TWI692012B - 旋轉基板雷射退火 - Google Patents

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Abstract

本揭示的實施例涉及基板的熱處理。更具體而言，在此所描述的實施例涉及尖波閃光退火(flash on spike annealing)處理及適合執行這種處理的設備。在一個實施例中，熱處理裝置可包括燈輻射源、雷射源，及設置在燈輻射源及雷射源之間的反射板材。一或更多個孔可形成於反射板材中，且雷射源可經定位以相鄰於反射板材，使得從雷射源發射的雷射光束傳播通過一或更多個孔。在一個實施例中，反射板材可為幾乎圓形的，且一或更多個孔可近似於反射板材的扇形區。

Description

旋轉基板雷射退火
本揭示的實施例大致涉及用於熱處理基板的設備。更具體而言，在此所描述的實施例涉及用於旋轉基板雷射退火的設備。
積體電路已經發展成複雜的裝置，該等裝置在單一個晶片上可包括數百萬個電晶體、電容及電阻。晶片設計的發展持續地要求更快的電路及更大的電路密度，此舉需要越來越精確的製造處理。常用的一種這樣的製造處理是離子植入處理。
儘管經常使用各種其他的積體電路製造處理，但離子植入對於在半導體基板上形成電晶體結構是特別重要的，且離子植入在晶片製造期間可被重複許多次。在離子植入期間，半導體基板被帶電離子束轟擊，該等帶電離子通常稱為摻雜劑(dopants)。離子植入改變了摻雜劑所被植入的材料之特性，以達到特定水平的裝置性能。
在離子植入期間，植入膜可能發展高度的內部應力。為了藉由修復植入膜的結晶矩陣(crystal matrix)來緩解應力，並進一步控制植入膜所造成的特性，該膜通常經受熱處理，例如退火。退火通常在快速 熱處理(rapid thermal processing,RTP)腔室中執行，該快速熱處理腔室使基板經受非常短暫但又高度控制的熱循環，以將植入模的結晶矩陣內的摻雜劑對準。然而，如果施加太多的熱能，或如果熱能施加太長的時間，則植入膜內的摻雜劑原子的移動可能超出所期望的摻雜劑之佔用區域。
隨著裝置變得更小，目標摻雜劑區域也變得更小，使得在結晶矩陣中對準摻雜劑而同時防止所不期望的超出目標區域之擴散的工作變得更為困難。利用兆瓦雷射的奈秒退火在特定案例中可能是合適的，但這樣的工具通常非常龐大，且對於成本效益實現而言太過昂貴。
圖1繪示先前技術RTP腔室的簡化等角視圖。處理腔室100包括非接觸的或磁懸浮的基板支座104、腔室主體102，該腔室主體具有定義內部體積120的壁108、底部110及頂部112。壁108通常包括至少一個基板出入口148，以促成基板140(該基板的一部分顯示於圖1中)的進入及離開。出入口可耦合到移送室(未顯示)或裝載鎖定腔室(未顯示)，且該出入口可選擇性地以閥來密封，該閥例如流量閥(未顯示)。基板支座104可以是環形的。腔室100包括輻射熱源106，該輻射熱源設置在基板支座104的內徑中。
基板支座104經適配以在內部體積120內磁性地懸浮及旋轉，使得基板支座104在處理期間能夠旋 轉並同時垂直上升及下降。由熱及各種波長的光所能穿透的材料製成的窗口114可用來將輻射熱源106遮蔽於處理環境，同時允許輻射熱源106加熱基板140。窗口114可包括複數個升舉銷，該等升舉銷透過窗口114的上表面耦合。
輻射熱源106可為燈組件，該燈組件由殼體所形成，該殼體包括複數個蜂窩管160，該等蜂窩管耦合到冷卻劑源183。殼體可由銅材料或其他合適的材料所製成，該銅材料或其他合適的材料在其中具有合適的冷卻劑通道，以用於來自冷卻劑源183的冷卻劑之流動。
腔室100亦可包括一或更多個感測器116，該等感測器通常經適配以偵測基板支座104(或基板140)在腔室主體102的內部體積120內的高度。感測器116可耦合至腔室主體102及/或處理腔室100的其他部分，且該等感測器經適配以提供輸出，該輸出指示基板支座104及腔室主體102的頂部112及/或底部110之間的距離，且亦可偵測基板支座104及/或基板140的錯位。
RTP腔室100亦可包括冷卻區塊180，該冷卻區塊相鄰於、耦合到，或形成於頂部112。一般而言，冷卻區塊180被間隔開來且相對於輻射熱源106。冷卻區塊180包括一或更多個冷卻劑通道184，該冷卻劑通道耦合到入口181A及出口181B。冷卻區塊180可包括 反射器，該反射器耦合到面對基板支座104的冷卻區塊180的表面。
利用燈熱源的RTP腔室100對於某些應用而言可能具有過大的時間常數。在某些情況中，燈熱源及圍繞燈熱源的殼體可能加熱或冷卻過慢，無法在沒有顯著的摻雜劑擴散下執行有效率的退火。
因此，本領域所需要的是用於快速熱處理的改進設備。
在一個實施例中，提供了一種用於處理基板的設備。該設備包括腔室，該腔室定義內部體積，且輻射熱源可被設置在內部體積內。可旋轉支座可相鄰於輻射熱源而設置在內部體積內。雷射源可相鄰於基板支座而設置在內部體積內，且窗口可設置在輻射熱源及雷射源之間的內部體積內。
在另一個實施例中，提供了一種用於處理基板的設備。該設備包括腔室，該腔室定義內部體積，且輻射熱源可被設置在內部體積內。可旋轉基板支座可相鄰於輻射源而設置在內部體積內，且雷射源可相鄰於基板支座而設置在內部體積內。反射板材可設置在雷射源及基板支座之間的內部體積內，且反射板材可具有一或更多個孔形成於其中。
在又另一個實施例中，提供了一種用於處理基板的設備。該設備包括定義內部體積的腔室，及被設 置在內部體積內的燈輻射源。可旋轉基板支座可相鄰於燈輻射源而設置在內部體積內，且雷射源可相鄰於基板支座而設置在內部體積內。窗口可設置在燈輻射源及雷射源之間的內部體積內，且圓形反射板材可設置在雷射源及窗口之間的內部體積內。圓形反射板材可具有一或更多個扇形形狀的孔形成於其中。
100:處理腔室
102:腔室主體
104:基板支座
106:輻射熱源
108:壁
110:底部
111:環形環
112:頂部
114:窗口
115:環形延伸部
116:感測器
117:溫度感測器
118:定子組件
120:內部體積
124:控制器
140:基板
148:基板出入口
180:冷卻區塊
181A:入口
181B:出口
183:冷卻劑源
184:冷卻劑通道
201:輻射模組
202:輻射源
204:輻射
206:準直器
208:準直輻射
210:透鏡
212:直線輻射
218:轉移機制
220:聚焦光學元件
222:上表面
228:寬度
300:RTP腔室
302:反射板材
401:孔
402:光傳輸元件
404:控制器
406:中心
502:主體
504:主體
506:孔
508:主體
510:主體
512:主體
為了使本揭示的上述特徵能夠被詳細理解，在以上簡要總結的本揭示之更具體描述可參考實施例，其中某些實施例繪示於附圖中。然而應注意到，附圖僅繪示例示性實施例，且因此不該被認為是限制其範疇，本揭示可允許其他等效實施例。
圖1根據在此描述的實施例繪示先前技術RTP腔室的簡化等角視圖。
圖2根據在此描述的實施例繪示雷射源的示意圖。
圖3根據在此描述的實施例繪示RTP腔室的示意圖，該RTP腔室包括多個輻射模組。
圖4A根據在此描述的實施例繪示具有雷射源的RTP腔室之局部剖面圖。
圖4B根據在此描述的實施例繪示雷射源及反射板材的局部平面圖。
圖5A至圖5E根據在此描述的各種實施例繪示各種反射板材的示意平面圖。
圖6A根據在此描述的實施例繪示批次基板支座的示意剖面圖。
圖6B根據在此描述的實施例繪示圖6A的批次基板支座的示意平面圖。
為了促成理解，相同的參考符號在可能的地方被用來指定繪圖所共有的相同元件。應考量到，一個實施例的元件及特徵可不經進一步記載而有益地併入其他實施例中。
本揭示的實施例涉及基板的熱處理。更具體而言，在此所描述的實施例涉及尖波閃光退火(flash on spike annealing)處理及適合執行這種處理的設備。在一個實施例中，熱處理裝置可包括燈輻射源、雷射源，及設置在燈輻射源及雷射源之間的反射板材。一或更多個孔可形成於反射板材中，且雷射源可經定位以相鄰於反射板材，使得從雷射源發射的雷射光束傳播通過一或更多個孔。在一個實施例中，反射板材可為幾乎圓形的，且一或更多個孔可近似於反射板材的扇形區。
圖2根據在此描述的實施例繪示處理腔室100的示意圖，該處理腔室增加了額外的輻射模組201。圖2中所顯示的處理腔室100亦可包括基板支座104及轉移機制218。基板支座104可包括熱源，例如電阻加熱器或類者，以獨立於輻射源202而加熱基板。 輻射模組通常包括輻射源202及聚焦光學元件220，該聚焦光學元件設置在輻射源202及基板支座104之間。
輻射源202可為雷射源，該雷射源能夠發射電磁輻射的連續波或電磁輻射的脈衝發射。在特定實施例中，單一輻射源202用於產生雷射光束。在其他實施例中，多個輻射源202用於產生雷射光束。在一個實施例中，輻射源202包括複數個光纖雷射。替代地，輻射源202可為非雷射輻射源，例如閃光燈、鹵素燈、發光二極體光源，或類者。例如，非雷射低入射通量光源可為輻射源202的合適範例。通常，輻射源202被用來在退火或表面改性處理期間加熱基板。更具體而言，輻射源202被用來在整個基板厚度的各處更深入地促使基板表面中的溫度增加。在基板暴露於輻射源202之後，基板可由基板的塊體橫向地傳導冷卻。替代地或組合地，具有低導熱性的基板，例如小於約3W/m/L，可適合用於表面熱處理。然而應考量到，處理技術及溫度的任何組合可被利用，以在各種不同的方式中處理基板。
從輻射源202發射的輻射可在基板140的表面處或附近吸收。從而，輻射可從輻射源202發射，該輻射的波長在基板140吸收輻射的範圍內。通常，對於含矽的基板而言，輻射波長可在約190nm及約950nm之間，例如約810nm。替代地，高功率紫外線雷射可被用作為輻射源202。
輻射源202可能能夠以大於約1秒的時間量持續地發射輻射，例如大於約10秒，例如大於約15秒。替代地，輻射源202可能能夠以大於約1秒的時間量發射輻射脈衝，例如大於約10秒，例如大於約15秒。輻射源202可包括多個雷射二極體，其中每個雷射二極體在幾乎相同的波長產生均勻且空間同調(coherent)的光。雷射二極體的功率可在約0.5kW至約50kW之間的範圍內，例如約5kW。
聚焦光學元件220可包括一或更多個準直器(collimators)206，以使來自輻射源202的輻射204準直為幾乎平行的光束。準直輻射208接著可由至少一個透鏡210聚焦成基板140的上表面222處的直線輻射212。在此所使用的術語「直線輻射」是意圖表示在基板140的上表面222處的輻射212之空間分佈。應考量到，輻射212的空間分佈之形狀可類似直線或帶狀物、扇形、斑點或複數個斑點，及類者。通常，基板140可為圓形基板，該圓形基板具有約200mm、約300mm，或約450mm的直徑。直線輻射212可以介於約3μm及約500μm之間的寬度228來延伸橫跨基板140。直線輻射212的長度在一個實施例中可近似於基板140的半徑，並在另一個實施例中近似於基板140的直徑。例如，對於300mm直徑的基板而言，直線輻射212的長度可約為150mm。替代地，對於300mm直徑的基板而言，直線輻射212的長度可約為300mm。
通常，直線輻射212的長度可大於寬度228。在一個實施例中，直線輻射212可線性地橫過基板140，使得直線輻射212幾乎垂直於基板140的移動方向，亦即，直線輻射212保持平行於基板140的固定直線或弦線，該固定直線或弦線是垂直於基板移動的方向。
在一個實施例中，直線輻射212的形狀可類似「圓餅切片」。例如，直線輻射212可近似於基板140的扇形區，該扇形區從圓形基板140的原點延伸至基板140周圍處的弧形，該扇形區是由量測的扇形角度所定義。在一個實施例中，量測的扇形角度可介於約0.005°及約140°之間，例如約0.01°及約20°之間。在另一個實施例中，直線輻射212的形狀可類似圓餅切片，該圓餅切片近似於基板140的直徑。在另一個實施例中，直線輻射212可為高斯(Gaussian)雷射斑點。在這個實施例中，一或更多個高斯雷射斑點可在帶狀物(線)形狀或在圓餅切片形狀中產生(亦即，藉由多個諸如光纖雷射的輻射源)。
透鏡210可為任何合適的透鏡或一系列的透鏡，該透鏡適合用於形成直線輻射212的期望形狀。在一個實施例中，透鏡210可為圓柱透鏡。替代地，透鏡210可為一或更多個凹透鏡、凸透鏡、平面鏡、凹面鏡、凸面鏡、折射透鏡、繞射透鏡、菲涅耳透鏡(Frensel lenses)、梯度折射率透鏡(gradient index lenses)，或類者。通常，透鏡210可經配置以影響直線輻射212從原點到基板140周圍的半徑功率或直徑功率分佈。
直線輻射212的功率分佈可為約10kW/cm2及約200kW/cm2之間。對於近似基板140的半徑的直線輻射212而言，直線輻射212的功率分佈在基板140的原點處或附近可為約0kW/cm2。直線輻射212的功率分佈可從基板140的原點增加到周圍或邊緣。在特定實施例中，功率分佈從原點到邊緣可線性地或指數地增加。替代地，沿著直線輻射212的均等功率分佈可為幾乎固定的。在這個實施例中，基板對於輻射212的曝光可由位於基板140的上表面222處的輻射212的形狀或空間分佈所調變。應考量到，基板140可被輻射熱源106加熱到高達約1000℃的溫度，且輻射模組201可經配置以將基板140加熱額外的20℃至約250℃。輻射模組加熱的升溫速率(ramp-up rate)及降溫速率(ramp-down rate)可超過約4,000,000℃/秒。
各種處理狀況的範例是參照表1及表2所提供。表1繪示300mm直徑基板的各種處理狀況，且表2繪示200mm及450mm直徑基板兩者的各種處理狀況。
Figure 105123162-A0305-02-0012-2
Figure 105123162-A0305-02-0013-4
Figure 105123162-A0305-02-0013-6
定子組件118可經配置以在腔室100內旋轉基板140。定子組件118通常旋轉基板支座104以將旋轉速率傳遞給設置於其上的基板140。在特定實施例中，定子組件118可經配置以在約每分鐘10轉及約每分鐘500轉之間旋轉基板140，例如約每分鐘200轉及約 每分鐘300轉之間，例如約每分鐘230轉及約每分鐘250轉之間。
在一個實施例中，轉移機制218，例如步進馬達，可耦合到輻射模組201。在這個實施例中，轉移機制218可經配置以相對於基板140的上表面222而移動輻射模組201，或其各種組件。例如，轉移機制218可將直線輻射212從基板140的中心移動朝向基板140的邊緣。替代地，轉移機制218可將直線輻射212從基板140的邊緣移動朝向基板140的中心。在一個實施例中，轉移機制218可經配置以光柵掃描(raster)直線輻射212。在這個實施例中，光柵週期可在大於約1Hz下進行，例如大於約1kHz。此外，轉移機制218及定子組件118可彼此電性通訊，且轉移機制218及/或定子組件118的任一者所進行的動作可由控制器124所控制。
圖3根據在此描述的實施例繪示RTP腔室300的示意圖，該RTP腔室包括至少兩個輻射模組。腔室300可為包括輻射模組201及反射板材302的腔室100，該反射板材設置在基板支座104及輻射模組201之間。通常，輻射熱源106(未顯示)經配置以將基板140加熱至目標溫度，例如大於約800℃，例如約1000℃，並後續利用輻射模組201以在加熱的基板上進行閃光退火。在一個實施例中，輻射模組201是雷射源。
據知悉，加熱的基板140的熱導率是相對低的(例如，當與室溫基板相比較時)。作為結果，閃光退 火輻射進入基板140表面的穿透度是淺的，且因為透過傳導至基板其餘部分的冷卻而快速地耗散。通常，熱擴散的減少是在高溫下實現(亦即，約1000℃或更高)，此舉可能致使利用低功率輻射源來執行閃光退火。
圖4A根據在此描述的實施例繪示的具有輻射模組201的RTP腔室300的局部剖面圖。腔室300包括輻射熱源106，該輻射熱源耦合至窗口114。基板140是由環形環111支撐，該環形環設置在環形延伸部115上。基板可定位在窗口114及反射板材302之間的內部體積120中。當基板140為了處理而被定位時，反射板材302可被設置在離基板140約1mm及約10mm之間的距離處，例如約3mm及約5mm之間。通常包括環形延伸部115及環形環111的基板支座104是連接到定子組件118，且該基板支座可經配置以繞著旋轉軸而旋轉，通常是繞著圓形基板的中心或原點。
腔室300亦包括一或更多個溫度感測器117，例如高溫計，該溫度感測器耦合到一或更多個光傳輸元件。光傳輸元件402，例如光管或類者，可光學耦合到反射板材302，或可實體地延伸通過反射板材302。由溫度感測器117感測到的電磁輻射可轉換成溫度量測，且可與控制器124通訊的控制器404可經配置以提供即時溫度回饋。在熱處理期間可用溫度回饋來校正溫度的不均勻性。
反射板材302可耦合至腔室頂部112或其他腔室組件，且反射板材302的形狀及尺寸可近似於基板140的形狀及尺寸。例如，反射板材302可為幾乎圓形的形狀，該幾乎圓形的形狀具有與基板140類似之直徑。然而應考量到，反射板材302的尺寸及形狀可與基板140不同，這取決於特定的快速熱處理變數。反射板材可由適合經受快速熱退火處理中常見之溫度的材料所形成。例如，反射板材可為石英材料或其他類似的材料。反射板材302亦可具有嵌入式過濾元件，或可具有過濾層塗覆在反射板材302的表面上，以改善溫度感測器117的溫度量測。
反射板材302亦可具有形成於其中的孔401。孔401可為各種形狀，這取決於所需的實施例，且多個孔亦可由反射板材302形成或定義。在繪示的實施例中，孔401可從反射板材302的中心406附近徑向向外延伸。所繪示的實施例描繪孔401並未延伸到反射板材302的周圍邊緣，反而，孔401被反射板材302完全封閉且限定。
圖4A的輻射模組201被耦合到反射板材302，該反射板材與孔401對齊。在描繪輻射模組201及反射板材302的示意局部平面圖的圖4B所繪示的另一個實施例中，孔401可從中心406沿著反射板材302的幾乎整個半徑延伸到反射板材的邊緣。在這個實施例 中，反射板材302的周圍可為非連續的，因為孔401可代表扇形區。
圖5A至圖5E根據在此描述的各種實施例繪示各種反射板材的示意平面圖。通常在下方所描述的反射板材可用於快速熱處理系統中，該快速熱處理系統使用輻射熱源及雷射源，且該快速熱處理系統具有基板旋轉能力。反射板材的孔可經配置以補償雷射輻射通過孔而暴露於基板的停滯時間及功率。在特定實施例中，從中心至邊緣的漸進孔寬度可被用來補償輻射停滯時間(dwell time)或滯留時間(residency time)。在孔近似於扇形區的實施例中，扇形區的角度量測可為約0.01°及約20°之間。通常，從中心到邊緣的雷射輻射的功率密度可為固定的、線性增加的，或指數增加的，或其組合。
圖5A繪示具有主體502的反射板材302，該主體定義了孔401。在這個實施例中，孔401近似於扇形區，然而，該扇形區的原點是偏離反射板材302的中心406。應考量到，對於旋轉的基板而言，來自輻射模組201的雷射輻射的停滯時間在基板的中心處是無限高的。為了考慮到過度加熱基板中心的潛在問題，孔401可偏離反射板材302的中心406。據知悉，基板的中心可透過橫向熱擴散而接受足夠的雷射輻射曝光，假設孔所延伸的距離是稍微小於反射板材302的半徑，使得基板的中心避免直接暴露於雷射輻射。此外，沿著基板的 半徑通過孔401的雷射功率密度可在到達基板之前由雷射功率、孔形狀，及/或用來改變雷射輻射的光學元件所調變，以產生從基板中心到邊緣的均勻退火分佈。
圖5B繪示具有主體504的反射板材302，該板材定義了開口401。在這個實施例中，孔401近似於扇形區，該扇形區類似於參考圖5A所描述的偏離中心的孔401，但孔401圍繞反射板材302的中心406延伸，以形成相鄰於孔401的幾乎圓形的孔506。在這個實施例中，沿著基板從中央到邊緣的雷射輻射的功率密度可被調變，使得由圓形孔506所暴露的基板的中心區域接收了連續，但較小密度的曝光，相較於沿著半徑朝向反射板材302邊緣的其他區域的時候。在這個實施例中，功率密度可為輪廓形狀(contoured)，以從基板的中心增加至基板的周圍。
圖5C繪示具有主體508的反射板材302，該主體定義了孔401。在這個實施例中，孔401是幾乎類似帶狀或矩形形狀的。孔401可從反射板材302的中心延伸到反射板材的周圍。在這個實施例中，雷射輻射的功率密度可為輪廓形狀的功率密度，該功率密度從基板的中心幾乎線性地增加到基板的邊緣。在這裡，功率輪廓形狀可考慮到接近中心及邊緣的基板區域之間的停滯時間差異，而非使用孔的曝光區域來補償停滯時間差異。
圖5D繪示具有主體510的反射板材302，該主體定義了孔401。主體510可為單一的盤狀 (discoid)結構，或可為兩個獨立的板材，該兩個獨立的板材在該兩個板材所定義的周圍上的一個點接合。在另一個實施例中，主體510可為兩個半圓形的板材，該兩個半圓形的板材定義了孔401，該孔可沿著反射板材的直徑延伸。在這個實施例中，假設橫越基板的半徑或直徑的雷射輻射為固定的功率密度，則在基板旋轉期間，停滯時間的最大值及最小值將在隔開約180°處。替代地，功率密度可為輪廓形狀，以從基板的中心增加到基板的邊緣，因為基板的中心可能經歷雷射輻射的固定曝光。
圖5E繪示具有主體512的反射板材302，該主體定義了孔401。在這個實施例中，孔401是雙孔。近似於扇形區的第一孔可從反射板材302的中心延伸，且近似於扇形區的第二孔可相對於該第一孔而從反射板材302的中心延伸。主體512可為單一盤狀結構。替代地，兩個類板材結構可在反射板材302的中心406接合，該兩個類板材結構具有經配置以定義孔401的尺寸。傳播通過孔的雷射輻射的功率密度從中心到邊緣可為幾乎固定的，鑑於孔401從反射板材的中心406到周圍是逐漸增加的。
在上述的實施例中，基板的區域經過基板的一個完整旋轉後將接受兩次的雷射輻射曝光。因此，每個基板旋轉可達成多個閃光退火。此外應考量到，在單一個基板旋轉期間，三個孔、四個孔，或五個或更多個 孔可被用來增加輻射曝光的頻率。據知悉，在尖波閃光快速熱處理期間增加閃光退火的頻率可能有利於均勻的目的且不造成基板變形，該基板變形是這樣的體系中的低熱擴散、淺穿透，及快速輻射耗散所造成的。
圖6A根據在此描述的實施例繪示批次基板支座600的示意剖面圖。批次基板支座600可包括環形環111，該環形環經適配以在旋轉快速熱處理期間承載兩個或更多個基板140。批次基板支座600可於在此描述的腔室100、300中使用，以同時熱處理多個基板140。基板140可為200mm基板、300mm基板或更小的基板，例如4英寸基板。
圖6B根據在此描述的實施例繪示圖6A的批次基板支座600的示意平面圖。如所繪示地，環形環111經配置以支撐複數個基板140。基板在處理腔室中(例如腔室300)可暴露於雷射輻射，且反射板材302可經配置以具有一或更多個孔401，以在閃光退火處理期間改善輻射曝光的均勻性。
總結而言，在此描述的實施例涉及用於尖波閃光退火處理的設備。雷射輻射功率及停滯時間變數可由反射板材所調變，該反射板材具有各種孔的設計，該等孔的設計經配置以補償中心到邊緣的暴露停滯時間差異，該停滯時間差異在退火期間可能造成不均勻的加熱分佈。此外，利用具有一或更多個孔的反射板材的輻射加熱及雷射加熱之組合可提供改善的閃光退火處理，該 改善的閃光退火處理具有改善的熱耗散時間及增加的溫度。在此描述的實施例亦可在基板處理運作中使用，其中該基板處理運作中的兩個或更多個處理運作之間具有溫度差異。例如，沉積處理、沉積及加工(亦即，摻雜)處理，及沉積及回蝕刻(etch-back)處理在根據在此描述的實施例的每個處理運作期間可能發現調變基板溫度的用處。因此，在此描述的實施例是經考量以在尖波閃光退火處理及退火應用之外的其他基板處理運作中提供用處。
雖然前述內容是針對本揭示的實施例，但本揭示的其他及進一步的實施例可在不脫離其基本範疇的情況下設計，且其範疇是由隨後的請求項來判定。
100:處理腔室
104:基板支座
118:定子組件
124:控制器
140:基板
201:輻射模組
202:輻射源
204:輻射
206:準直器
208:準直輻射
210:透鏡
212:直線輻射
218:轉移機制
220:聚焦光學元件
222:上表面
228:寬度

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板的設備，該設備包括：一腔室，該腔室定義一內部體積；一輻射熱源，該輻射熱源設置在該內部體積內；一可旋轉的基板支座，該可旋轉的基板支座相鄰於該輻射熱源而設置於該內部體積內；一雷射源，該雷射源相鄰於該基板支座而設置於該內部體積內；一窗口，該窗口設置在該內部體積內且在該輻射熱源及該雷射源之間；及一反射板材，該反射板材設置在該內部體積內且在該雷射源及該基板支座之間。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該雷射源包括以下一或更多者：一連續波雷射源、一脈衝雷射源、一光纖雷射源，及其組合，且其中該雷射源是耦合到一轉移機制。
  3. 如請求項1所述之設備，其中從該雷射源發射的輻射是近似於在該腔室中被處理的一基板的一半徑。
  4. 如請求項1所述之設備，其中從該雷射源發射的輻射是近似於一基板的一扇形區。
  5. 如請求項1所述之設備，其中從該雷射源發 射的輻射具有一輪廓形狀的功率密度，該輪廓形狀的功率密度從一基板的一中心區域增加到該基板的一周圍。
  6. 如請求項4所述之設備，其中從該雷射源發射的該輻射具有一輪廓形狀的功率密度，該輪廓形狀的功率密度從該扇形區的一原點增加到該扇形區所定義的一弧形。
  7. 一種用於處理一基板的設備，該設備包括：一腔室，該腔室定義一內部體積；一輻射熱源，該輻射熱源設置在該內部體積內；一可旋轉的基板支座，該可旋轉的基板支座相鄰於該輻射熱源而設置於該內部體積內；一雷射源，該雷射源相鄰於該基板支座而設置於該內部體積內；及一反射板材，該反射板材設置在該內部體積內且在該雷射源及該基板支座之間，其中該反射板材具有一或更多個孔形成於其中。
  8. 如請求項7所述之設備，其中該反射板材是幾乎圓形的。
  9. 如請求項8所述之設備，其中該一或更多個孔是近似於該反射板材的一扇形區。
  10. 如請求項9所述之設備，其中該扇形區的 一角度量測是介於約0.01°及約20°之間。
  11. 如請求項7所述之設備，其中該雷射源包括以下一或更多者：一連續波雷射源、一脈衝雷射源、一光纖雷射源，及其組合。
  12. 如請求項7所述之設備，其中該雷射源經定位以相鄰於該一或更多個孔，使得從該雷射源發射的一光束傳播通過該一或更多個孔。
  13. 如請求項12所述之設備，其中從該雷射源發射的該雷射光束是近似於該反射板材的一半徑。
  14. 如請求項12所述之設備，其中該雷射光束具有一輪廓形狀的功率密度，該輪廓形狀的功率密度從該反射板材的一中心區域增加到該反射板材的一周圍。
  15. 如請求項7所述之設備，其中該反射板材是由一材料形成，該材料對於從該雷射源發射的輻射之一波長是不透光的。
  16. 一種用於處理一基板的設備，該設備包括：一腔室，該腔室定義一內部體積；一燈輻射源，該燈輻射源設置在該內部體積內；一可旋轉的基板支座，該可旋轉的基板支座相鄰於該燈輻射源而設置於該內部體積內，該可旋轉的基板 支座經設定尺寸以支撐複數個基板；一雷射源，該雷射源相鄰於該基板支座而設置於該內部體積內；一窗口，該窗口設置在該內部體積內且在該燈輻射源及該雷射源之間；及一圓形反射板材，該圓形反射板材設置在該內部體積內且在該雷射源及該窗口之間，其中該圓形反射板材具有一或更多個扇形孔形成於其中。
  17. 請求項16所述之設備，其中該扇形孔的一角度量測是介於約0.01°及約20°之間。
  18. 如請求項16所述之設備，其中該雷射源包括以下一或更多者：一連續波雷射源、一脈衝雷射源、一光纖雷射源，及其組合。
  19. 如請求項16所述之設備，其中該雷射源經定位以相鄰於該一或更多個扇形孔，使得從該雷射源發射的一光束傳播通過該一或更多個扇形孔。
  20. 如請求項19所述之設備，其中從該雷射源發射的該光束是近似於該一或更多個扇形孔。
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