圆化的状态)。
导电膜62具有覆盖部621、引出部622和缺口623，使用与第一实施方式同样的导电性材料，沿X方向(与一方向交叉的交叉方向)以跨越树脂部61的方式设置。并且，导电膜62在Y方向(宽度方向)上的尺寸(宽度尺寸)小于树脂部61。因此，导电膜62在±Y侧具有从树脂部61遍及至密封板42的内表面42A的外周缘624。
覆盖部621设置于树脂部61上至少与配线部415重合的位置。在树脂部61上，导电膜62的Y方向的尺寸大于配线部415。此外，覆盖部621设置于树脂部61上的、厚度尺寸沿Y方向大致不变的等厚部613上。
引出部622从覆盖部621的±X侧的各个端部沿X方向引出。此外，±X侧的引出部622引出至贯通电极421的形成位置，连接于该贯通电极421。
如图15所示，缺口623跨越覆盖部621及引出部622而设置，使树脂部61和密封板42的交界即端部611A的一部分露出。该缺口623沿Y方向从导电膜62的外侧朝向内侧设置于沿X方向设置的导电膜62中的、覆盖部621和引出部622的交界(从Z方向观察与端部611A重合的位置)。并且，缺口623设置于导电膜62的Y方向上两侧。
并且，与第一实施方式的缺口523同样地，缺口623通过覆盖部621侧的第一缘部621A和引出部622侧的第二缘部622A形成为大致三角形状。也就是说，缺口623设置于外周缘624，从导电膜62的厚度方向(例如Z方向)观察为从导电膜62的外侧朝向内侧的凹状，使端部611A的一部分露出。并且，缺口623的宽度随着沿端部611A远离各缘部621A、622A的交点625而增大。也就是说，第一缘部621A及第二缘部622A随着从交点625远离而远离端部611A。从而，随着远离交点625，树脂部61的露出量增大。
这样构成的导通部6压接于配线部415。也就是说，配线部415被按压于与树脂部61的顶部612重合的连接区域Cn。从而，树脂部61和导电膜62弹性变形。此时，导通部6由于弹性力而紧贴于配线部415。这样，由于导通部6的弹性力，能够使配线部415和导通部6紧贴，能够提高连接可靠性。
[第五实施方式的作用效果]
在第五实施方式中，除了与第一实施方式同样的作用效果之外，能够得到以下的作用效果。
覆盖部621设置在大致半圆筒状的树脂部61上。也就是说，如上所述，覆盖部621设置于厚度沿Y方向大致不变的等厚部613。因此，树脂部61在连接区域Cn以在Y方向上大致均等的方式被配线部415按压。因此，如第一实施方式那样，树脂部51具有倾斜部513，与顶部512的厚度最大的情况相比较，能够减小连接区域Cn中的树脂部61的变形量之差，进而能够减小导电膜62的变形量之差。从而，能够缓和由于该变形量之差而在连接区域Cn、其周围作用于导电膜62的应力，能够抑制在导电膜62产生裂纹。并且，由于即使在连接区域Cn周围不设置缺口也能够缓和上述应力，因此能够使导通部6的构成简化。
并且，配线部415及导通部6的导电膜62在Z方向的俯视下相互交叉。并且，Y方向上的导电膜62的尺寸大于配线部415。从而，在超声波设备22A中，在连接配线时，能够容许元件基板41与密封板42之间的位置偏差，能够抑制连接不良的发生。也就是说，在上述俯视下，在配线部415与导通部6不交叉的情况下，由于元件基板41与密封板42之间的位置偏差，连接部分的面积变小，接触电阻有时会增大。并且，由于位置偏差，有时无法适当地进行电连接。与此对比，由于配线部415和导通部6以相互交叉的方式配置，因此能够增大对于位置偏差的容许量。因此，能够容易地进行元件基板41与密封板42的位置匹配，并且能够容易地进行配线连接。并且，能够提高连接可靠性。
[第五实施方式的变形例]
图16及图17为示出第五实施方式的一变形例涉及的导通部的概略构成的立体图。
在第五实施方式中，从Z方向观察，缺口623通过在交点525处交叉的一对缘部621A、622A形成为大致三角形状。与此对比，缺口的形状不限于上述第五实施方式。
在图16所示的变形例中，缺口623A与第二实施方式的缺口523A同样地，朝向Y方向上的内侧呈凹状弯曲，形成为大致圆弧状。
也就是说，覆盖部621侧的第一缘部621A弯曲为大致圆弧状。通过这种构成，与第一缘部621A为大致直线状的情况相比，能够增大树脂部61的露出量，能够使露出部分的变形更为容易。并且，能够抑制应力集中于第一缘部621A的一部分。
并且，引出部622侧的第二缘部622A弯曲为大致圆弧状。从而，与第二缘部622A为大致直线状的情况相比，能够使引出部522的第二缘部622A更加远离树脂部61、覆盖部621。
并且，在图17所示的变形例中，缺口623B与第三实施方式的缺口523B同样地，朝向Y方向上的内侧呈凹状且形成为大致矩形状。
也就是说，覆盖部621侧的第一缘部621A朝向+Z侧沿树脂部61立起，在弯曲部621B中沿Y方向弯曲，呈大致矩形状形成。通过这种构成，与第一缘部621A为大致直线状的情况相比，能够增大树脂部61的露出量，能够使露出部分的变形更为容易。并且，通过形成弯曲部621B，能够使应力分散。
并且，覆盖部622侧的第二缘部622A呈大致矩形状形成。也就是说，第二缘部622A从端部611A沿X方向延伸，在弯曲部622B中沿Y方向弯曲，呈大致矩形状形成。从而，与第二缘部622A为大致直线状的情况相比，能够使引出部622的第二缘部622A更加远离树脂部61、覆盖部621。
此外，在图15至图17的构成中，可以进一步形成第二缺口。也就是说，通过在连接区域Cn的周围形成第二缺口，能够使覆盖部621易于变形，能够进一步缓和作用于覆盖部621的应力。并且，在图15至图17所示的各构成中，作为第二缺口，可以形成图15所示的大致三角形状的缺口、图16所示的圆弧状的缺口、图17所示的大致矩形状的缺口的任一。
[变形例]
此外，本发明不限于上述的各实施方式，能够达成本发明的目的的范围内的通过变形、改进以及适当组合各实施方式等而得到的构成也包含于本发明。
在上述各实施方式中，导电膜的宽度尺寸小于树脂部(芯部)，以覆盖树脂部的一部分的方式而构成，但不限于此。例如，可以为在形成有缺口的位置以外，芯部的整体被导电膜覆盖的构成。更具体而言，在上述实施方式中，可以使导电膜的宽度尺寸比树脂部(芯部)更大。在这种构成中，通过以使芯部的端部的一部分露出的方式形成缺口，能够缓和朝向导电膜的应力。
在上述第一实施方式中，例示了对于X方向为长度方向的树脂部，以在Y方向上跨越的方式设置导电膜的构成，但不限于此。也可以以在X方向上跨越上述树脂部的方式设置导电膜。并且，也可以是，树脂部呈大致半球状形成，以覆盖该树脂部的至少一部分的方式形成导电膜。在这种构成中，可以进一步在树脂部的顶部周围设置第二缺口。
在上述各实施方式中，例示了在导电膜上形成多个同一形状的缺口的构成，但不限于此，可以为形成不同形状的缺口的构成。
并且，在上述各实施方式中，例示了在导电膜上形成四个缺口的构成。例如，在上述第一实施方式中，在导电膜的宽度方向的两侧形成一对缺口，在与宽度方向交叉的方向上的树脂部两侧分别形成一对缺口。但是，不限于此，可以为在导电膜上形成一个以上且三个以下的缺口的构成。也就是说，可以为在上述四个缺口的形成位置的任一处形成缺口的构成。
并且，在上述各实施方式中，例示了缺口从外侧朝向内侧呈凹状形成于导电膜的外周缘的构成，但不限于此。例如，缺口可以相比导电膜的外周缘而形成于内侧。在这种构成中，通过以使树脂部(芯部)的端部的一部分露出的方式形成缺口，如上所述那样能够缓和朝向导电膜的应力。
在上述各实施方式中，例示了形成缺口的第一缘部及第二缘部的形状一致的构成。也就是说，例示了在第一缘部为大致直线状的情况下，第二缘部也为大致直线状，在第一缘部为圆弧状的情况下，第二缘部也为大致圆弧状的构成。但是，不限于此，第一缘部和第二缘部可以为不同的形状。例如，也可以是，第一缘部形成为大致圆弧状，第二缘部形成为大致直线状、大致矩形状。
在上述各实施方式中，例示了通过具有弹性的树脂材料形成的芯部，但不限于此。例如，也可以使用铅、焊料等杨氏模量较小的金属材料形成芯部。在这种构成中，能够根据芯部的变形使得作用于导电膜的应力缓和。
在上述各实施方式中，配线部可以为具有覆盖该配线部的覆盖部的构成。通过使用Au等导电率较高的材料形成该覆盖部，能够使配线部和导通部之间的接触电阻降低。并且，在使用Au形成导通部的导电膜和覆盖部的情况下，通过Au层间的扩散接合，能够提高连接可靠性。
在上述各实施方式中，例示了配线部为矩形状、从元件基板41向密封板42侧突出的构成。但是，配线部不限于上述构成，例如可以为形成在元件基板41上的导电膜等。也就是说，配线部可以为相对于压电元件等功能元件薄、不向密封板42侧突出的构成。
在上述各实施方式中，元件基板41侧的配线部通过金属等导电性材料形成。并且，密封板42的导通部构成为包含树脂部及金属膜并能够弹性变形。但是，并不限于此，例如，导通部也可以仅通过金属等导电性材料形成。导通部在不包含树脂部等弹性材料的情况下，优选的是，具有沿着配线部的表面的外形，以便能够紧贴于配线部。并且，配线部及导通部可以构成为包含树脂部及金属膜并能够弹性变形。
在上述各实施方式中，通过两个超声波换能器45构成作为收发信道的超声波换能器组45A，也可以通过三个以上的超声波换能器45构成超声波换能器组45A。并且，也可以各超声波换能器45的下部电极413A独立，以能够单独驱动各超声波换能器45的方式构成。这种情况下，使各超声波换能器45作为一个收发信道而发挥作用。
在上述各实施方式中，作为一个收发信道的超声波换能器组45A具有呈矩阵状配置于元件基板41的阵列区域Ar1的二维阵列构造，但不限于此。例如，超声波设备可以为收发信道沿一方向配置多个的一维阵列构造。例如，可以通过X方向上配置的多个超声波换能器45构成超声波换能器组45A，该超声波换能器组45A沿Y方向配置多个而构成一维阵列构造的超声波阵列UA。
在上述各实施方式中，作为超声波换能器45例示了具备振动膜412、形成在该振动膜412上的压电元件413的构成，但不限于此。例如，作为超声波换能器45，可以采用具备可挠部、设置于可挠部的第一电极、设置于密封板上的与第一电极相对位置的第二电极的构成。该第一电极及第二电极构成作为振子的静电致动器。通过这种构成，通过驱动该静电致动器而发送超声波，通过检测电极间的静电电容而能够检测出超声波。
在上述各实施方式中，作为电子设备例示了将生物体内的器官作为测定对象的超声波装置，但不限于此。例如，能够将上述实施方式及各变形例的构成适用于以各种构造物为测定对象，进行该构造物的缺陷检测、老化检测的测定器。并且，例如对于以半导体外壳体、晶片等为测定对象、检测该测定对象的缺陷的测定器也是同样。并且，对于具备驱动压电元件而使油墨滴吐出的喷墨头的记录装置也是同样。
在上述各实施方式中，例示了超声波换能器设置于元件基板的构成，但不限于此。例如，在包括半导体IC等电子部件即设置有功能元件的第一基板、与该第一基板之间电连接的第二基板的安装构造体，在壳体内具备上述安装构造体的图像显示装置或图像形成装置中也能够采用上述实施方式及各变形例的构成。也就是说，通过电子部件在第二基板侧连接设置于第一基板并连接于电子部件的配线部和设置于第二基板并连接于配线部的导通部，能够抑制功能元件和导通部干涉，在第一基板和第二基板之间能够适当且容易地进行配线连接。
此外，实施本发明时的具体的构造可以通过在能够达成本发明目的的范围内通过适当组合上述各实施方式及变形例而构成，也可以适当变更为其他构构造等。

Claims (11)

1.一种安装构造体，其特征在于，包括：
第一基板，设置有具有弹性的芯部；
导电膜，从所述芯部上设置至所述第一基板上；以及
第二基板，设置有与所述芯部上的所述导电膜连接的配线部，
所述导电膜具有缺口，该缺口使所述芯部的与所述第一基板相接触的面的端部的一部分露出。
2.根据权利要求1所述的安装构造体，其特征在于，
所述导电膜具有从所述芯部遍及至所述第一基板的外周缘，
所述缺口设置于所述外周缘的与所述端部重合的位置，从所述导电膜的厚度方向观察为从所述导电膜的外侧朝向内侧的凹状。
3.根据权利要求2所述的安装构造体，其特征在于，
所述外周缘具有形成所述缺口的直线状的第一缘部及第二缘部，
所述第一缘部和所述第二缘部在与所述端部重合的位置具有交点，并随着沿所述端部远离所述交点而远离所述端部。
4.根据权利要求2所述的安装构造体，其特征在于，
所述缺口为圆弧状。
5.根据权利要求2所述的安装构造体，其特征在于，
所述外周缘具有形成所述缺口的缘部，
从所述导电膜的厚度方向观察，所述缘部在所述芯部上具有沿所述芯部弯曲的弯曲部。
6.根据权利要求1所述的安装构造体，其特征在于，
所述导电膜具有多个所述缺口。
7.根据权利要求6所述的安装构造体，其特征在于，
从所述第一基板的厚度方向观察，所述导电膜的宽度尺寸比所述芯部小，所述导电膜在所述导电膜的宽度方向的两侧具有从所述芯部遍及至所述第一基板的一对外周缘，
所述缺口设置于所述一对外周缘分别与所述端部重合的位置，并从所述导电膜的厚度方向观察为从所述导电膜的外侧朝向内侧的凹状。
8.根据权利要求1所述的安装构造体，其特征在于，
所述芯部具有所述第一基板的厚度方向上的尺寸沿一方向相同的等厚部，
从所述第一基板的厚度方向观察，所述导电膜沿与所述一方向交叉的交叉方向设置，所述导电膜的一部分设置于所述等厚部。
9.根据权利要求1所述的安装构造体，其特征在于，
所述导电膜在与所述配线部的连接区域周围具有第二缺口。
10.根据权利要求9所述的安装构造体，其特征在于，
所述芯部具有：顶部，位于与所述第一基板相反的一侧，并与所述连接区域重合；以及倾斜部，随着远离所述顶部而朝向所述第一基板倾斜，
所述导电膜具有从所述芯部遍及至所述第一基板的外周缘，所述外周缘的至少一部分位于所述倾斜部上，
所述第二缺口设置于所述外周缘的与所述倾斜部重合的位置，从所述导电膜的厚度方向观察为从所述导电膜的外侧朝向内侧的凹状。
11.一种电子设备，其特征在于，包括：
权利要求1至10中任一项所述的安装构造体；以及
设置于所述第一基板和所述第二基板的一方的功能元件。
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