CN107851580B - 旋转基板激光退火 - Google Patents

Abstract

本公开内容的实施方式涉及基板的热处理。更具体而言，在此所描述的实施方式涉及闪光尖峰退火处理及适合执行这种处理的设备。在一个实施方式中，热处理设备可包括灯辐射源、激光源及设置在灯辐射源与激光源之间的反射板。一或更多个孔可形成于反射板中，且激光源可被定位成与反射板相邻，使得从激光源发射的激光光束传播通过一或更多个孔。在一个实施方式中，反射板可为大体圆形的，且一或更多个孔可近似于反射板的扇形区。

Description

旋转基板激光退火

技术领域

本公开内容的实施方式大致涉及用于热处理基板的设备。更具体而言，在此所描述的实施方式涉及用于旋转基板激光退火的设备。

背景技术

集成电路已经发展成复杂的装置，这些装置在单个芯片上可包括数百万个晶体管、电容器和电阻器。芯片设计的发展持续地要求更快的电路及更大的电路密度，这需要越来越精确的制造处理。常用的一种这样的制造处理是离子注入处理。

尽管经常使用各种其他的集成电路制造处理，但离子注入对于在半导体基板上形成晶体管结构是特别重要的，且离子注入在芯片制造期间可被重复许多次。在离子注入期间，半导体基板被带电离子束轰击，这些带电离子通常称为掺杂剂。离子注入改变了被注入掺杂剂的材料的特性，以达到特定水平的装置性能。

在离子注入期间，注入膜可能形成高水平的内部应力。为了通过修复注入膜的晶体矩阵(crystal matrix)来释放应力，并进一步控制注入膜的所得性质，所述膜通常经受热处理，比如退火。退火通常在快速热处理(rapid thermal processing,RTP)腔室中执行，所述快速热处理腔室使基板经受非常短暂但又高度受控的热循环，以排列注入膜的晶体矩阵内的掺杂剂。然而，如果施加太多的热能，或如果热能施加太长的时间，则注入膜内的掺杂剂原子的移动可能超出所期望的掺杂剂的占用区域。

随着装置变得更小，目标掺杂剂区域也变得更小，使得排列晶体矩阵中的掺杂剂同时防止不期望的超出目标区域的扩散的工作变得更为困难。利用兆瓦激光器的纳秒退火在某些情况中可能是合适的，但这样的工具通常非常庞大，且对于经济地实施而言太过昂贵。

图1绘示现有技术RTP腔室的简化等角视图。处理腔室100包括非接触的或磁悬浮的基板支座104、腔室主体102，腔室主体102具有限定内部容积120的壁108、底部110及顶部112。壁108通常包括至少一个基板出入口148，以促成基板140(基板140的一部分示于图1中)的进入及离开。出入口可耦接到移送腔室(未示出)或装载锁定腔室(未示出)，且所述出入口可选择性地用阀密封，所述阀比如狭缝阀(未示出)。基板支座104可以是环形的。腔室100包括辐射热源106，辐射热源106设置在基板支座104的内径中。

基板支座104适于在内部容积120内磁性地悬浮及旋转，使得基板支座104能在处理期间旋转并同时垂直上升及下降。由热及多种波长的光能穿透的材料制成的窗口114可用来遮蔽辐射热源106以免受处理环境的影响，同时允许辐射热源106加热基板140。窗口114可包括多个升降销144，这些升降销144通过窗口114的上表面而被耦接。

辐射热源106可为灯组件，所述灯组件由壳体形成，所述壳体包括多个蜂窝管160，这些蜂窝管160耦接到冷却剂源183。壳体可由铜材料或其他合适的材料制成，所述铜材料或其他合适的材料中形成有合适的冷却剂通道，以用于来自冷却剂源183的冷却剂的流动。

腔室100亦可包括一或更多个传感器116，传感器116通常适于检测基板支座104(或基板140)在腔室主体102的内部容积120内的高度。传感器116可耦接至腔室主体102和/或处理腔室100的其他部分，且传感器116适于提供指示基板支座104与腔室主体102的顶部112和/或底部110之间的距离的输出，且亦可检测基板支座104和/或基板140的未对准。

RTP腔室100亦可包括冷却区块180，冷却区块180相邻于、耦接到或形成于顶部112。一般而言，冷却区块180与辐射热源106间隔开或相对。冷却区块180包括一或更多个冷却剂通道184，冷却剂通道184耦接到入口181A及出口181B。冷却区块180可包括反射器，所述反射器耦接到面对基板支座104的冷却区块180的表面。

利用灯热源的RTP腔室100对于一些应用而言可能具有过大的时间常数。在一些情况中，灯热源和围绕灯热源的壳体可能加热或冷却过慢，以致无法在没有显著的掺杂剂扩散的情况下执行有效的退火。

因此，本领域所需要的是用于快速热处理的改进的设备。

发明内容

在一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的设备。所述设备包括腔室，所述腔室限定内部容积，且辐射热源可被设置在内部容积内。可旋转支座可相邻于辐射热源而设置在内部容积内。激光源可相邻于基板支座而设置在内部容积内，且窗口可设置在内部容积内且在辐射热源与激光源之间。

在另一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的设备。所述设备包括腔室，所述腔室限定内部容积，且辐射源可被设置在内部容积内。可旋转基板支座可相邻于辐射源而设置在内部容积内，且激光源可相邻于基板支座而设置在内部容积内。反射板可设置在内部容积内且在激光源与基板支座之间，且反射板可具有形成于其中的一或更多个孔。

在又另一个实施方式中，提供了一种用于处理基板的设备。所述设备包括限定内部容积的腔室，及被设置在内部容积内的灯辐射源。可旋转基板支座可相邻于灯辐射源而设置在内部容积内，且激光源可相邻于基板支座而设置在内部容积内。窗口可设置在内部容积内且在灯辐射源与激光源之间，且圆形反射板可设置在内部容积内且在激光源与窗口之间。圆形反射板可具有形成于其中的一或更多个扇形形状的孔。

附图说明

为了使本公开内容的上述特征能够被详细理解，可通过参考实施方式获得以上简要概述的本公开内容的更特定的描述，一些实施方式绘示于附图中。然而应注意到，附图仅绘示示例性实施方式，且因此不该被认为是对其范围的限制，本公开内容可允许其他等效的实施方式。

图1根据在此描述的实施方式绘示现有技术RTP腔室的简化等角视图。

图2根据在此描述的实施方式绘示激光源的示意图。

图3根据在此描述的实施方式绘示RTP腔室的示意图，所述RTP腔室包括多个辐射模块。

图4A根据在此描述的实施方式绘示具有激光源的RTP腔室的局部截面图。

图4B根据在此描述的实施方式绘示激光源和反射板的局部平面图。

图5A至图5E根据在此描述的多种实施方式绘示多种反射板的示意平面图。

图6A根据在此描述的实施方式绘示分批基板支座的示意截面图。

图6B根据在此描述的实施方式绘示图6A的分批基板支座的示意平面图。

为了促进理解，已尽可能使用相同的标号来表示各图所共有的相同元件。应考虑到，一个实施方式的元件及特征可有益地并入其他实施方式中而无需进一步详述。

具体实施方式

本公开内容的实施方式涉及基板的热处理。更具体而言，在此所描述的实施方式涉及闪光尖峰退火(flash on spike annealing)处理及适合执行这种处理的设备。在一个实施方式中，热处理设备可包括灯辐射源、激光源和设置在灯辐射源与激光源之间的反射板。一或更多个孔可形成于反射板中，且激光源可被定位成与反射板相邻，使得从激光源发射的激光光束传播通过所述一或更多个孔。在一个实施方式中，反射板可为大体圆形的，且一或更多个孔可近似于反射板的扇形区。

图2根据在此描述的实施方式绘示处理腔室100的示意图，处理腔室100增加了额外的辐射模块201。图2中所示的处理腔室100亦可包括基板支座104和移位机构218。基板支座104可包括热源，比如电阻加热器或类似物，以独立于辐射源202而加热基板。辐射模块通常包括辐射源202和聚焦光学元件220，聚焦光学元件220设置在辐射源202与基板支座104之间。

辐射源202可为激光源，所述激光源能够发射连续电磁辐射波或脉冲电磁辐射发射。在某些实施方式中，使用单一辐射源202产生激光光束。在其他实施方式中，使用多个辐射源202产生激光光束。在一个实施方式中，辐射源202包括多个光纤激光器。替代地，辐射源202可为非激光辐射源，比如闪光灯、卤素灯、发光二极管源或类似物。例如，非激光低入射通量源可为辐射源202的合适实例。通常，辐射源202被用来在退火或表面改性处理期间加热基板。更具体而言，辐射源202被用来在整个基板厚度的各处更深入地引致基板表面中的温度增加。在基板暴露于辐射源202之后，基板可通过基板的块体横向地传导冷却。替代地或结合地，具有低热导率，比如小于约3W/m/L，的基板可适合用于表面热处理。然而应考虑到，可利用处理技术和温度的任何组合而以各种不同的方式处理基板。

从辐射源202发射的辐射可在基板140的表面处或附近吸收。因此，可从辐射源202发射波长在基板140吸收辐射的范围内的辐射。通常，对于含硅的基板而言，辐射波长可在约190nm与约950nm之间，例如约810nm。替代地，高功率UV激光器可被用作为辐射源202。

辐射源202可能够持续地发射辐射达大于约1秒的时间量，比如大于约10秒，例如大于约15秒。替代地，辐射源202可能够发射辐射脉冲达大于约1秒的时间量，比如大于约10秒，例如大于约15秒。辐射源202可包括多个激光二极管，每个激光二极管产生大体相同波长的均匀的空间相干光。激光二极管的功率可在约0.5kW与约50kW之间的范围内，例如约5kW。

聚焦光学元件220可包括一或更多个准直器206，以使来自辐射源202的辐射204准直为大体平行的光束。准直辐射208接着可由至少一个透镜210在基板140的上表面222处聚焦成线辐射212。在此所使用的术语“线辐射”是意图表示在基板140的上表面222处的辐射212的空间分布。应考虑到，辐射212的空间分布的形状可类似线或带状物、扇形、斑点或多个斑点及类似物。通常，基板140可为圆形基板，所述圆形基板具有约200mm、约300mm或约450mm的直径。线辐射212可以介于约3μm与约500μm之间的宽度228延伸横跨基板140。线辐射212的长度在一个实施方式中可近似于基板140的半径，并在另一个实施方式中近似于基板140的直径。例如，对于300mm直径的基板而言，线辐射212的长度可约为150mm。替代地，对于300mm直径的基板而言，线辐射212的长度可约为300mm。

通常，线辐射212的长度可大于宽度228。在一个实施方式中，线辐射212可线性地横过基板140，使得线辐射212大体垂直于基板140的移动方向，即，线辐射212保持平行于基板140的固定线或弦，所述固定线或弦垂直于基板移动的方向。

在一个实施方式中，线辐射212的形状可类似“圆饼切片(pie slice)”。例如，线辐射212可近似于基板140的扇形区，所述扇形区从圆形基板140的原点延伸至基板140的周边处的弧，所述弧由扇形测量角度限定。在一个实施方式中，扇形测量角度可介于约0.005°与约140°之间，例如约0.01°与约20°之间。在另一个实施方式中，线辐射212的形状可类似圆饼切片，所述圆饼切片近似于基板140的直径。在另一个实施方式中，线辐射212可为高斯(Gaussian)激光斑点。在这个实施方式中，可以带状物(线)形状或以圆饼切片形状产生(即通过多个诸如光纤激光器之类的辐射源)一或更多个高斯激光斑点。

透镜210可为任何合适的透镜或一系列的透镜，透镜210适合用于形成期望形状的线辐射212。在一个实施方式中，透镜210可为圆柱形透镜。替代地，透镜210可为一或更多个凹透镜、凸透镜、平面镜、凹面镜、凸面镜、折射透镜、衍射透镜、菲涅耳透镜(Frensellens)、梯度折射率透镜(gradient index lens)或类似物。通常，透镜210可被配置成影响线辐射212从基板140的原点到基板140的周边的径向或直径功率分布。

线辐射212的功率分布可在约10kW/cm²与约200kW/cm²之间。对于近似基板140的半径的线辐射212而言，线辐射212的功率分布在基板140的原点处或附近可为约0kW/cm²。线辐射212的功率分布可从基板140的原点到周边或边缘增加。在某些实施方式中，功率分布可从原点到边缘线性地或指数地增加。替代地，沿着线辐射212的均等功率分布可为大体恒定的。在这个实施方式中，辐射212对基板的曝光可由位于基板140的上表面222处的辐射212的形状或空间分布调制。应考虑到，基板140可被辐射热源106加热到高达约1000℃的温度，且辐射模块201可被配置成将基板140加热额外的20℃至约250℃。辐射模块加热的升温速率(ramp-up rate)及降温速率(ramp-down rate)可超过约4,000,000℃/秒。

参照表1和表2提供了不同处理条件的实例。表1绘示300mm直径基板的不同处理条件，表2绘示200mm和450mm直径基板两者的不同处理条件。

表1–单一基板

表2–多基板转盘

定子组件118可被配置为在腔室100内旋转基板140。定子组件118通常旋转基板支座104以给设置于基板支座104上的基板140施加旋转速率。在某些实施方式中，定子组件118可被配置为以在约每分钟10转与约每分钟500转之间旋转基板140，比如在约每分钟200转与约每分钟300转之间，例如在约每分钟230转与约每分钟250转之间。

在一个实施方式中，移位机构218，比如步进马达，可耦接到辐射模块201。在这个实施方式中，移位机构218可被配置成相对于基板140的上表面222而移动辐射模块201，或辐射模块201的各种部件。例如，移位机构218可使线辐射212从基板140的中心朝向基板140的边缘移动。或者，移位机构218可使线辐射212从基板140的边缘朝向基板140的中心移动。在一个实施方式中，移位机构218可被配置以光栅扫描(raster)线辐射212。在这个实施方式中，光栅扫描周期可在大于约1Hz下进行，比如大于约1kHz。此外，移位机构218和定子组件118可彼此电气通信，且移位机构218和/或定子组件118的任一者所进行的动作可由控制器124控制。

图3根据在此描述的实施方式绘示RTP腔室300的示意图，RTP腔室300包括至少两个辐射模块。腔室300可为包括辐射模块201和反射板302的腔室100，反射板302设置在基板支座104与辐射模块201之间。通常，辐射热源106(未示出)被配置为将基板140加热至目标温度，比如大于约800℃，例如约1000℃，并然后利用辐射模块201在加热的基板上进行闪光退火。在一个实施方式中，辐射模块201是激光源。

据知，加热的基板140的热导率是相对低的(例如，当与室温基板相比较时)。由此，闪光退火辐射进入基板140表面的穿透度是浅的，且因为通过传导至基板其余部分的冷却而快速地耗散。通常，在高温(即，约1000℃或更高)下实现热扩散的减少，此举可使得能够利用较低功率的辐射源来执行闪光退火。

图4A根据在此描述的实施方式绘示具有辐射模块201的RTP腔室300的局部截面图。腔室300包括辐射热源106，辐射热源106耦接至窗口114。基板140由环形环111支撑，环形环111设置在环形延伸部115上。基板可定位在内部容积120中且在窗口114与反射板302之间。当基板140为了处理而被定位时，反射板302可被设置在离基板140约1mm与约10mm之间的距离处，例如约3mm与约5mm之间。通常包括环形延伸部115和环形环111的基板支座104连接到定子组件118，且所述基板支座104可被配置为绕着旋转轴而旋转，通常是绕着圆形基板的中心或原点旋转。

腔室300还包括一或更多个温度传感器117，比如高温计，温度传感器117耦接到一或更多个光传输元件。光传输元件402，比如光管或类似物，可光学耦合到反射板302，或可实体地延伸通过反射板302。由温度传感器117感测到的电磁辐射可转换成温度测量值，且可与控制器124通信的控制器404可被配置为提供实时温度反馈。在热处理期间可用温度反馈来校正温度不均匀性。

反射板302可耦接至腔室顶部112或其他腔室部件，且反射板材302的形状和尺寸可近似于基板140的形状和尺寸。例如，反射板材302可为大体圆形的形状，所述大体圆形的形状具有与基板140同样的直径。然而应考虑到，反射板302的尺寸和形状可与基板140的尺寸和形状不同，这取决于某些快速热处理变量。反射板可由适合经受快速热退火处理中常见的温度的材料形成。例如，反射板可为石英材料或其他类似的材料。反射板302亦可具有嵌入式过滤元件，或可具有涂覆在反射板302的表面上的过滤层，以改善温度传感器117的温度测量。

反射板302亦可具有形成于其中的孔401。孔401可为各种形状，这取决于所需的实施方式，且亦可由反射板302形成或限定多个孔。在绘示的实施方式中，孔401可从反射板302的中心406附近径向向外延伸。所绘示的实施方式描绘孔401并未延伸到反射板302的周边边缘，相反，孔401被反射板302完全封闭且限定。

图4A的辐射模块201与孔401对齐而被耦接到反射板302。在描绘辐射模块201和反射板302的示意局部平面图的图4B中所绘示的另一个实施方式中，孔401可从反射板的中心406沿着反射板302的大体整个半径延伸到反射板的边缘。在这个实施方式中，反射板302的周边可为非连续的，因为孔401可表示扇形区。

图5A至图5E根据在此描述的多种实施方式绘示多种反射板的示意平面图。通常在下方所描述的反射板可用于快速热处理系统中，所述快速热处理系统使用辐射热源和激光源，且所述快速热处理系统具有基板旋转能力。反射板孔可被配置为补偿通过孔而暴露于基板的激光辐射的停滞时间(dwell time)及功率。在某些实施方式中，从中心至边缘的渐进孔宽度可被用来补偿辐射停滞时间或滞留时间(residency time)。在孔近似于扇形区的实施方式中，扇形区的角度量度可在约0.01°与约20°之间。通常，从中心到边缘的激光辐射的功率密度可为恒定的、线性增加的或指数增加的或是上述项的组合。

图5A绘示具有主体502的反射板302，主体502限定孔401。在这个实施方式中，孔401近似于扇形区，然而，所述扇形区的原点偏离反射板302的中心406。应考率到，对于旋转的基板而言，来自辐射模块201的激光辐射在基板的中心处的停滞时间是无限高的。为了考虑到过度加热基板中心的潜在问题，孔401可偏离反射板302的中心406。相信基板的中心可通过横向热扩散而接收足够的激光辐射曝光，将孔呈现为所延伸的距离稍微小于反射板302的半径，使得基板的中心避免直接暴露于激光辐射。此外，通过孔401的沿着基板的半径的激光功率密度可在到达基板之前由激光功率、孔形状和/或用来改变激光辐射的光学元件调制，以产生从基板中心到边缘的均匀退火分布。

图5B绘示具有主体504的反射板302，主体504限定开口401。在这个实施方式中，孔401近似于扇形区，所述扇形区类似于参考图5A所描述的偏离中心的孔401，但孔401围绕反射板302的中心406延伸，以形成相邻于孔401的大体圆形的孔506。在这个实施方式中，沿着基板从中央到边缘的激光辐射的功率密度可被调制，使得相较于沿着半径朝向反射板302的边缘的其他区域，通过圆形孔506而暴露的基板的中心区域接收了连续、但较小密度的曝光。在这个实施方式中，功率密度可具有轮廓(contoured)，以从基板的中心至基板的周边增加。

图5C绘示具有主体508的反射板302，主体508限定孔401。在这个实施方式中，孔401是大体带状或矩形形状的。孔401可从反射板302的中心延伸到反射板的周边。在这个实施方式中，激光辐射的功率密度可为有轮廓的功率密度，所述有轮廓的功率密度从基板的中心到基板的边缘大体线性地增加。在这里，功率轮廓可考虑到接近中心和边缘的基板区域之间的停滞时间差异，而非使用孔的曝光区域来补偿停滞时间差异。

图5D绘示具有主体510的反射板302，主体510限定孔401。主体510可为单一的盘状(discoid)结构，或可为两个独立的板，所述两个独立的板在两个板限定的周边上的一个点处接合。在另一个实施方式中，主体510可为两个半圆形的板，所述两个半圆形的板限定孔401，所述孔401可沿着反射板的直径延伸。在这个实施方式中，假设横越基板的半径或直径的激光辐射有恒定的功率密度，则在基板旋转期间，停滞时间的最大值和最小值将相隔约180°。替代地，功率密度可有轮廓，以从基板的中心到基板的边缘增加，因为基板的中心可能经历激光辐射的恒定曝光。

图5E绘示具有主体512的反射板302，主体512限定孔401。在这个实施方式中，孔401是双孔。近似于扇形区的第一孔可从反射板302的中心延伸，且近似于扇形区的第二孔可与第一孔相对而从反射板302的中心延伸。主体512可为单一盘状结构。替代地，两个板状结构可在反射板302的中心406处接合，所述两个板状结构具有被配置为限定孔401的尺寸。鉴于孔401从反射板的中心406到周边是逐渐增大的，传播通过孔的激光辐射的功率密度从中心到边缘可为大体固定的。

在上述的实施方式中，基板的区域经过基板的一个完整旋转将接受两次的激光辐射曝光。因此，每个基板旋转可达成多个闪光退火。此外，应考虑到，三个孔、四个孔或五个或更多个孔可被用来增加单个基板旋转期间辐射曝光的频率。相信在闪光尖峰快速热处理期间增加闪光退火的频率可有利于均匀的目的且不造成基板变形，这是此种体系中的低热扩散、浅穿透及快速辐射耗散的结果。

图6A根据在此描述的实施方式绘示分批基板支座600的示意截面图。分批基板支座600可包括环形环111，所述环形环111适于在旋转快速热处理期间承载两个或更多个基板140。分批基板支座600可于在此描述的腔室100、300中使用，以同时热处理多个基板140。基板140可为200mm基板、300mm基板或更小的基板，比如4英寸基板。

图6B根据在此描述的实施方式绘示图6A的分批基板支座600的示意平面图。如所绘示地，环形环111被配置为支撑多个基板140。基板在处理腔室(比如腔室300)中可暴露于激光辐射，且反射板302可被配置为具有一或更多个孔401，以在闪光退火处理期间改善辐射曝光的均匀性。

概括而言，在此描述的实施方式涉及用于闪光尖峰退火处理的设备。激光辐射功率和停滞时间变量可由反射板调制，所述反射板具有多种孔设计，这些孔设计被配置为补偿中心到边缘的暴露停滞时间差异，所述停滞时间差异在退火期间可能造成不均匀的加热分布。此外，利用使用具有一或更多个孔的反射板的激光加热和辐射加热的组合可提供改善的闪光退火处理，所述改善的闪光退火处理具有改善的热耗散时间和增加的温度。在此描述的实施方式亦可在其中在两个或更多个处理操作之间具有温度差异的基板处理操作中使用。例如，沉积处理、沉积和加工(即，掺杂)处理、及沉积和回蚀刻(etch-back)处理在每个处理操作期间可能发现根据在此描述的实施方式的调制基板温度的用处。因此，在此描述的实施方式被考虑到在闪光尖峰退火处理及退火应用之外的其他基板处理操作中提供用处。

虽然前述内容是针对本公开内容的实施方式，但可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设计本公开内容的其他及进一步的实施方式，且本公开内容的范围由随后的权利要求来确定。

Claims (19)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

腔室，所述腔室限定内部容积；

辐射热源，所述辐射热源设置在所述内部容积内；

可旋转基板支座，所述可旋转基板 支座相邻于所述辐射热源而设置于所述内部容积内；

激光源，所述激光源相邻于所述可旋转基板支座而设置于所述内部容积内；

圆形反射板，所述圆形反射板设置在所述内部容积内且在所述激光源与所述可旋转基板支座之间，其中所述反射板具有形成于其中的一或更多个扇形形状的孔，所述孔从所述圆形反射板的中心延伸到外周边；及

窗口，所述窗口设置在所述内部容积内且在所述辐射热源与所述激光源之间。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述激光源包括以下之一或更多：连续波激光源、脉冲激光源、光纤激光源及其上述项的组合，且其中所述激光源耦接到移位机构。

3.如权利要求1所述的设备，其中从所述激光源发射的辐射近似于在所述腔室中被处理的基板的半径。

4.如权利要求1所述的设备，其中从所述激光源发射的辐射近似于基板的扇形区。

5.如权利要求1所述的设备，其中从所述激光源发射的辐射具有有轮廓的功率密度，所述有轮廓的功率密度从基板的中心区域到所述基板的周边而增加。

6.如权利要求4所述的设备，其中从所述激光源发射的所述辐射具有有轮廓的功率密度，所述有轮廓的功率密度从所述扇形区的原点到所述扇形区所限定的弧而增加。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述激光源包括以下之一或更多：连续波激光源、脉冲激光源、光纤激光源及其上述项的组合。

8.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

腔室，所述腔室限定内部容积；

辐射热源，所述辐射热源设置在所述内部容积内；

可旋转基板支座，所述可旋转基板支座相邻于所述辐射热源而设置于所述内部容积内；

激光源，所述激光源相邻于所述可旋转基板支座而设置于所述内部容积内；及

反射板，所述反射板设置在所述内部容积内且在所述激光源与所述可旋转基板支座之间，其中所述反射板具有形成于所述反射板中的一或更多个扇形形状的孔，并且所述孔偏离所述反射板的中心，使得所述孔延伸的距离小于所述反射板的半径。

9.如权利要求8所述的设备，其中所述反射板是大体圆形的。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述扇形区的角度量度是介于0.01°与20°之间。

11.如权利要求8所述的设备，其中所述激光源被定位成与所述一或更多个孔相邻，使得从所述激光源发射的光束传播通过所述一或更多个孔。

12.如权利要求11所述的设备，其中从所述激光源发射的所述激光光束近似于所述反射板的半径。

13.如权利要求11所述的设备，其中所述激光光束具有有轮廓的功率密度，所述有轮廓的功率密度从所述反射板的中心区域到所述反射板的周边而增加。

14.如权利要求8所述的设备，其中所述反射板由对于从所述激光源发射的辐射的波长不透明的材料形成。

15.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：

腔室，所述腔室限定内部容积；

灯辐射源，所述灯辐射源设置在所述内部容积内；

可旋转基板支座，所述可旋转基板支座相邻于所述灯辐射源而设置于所述内部容积内，所述可旋转基板支座被设定尺寸以支撑多个基板；

激光源，所述激光源相邻于所述可旋转基板支座而设置于所述内部容积内；

窗口，所述窗口设置在所述内部容积内且在所述灯辐射源与所述激光源之间；及

圆形反射板，所述圆形反射板设置在所述内部容积内且在所述激光源与所述窗口之间，其中所述圆形反射板具有形成于其中的一或更多个扇形形状的孔，所述孔从所述圆形反射板的中心延伸到外周边。

16.如权利要求15所述的设备，其中所述扇形形状的孔的角度量度是介于0.01°与20°之间。

17.如权利要求15所述的设备，其中所述激光源包括以下之一或更多：连续波激光源、脉冲激光源、光纤激光源及其上述项的组合。

18.如权利要求15所述的设备，其中所述激光源被定位成与所述一或更多个扇形形状的孔相邻，使得从所述激光源发射的光束传播通过所述一或更多个扇形形状的孔。

19.如权利要求18所述的设备，其中从所述激光源发射的所述光束近似于所述一或更多个扇形形状的孔。

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