TWI653357B - 改良的熱處理腔室 - Google Patents

改良的熱處理腔室 Download PDF

Info

Publication number
TWI653357B
TWI653357B TW104106542A TW104106542A TWI653357B TW I653357 B TWI653357 B TW I653357B TW 104106542 A TW104106542 A TW 104106542A TW 104106542 A TW104106542 A TW 104106542A TW I653357 B TWI653357 B TW I653357B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dome
substrate
energy source
substrate processing
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW104106542A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201538782A (zh
Inventor
拉尼許喬瑟夫Ｍ
杭特亞倫穆依爾
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201538782A publication Critical patent/TW201538782A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI653357B publication Critical patent/TWI653357B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

描述於此的實施例提供一基板處理設備包含：一真空腔室，該真空腔室包括一第一圓頂及一第二圓頂；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該第一及該第二圓頂之間的該真空腔室內部；一準直能量來源，該準直能量來源被安置於一分隔外殼中且放置接近該第二圓頂，其中該第二圓頂介於該準直能量來源及該基板支撐件之間。至少一部分的該第二圓頂及該基板支撐件可對來自該準直能量來源的準直能量為光學透明的。

Description

改良的熱處理腔室
揭露於此係用於半導體處理的設備。更特定地，揭露於此的實施例相關於用於在沉積處理中加熱基板的設備。
在積體電路的製造中，使用沉積處理(例如化學氣相沉積(CVD)、或磊晶處理)以在半導體基板上沉積多種材料的薄膜。磊晶係廣泛使用於半導體處理的製程以在半導體基板上形成非常薄的材料層。這些層頻繁地界定半導體裝置的一些最小特徵，且若需要結晶材料的電性特性，該等層可具有高品質結晶結構。通常提供沉積先質(presursor)至處理腔室，該處理腔室中設置基板，該基板被加熱至利於具有需要特性的材料層成長的溫度。
通常需要該等層具有非常一致的厚度、組成及結構。由於當地基板溫度、氣體流動及先質濃度的變動，形成具有一致且可重複特性的層是十分有挑戰性的。處理腔室通常為能夠維持高度真空(典型低於10Torr)的容器，且通常由置於該容器外部的非準直來源(例如，熱照射器)提供熱，以避免導入污染。基板溫度因及當地形成層的條件之控制因為以 下因素而複雜：來自熱照射器的高度擴散熱能量、腔室組件的熱吸收及放射、及感應器及腔室表面的曝露於處理腔室內部形成層的條件。保持對具有改良的溫度控制之沉積腔室的需要。
描述於此的實施例提供一基板處理設備包含：一真空腔室，該真空腔室包括一第一圓頂及面對該第一圓頂的一第二圓頂；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該第一及該第二圓頂之間的該真空腔室內部；一準直(collimated)能量來源，該準直能量來源被安置於一分隔外殼中且放置接近該第二圓頂，其中該第二圓頂介於該準直能量來源及該基板支撐件之間。至少一部分的該第二圓頂及該基板支撐件可對來自該準直能量來源的準直能量為光學透明的。
在一個實施例中，揭露一基板處理設備。該基板處理設備包含：一真空腔室，該真空腔室包含一第一圓頂及一第二圓頂；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該第一圓頂及該第二圓頂之間的該真空腔室內部且面對該第一圓頂，其中該基板支撐件經配置以支撐具有一沉積表面的一基板；及一準直能量來源，該準直能量來源位於一分隔外殼中，該分隔外殼被放置接近該真空腔室的該第二圓頂，其中至少一部分的該第二圓頂及該基板支撐件對來自該準直能量來源的準直能量為光學透明的。
在另一實施例中，揭露一基板處理設備。該基板處理設備包含：一真空腔室，該真空腔室包含一第一圓頂及一 第二圓頂；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該第一圓頂及該第二圓頂之間的該真空腔室內部且面對該第一圓頂，其中該基板支撐件經配置以支撐具有一沉積表面的一基板；一準直能量來源，該準直能量來源位於一分隔外殼中，該分隔外殼被放置接近該真空腔室的該第二圓頂；及一金屬構件，該金屬構件設置於該真空腔室的該第二圓頂及該準直能量來源之間。
在另一實施例中，揭露一基板處理設備。該基板處理設備包含：一真空腔室，該真空腔室包含一第一圓頂及一第二圓頂；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該第一圓頂及該第二圓頂之間的該真空腔室內部且面對該第一圓頂，其中該基板支撐件經配置以支撐具有一沉積表面的一基板；一準直能量來源，該準直能量來源位於一分隔外殼中，該分隔外殼被放置接近該真空腔室的該第二圓頂；及一反射器，該反射器設置於該準直能量來源及該第二圓頂之間。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧準直能量來源
103‧‧‧負載埠
104‧‧‧背側
105‧‧‧邊緣環
106‧‧‧碟
107‧‧‧基板支撐件
108‧‧‧基板
109‧‧‧升降銷
110‧‧‧接點
111‧‧‧突出物
113‧‧‧軸件
114‧‧‧第二圓頂
115‧‧‧永久磁鐵
116‧‧‧沉積表面
117‧‧‧電磁鐵
118‧‧‧熱感應器
119‧‧‧驅動控制器
122‧‧‧反射器
126‧‧‧入口
128‧‧‧第一圓頂
130‧‧‧出口
132‧‧‧中央軸件
134‧‧‧軸向
136‧‧‧熱控制空間
140‧‧‧感應器
143‧‧‧管子
145‧‧‧分隔外殼
149‧‧‧通道
150‧‧‧金屬構件
152‧‧‧冷卻通道
156‧‧‧處理氣體區域
158‧‧‧沖洗氣體區域
160‧‧‧控制器
162‧‧‧電力供應
164‧‧‧基板支撐件
166‧‧‧輪輻
168‧‧‧基板支撐件
170‧‧‧漏斗狀部分
172‧‧‧旋轉輪輻
174‧‧‧基板支撐件
176‧‧‧托架
201‧‧‧開口
202‧‧‧孔隙
204‧‧‧光學組件
302‧‧‧金屬構件
304‧‧‧冷卻通道
402‧‧‧平坦圓頂
502‧‧‧反射器
504‧‧‧孔穴
506‧‧‧開口
508‧‧‧鏡
510‧‧‧反射性表面
512‧‧‧反射器環
514‧‧‧反射性表面
516‧‧‧反射性表面
518‧‧‧通道
519‧‧‧準直能量來源
520‧‧‧反射器環
521‧‧‧表面
522‧‧‧反射性表面
524‧‧‧通道
526‧‧‧支撐件
600‧‧‧折射器
602‧‧‧第一表面
603、605、607‧‧‧剩餘表面
604、606‧‧‧傾斜表面
608‧‧‧第二表面
610‧‧‧第三表面
612‧‧‧第四表面
於是上述本發明特徵的方式可以詳細理解，可藉由參考實施例而具有本發明的更特定描述(簡短總結如上)，其中一些圖示於所附圖式中。然而，注意所附圖式僅圖式本發明典型的實施例，因此不考慮限制其範圍，因為本發明可允許其他等效實施例。
第1A至1D圖為根據描述於此的多種實施例之處理腔室之示意橫截面視圖。
第2圖為根據描述於此的一個實施例之設置於較低 圓頂及準直能量來源之間的金屬平板的平面視圖。
第3圖為根據描述於此的一個實施例之處理腔室的一部分之示意橫截面視圖。
第4圖為根據描述於此的一個實施例之處理腔室的一部分之示意橫截面視圖。
第5A至5C圖為根據描述於此的多種實施例之處理腔室的一部分之示意橫截面視圖。
第6圖為根據描述於此的一個實施例之折射器之側面視圖。
為了便於理解，盡可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。思量揭露於一個實作中的元件可有利地使用於其他實作，而無須特定敘述。
在實施沉積處理時能夠基板區域溫度控制的處理腔室具有第一圓頂、側面部分、及第二圓頂均由一材料製成，該材料具有能力以在容器內建立高度真空時維持該材料之形狀。設置基板於處理腔室內部的基板支撐件上且於第二圓頂上方。可設置準直能量來源於接近第二圓頂的分隔外殼中，且可放置第二圓頂於準直能量來源及基板支撐件之間。至少一部分的第二圓頂及基板支撐件可對來自該準直能量來源的準直能量為光學透明的或光學穿透的。
第1A圖為根據一個實施例之處理腔室100之示意橫截面視圖。可使用處理腔室100以處理一個或更多個基板，包含沉積材料於基板108的沉積表面116上。處理腔室100 包含準直能量來源102用以在組件以外還加熱設置於處理腔室100內的基板108的背側104。準直能量來源102可為複數個雷射，例如雷射二極體、光纖雷射、光纖耦合雷射或複數個發光二極體(LED)。具有準直的能量傳遞至基板108的好處為：即便在來源102並非接近基板108時，改良輻射圖案的控制。準直能量來源102放射具有已知發散性的能量。準直能量來源102的發散性程度可為低於約15度半峰全寬(full-width at half-width，FWHM)。可使用光學元件以控制具有已知發散性的輻射，該等光學元件有效地傳遞輻射至選擇的影像平面(例如基板108)的一選擇的面積。基板支撐件107可為漏斗狀的基板支撐件，可支撐邊緣環105。邊緣環105由基板108的邊緣支撐基板108。可設置複數個接點110於基板支撐件107上，且邊緣環105可受接點110支撐。在一個實施例中，有三個接點110。在一個實施例中，沒有邊緣環105而基板108受複數個接點110支撐。基板支撐件107可由對來自準直能量來源102的準直能量為光學穿透的或光學透明的材料所製成，使得來自準直能量來源102的準直能量(例如複數個雷射束)可加熱基板108的背側104而不損失能量。用於基板支撐件107的材料可依據準直能量來源102。在一個實施例中，基板支撐件107由對來自準直能量來源102的準直能量為光學透明的石英所製成。光學透明意指：材料傳送多數輻射而非常微量的輻射被反射及/或吸收。在一個實施例中，基板支撐件107包含引導準直能量至基板108的背側104的光學特徵或光學元件。
展示基板支撐件107於升高的處理位置，但可藉由致動器(未展示)垂直穿越至該處理位置下方的負載位置，以允許升降銷109接觸一突出部分或突出物111，通過基板支撐件107中的孔洞而將基板108由基板支撐件107升起。機器人(未展示)可接著進入處理腔室100以接合並經由負載埠103移除基板108。基板支撐件107接著可致動至處理位置，以其裝置側面116面對遠離背側104而放置基板108於接點110上。
基板支撐件107位於第一圓頂128及第二圓頂114之間的處理腔室100內。基板108(未以比例繪製)可被帶入處理腔室100且經由負載埠103放置於基板支撐件107上。基板支撐件107在位於處理位置時將處理腔室100的內體積分割成一處理氣體區域156(基板上方)及一沖洗氣體區域158(基板支撐件107下方)。基板支撐件107在處理期間可藉由中央軸件132旋轉，以最小化處理腔室100內的熱及處理氣體流動空間異常的影響，因而便利於基板108一致的處理。基板支撐件107受中央軸件132支撐，中央軸件132在裝載及卸載期間(而在一些範例中，在基板108處理期間)將基板108以一軸向134移動。基板支撐件107典型地由具有低熱質量或低熱容量的材料形成，使得被基板支撐件107吸收及放射的能量最小化。
一般而言，第一圓頂128及第二圓頂114由光學透明材料形成，例如石英。第一圓頂128及第二圓頂114為薄的，以最小化熱記憶，典型地具有約3mm及約10mm的厚度，例如約4mm。可藉由導入熱控制流體(例如，冷卻氣體) 穿過入口126進入熱控制空間136、及經由出口130抽出熱控制流體而熱性地控制第一圓頂128。在一些實施例中，經由熱控制空間136的冷卻流體循環可減低第一圓頂128的內表面上的沉積。在第二圓頂114由薄石英製成時，第二圓頂114可具有錐形以便於承受處理腔室100內部的真空條件。在一個實施例中，整體第二圓頂114為石英所製成，而對來自準直能量來源102的準直能量為光學透明的。
反射器122可可選地放置於第一圓頂128外部，以反射由基板108輻射回到基板108上的輻射。由於反射的輻射，藉由包含熱(否則可逃逸出處理腔室100)將改良加熱的效率。反射器122可由金屬製成，例如鋁或不鏽鋼。反射器122可具有加工的通道以攜帶流體的流動(例如水)以冷卻反射器122。若需要，可藉由以高度反射性塗覆(例如以金塗覆)來塗覆一反射器面積來改良反射的效率。
可以一特定方式繞著中央軸件132設置準直能量來源102(例如，雷射陣列)於第二圓頂114下方，以在處理氣體通過基板108時加熱基板108，因而便利於沉積材料於基板108的沉積表面116上。在多種範例中，沉積於基板108上的材料可為群組III、群組IV及/或群組V的材料，或可為包含群組III、群組IV及/或群組V摻雜的材料。例如，所沉積的材料可包含矽、鍺、砷化鎵、砷化銦鎵、氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁鎵、或其他化合物半導體或半導體合金。準直能量來源102產生準直輻射，該準直輻射對產生基板108上多個及空間上較小的控制區域而言為有用的。結果，達成較好的基 板108之溫度控制。
可適用準直能量來源102以加熱基板108至範圍約200攝氏度至約1400攝氏度內的溫度，例如約300攝氏度至約1350攝氏度。準直能量來源102的各能量放射器耦合至電力分佈板(未展示)，電力經由該電力分佈板供應至各放射器。放置該等放射器(可為雷射)於分隔外殼145內，分隔外殼145可或不可在處理期間或處理後藉由例如導入位於該等放射器之間的通道149之冷卻流體而冷卻。可設置各放射器於光纖或管子143內部。該等放射器可為雷射二極體、光纖雷射或光纖耦合雷射。各放射器為了一致的照射而典型地於管子143的中央處受支撐。在一個實施例中，各放射器可位於管子143的底部，例如穿過管子143底部中的開口插入且固定至(或靠於)管子143的底部。在另一實施例中，各放射器可藉由一支撐件(未展示)於管子143的底部上方受支撐，該支撐件可為接點或突出物。該支撐件可包含管道以提供電力至設置於該支撐件上的放射器。在一個實施例中，可設置光纖雷射於管子中，使得該光纖雷射的放射端置於靠近分隔外殼管子的中央，而與該分隔外殼管子的底部間隔開來。
可設置複數個熱輻射感應器140(可為高溫計)於分隔外殼145中，以量測基板108的熱放射。感應器140典型地設置於分隔外殼145中的不同位置處，以便利於處理期間觀察基板108的不同位置。感應來自基板108的不同位置之熱輻射便利於比較基板108的不同位置處的熱能量含量(例如，溫度)，以決定出現溫度異常或不一致性與否。該等不一致性可導致薄 膜形成的不一致性，例如厚度及組成。典型地使用至少兩個感應器140，但可使用多於兩個。不同實施例可使用三個、四個、五個、六個、七個或更多個感應器140。
因為準直能量來源102典型地產生單色光，感應器140可調諧至與準直能量來源102的單色光波長相異的一波長，所以可達成更精確的溫度讀取。使用寬頻譜能量來源(例如，熱照射器)，來自能量來源的輻射並非單色的且可影響感應器140的溫度讀取。
可設置熱感應器118於反射器122中，以監視第一圓頂128的熱狀態(若需要)，或從相對於感應器140的觀察點監視基板108的熱狀態。該監視對於比較接收自感應器140的資料而言可為有用的，例如，決定接收自感應器140的資料中是否存在缺陷。在一些例子中熱感應器118可為感應器的組件，特徵為多於一個個別的感應器。因此，處理腔室100可特徵為一個或更多個感應器設置以接收來自基板的第一側所放射的輻射，及一個或更多個感應器設置以接收來自相對於該第一側之基板的第二側所放射的輻射。
控制器160接收來自感應器140的資料，且基於該資料分別調整傳遞至準直能量來源102的各放射器或個別群組之放射器之電力。控制器160可包含獨立對多種放射器供電的電力供應162。控制器160可以所需要之溫度剖面來配置，且基於比較接收自感應器140的資料，控制器160調整至放射器的電力，以將所觀察到的熱資料符合所需要的溫度剖面。在腔室效能隨著時間偏差的情況下，控制器160也可 調整至放射器的電力，以將一個基板的熱處理符合另一基板的熱處理。
可設置金屬構件150於第二圓頂114及準直能量來源102之間。金屬構件150可包含用於控制第二圓頂114的溫度之冷卻通道152。因為一些處理氣體可出現於沖洗氣體區域158中，在第二圓頂114的溫度太冷或太熱時，可發生第二圓頂114上的沉積。此外，加熱的基板108可加熱第二圓頂114，且加熱的第二圓頂114可花較基板108更久的時間來冷卻，依序可增加基板108的冷卻時間。因此，第二圓頂114可優勢地藉由金屬構件150冷卻，以減少基板108的冷卻時間。如第1A圖中所展示，金屬構件150對第二圓頂114的錐形可為保角的，以提供金屬構件150的有效熱耦合至第二圓頂114。準直能量來源102(例如複數個雷射二極體)可形成實質對構件150保角的平面，如第1A圖中所展示。選擇地，準直能量來源102可形成實質與基板108的沉積表面116平行的平面。可選地，可藉由於第二圓頂114及金屬構件150或分隔外殼145之間流動冷卻劑流體而冷卻第二圓頂114。
第1B圖為根據描述於此的一個實施例之處理腔室100之示意橫截面視圖。處理腔室100包含具有複數個輪輻166的基板支撐件164，而取代漏斗狀的基板支撐件107。接點110受輪輻166支撐，且該等接點直接或經由邊緣環105支撐基板108。輪輻166可由光學透明材料製成，例如石英。在操作期間，輪輻166可旋轉且結果可形成陰影於基板108的背側上。為了最小化陰影效應，可安置準直能量來源102(例 如複數個雷射)使得基板108的背側104上的任何面積P藉由至少兩個雷射束(例如束L1及L2)來照明。在一個實施例中，基板108的背側104上的各面積P藉由10個雷射束來照明。
第1C圖為根據描述於此的一個實施例之處理腔室100之示意橫截面視圖。處理腔室100包含具有漏斗狀部分170及自漏斗狀部分170徑向向外延伸的複數個輪輻172之基板支撐件168。漏斗狀部分170及輪輻172可由光學透明材料製成，例如石英。在操作期間，所有雷射束可通過光學透明的漏斗狀部分170，且可以一角度傳遞該等束至基板108的背側104，如第1C圖中所展示的L3及L4，使得旋轉的輪輻172不會在基板108的背側104上形成陰影。
第1D圖為根據描述於此的一個實施例之處理腔室100之示意橫截面視圖。處理腔室100包含耦合至碟106的基板支撐件174。基板支撐件174可包含複數個托架176。在一個實施例中，有三個托架176支撐著邊緣環105。在此配置中，可藉由機器人(未展示)經由負載埠103從處理腔室100移除基板108或將基板108導入處理腔室100。機器人可能夠產生一力量，例如柏努利力(Bernoulli force)或氣體浮動力，以提高基板108離開邊緣環105，而不接觸基板108。碟106耦合至延伸穿過第一圓頂128及反射器122的軸件113。軸件113可能夠藉由永久磁鐵115及電磁鐵117垂直地旋轉或移動。在操作期間，電磁鐵117磁性耦合至永久磁鐵115以移動永久磁鐵115。電磁鐵117藉由驅動控制器119而控制，驅動控制器119經配置以產生及控制電磁鐵117中的磁場。電 磁鐵117中的磁場與永久磁鐵115交互作用以垂直移動永久磁鐵115及/或旋轉永久磁鐵115，而依序引起邊緣環105及基板108垂直移動及/或旋轉。
第2圖為根據一個實施例的金屬構件150的平面視圖。構件150可具有與基板108相同的形狀，例如圓形，如第2圖中所展示。構件150可由金屬製成，例如銅、鋁或不鏽鋼。可在構件150中央形成開口201以使中央軸件132穿過。可在構件150中形成複數個孔隙202，且各孔隙202與雷射或其他放射器對齊。可於各孔隙202內部形成光學組件204(例如，繞射性、折射性及/或反射性元件如：透鏡、散射器、成形器、截形器及/或均光器)，以塑形、聚焦或散射能量以達成基板108加熱的一致性。在一個實施例中，準直能量來源102設置於孔隙202內部。在其他實施例中，光學組件204可併入基板支撐件107中。
第3圖為處理腔室100的一部分之示意橫截面視圖。如第3圖中所展示，金屬構件302設置於第二圓頂114及準直能量來源102之間。金屬構件302可與金屬構件150相同，除了金屬構件302為平坦的而非錐形的。金屬構件302包含用於流動冷卻劑經過冷卻通道304的冷卻通道304，以控制第二圓頂114的溫度。金屬構件302也包含用於雷射束通過的複數個孔隙，且可於各孔隙內部設置一個或更多個光學組件。
第4圖為根據一個實施例之處理腔室100的一部分之示意橫截面視圖。如第4圖中所展示，設置一實質平坦圓 頂402於基板支撐件107及準直能量來源102之間。為了能夠承受處理腔室100內部的真空條件，平坦圓頂402可由金屬製成，例如鋁。可設置襯墊(未展示)於平坦圓頂402上，以保護金屬圓頂402免於化學侵蝕。平坦圓頂402可具有設置於平坦圓頂402中的複數個孔洞，以允許雷射束通過。可放置光學透明材料(例如，石英)於該等孔洞內部，以維持真空條件並允許雷射束通過。因此，至少一部分的平坦圓頂402對準直能量來源102的準直能量為光學透明的。準直能量來源102可形成實質平行於平坦圓頂402的平面。
第5A圖為根據描述於此的一個實施例之處理腔室100的一部分之示意橫截面視圖。可設置反射器502覆蓋於準直能量來源102。可設置反射器502介於準直能量來源102及金屬構件150之間，或介於金屬構件150及第二圓頂114之間。反射器502可包含複數個孔穴504，且各孔穴504可藉由設置於準直能量來源102上方的管子143中的反射性表面510來界定。可在各反射性表面510中形成開口506以使準直能量通過。可在孔穴504的開口處設置鏡508以將準直能量反射至反射性表面510，而依序反射準直能量朝向基板108的背側104。反射性表面510可為一弧、曲線段、或線區段，且在表面510的長度及寬度維度中皆可具有琢面。鏡508可被琢面、散佈性的、或兩者之組合。反射器502可為複數個同心環或複數個同心多邊形。
第5B圖為根據描述於此的一個實施例之處理腔室100的一部分之示意橫截面視圖。可設置複數個反射器環512 覆蓋於準直能量來源102。可設置反射器環512介於準直能量來源102及金屬構件150之間，或介於金屬構件150及第二圓頂114之間。各反射器環512具有第一反射性表面514及第二反射性表面516。在操作期間，準直能量(第5B圖中指示為「L5」)自第一反射器環512的第一反射性表面514被反射至相鄰於第一反射器環512的第二反射器環512的第二反射性表面516，且第二反射性表面516反射準直能量朝向基板108的背側104。各反射器環512可包含用於冷卻劑通過的通道518。
第5C圖為根據描述於此的一個實施例之處理腔室100的一部分之示意橫截面視圖。可設置準直能量來源519(例如，複數個雷射二極體)於第二圓頂114下方的表面521上。表面521可實質正交於基板108的背側104。可設置複數個反射器環520於第二圓頂114下方。在一個實施例中，準直能量來源519及環520皆設置於金屬構件150下方。各反射器環520可具有反射性表面522以將準直能量(第5C圖中指示為「L6」)自準直能量來源519反射朝向基板108的背側104。各反射器環520可包含用於冷卻劑通過的通道524。可使用支撐件526以支撐各反射器環520，且支撐件526可不在來自準直能量來源519的準直能量的路徑上。例如，可設置支撐件526於兩個準直能量來源519的光學路徑之間，所以沒有準直能量被支撐件526中斷。
第6圖為根據描述於此的一個實施例之折射器600之側面視圖。折射器600可包含第一表面602、第二表面608、 第三表面610及第四表面612。第一表面602可為非線性的，且包含一個或更多個傾斜表面604、606，該等傾斜表面相對於第一表面602的剩餘表面603、605、607傾斜，且相對於第三表面610及第四表面612傾斜。剩餘表面603、605、607可實質與第二表面608平行，且第三表面610可實質與第四表面612平行。可設置複數個折射器600於準直能量來源102上方及第二圓頂114下方，以便控制準直能量的方向。一個或更多個傾斜表面604、606可為平直或粗糙化的。在操作期間，準直能量可由表面602及/或612進入，且粗糙化及/或平直的表面604、606使得能量經由表面608及/或610離開。傾斜表面604、606的斜率及粗糙度可改變以便控制準直能量離開折射器600的方向。可在準直能量來源102及第二圓頂114之間設置其他類型的折射器，例如全像(繞射)透鏡、琢面表面透鏡、或曲線表面透鏡，以控制準直能量的方向。
總而言之，在沉積處理中使用產生單色光的準直能量來源。準直能量來源產生準直光以產生基板上多個及空間上較小的控制區域，而依序提供更好的基板溫度控制。此外，準直能量為單色的而致能更精確的溫度量測。
前述係本發明之實作，可修改本發明之其他及進一步的實作而不遠離其基本範圍，且該範圍由隨後的申請專利範圍來決定。

Claims (19)

  1. 一種基板處理設備，包括：一真空腔室，該真空腔室包括一第一圓頂及一第二圓頂；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該第一圓頂及該第二圓頂之間的該真空腔室內部且面對該第一圓頂，其中該基板支撐件具有一基板支撐表面；一分隔外殼，該分隔外殼設置於接近該真空腔室的該第二圓頂；一準直(collimated)能量來源，該準直能量來源設置於該分隔外殼中，其中至少一部分的該第二圓頂及該基板支撐件對來自該準直能量來源的準直能量為光學透明的；一金屬構件，該金屬構件設置於該真空腔室的該第二圓頂與該準直能量來源之間，其中該金屬構件與該分隔外殼間隔開來並包括複數個孔洞；以及一反射器，用於引導來自該準直能量來源的準直能量穿過該金屬構件中的該複數個孔洞。
  2. 如請求項1所述之基板處理設備，其中該第二圓頂為錐形。
  3. 如請求項2所述之基板處理設備，其中該第二圓頂及該基板支撐件由石英製成。
  4. 如請求項3所述之基板處理設備，其中該準直能量來源實質對該第二圓頂為保角(conformal)的。
  5. 如請求項4所述之基板處理設備，其中該等複數個雷射包括雷射二極體、光纖雷射或光纖耦合雷射。
  6. 如請求項3所述之基板處理設備，其中該準直能量來源實質平行於該基板支撐表面。
  7. 如請求項1所述之基板處理設備，其中該準直能量來源包括複數個雷射。
  8. 一種基板處理設備，包括：一真空腔室，該真空腔室包括一第一圓頂及一第二圓頂；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該第一圓頂及該第二圓頂之間的該真空腔室內部且面對該第一圓頂，其中該基板支撐件具有一基板支撐表面；一準直(collimated)能量來源，該準直能量來源設置於該第二圓頂下方的一表面上，其中該表面實質正交於該基板支撐表面；及一金屬構件，該金屬構件設置於該真空腔室的該第二圓頂及該準直能量來源之間，其中該金屬構件與該表面間隔開來且與該表面相異。
  9. 如請求項8所述之基板處理設備，其中該金屬構件對該第二圓頂為保角的。
  10. 如請求項8所述之基板處理設備，其中該準直能量來源包括複數個雷射。
  11. 如請求項10所述之基板處理設備，其中該等複數個雷射包括雷射二極體、光纖雷射或光纖耦合雷射。
  12. 如請求項8所述之基板處理設備，其中該金屬構件包括複數個孔洞。
  13. 如請求項12所述之基板處理設備，其中設置一個或更多個光學組件於該等複數個孔洞的各孔洞內部。
  14. 如請求項13所述之基板處理設備，其中該等一個或更多個光學組件包括透鏡、散射器、及/或均光器。
  15. 一種基板處理設備，包括：一真空腔室，該真空腔室包括一第一圓頂及一第二圓頂；一基板支撐件，該基板支撐件設置於該第一圓頂及該第二圓頂之間的該真空腔室內部且面對該第一圓頂；一分隔外殼，該分隔外殼位於接近該真空腔室的該第二圓頂；一準直(collimated)能量來源，該準直能量來源設置於該分隔外殼中；一反射器，該反射器設置於該分隔外殼及該第二圓頂之間；以及一金屬構件，該金屬構件設置於該反射器與該第二圓頂之間，其中該金屬構件與該分隔外殼間隔開來，且其中該反射器設置於該金屬構件及該準直能量來源之間。
  16. 如請求項15所述之基板處理設備，其中該反射器包括複數個反射器環，且各環包含兩個反射性表面。
  17. 如請求項15所述之基板處理設備，進一步包括設置於該準直能量來源及該第二圓頂之間的複數個折射器。
  18. 如請求項17所述之基板處理設備，其中該等複數個折射器的各折射器包含一第一表面、一第二表面、一第三表面及一第四表面，其中該第一表面包含一個或更多個傾斜表面。
  19. 如請求項15所述之基板處理設備，其中該基板支撐件耦合至一軸件，該軸件延伸穿過該第一圓頂。
TW104106542A 2014-03-19 2015-03-02 改良的熱處理腔室 TWI653357B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/219,644 2014-03-19
US14/219,644 US10053777B2 (en) 2014-03-19 2014-03-19 Thermal processing chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201538782A TW201538782A (zh) 2015-10-16
TWI653357B true TWI653357B (zh) 2019-03-11

Family

ID=54141541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104106542A TWI653357B (zh) 2014-03-19 2015-03-02 改良的熱處理腔室

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10053777B2 (zh)
JP (1) JP6578297B2 (zh)
KR (1) KR102381819B1 (zh)
CN (2) CN107557759A (zh)
SG (1) SG11201606665YA (zh)
TW (1) TWI653357B (zh)
WO (1) WO2015142578A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10053777B2 (en) * 2014-03-19 2018-08-21 Applied Materials, Inc. Thermal processing chamber
US10752991B2 (en) 2017-02-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Half-angle nozzle
JP6863041B2 (ja) * 2017-04-21 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置
EP3665718B1 (en) * 2017-08-07 2024-04-24 Sharpack Technology Pte. Ltd. Hot wall flux free solder ball treatment arrangement
US10770319B2 (en) * 2018-02-23 2020-09-08 Applied Materials, Inc. EPI thickness tuning by pulse or profile spot heating
CN115547896B (zh) * 2022-11-29 2023-03-10 无锡邑文电子科技有限公司 一种无水冷的半导体晶圆低温处理设备

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03220734A (ja) * 1990-01-25 1991-09-27 Fujitsu Ltd 気相エピタキシャル結晶成長装置
JPH0613324A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Fujitsu Ltd 真空加熱装置
JP3165304B2 (ja) * 1992-12-04 2001-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び半導体処理装置
US5650082A (en) * 1993-10-29 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Profiled substrate heating
JPH07201753A (ja) * 1993-12-29 1995-08-04 Nippon Steel Corp 薄膜製造方法およびその装置
JPH07283096A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Hitachi Ltd 半導体基板の処理方法及び装置
JP3247270B2 (ja) * 1994-08-25 2002-01-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びドライクリーニング方法
JPH08139046A (ja) * 1994-11-09 1996-05-31 Hitachi Ltd 熱処理装置
JPH08191097A (ja) * 1995-01-11 1996-07-23 Touyoko Kagaku Kk 高速熱処理装置
JPH0917217A (ja) * 1995-06-28 1997-01-17 Hitachi Ltd 光源装置及びその調光方法ならびに半導体製造装置および半導体製造方法
JPH09199501A (ja) * 1995-10-02 1997-07-31 Applied Materials Inc ＳｉＦ４を用いて安定な弗素ドープ膜を堆積するプロセス及び装置
JPH09143691A (ja) * 1995-11-22 1997-06-03 Tokyo Electron Ltd 成膜・熱処理装置
US6153260A (en) * 1997-04-11 2000-11-28 Applied Materials, Inc. Method for heating exhaust gas in a substrate reactor
US6222990B1 (en) * 1997-12-03 2001-04-24 Steag Rtp Systems Heating element for heating the edges of wafers in thermal processing chambers
US6108491A (en) * 1998-10-30 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Dual surface reflector
US7015422B2 (en) 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
JP4374854B2 (ja) * 2001-12-25 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びそのクリーニング方法
US7026009B2 (en) * 2002-03-27 2006-04-11 Applied Materials, Inc. Evaluation of chamber components having textured coatings
US6987240B2 (en) 2002-04-18 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Thermal flux processing by scanning
JP2005317925A (ja) * 2004-04-02 2005-11-10 Ricoh Co Ltd 光源装置、記録装置、製版装置及び画像形成装置
US20060105114A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 White John M Multi-layer high quality gate dielectric for low-temperature poly-silicon TFTs
US7976634B2 (en) * 2006-11-21 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems
US20080257263A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Applied Materials, Inc. Cooling shield for substrate processing chamber
KR101571558B1 (ko) * 2008-04-16 2015-11-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 프로세싱 증착 차폐 컴포넌트들
US8398777B2 (en) 2008-05-02 2013-03-19 Applied Materials, Inc. System and method for pedestal adjustment
JP2010129861A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
US8150242B2 (en) * 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Use of infrared camera for real-time temperature monitoring and control
US9758871B2 (en) * 2008-12-10 2017-09-12 Sumco Techxiv Corporation Method and apparatus for manufacturing epitaxial silicon wafer
US8372667B2 (en) 2009-04-20 2013-02-12 Applied Materials, Inc. Fiber laser substrate processing
ES1071023Y (es) 2009-05-25 2010-03-04 Veridentia S L Dispositivo con cierre electromecanico para la distribucion segura de hemocomponentes o farmacos
KR20110044698A (ko) 2009-10-23 2011-04-29 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
US20120052216A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Applied Materials, Inc. Gas distribution showerhead with high emissivity surface
TW201218301A (en) 2010-10-28 2012-05-01 Applied Materials Inc Apparatus having improved substrate temperature uniformity using direct heating methods
JP6051535B2 (ja) * 2011-02-28 2016-12-27 株式会社リコー 画像処理方法及び画像処理装置
US9347132B2 (en) * 2011-04-29 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Optical endpoint detection system
WO2013112313A1 (en) 2012-01-26 2013-08-01 Applied Materials, Inc. Thermal processing chamber with top substrate support assembly
US9905444B2 (en) * 2012-04-25 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Optics for controlling light transmitted through a conical quartz dome
US10734257B2 (en) 2012-04-25 2020-08-04 Applied Materials, Inc. Direct current lamp driver for substrate processing
US10202707B2 (en) 2012-04-26 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Substrate processing system with lamphead having temperature management
KR102033200B1 (ko) 2012-05-30 2019-10-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 급속 열 처리를 위한 장치 및 방법
US9842753B2 (en) * 2013-04-26 2017-12-12 Applied Materials, Inc. Absorbing lamphead face
WO2015123022A1 (en) * 2014-02-14 2015-08-20 Applied Materials, Inc. Upper dome with injection assembly
US10053777B2 (en) * 2014-03-19 2018-08-21 Applied Materials, Inc. Thermal processing chamber

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160135778A (ko) 2016-11-28
CN107557759A (zh) 2018-01-09
US10053777B2 (en) 2018-08-21
WO2015142578A1 (en) 2015-09-24
CN106104750A (zh) 2016-11-09
US20150267300A1 (en) 2015-09-24
TW201538782A (zh) 2015-10-16
JP6578297B2 (ja) 2019-09-18
JP2017515299A (ja) 2017-06-08
CN106104750B (zh) 2019-12-10
SG11201606665YA (en) 2016-10-28
KR102381819B1 (ko) 2022-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI653357B (zh) 改良的熱處理腔室
TWI705514B (zh) Epi中的多區域點加熱
US9029739B2 (en) Apparatus and methods for rapid thermal processing
US11337277B2 (en) Circular lamp arrays
TWI816805B (zh) 利用光束寬度調變的晶圓點加熱
TWI745717B (zh) 用於半導體製程腔室的表面塗層的襯套組件
TWI692012B (zh) 旋轉基板雷射退火
TWI632249B (zh) 用於半導體處理腔室的吸收反射體
TWI654673B (zh) 反射性襯墊
TW202138609A (zh) 用於改善的熱均勻性與輪廓控制的線性燈陣列
TW202216338A (zh) 具有全晶圓雷射加熱的磊晶腔室