JPH0799167A - 基板光照射処理装置 - Google Patents
基板光照射処理装置Info
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- JPH0799167A JPH0799167A JP26585193A JP26585193A JPH0799167A JP H0799167 A JPH0799167 A JP H0799167A JP 26585193 A JP26585193 A JP 26585193A JP 26585193 A JP26585193 A JP 26585193A JP H0799167 A JPH0799167 A JP H0799167A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加熱プレートの均熱性を損なわずに基板が必
要以上に高温で加熱されることを回避する。 【構成】 処理室９内に、板状ヒータ１０を備えるとと
もに上端面が基板Ｗの面積と同等またはそれ以上の加熱
面Ｈを有する加熱プレート１２と、基板Ｗの上方から加
熱する紫外線ランプ１６とを内設し、かつ、加熱プレー
ト１２の加熱面Ｈを囲む環状の冷却面Ｃを有する水冷ジ
ャケット２０を設ける。
要以上に高温で加熱されることを回避する。 【構成】 処理室９内に、板状ヒータ１０を備えるとと
もに上端面が基板Ｗの面積と同等またはそれ以上の加熱
面Ｈを有する加熱プレート１２と、基板Ｗの上方から加
熱する紫外線ランプ１６とを内設し、かつ、加熱プレー
ト１２の加熱面Ｈを囲む環状の冷却面Ｃを有する水冷ジ
ャケット２０を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ、フォト
マスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、
光ディスク用の基板等の基板を、加熱手段を有する加熱
プレートに支持することで所要温度にした状態で、基板
の上方に配備した光照射手段で、基板に所要の光照射処
理を施すようにした基板光照射処理装置に関し、とく
に、光照射手段が不可避的に発熱を伴う基板光照射処理
装置に関する。
マスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、
光ディスク用の基板等の基板を、加熱手段を有する加熱
プレートに支持することで所要温度にした状態で、基板
の上方に配備した光照射手段で、基板に所要の光照射処
理を施すようにした基板光照射処理装置に関し、とく
に、光照射手段が不可避的に発熱を伴う基板光照射処理
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の基板光照射処理装置としては、
例えば、特開昭６２−２１５２６５号公報のように、光
照射手段として基板の上方に高圧水銀灯からなる紫外線
ランプを備え、フォトレジストが塗布された基板を加熱
プレートで所要温度まで加熱した状態で、紫外線を照射
することで、フォトレジスト膜を強化するものが知られ
ている。
例えば、特開昭６２−２１５２６５号公報のように、光
照射手段として基板の上方に高圧水銀灯からなる紫外線
ランプを備え、フォトレジストが塗布された基板を加熱
プレートで所要温度まで加熱した状態で、紫外線を照射
することで、フォトレジスト膜を強化するものが知られ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな基板光照射処理装置では、紫外線ランプ等の光照射
手段から熱線が発生することを避けることができず、基
板と、基板の周囲を加熱する。このような望ましくない
現象は、熱線を生じずに所要の光線だけを発する光源を
入手することが現実的には無理なことに原因し、さら
に、光照射手段からの光を、基板と全く同じ大きさの照
射エリアに絞り込むことが容易でないため、基板より大
きめの範囲を照射エリアとして、光照射することに一因
する。
うな基板光照射処理装置では、紫外線ランプ等の光照射
手段から熱線が発生することを避けることができず、基
板と、基板の周囲を加熱する。このような望ましくない
現象は、熱線を生じずに所要の光線だけを発する光源を
入手することが現実的には無理なことに原因し、さら
に、光照射手段からの光を、基板と全く同じ大きさの照
射エリアに絞り込むことが容易でないため、基板より大
きめの範囲を照射エリアとして、光照射することに一因
する。
【０００４】このように、基板と、基板の周囲を加熱す
る望ましくない現象のうち、基板が加熱されるのは、そ
の分を見込んで加熱プレートを加熱制御する等の対処で
解消できるのは、特段支障を来すものではないが、しか
し、基板の周囲を加熱する現象は、次のように、処理の
均一性に支障を来す。すなわち、基板の外周近傍部が熱
くなると、そこからの熱を加熱プレートは受けて温度分
布が不均一となり、処理の面内均一性が損なわれるとの
問題がある。
る望ましくない現象のうち、基板が加熱されるのは、そ
の分を見込んで加熱プレートを加熱制御する等の対処で
解消できるのは、特段支障を来すものではないが、しか
し、基板の周囲を加熱する現象は、次のように、処理の
均一性に支障を来す。すなわち、基板の外周近傍部が熱
くなると、そこからの熱を加熱プレートは受けて温度分
布が不均一となり、処理の面内均一性が損なわれるとの
問題がある。
【０００５】また、複数枚の基板を連続して光照射処理
する場合、加熱プレートの上面の基板の下となる部位
は、処理される各々の基板が光照射手段からの加熱を受
けとめるが、基板の周囲は、毎度の処理ごとに光照射手
段からの加熱を受けて蓄熱するので、処理枚数の増加に
応じて熱くなり、前述したような温度分布の不均一さは
基板ごとに激しくなり、基板ごとに熱履歴が異なる。
する場合、加熱プレートの上面の基板の下となる部位
は、処理される各々の基板が光照射手段からの加熱を受
けとめるが、基板の周囲は、毎度の処理ごとに光照射手
段からの加熱を受けて蓄熱するので、処理枚数の増加に
応じて熱くなり、前述したような温度分布の不均一さは
基板ごとに激しくなり、基板ごとに熱履歴が異なる。
【０００６】とくに、基板の周囲の温度が、処理に必要
な温度に加熱されている加熱プレートの温度を越えてま
で熱くなると、基板は基板周囲からも加熱され、基板の
縁に近い部位では過剰に加熱されるまでの状態となり、
処理の面内均一性も、基板相互間での均一性も、極端に
阻害される。
な温度に加熱されている加熱プレートの温度を越えてま
で熱くなると、基板は基板周囲からも加熱され、基板の
縁に近い部位では過剰に加熱されるまでの状態となり、
処理の面内均一性も、基板相互間での均一性も、極端に
阻害される。
【０００７】なお、これらの問題を解決するために、例
えば、前記特開昭６２−２１５２６５号公報のように、
加熱プレートの内部に冷却手段を内蔵することも本件発
明者らは検討したが、このような技法では、基板を所要
の温度に加熱維持することを妨げずに、光照射手段から
熱線で基板の周囲が加熱されることだけを解消するのは
難しく、処理均一性を高めることは困難であった。
えば、前記特開昭６２−２１５２６５号公報のように、
加熱プレートの内部に冷却手段を内蔵することも本件発
明者らは検討したが、このような技法では、基板を所要
の温度に加熱維持することを妨げずに、光照射手段から
熱線で基板の周囲が加熱されることだけを解消するのは
難しく、処理均一性を高めることは困難であった。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、加熱プレートにより基板を所要の温度に
加熱維持することを妨げずに、基板周囲が光照射手段で
加熱されることを解消することで、連続して光照射処理
される基板相互間の処理の均一性、および、個々の基板
における処理の面内均一性を高めることを目的とする。
たものであり、加熱プレートにより基板を所要の温度に
加熱維持することを妨げずに、基板周囲が光照射手段で
加熱されることを解消することで、連続して光照射処理
される基板相互間の処理の均一性、および、個々の基板
における処理の面内均一性を高めることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述のような
目的を達成するために、加熱手段を有し、上端面が基板
を支持して加熱する加熱面をなす加熱プレートと、基板
の上方に配置された光照射手段を備え、基板を加熱プレ
ートで所要温度にした状態で、光照射手段からの光を基
板に照射するようにした基板光照射処理装置において、
加熱プレートの加熱面を囲む環状の冷却面を有する冷却
手段を、加熱プレートとの間を離して設けて構成する。
目的を達成するために、加熱手段を有し、上端面が基板
を支持して加熱する加熱面をなす加熱プレートと、基板
の上方に配置された光照射手段を備え、基板を加熱プレ
ートで所要温度にした状態で、光照射手段からの光を基
板に照射するようにした基板光照射処理装置において、
加熱プレートの加熱面を囲む環状の冷却面を有する冷却
手段を、加熱プレートとの間を離して設けて構成する。
【００１０】
【作用】本発明の基板光照射処理装置の構成によれば、
加熱プレートによる基板の加熱に際して、光照射手段か
ら発生する不要な熱線による熱を基板の周囲に設けられ
た冷却手段の環状の冷却面で吸収する。これによって、
基板の周囲が光照射手段から受けた熱線で加熱されて加
熱プレートの温度分布が不均一となることが解消され
る。このため、加熱プレートの温度を均一な温度分布
で、所望の温度に保つことができる。
加熱プレートによる基板の加熱に際して、光照射手段か
ら発生する不要な熱線による熱を基板の周囲に設けられ
た冷却手段の環状の冷却面で吸収する。これによって、
基板の周囲が光照射手段から受けた熱線で加熱されて加
熱プレートの温度分布が不均一となることが解消され
る。このため、加熱プレートの温度を均一な温度分布
で、所望の温度に保つことができる。
【００１１】また、複数枚の基板を連続処理しても、基
板の周囲は冷却手段で冷却されているので、基板の周囲
にて光照射手段からの熱線による熱が蓄熱することはな
く、最初に処理した基板と途中の基板とで同じ状態で加
熱できる。このため、基板相互間での熱履歴が一定し、
基板相互間での処理の均一性も高い。
板の周囲は冷却手段で冷却されているので、基板の周囲
にて光照射手段からの熱線による熱が蓄熱することはな
く、最初に処理した基板と途中の基板とで同じ状態で加
熱できる。このため、基板相互間での熱履歴が一定し、
基板相互間での処理の均一性も高い。
【００１２】さらに、冷却手段を加熱プレートとの間を
離して設けたので、冷却手段が加熱プレートから熱伝導
で熱を奪うことがないから、基板の周囲を冷却するにも
かかわらず、加熱プレートの温度分布の均熱性を損なわ
ずに基板を加熱することができる。
離して設けたので、冷却手段が加熱プレートから熱伝導
で熱を奪うことがないから、基板の周囲を冷却するにも
かかわらず、加熱プレートの温度分布の均熱性を損なわ
ずに基板を加熱することができる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１４】図１は、本発明に係る基板光照射処理装置
の第１実施例を示す全体縦断面図であり、ハウジング１
内の下方に基板冷却装置２が設けられ、その上方に基板
光照射処理装置３が設けられている。
の第１実施例を示す全体縦断面図であり、ハウジング１
内の下方に基板冷却装置２が設けられ、その上方に基板
光照射処理装置３が設けられている。
【００１５】基板冷却装置２は、処理室４内に冷却プレ
ート５を設けるとともに、その冷却プレート５に形成し
た貫通孔６を通じて基板支持ピン７を昇降可能に設けて
構成され、基板支持ピン７を上昇させた状態で基板搬送
ロボット（図示せず）により基板Ｗの搬入・搬出を行
い、そして、基板支持ピン７を下降させることにより、
基板Ｗを冷却プレート５上に載置して支持できるように
なっている。図示しないが、基板支持ピン７…を一体的
に保持した支持部材８にエアシリンダが連動連結され、
そのエアシリンダの伸縮によって基板支持ピン７…を昇
降するように構成されている。
ート５を設けるとともに、その冷却プレート５に形成し
た貫通孔６を通じて基板支持ピン７を昇降可能に設けて
構成され、基板支持ピン７を上昇させた状態で基板搬送
ロボット（図示せず）により基板Ｗの搬入・搬出を行
い、そして、基板支持ピン７を下降させることにより、
基板Ｗを冷却プレート５上に載置して支持できるように
なっている。図示しないが、基板支持ピン７…を一体的
に保持した支持部材８にエアシリンダが連動連結され、
そのエアシリンダの伸縮によって基板支持ピン７…を昇
降するように構成されている。
【００１６】基板光照射処理装置３は、処理室９内に、
板状ヒータ１０などの加熱手段をアルミ製の伝熱プレー
ト１１ａと断熱プレート１１ｂとで挟んだ加熱プレート
１２を設けて構成されるとともに、基板冷却装置２にお
けると同様に、加熱プレート１２に形成した貫通孔１３
を通じて基板支持ピン１４を昇降可能に設けて構成さ
れ、基板支持ピン１４を上昇させた状態で基板搬送ロボ
ット（図示せず）により基板Ｗの搬入・搬出を行い、そ
して、基板支持ピン１４を下降させることにより、搬入
した基板Ｗを加熱プレート１２上に載置して支持し、高
温（例えば、 300℃〜350 ℃）で加熱処理するようにな
っている。図示しないが、基板支持ピン１４…を一体的
に保持した支持部材１５にエアシリンダが連動連結さ
れ、そのエアシリンダの伸縮によって基板支持ピン１４
…を昇降するように構成されている。
板状ヒータ１０などの加熱手段をアルミ製の伝熱プレー
ト１１ａと断熱プレート１１ｂとで挟んだ加熱プレート
１２を設けて構成されるとともに、基板冷却装置２にお
けると同様に、加熱プレート１２に形成した貫通孔１３
を通じて基板支持ピン１４を昇降可能に設けて構成さ
れ、基板支持ピン１４を上昇させた状態で基板搬送ロボ
ット（図示せず）により基板Ｗの搬入・搬出を行い、そ
して、基板支持ピン１４を下降させることにより、搬入
した基板Ｗを加熱プレート１２上に載置して支持し、高
温（例えば、 300℃〜350 ℃）で加熱処理するようにな
っている。図示しないが、基板支持ピン１４…を一体的
に保持した支持部材１５にエアシリンダが連動連結さ
れ、そのエアシリンダの伸縮によって基板支持ピン１４
…を昇降するように構成されている。
【００１７】また、加熱プレート１２の上方に、熱源と
もなる紫外線ランプ１６とレンズ１７とシャッター１８
とが設けられ、加熱プレート１２によって基板Ｗを所要
温度に加熱した状態で基板Ｗに紫外線を照射し、レジス
ト硬化などの反応を生ずるように構成されている。紫外
線ランプ１６が請求項１に記載するところの「光照射手
段」に相当する。
もなる紫外線ランプ１６とレンズ１７とシャッター１８
とが設けられ、加熱プレート１２によって基板Ｗを所要
温度に加熱した状態で基板Ｗに紫外線を照射し、レジス
ト硬化などの反応を生ずるように構成されている。紫外
線ランプ１６が請求項１に記載するところの「光照射手
段」に相当する。
【００１８】伝熱プレート１１ａは、図２の平面図、お
よび、図３の分解斜視図それぞれに示すように、平面視
において、四角形で、かつ、その上部側が円柱状に突出
され、円柱状部１２ａの上面が、基板Ｗと同等ないし僅
かに大きな面積で加熱面Ｈに形成されている。円柱状部
１２ａの下端側の周囲の台座部Ｂに周方向に所定間隔を
隔てて、微小量突出した突起１９…が付設され、加熱プ
レート１２の加熱面Ｈを囲む環状の冷却面Ｃを有する冷
却手段としての水冷ジャケット２０が前記突起１９…上
に台座部Ｂの上面と間隙を有した状態で載置されてい
る。
よび、図３の分解斜視図それぞれに示すように、平面視
において、四角形で、かつ、その上部側が円柱状に突出
され、円柱状部１２ａの上面が、基板Ｗと同等ないし僅
かに大きな面積で加熱面Ｈに形成されている。円柱状部
１２ａの下端側の周囲の台座部Ｂに周方向に所定間隔を
隔てて、微小量突出した突起１９…が付設され、加熱プ
レート１２の加熱面Ｈを囲む環状の冷却面Ｃを有する冷
却手段としての水冷ジャケット２０が前記突起１９…上
に台座部Ｂの上面と間隙を有した状態で載置されてい
る。
【００１９】直径６インチの半導体ウエハ用の装置にお
いて、加熱面Ｈの直径は 160mmに形成され、加熱面Ｈが
形成された前記円柱状部がはめ込まれるべき水冷ジャケ
ット２０の円筒状穴２０ａの内径は 162mmに形成され、
加熱プレート１２の円筒状部１２ａの横外周面と円筒状
穴２０ａの内周面とは１mmの間隔を保って設けられる。
突起１９の高さは約１mmに形成され、水冷ジャケット２
０には、例えば、水温25℃の水を毎分 0.5〜 1.5リット
ル流すようにすれば良い。
いて、加熱面Ｈの直径は 160mmに形成され、加熱面Ｈが
形成された前記円柱状部がはめ込まれるべき水冷ジャケ
ット２０の円筒状穴２０ａの内径は 162mmに形成され、
加熱プレート１２の円筒状部１２ａの横外周面と円筒状
穴２０ａの内周面とは１mmの間隔を保って設けられる。
突起１９の高さは約１mmに形成され、水冷ジャケット２
０には、例えば、水温25℃の水を毎分 0.5〜 1.5リット
ル流すようにすれば良い。
【００２０】以上の構成により、加熱プレート１２によ
る基板Ｗの加熱に際して、紫外線ランプ１６から基板Ｗ
に紫外線を照射するとともに、それと同時に水冷ジャケ
ット２０による冷却を行い、紫外線ランプ１６から発生
する不要な熱線による熱を環状の冷却面Ｃで直接吸収す
るので、紫外線ランプ１６から発せられる熱線で基板Ｗ
の周囲が昇温することが解消される。また、加熱プレー
ト１２は基板Ｗとほぼ同等の大きさであるから、紫外線
ランプ１６から発せられる熱線をほとんど受けなくてす
み、余分な熱量を受けないので、加熱プレート１２の温
度は基板Ｗを加熱したい所望の温度に保たれる。
る基板Ｗの加熱に際して、紫外線ランプ１６から基板Ｗ
に紫外線を照射するとともに、それと同時に水冷ジャケ
ット２０による冷却を行い、紫外線ランプ１６から発生
する不要な熱線による熱を環状の冷却面Ｃで直接吸収す
るので、紫外線ランプ１６から発せられる熱線で基板Ｗ
の周囲が昇温することが解消される。また、加熱プレー
ト１２は基板Ｗとほぼ同等の大きさであるから、紫外線
ランプ１６から発せられる熱線をほとんど受けなくてす
み、余分な熱量を受けないので、加熱プレート１２の温
度は基板Ｗを加熱したい所望の温度に保たれる。
【００２１】以上のようにして、基板Ｗの周囲が高温に
加熱されるのを解消したり、加熱プレート１２が紫外線
ランプ１６にて加熱されるのを防止することができるの
で、各基板Ｗを均一性高い面内分布で加熱でき、しか
も、複数枚の基板Ｗを連続して加熱処理するような場合
にも、基板相互間の熱履歴を一定にすることができ、個
々の基板Ｗを面内分布の均一性高く処理でき、基板相互
間でも均一に処理できる。
加熱されるのを解消したり、加熱プレート１２が紫外線
ランプ１６にて加熱されるのを防止することができるの
で、各基板Ｗを均一性高い面内分布で加熱でき、しか
も、複数枚の基板Ｗを連続して加熱処理するような場合
にも、基板相互間の熱履歴を一定にすることができ、個
々の基板Ｗを面内分布の均一性高く処理でき、基板相互
間でも均一に処理できる。
【００２２】さらに、水冷ジャケット２０を加熱プレー
ト１２との間を離して、間隙を有して設けたので、水冷
ジャケット２０が加熱プレート１２に冷却効果を与えず
にすみ、加熱プレート１２の均熱性を損なわずに基板Ｗ
を加熱することができる。したがって、基板Ｗの面内の
温度分布の均一性を阻害しないようにして、基板周囲を
冷却することができる。
ト１２との間を離して、間隙を有して設けたので、水冷
ジャケット２０が加熱プレート１２に冷却効果を与えず
にすみ、加熱プレート１２の均熱性を損なわずに基板Ｗ
を加熱することができる。したがって、基板Ｗの面内の
温度分布の均一性を阻害しないようにして、基板周囲を
冷却することができる。
【００２３】上述のようにして基板光照射処理装置３で
高温処理した基板Ｗは、その後に基板冷却装置２で目標
温度まで冷却するようになっている。
高温処理した基板Ｗは、その後に基板冷却装置２で目標
温度まで冷却するようになっている。
【００２４】図４は、第２実施例を示す分解斜視図であ
り、加熱プレート１２の、伝熱プレート１１ａの台座部
Ｂよりも下方の部分が円柱形状に構成され、そして、水
冷ジャケット２０もドーナツ状に構成されている。他の
構成は第１実施例と同じである。
り、加熱プレート１２の、伝熱プレート１１ａの台座部
Ｂよりも下方の部分が円柱形状に構成され、そして、水
冷ジャケット２０もドーナツ状に構成されている。他の
構成は第１実施例と同じである。
【００２５】図５は、第３実施例を示す縦断面図であ
り、第１および第２実施例における伝熱プレート１１ａ
の台座部Ｂが無く、加熱プレート１２が全体的に円柱形
状に構成され、そして、水冷ジャケット２０も平面視ド
ーナツ形状の柱状に構成されている。他の構成は第１実
施例と同じである。
り、第１および第２実施例における伝熱プレート１１ａ
の台座部Ｂが無く、加熱プレート１２が全体的に円柱形
状に構成され、そして、水冷ジャケット２０も平面視ド
ーナツ形状の柱状に構成されている。他の構成は第１実
施例と同じである。
【００２６】図６は、第４実施例を示す概略平面図であ
り、水冷ジャケット２０内にシリコンオイルがポンプＰ
を介して循環流動され、その循環配管２１の途中箇所に
熱交換器２２が介装されるとともに、熱交換器２２に冷
却水供給用の配管２３が接続されている。
り、水冷ジャケット２０内にシリコンオイルがポンプＰ
を介して循環流動され、その循環配管２１の途中箇所に
熱交換器２２が介装されるとともに、熱交換器２２に冷
却水供給用の配管２３が接続されている。
【００２７】上記第４実施例による場合、シリコンオイ
ルの方が水よりも沸点が高いために、その冷却に際して
の沸騰の虞が無く、また、例えば、熱交換器２２から供
給するシリコンオイルの温度を 200℃にするなどによ
り、冷却速度を遅くするといったように除去する熱量を
調整しやすい利点がある。一方、第１ないし第３実施例
のように水を流して冷却する場合であれば、第４実施例
におけるような熱交換器２２が不用で構成が簡単になる
利点が有る。
ルの方が水よりも沸点が高いために、その冷却に際して
の沸騰の虞が無く、また、例えば、熱交換器２２から供
給するシリコンオイルの温度を 200℃にするなどによ
り、冷却速度を遅くするといったように除去する熱量を
調整しやすい利点がある。一方、第１ないし第３実施例
のように水を流して冷却する場合であれば、第４実施例
におけるような熱交換器２２が不用で構成が簡単になる
利点が有る。
【００２８】上述した冷却用の媒体としては、水やシリ
コンオイルに限らず、各種の液体や気体あるいは気液の
相変化を生じる冷媒など、各種のものを適用できる。
コンオイルに限らず、各種の液体や気体あるいは気液の
相変化を生じる冷媒など、各種のものを適用できる。
【００２９】また、上記実施例では、加熱面Ｈと冷却面
Ｃとがほぼ面一になるように構成しているが、基板Ｗの
搬入・搬出に支障をきたさなければ、冷却面Ｃが加熱面
Ｈよりも高くなるようにしても良く、また、逆に冷却面
Ｃが加熱面Ｈよりもやや低くなるようにしても良い。
Ｃとがほぼ面一になるように構成しているが、基板Ｗの
搬入・搬出に支障をきたさなければ、冷却面Ｃが加熱面
Ｈよりも高くなるようにしても良く、また、逆に冷却面
Ｃが加熱面Ｈよりもやや低くなるようにしても良い。
【００３０】また、上記実施例では、基板光照射処理装
置３を基板冷却装置２の上方に設けたものを示したが、
基板光照射処理装置３専用のもの、または、それら基板
光照射処理装置３を多段に設けたものなど各種のものに
適用できる。
置３を基板冷却装置２の上方に設けたものを示したが、
基板光照射処理装置３専用のもの、または、それら基板
光照射処理装置３を多段に設けたものなど各種のものに
適用できる。
【００３１】また、上記実施例では、基板Ｗを加熱プレ
ート１２上に直接載置して支持するようにしたが、例え
ば、加熱プレート１２の加熱面Ｈに所定の深さの有底の
穴を複数形成し、この穴に穴の深さより大径の直径数百
ミクロンのセラミックボールを嵌入し、そのセラミック
ボールの上に基板Ｗを載せ、加熱プレート１２と基板Ｗ
との間に所定の微小な隙間、いわゆるプロキシミティギ
ャップを保った状態で基板Ｗを支持するようにしても良
い。
ート１２上に直接載置して支持するようにしたが、例え
ば、加熱プレート１２の加熱面Ｈに所定の深さの有底の
穴を複数形成し、この穴に穴の深さより大径の直径数百
ミクロンのセラミックボールを嵌入し、そのセラミック
ボールの上に基板Ｗを載せ、加熱プレート１２と基板Ｗ
との間に所定の微小な隙間、いわゆるプロキシミティギ
ャップを保った状態で基板Ｗを支持するようにしても良
い。
【００３２】また、上記実施例では、基板の上方に紫外
線ランプ１６を備え、フォトレジストが塗布された基板
を加熱プレート１２で所要温度まで加熱した状態で、紫
外線を照射することで、フォトレジスト膜を強化する基
板光照射処理装置にて本件発明を適用した場合を説明し
たが、本件発明は、このようなフォトレジスト膜を強化
の処理に供する処理装置に限定されるものではない。ま
た、紫外線ランプに限らず、可視光ランプのようなその
他の光照射手段を使用した処理装置にも適用できる。ま
た、処理対象とする基板Ｗも、上記実施例のようにフォ
トレジストを塗布した半導体ウエハに限定しない。
線ランプ１６を備え、フォトレジストが塗布された基板
を加熱プレート１２で所要温度まで加熱した状態で、紫
外線を照射することで、フォトレジスト膜を強化する基
板光照射処理装置にて本件発明を適用した場合を説明し
たが、本件発明は、このようなフォトレジスト膜を強化
の処理に供する処理装置に限定されるものではない。ま
た、紫外線ランプに限らず、可視光ランプのようなその
他の光照射手段を使用した処理装置にも適用できる。ま
た、処理対象とする基板Ｗも、上記実施例のようにフォ
トレジストを塗布した半導体ウエハに限定しない。
【００３３】本発明の基板光照射処理装置は、上述のよ
うな円形の基板Ｗに限らず、角形の基板を加熱処理する
ものにも適用できる。
うな円形の基板Ｗに限らず、角形の基板を加熱処理する
ものにも適用できる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る基板
光照射処理装置によれば、加熱プレートで基板を所要温
度に加熱した状態で、上方に配置した光照射手段からの
光で基板を光照射処理するに際し、加熱プレートの上端
面の加熱面を囲むように、環状の冷却面を有する冷却手
段を設けたので、基板の周囲が、光照射手段から発せら
れる熱線による熱で加熱されることは無く、基板周囲か
らの熱を受けて加熱プレートが不均一な温度分布になる
ことを無くし、加熱プレートは基板を均一性高い面内分
布で加熱でき、個々の基板における処理の面内均一性が
高い。
光照射処理装置によれば、加熱プレートで基板を所要温
度に加熱した状態で、上方に配置した光照射手段からの
光で基板を光照射処理するに際し、加熱プレートの上端
面の加熱面を囲むように、環状の冷却面を有する冷却手
段を設けたので、基板の周囲が、光照射手段から発せら
れる熱線による熱で加熱されることは無く、基板周囲か
らの熱を受けて加熱プレートが不均一な温度分布になる
ことを無くし、加熱プレートは基板を均一性高い面内分
布で加熱でき、個々の基板における処理の面内均一性が
高い。
【００３５】また、複数枚の基板を連続処理しても、基
板の周囲は冷却手段で冷却されているので、基板の周囲
にて光照射手段からの熱線による熱が蓄熱することはな
く、最初に処理した基板と途中の基板とを同じ状態で加
熱できる。このため、基板相互間での熱履歴が一定し、
基板相互間での処理の均一性も高い。
板の周囲は冷却手段で冷却されているので、基板の周囲
にて光照射手段からの熱線による熱が蓄熱することはな
く、最初に処理した基板と途中の基板とを同じ状態で加
熱できる。このため、基板相互間での熱履歴が一定し、
基板相互間での処理の均一性も高い。
【００３６】さらに、冷却手段を加熱プレートとの間を
離して設けたので、冷却手段が加熱プレートから熱伝導
で熱を奪うことがないから、基板の周囲を冷却するにも
かかわらず、加熱プレートの温度分布の均熱性を損なわ
ずに基板を加熱することができる。
離して設けたので、冷却手段が加熱プレートから熱伝導
で熱を奪うことがないから、基板の周囲を冷却するにも
かかわらず、加熱プレートの温度分布の均熱性を損なわ
ずに基板を加熱することができる。
【図１】本発明に係る基板光照射処理装置の第１実施例
を示す全体縦断面図である。
を示す全体縦断面図である。
【図２】要部の平面図である。
【図３】分解斜視図である。
【図４】第２実施例を示す分解斜視図である。
【図５】第３実施例を示す概略縦断面図である。
【図６】第４実施例を示す概略平面図である。
１０…加熱手段としての板状ヒータ １２…加熱プレート １６…光照射手段としての紫外線ランプ １８…冷却手段としての水冷ジャケット Ｃ…冷却面 Ｈ…加熱面 Ｗ…基板
Claims (1)
- 【請求項１】 加熱手段を有し、上端面が基板を支持し
て加熱する加熱面をなす加熱プレートと、前記基板の上
方に配置された光照射手段を備え、基板を前記加熱プレ
ートで所要温度にした状態で、前記光照射手段からの光
を基板に照射するようにした基板光照射処理装置におい
て、 前記加熱プレートの加熱面を囲む環状の冷却面を有する
冷却手段を、前記加熱プレートとの間を離して設けたこ
とを特徴とする基板光照射処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26585193A JP2803984B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 基板光照射処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26585193A JP2803984B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 基板光照射処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799167A true JPH0799167A (ja) | 1995-04-11 |
| JP2803984B2 JP2803984B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=17422960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26585193A Expired - Fee Related JP2803984B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | 基板光照射処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2803984B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6742977B1 (en) | 1999-02-15 | 2004-06-01 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing device, substrate conveying device, and substrate processing method |
| JP2008546203A (ja) * | 2005-06-01 | 2008-12-18 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | パルス化された加熱処理の間に熱収支を最適化する方法 |
| WO2020012790A1 (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 塗布処理装置および塗布処理方法 |
-
1993
- 1993-09-28 JP JP26585193A patent/JP2803984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6742977B1 (en) | 1999-02-15 | 2004-06-01 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing device, substrate conveying device, and substrate processing method |
| JP2008546203A (ja) * | 2005-06-01 | 2008-12-18 | マットソン テクノロジー インコーポレイテッド | パルス化された加熱処理の間に熱収支を最適化する方法 |
| WO2020012790A1 (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-16 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 塗布処理装置および塗布処理方法 |
| JP2020011172A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 塗布処理装置および塗布処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2803984B2 (ja) | 1998-09-24 |
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