JPH03220734A - 気相エピタキシャル結晶成長装置 - Google Patents
気相エピタキシャル結晶成長装置Info
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- JPH03220734A JPH03220734A JP1698490A JP1698490A JPH03220734A JP H03220734 A JPH03220734 A JP H03220734A JP 1698490 A JP1698490 A JP 1698490A JP 1698490 A JP1698490 A JP 1698490A JP H03220734 A JPH03220734 A JP H03220734A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
気相エヒ：タキシャル結晶成長装置に関し、エピタキシ
ャル結晶成長中に基板上のエピタキシャル結晶の組成、
および厚さが検知でき、該検知情報で所定の組成、およ
び厚さのエピタキシャル結晶が得られる装置を目的とし
、 反応容器内の基板設置台上に設置されたエピタキシャル
成長用基板と、 前記エピタキシャル成長用基板に光を照射する光照射手
段と、 該基板上に前記光照射手段と対向して設置され、前記基
板上に形成されたエピタキシャル結晶を透過した光を検
知する光検知手段と、 前記基板上に設置され、前記光検知手段で囲まれた基板
領域内に配置され、前記エピタキシャル結晶を構成する
元素を含むガスを基板上に照射するガス導入管からなり
、 前記光検知手段の情報により、前記ガス導入管に連なる
バルブの開放量を制御して、所定組成および所定厚さの
エピタキシャル結晶を成長するようにして構成する。
ャル結晶成長中に基板上のエピタキシャル結晶の組成、
および厚さが検知でき、該検知情報で所定の組成、およ
び厚さのエピタキシャル結晶が得られる装置を目的とし
、 反応容器内の基板設置台上に設置されたエピタキシャル
成長用基板と、 前記エピタキシャル成長用基板に光を照射する光照射手
段と、 該基板上に前記光照射手段と対向して設置され、前記基
板上に形成されたエピタキシャル結晶を透過した光を検
知する光検知手段と、 前記基板上に設置され、前記光検知手段で囲まれた基板
領域内に配置され、前記エピタキシャル結晶を構成する
元素を含むガスを基板上に照射するガス導入管からなり
、 前記光検知手段の情報により、前記ガス導入管に連なる
バルブの開放量を制御して、所定組成および所定厚さの
エピタキシャル結晶を成長するようにして構成する。
本発明は気相エピタキシャル結晶の成長装置に関する。
赤外線検知素子のような光電変換素子には、エネルギー
ハンドギャップの狭い水銀・カドミウム・テルル（ＩＩ
ｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅ）結晶が素子形成祠料として用い
られている。
ハンドギャップの狭い水銀・カドミウム・テルル（ＩＩ
ｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅ）結晶が素子形成祠料として用い
られている。
このようなＨｇ１−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶を形成するに
は、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）基板を設置した基板
設置台を反応容器内に収容し、該容器内に水銀（Ｉｌｇ
）を担持した水素ガス、ジメチルカドミウム（Ｃｃｌ
（Ｃｔｌｓ）ｚ ）を担持した水素ガス、ジイソプロピ
ルテルル（Ｔｅ（Ｃ３Ｈ７）３〕を担持した水素ガスを
導入し、前記基板設置台を加熱することで加熱した基板
との間で化学反応を生しさせて基板上にＩｌｇ、−ＸＣ
ｄ。
は、カドミウムテルル（ＣｄＴｅ）基板を設置した基板
設置台を反応容器内に収容し、該容器内に水銀（Ｉｌｇ
）を担持した水素ガス、ジメチルカドミウム（Ｃｃｌ
（Ｃｔｌｓ）ｚ ）を担持した水素ガス、ジイソプロピ
ルテルル（Ｔｅ（Ｃ３Ｈ７）３〕を担持した水素ガスを
導入し、前記基板設置台を加熱することで加熱した基板
との間で化学反応を生しさせて基板上にＩｌｇ、−ＸＣ
ｄ。
Ｔｅノエヒタキシャル結晶を形成している。
ところで上記したエピタキシャル成長装置にｈ今いて、
成長途中のエピタキシャル結晶の組成、および厚さを検
知し、この検知情報を基にして所定の組成、および厚さ
のエピタキシャル結晶を形成するような装置が望まれる
。
成長途中のエピタキシャル結晶の組成、および厚さを検
知し、この検知情報を基にして所定の組成、および厚さ
のエピタキシャル結晶を形成するような装置が望まれる
。
従来、このような成長途中の結晶を検知する装置として
特開昭５９−７４６３６号に於いて膜厚測定装置として
提案されている。
特開昭５９−７４６３６号に於いて膜厚測定装置として
提案されている。
この装置はプラズマＣＶＤ法により成長さ一拷た膜厚を
測定する装置で第７図に図示するように、反応槽１内に
は、高周波電源により高周波電圧が印加される一対の対
向電極２および３が設けられ、この両方の電極間には基
板４と５が配置されている。但し基板４はＣＶＤ膜を形
成すべき基板で、基板５は膜厚測定用の検査基板である
。
測定する装置で第７図に図示するように、反応槽１内に
は、高周波電源により高周波電圧が印加される一対の対
向電極２および３が設けられ、この両方の電極間には基
板４と５が配置されている。但し基板４はＣＶＤ膜を形
成すべき基板で、基板５は膜厚測定用の検査基板である
。
そしてガス導入管６より所定のＣＶＤ膜形成用ガスを導
入し、該基板を加熱して基板の上部の透明窓７からの赤
外線ランプ８からの赤外線９を導入して照射セ゛シめる
。この赤外線は反応槽１内のＣＶＤ膜および基板を通過
して基板５下の透過窓１０より槽外へ導出され、光度；
ｉ１１■に入射する。
入し、該基板を加熱して基板の上部の透明窓７からの赤
外線ランプ８からの赤外線９を導入して照射セ゛シめる
。この赤外線は反応槽１内のＣＶＤ膜および基板を通過
して基板５下の透過窓１０より槽外へ導出され、光度；
ｉ１１■に入射する。
また他の赤外線ランプＯＡより基板５上に人４・１シて
反射した光は他の光度ｉｔ ］ Ｉ Ａに入射する。
反射した光は他の光度ｉｔ ］ Ｉ Ａに入射する。
ここで光度計１１Ａに於ける反射強度Ｉ。と、光度計１
１に於いる透過光の強度■の比に対するＣＶＤ膜の膜厚
りば第（１）式で表されるように比例関係にあるので、
上記両強度の比（吸光度）からＣＶＤ膜の厚さｔを求め
ることが出来る。
１に於いる透過光の強度■の比に対するＣＶＤ膜の膜厚
りば第（１）式で表されるように比例関係にあるので、
上記両強度の比（吸光度）からＣＶＤ膜の厚さｔを求め
ることが出来る。
Ｌｏｇｌｏ／丁 ０（１・・・・・・・・・・・・（１
）〔発明が解決しようとする課題〕 然し、上記した装置では基板」二に複数の構成元素で形
成される化合物半導体結晶の所定の領域の厚さや組成を
検知することは出来ず、またこの検知情報をもとにして
基板上に均一な組成、および厚さの化合物半導体結晶の
エピタキシャル結晶を形成することは困難である。
）〔発明が解決しようとする課題〕 然し、上記した装置では基板」二に複数の構成元素で形
成される化合物半導体結晶の所定の領域の厚さや組成を
検知することは出来ず、またこの検知情報をもとにして
基板上に均一な組成、および厚さの化合物半導体結晶の
エピタキシャル結晶を形成することは困難である。
本発明は」二記した問題点を解決し、基板上で成長途中
の化合物半導体結晶のエピタキシャル結晶の厚さ、およ
び組成が検知でき、この検知情報を基にして基板の全面
に均一な組成、および厚さの化合物半導体のエピタキシ
ャル結晶が形成可能な気相エピタキシャル結晶成長装置
を目的とする。
の化合物半導体結晶のエピタキシャル結晶の厚さ、およ
び組成が検知でき、この検知情報を基にして基板の全面
に均一な組成、および厚さの化合物半導体のエピタキシ
ャル結晶が形成可能な気相エピタキシャル結晶成長装置
を目的とする。
上記目的を達成する本発明の気相エピタキシャル成長装
置は、反応容器内の基板設置台上に設置されたエピタキ
シャル成長用基板と、 前記エピタキシャル成長用基板に光を照射する光照射手
段と、 該基板上に前記光照射手段と対向して設置され、前記基
板上に形成されたエピタキシャル結晶を透過した光を検
知する光検知手段と、 前記基板上に設置され、前記光検知手段で囲まれた基板
領域内に配置され、前記エピタキシャル結晶を構成する
元素を含むガスを基板上に照射するガス導入管からなり
、 前記光検知手段の情報により、前記ガス導入管に連なる
バルブの開放量を制御して、所定ｍ威および所定厚さの
エピタキシャル結晶を成長することを特徴としている。
置は、反応容器内の基板設置台上に設置されたエピタキ
シャル成長用基板と、 前記エピタキシャル成長用基板に光を照射する光照射手
段と、 該基板上に前記光照射手段と対向して設置され、前記基
板上に形成されたエピタキシャル結晶を透過した光を検
知する光検知手段と、 前記基板上に設置され、前記光検知手段で囲まれた基板
領域内に配置され、前記エピタキシャル結晶を構成する
元素を含むガスを基板上に照射するガス導入管からなり
、 前記光検知手段の情報により、前記ガス導入管に連なる
バルブの開放量を制御して、所定ｍ威および所定厚さの
エピタキシャル結晶を成長することを特徴としている。
第３図（ａ）に示すように、ＣｄＴｅ基板３４上に厚さ
が均一でないＨｇ＋−Ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶４２が形成
された場合、外基板の下部より上記ＣｄＴｅ基板は透過
するが、Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶に吸収される波
長の光をレーザ光源より矢印のように照射して、該照射
光をＩ１ｇ＋−ＸＣｄＸＴｅで形成された赤外線検知素
子３６で検査した場合、第３図（ｂｌに示すように、そ
の照射光の感度向＆’ｊ！ ５１に示すように透過光の
検知感度はＨｇ＋−ｘ ＣｄｘＴｅ結晶４２の厚さが厚
くなるにつれて低下する。
が均一でないＨｇ＋−Ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶４２が形成
された場合、外基板の下部より上記ＣｄＴｅ基板は透過
するが、Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶に吸収される波
長の光をレーザ光源より矢印のように照射して、該照射
光をＩ１ｇ＋−ＸＣｄＸＴｅで形成された赤外線検知素
子３６で検査した場合、第３図（ｂｌに示すように、そ
の照射光の感度向＆’ｊ！ ５１に示すように透過光の
検知感度はＨｇ＋−ｘ ＣｄｘＴｅ結晶４２の厚さが厚
くなるにつれて低下する。
このようにして照射した光を検知し、第４図に示すよう
にＨｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅ結晶の厚さの薄い領域４２へ
上の水銀ガスのガス導入管３７、ジメチルカドミウムの
ガス導入管３８、ジイソプロピルテルルのガス導入管３
９のバルブを、ＣｄＴｅ基板の他の領域上に設置されて
いる上記ガス導入管のバルブより選択的に開放にしてエ
ピタキシャル成長用ガスを導入すると、その部分に部分
的にＨｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶が形成でき、基板上
の全面に均一な厚さのエピタキシャル結晶が形成される
。
にＨｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅ結晶の厚さの薄い領域４２へ
上の水銀ガスのガス導入管３７、ジメチルカドミウムの
ガス導入管３８、ジイソプロピルテルルのガス導入管３
９のバルブを、ＣｄＴｅ基板の他の領域上に設置されて
いる上記ガス導入管のバルブより選択的に開放にしてエ
ピタキシャル成長用ガスを導入すると、その部分に部分
的にＨｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶が形成でき、基板上
の全面に均一な厚さのエピタキシャル結晶が形成される
。
また上記半導体レーザ素子を７７°Ｋに冷却された鉛・
ユーロピウム・テルル（ＰｂＥｕＴｅ）で形成され、４
μｍ前後の波長の光を照射する素子を用い、上記４μｍ
前後の波長に対して高感度を有する検知素子として７７
６Ｋに冷却されたＨｇ ＋ −Ｘ Ｃｄ）＋ Ｔｅ （
ｘ −０，３）の検知素子を用いる。すると第５図、第
６図に示すように７７°にでカットオフ波長（吸収率が
５０％となる波長）が１０μｍで、３１（Ｍｃ（基板の
成長温度）の場合ではカットオフ波長が４．６１μｍと
なる所望のＨｇ１−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ （ｘ−０，２１
）結晶が成長されていると透過光は零となり、この場合
はバルブの開閉状態はそのままとする。
ユーロピウム・テルル（ＰｂＥｕＴｅ）で形成され、４
μｍ前後の波長の光を照射する素子を用い、上記４μｍ
前後の波長に対して高感度を有する検知素子として７７
６Ｋに冷却されたＨｇ ＋ −Ｘ Ｃｄ）＋ Ｔｅ （
ｘ −０，３）の検知素子を用いる。すると第５図、第
６図に示すように７７°にでカットオフ波長（吸収率が
５０％となる波長）が１０μｍで、３１（Ｍｃ（基板の
成長温度）の場合ではカットオフ波長が４．６１μｍと
なる所望のＨｇ１−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ （ｘ−０，２１
）結晶が成長されていると透過光は零となり、この場合
はバルブの開閉状態はそのままとする。
また基板上に３１０℃でのカットオフ波長が３．５３μ
ｍのｌ１ｇ、−ＸＣｄＸＴｅ（ｘ＝０．３）が成長され
ていると、透過光量は変化しないので、この値を検知し
て所定の透過光量になるように、該透過光量によって連
動するような前記したＨｇガス導入管３７に連なるバル
ブの開放量を大きくし、ジメチルカドミウムガス導入管
３８に連なるバルブの開放量を絞るように調節する。
ｍのｌ１ｇ、−ＸＣｄＸＴｅ（ｘ＝０．３）が成長され
ていると、透過光量は変化しないので、この値を検知し
て所定の透過光量になるように、該透過光量によって連
動するような前記したＨｇガス導入管３７に連なるバル
ブの開放量を大きくし、ジメチルカドミウムガス導入管
３８に連なるバルブの開放量を絞るように調節する。
また基板上に３１０“Ｃのカットオフ波長が５．０５μ
ｍ前後のＨｇ１−、 Ｃｄ、 Ｔｅ（ｘ＜０．２）が成
長されていると、透過光量は減少し、検知素子で検知し
た光の感度レベルが低下するので、この場合は前記した
Ｈｇガス導入管３７に連なるバルブの開放量を絞るよう
にし、ジメチルカドミウムガス導入管３８に連なるバル
ブの開放量を大きくする。
ｍ前後のＨｇ１−、 Ｃｄ、 Ｔｅ（ｘ＜０．２）が成
長されていると、透過光量は減少し、検知素子で検知し
た光の感度レベルが低下するので、この場合は前記した
Ｈｇガス導入管３７に連なるバルブの開放量を絞るよう
にし、ジメチルカドミウムガス導入管３８に連なるバル
ブの開放量を大きくする。
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の気相エピタキシャル結晶成長装置の模
式的側面図、第２図は本発明の装置の要部の模式的平面
図である。
式的側面図、第２図は本発明の装置の要部の模式的平面
図である。
第１図および第２図に図示するように、反応容器３１内
には所定の位置に開口部３２を有するカーボンより威る
基板設置台３３が設置され、該基板設置台３３には厚さ
が５００ μｍで縦×横の寸法が１０ Ｘ １０ｃｍの
ＣｄＴｅ基板３４が設置されている。
には所定の位置に開口部３２を有するカーボンより威る
基板設置台３３が設置され、該基板設置台３３には厚さ
が５００ μｍで縦×横の寸法が１０ Ｘ １０ｃｍの
ＣｄＴｅ基板３４が設置されている。
上記基板設置台３４の開口部３２に対向して４μｍの波
長の光を照射するＰｂＥｕＴｅよりなる半導体レーザ素
子３５−Ｌ ３５−２、・・・３５−２５が縦および横
方向に所定の間隔を隔てて配置されている。
長の光を照射するＰｂＥｕＴｅよりなる半導体レーザ素
子３５−Ｌ ３５−２、・・・３５−２５が縦および横
方向に所定の間隔を隔てて配置されている。
また該半導体レーザ素子３５−１．３５−２、・・・３
５−２５に対向してＣｄＴｅ基板３４上の反応容器３１
上に８０ ’ Ｋに冷却されたＨｇ、−ＸＣｄＸＴｅ（
ｘ＝０．３）の赤外線検知素子３６−１．３６−２、・
・・３６−２５が配置されている。
５−２５に対向してＣｄＴｅ基板３４上の反応容器３１
上に８０ ’ Ｋに冷却されたＨｇ、−ＸＣｄＸＴｅ（
ｘ＝０．３）の赤外線検知素子３６−１．３６−２、・
・・３６−２５が配置されている。
そして前記赤外線検知素子、および該検知素子に対向配
置されている半導体レーザ素子で囲まれたＣｄＴｅ基板
領域３４−１．３４−２、・・・・・・３４−１６にＨ
ｇガス導入管３７、ジメチルカドミウムガス導入管３８
、ジイソプロピルテルルガス導入管３９が配置されてい
る。
置されている半導体レーザ素子で囲まれたＣｄＴｅ基板
領域３４−１．３４−２、・・・・・・３４−１６にＨ
ｇガス導入管３７、ジメチルカドミウムガス導入管３８
、ジイソプロピルテルルガス導入管３９が配置されてい
る。
このような装置の反応容器３１内を１０−’ｔｏｒｒ以
上の高真空になる迄、排気口５２に連なる排気ポンプ０ （図示せず）にて排気した後、高周波誘導コイル５３に
通電して基板を３５０℃の温度に加熱し、水根ガス導入
管３７より水素ガスに担持された１０−３気圧の水銀ガ
ス、ジメチルカドミウムガス導入管３８より水素ガスに
担持された１０−５気圧のジメチルカドミウムガス、ジ
イソプロピルテルルガス導入管３９より水素ガスに担持
された１０−５気圧のジイソプロピルテルルガスを導入
して基板上にｌ１ｇ１−ＸＣｄ、 Ｔｅ（ｘ＝０．２１
）をエピタキシャル成長する。
上の高真空になる迄、排気口５２に連なる排気ポンプ０ （図示せず）にて排気した後、高周波誘導コイル５３に
通電して基板を３５０℃の温度に加熱し、水根ガス導入
管３７より水素ガスに担持された１０−３気圧の水銀ガ
ス、ジメチルカドミウムガス導入管３８より水素ガスに
担持された１０−５気圧のジメチルカドミウムガス、ジ
イソプロピルテルルガス導入管３９より水素ガスに担持
された１０−５気圧のジイソプロピルテルルガスを導入
して基板上にｌ１ｇ１−ＸＣｄ、 Ｔｅ（ｘ＝０．２１
）をエピタキシャル成長する。
次いで所定時間経過した段階で、例えば半導体レーザ素
子３５−７．３５−８．３５−１２．３５−１３より照
射したレーザ光を光透過板４１、開口部３２を介してＣ
ｄＴｅ基板３４上に形成されたＨｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔ
ｅ結晶４２に吸収させ、該１１ｇ＋−，ＣｄＸＴｅ結晶
４２で吸収されなかった透過光を対向する赤外線検知素
子３６−７．３６−８．３６−１２．３６−１３で測定
する。そしてこの検知素子３６−７．３６−８．３６−
１２．３６−１３で測定した赤外線光量が、隣接する他
の赤外線素子で囲まれた基板領域を透過した赤外線光量
よりも犬であると、該レーザ素子３５−７．３５−８．
３５−１２．３５−１３で囲まれた基板の領域３４−１
の１１ｇ１□ＣｄＸＴｅ結晶が、隣接する他の基板の領
域上のＨｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅ結晶よりも赤外線を透過
し易い、っまりｘ ＞０．２１（７）Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄ
ＸＴｅ結晶が形成されていることになるので、領域３４
−８上に設置された水銀ガス導入管３７Ａのバルブの開
放量を、該領域３４−８に隣接する他の領域より大とし
、ジメチルカドミウムガス導入管３８へのバルブの開放
量を該領域３４−８に隣接する他の領域上のバルブの開
放量より小とする。
子３５−７．３５−８．３５−１２．３５−１３より照
射したレーザ光を光透過板４１、開口部３２を介してＣ
ｄＴｅ基板３４上に形成されたＨｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔ
ｅ結晶４２に吸収させ、該１１ｇ＋−，ＣｄＸＴｅ結晶
４２で吸収されなかった透過光を対向する赤外線検知素
子３６−７．３６−８．３６−１２．３６−１３で測定
する。そしてこの検知素子３６−７．３６−８．３６−
１２．３６−１３で測定した赤外線光量が、隣接する他
の赤外線素子で囲まれた基板領域を透過した赤外線光量
よりも犬であると、該レーザ素子３５−７．３５−８．
３５−１２．３５−１３で囲まれた基板の領域３４−１
の１１ｇ１□ＣｄＸＴｅ結晶が、隣接する他の基板の領
域上のＨｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅ結晶よりも赤外線を透過
し易い、っまりｘ ＞０．２１（７）Ｈｇ＋−ｘ Ｃｄ
ＸＴｅ結晶が形成されていることになるので、領域３４
−８上に設置された水銀ガス導入管３７Ａのバルブの開
放量を、該領域３４−８に隣接する他の領域より大とし
、ジメチルカドミウムガス導入管３８へのバルブの開放
量を該領域３４−８に隣接する他の領域上のバルブの開
放量より小とする。
このようにして所定回数この操作を繰り返すと前記基板
上にばＩ１ｇ＋−、ＣｄｙＴｅ（ｘ＝０．２１）の結晶
が形成されることになり、上記ガスの導入量とエピタキ
シャル成長時間より所定時間経過すると所定厚さとなる
。
上にばＩ１ｇ＋−、ＣｄｙＴｅ（ｘ＝０．２１）の結晶
が形成されることになり、上記ガスの導入量とエピタキ
シャル成長時間より所定時間経過すると所定厚さとなる
。
また基板上の総ての領域で均一な厚さを得る場合には、
上記領域３４−８上に設置された水銀ガス導入管３７八
、ジメチルカドごラムガス導入管３８八、ジイソプロピ
ルテルルガス導入管３９への総てのガス導入管に連なる
バルブの開放量を、該ｖＪ域３４−８に隣接する他の基
板領域上より大にすると良い。
上記領域３４−８上に設置された水銀ガス導入管３７八
、ジメチルカドごラムガス導入管３８八、ジイソプロピ
ルテルルガス導入管３９への総てのガス導入管に連なる
バルブの開放量を、該ｖＪ域３４−８に隣接する他の基
板領域上より大にすると良い。
従って、上記１１ｇ＋−ｘ ＣｄＸＴｅ結晶（ｘ＝０．
２１）を用いて赤外線検知素子を形成する場合には、Ｐ
−Ｎ接合が形成される表面層が上記組成に戒っている
と良いので、エピタキシャル結晶の初期の成長段階では
エピタキシャル結晶の厚さが、基板上で平坦になるよう
にガスのバルブの開放量を調整した後、最終段階で組成
が所定の値に成るように調整すると良い。
２１）を用いて赤外線検知素子を形成する場合には、Ｐ
−Ｎ接合が形成される表面層が上記組成に戒っている
と良いので、エピタキシャル結晶の初期の成長段階では
エピタキシャル結晶の厚さが、基板上で平坦になるよう
にガスのバルブの開放量を調整した後、最終段階で組成
が所定の値に成るように調整すると良い。
なお、本実施例では基板設置台として平板状のカーボン
板を用い、レーザ光を透過する箇所に開口部を設けたが
、上記基板設置台の代わりにカーボンを円筒状に加工し
、その円筒状部材の内壁にＣｄＴｅ基板を斜め方向に立
て掛けるようにしても良い。
板を用い、レーザ光を透過する箇所に開口部を設けたが
、上記基板設置台の代わりにカーボンを円筒状に加工し
、その円筒状部材の内壁にＣｄＴｅ基板を斜め方向に立
て掛けるようにしても良い。
また半導体レーザ素子の代わりに回折格子を用いて波長
が連続的に変化するような分光器を用いても良い。
が連続的に変化するような分光器を用いても良い。
以上の説明から明らかなように本発明によれば複数の元
素で構成されている化合物半導体結晶のエピタキシャル
成長に於いて、エピタキシャル成長を継続しながら形成
される結晶の組成、および厚さが基板の全領域にわたっ
て均一な結晶となる効果がある。
素で構成されている化合物半導体結晶のエピタキシャル
成長に於いて、エピタキシャル成長を継続しながら形成
される結晶の組成、および厚さが基板の全領域にわたっ
て均一な結晶となる効果がある。
第１図は本発明の装置の模式的側面図、第２図は本発明
の要部の模式的平面図、第３図＋ａ＋、および第３図（
ｂ）は本発明の詳細な説明図、 第４図は本発明の詳細な説明図、 第５図は７７°Ｋに於けるカットオフ波長とｔ１ｇ＋−
ｘＣｄＸＴｅ結晶のＸ値との関係図、 第６図は成長温度３１０°Ｃに於けるＨｇ、−ＸＣｄＸ
Ｔｅのｘ値と吸収率の関係図、 第７図は従来の装置を示す模式図である。 図において、 ３１は反応容器、３２は開口部、３３は基板設置台、３
４はＣｄＴｅ基板、３４−１．３４−２ ・・・・−・
３４−１．６は基板領域、３５ 、３５−１ 、３５−
２・・・・・・３５−２５は半導体レーザ素子、３６゜
３６−１．３６−２・・・・・・３６−２５ば赤外線検
知素子、３７．３７Ａは水銀ガス導入管、３８．３８Ａ
はジメチルカドミウムガス導入管、３９．３９Ａはジイ
ソプロピルテルルガス導入管、４１は光透過板、４２，
４２ΔはＩＩｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶、５１は感度
曲線、５２は排気口、５３は高周波誘導コイルを示す。 ５ （ｕｔｒノ答４ζ乙上イルｕ４−一 妻１ｈ ’１ｆｌｎ← 彼、５ａ″１社
の要部の模式的平面図、第３図＋ａ＋、および第３図（
ｂ）は本発明の詳細な説明図、 第４図は本発明の詳細な説明図、 第５図は７７°Ｋに於けるカットオフ波長とｔ１ｇ＋−
ｘＣｄＸＴｅ結晶のＸ値との関係図、 第６図は成長温度３１０°Ｃに於けるＨｇ、−ＸＣｄＸ
Ｔｅのｘ値と吸収率の関係図、 第７図は従来の装置を示す模式図である。 図において、 ３１は反応容器、３２は開口部、３３は基板設置台、３
４はＣｄＴｅ基板、３４−１．３４−２ ・・・・−・
３４−１．６は基板領域、３５ 、３５−１ 、３５−
２・・・・・・３５−２５は半導体レーザ素子、３６゜
３６−１．３６−２・・・・・・３６−２５ば赤外線検
知素子、３７．３７Ａは水銀ガス導入管、３８．３８Ａ
はジメチルカドミウムガス導入管、３９．３９Ａはジイ
ソプロピルテルルガス導入管、４１は光透過板、４２，
４２ΔはＩＩｇ＋−ｘ Ｃｄｘ Ｔｅ結晶、５１は感度
曲線、５２は排気口、５３は高周波誘導コイルを示す。 ５ （ｕｔｒノ答４ζ乙上イルｕ４−一 妻１ｈ ’１ｆｌｎ← 彼、５ａ″１社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応容器（３１）内の基板設置台（３３）上に設置され
たエピタキシャル成長用基板（３４）と、 前記エピタキシャル成長用基板（３４）に光を照射する
光照射手段（３５）と、 該基板上に前記光照射手段と対向して設置され、前記基
板（３４）上に形成されたエピタキシャル結晶（４２）
を透過した光を検知する光検知手段（３６）と、前記基
板上に設置され、前記光検知手段で囲まれた基板領域内
に配置され、前記エピタキシャル結晶を構成する元素を
含むガスを基板上に照射するガス導入管（３７、３８、
３９）からなり、前記光検知手段（３６）の情報により
、前記ガス導入管に連なるバルブの開放量を制御して、
所定組成および所定厚さのエピタキシャル結晶を成長す
るようにしたことを特徴とする気相エピタキシャル結晶
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1698490A JPH03220734A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 気相エピタキシャル結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1698490A JPH03220734A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 気相エピタキシャル結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220734A true JPH03220734A (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=11931313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1698490A Pending JPH03220734A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 気相エピタキシャル結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03220734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017515299A (ja) * | 2014-03-19 | 2017-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 改良された熱処理チャンバ |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP1698490A patent/JPH03220734A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017515299A (ja) * | 2014-03-19 | 2017-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 改良された熱処理チャンバ |
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