CN107851566A - 硅材料的切割辅助装置、切割方法、切割系统 - Google Patents
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Abstract
一种硅材料的切割辅助装置,在硅材料的切割时,向该硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的、pH为10以上的无机碱性电解水。一种硅材料的切割系统,具备切割硅材料的切割装置以及向该硅材料被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水的切割辅助装置。
Description
技术领域
本发明涉及硅材料的切割辅助装置、切割方法、切割系统。
背景技术
用于半导体的单晶硅、用于太阳能电池的单晶硅以及多晶硅等硅材料,通常是用钢丝锯等工具对其进行机械性的切割。例如:硅晶片是用钢丝锯将硅锭切割而制造的。在这种钢丝锯中,通常为了降低在切割部位产生的阻抗,在对其产生的摩擦热冷却的同时,将因切割产生的硅锭的切割碎屑分散并排出,因而会使用切削液。如专利文献1中所示,在硅锭的切割中,使用含有作为冷却剂的具有适用于切割碎屑的分散/排出的粘度的二甘醇、丙二醇、低分子量的聚乙二醇等水溶性二醇类等的切削液。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-130635号公报
发明内容
发明要解决的问题
切割硅锭制造硅晶片时,作为硅晶片被利用的只不过占硅锭整体的30%左右,其余的70%左右的部分作为硅锭的切割碎屑被排出到切削液中。若从使用后的切削液中分离硅锭的切割碎屑,则水溶性二醇类等的来源于冷却剂的有机成分将附着于硅锭的切割碎屑上。此外,其硅锭的大部分已成了氧化硅(SiO2)。因此,一直以来特别是用于太阳能电池的硅锭的切割碎屑,都是仅限于废弃处理或用于道路的铺装材料等用途,而很难将硅锭的切割碎屑作为含硅材料(例如:硅锭用的多晶硅、硅铁(Fe-Si等))的原料进行再利用。含有水溶性二醇类等的冷却剂的切削液,在高精度地切割硅锭这点上是适宜的,但其作为有机成分附着在硅锭的切割碎屑上,或废液中的硅成为氧化硅(SiO2),因此,妨碍切割碎屑的再利用,在该方面仍是待解决的问题。
鉴于此,本发明的目的在于提供在高精度切割硅锭等硅材料的同时,不使硅材料的切割碎屑氧化,从而能够作为高纯度的硅回收的硅材料的切割辅助装置、切割方法以及切割系统。
用于解决问题的方案
为防止有机成分在硅材料切割碎屑上附着,本发明人着眼于使用不含有机成分的碱性电解水作为切削液。该碱性电解水,从氧化还原电位是负的这点也能够判断具有还原性,因此,具有切割后的切割碎屑中的硅不易氧化的优点。而且,在使用碱性电解水进行硅材料切割上进行了深入研究,结果发现:通过使用含有微米气泡、纳米气泡、毫米气泡等的微小气泡的碱性电解水作为切削液,能够与含有水溶性二醇类等的冷却剂的切削液同样高精度地切割硅材料。
本发明提供在硅材料的切割时,向该硅材料被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水的硅材料切割辅助装置。
利用本发明能够兼顾:通过代替一直使用的水溶性二醇类等的冷却液而将含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水作为切削液使用,高精度地切割硅材料,以及回收作为未氧化的高纯度硅的硅材料的切割碎屑。
本发明的硅材料的切割辅助装置可以对前述硅材料的被切割部喷射前述切削液。在硅材料的切割碎屑等混入之前的未使用的切削液的存在下,能够稳定地高精度地切割硅材料。
本发明的硅材料的切割辅助装置,具备在pH为10以上的无机碱性电解水中混合气体且加压从而制造气液混合液的混合加压部和将该气液混合液在大气压下开放,向前述硅材料的被切割部喷出的喷出部,该气液混合液在从该喷出部被喷出时,也可成为含有前述微小气泡的前述切削液。无需预先制造含有微小气泡的切削液且储存的装置,因此,装置变得简便。
在本发明的硅材料的切割辅助装置中,前述pH为10以上的无机碱性电解水优选通过电解将作为电解质的从选自由氯化物盐、碳酸盐、硫酸盐、硝酸盐、铵盐、亚硫酸盐组成的组中的1种以上的盐溶解后的水溶液而制造。
另外,前述电解质特别优选由NaCl、KCl、K2CO3、Na2CO3、NH4Cl、Na2SO4组成的组中的1种以上的盐。
在本发明的硅材料的切割辅助装置,前述微小气泡可以是惰性气体或还原性气体的气泡。与在微小气泡中含有空气等的氧化性气体的情况相比,能够更有效地抑制硅材料的切割碎屑中的硅的氧化。
另外,本发明提供硅材料的切割系统。该切割系统具备切割硅材料的切割装置和向该硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水的切割辅助装置。
另外,本发明还能够实现作为硅材料的切割方法。本发明能够提供向硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水从而切割硅材料的硅材料的切割方法。
另外,本发明提供在切割硅材料时,向该硅材料被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性水溶液的硅材料的切割辅助装置。即使在此情况下,也能够兼顾高精度地切割硅材料,以及回收作为未氧化的高纯度硅的硅材料的切割碎屑。在本说明书中,将溶解了通过仅使氢氧化物(例如,氢氧化钠、氢氧化钾)或者碳酸盐(例如,碳酸钾)等溶于水中显示碱性的无机化合物的水溶液称为无机碱性水溶液。另外,在此说明书中,将溶解了碳酸钠或者碳酸钾等的无机盐后的中性的水溶液进行电解而得到的阴极水称为无机碱性电解水。无机碱性电解水与无机碱性水溶液不同,含有溶存氢、氢气泡,具有还原性。
附图说明
[图1]示出了与实施例相关的切割系统的概括性的图。
[图2]示出了图1的切割系统的切割辅助装置的详细的图。
[图3]示出了对使用实施例的切削液切割后的硅材料的切断面的粗糙度测定后的结果的图。
[图4]示出了对使用比较例的切削液切割后的硅材料的切断面的粗糙度测定后的结果的图。
[图5]示出了对使用比较例的切削液切割后的硅材料的切断面的粗糙度测定后的结果的图。
具体实施方式
在与本发明中所述的硅材料的切割辅助装置等以及切割方法中使用的切削液是含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水或无机碱性水溶液。通常,与无机碱性水溶液相比,无机碱性电解水在作业人员进行作业方面安全性较高,在这一点上是优选的。
作为切削液使用的pH为10以上的无机碱性电解水,优选通过电解将作为电解质的选自由氯化物盐、碳酸盐、硫酸盐、硝酸盐、铵盐、亚硫酸盐组成的组中的1种以上的盐溶解后的水溶液而制造。作为电解质,特别优选使用选自由NaCl、KCl、K2CO3、Na2CO3、NH4Cl、Na2SO4组成的组中的1种以上的盐。由此,制造出的无机碱性电解水对应于使用盐的种类,含有钠离子、钾离子、铵离子、氯化物离子、碳酸离子、硫酸离子。当切削液的pH值小于10的情况下,由于有不能获得充分的还原性,切割时的阻抗变大的情况,因此优选切削液的pH值为10以上。另外,如果切削液的pH值过高,由于有将硅材料过度溶解的情况,因此切削液的pH值优选pH=10以上pH=13以下,更加优选pH=11以上pH=12以下。
作为切削液使用的pH为10以上的无机碱性水溶液没有限定,例如,可以使用氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、碳酸钾(K2CO3)、氨(NH3)等的水溶液。当使用作为切削液的含有微小气泡的无机碱性水溶液时,从安全的观点来看,优选使用碳酸钾的水溶液。与使用作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水的情况相同,切削液的pH值优选pH=10以上pH=13以下,更加优选pH=11以上pH=12以下。
切削液中含有的微小气泡,根据其直径分类为毫米气泡、微米气泡、纳米气泡等。这些微小气泡,其特征在于在液体中存在一定的时间(例如,微米气泡是5分钟左右、纳米气泡是24小时以上)。另外,微米气泡存在液体中时,由于呈白浊液,能够通过目视确认微米气泡的产生。作为使pH为10以上的无机碱性电解水含有微小气泡的方法,可使用一直以来公知的方法。例如,如果使用市场销售的微米气泡发生装置(比如,NIKUNI制造ANF2-N15、(株)富士机工制造的微气泡发生器(型号A01C)等),能够制造出含有作为微小气泡的微米气泡的pH为10以上的无机碱性电解水。例如,使用JPCOM公司制造的espax电解装置J02B-GS型,生产pH为10以上的碱性电解水,使用(株)富士机工制造的微气泡发生器(型号A01C),向pH为10以上的无机碱性电解水中混合气体且加压,制造出气液混合液,如果以0.4MPa的压力将该气液混合液喷出,在喷出的碱性电解水中将大量含有中值粒径57.9μm的微米气泡和中值粒径397nm的纳米气泡。此外,在向硅材料等的被切割材料的被切割部喷射切削液时,还可以让喷出切削液的喷嘴处等的喷出部含有微小气泡。如果pH为10以上的无机碱性电解水通过含有微小气泡而呈现白浊状态,则能够作为本发明的切削液而适合使用。
(实施例)
在实施例中,以切割略呈长方体状的硅锭的切割系统1为例进行说明。如图1所示,切削系统1,包含切割装置110和切割辅助装置120。切割装置110,是使在1对滚轮113a、113b上卷绕的钢丝锯112与硅锭2接触而进行机械性的切割的装置。如图1、2所示,硅锭2是在长度方向(图1、2所示的y方向)呈水平方向的状态下的被配置在钢丝锯112的上方(图1、2所示的z轴的正方向)。在硅锭2的上方,配置有金属制品的压板114,通过粘合剂,硅锭2的上面被粘着在压板114的下面。通过旋转的滚轮113a、113b使钢丝锯112运转,通过将压板114向下方按压,使硅锭2与钢丝锯112接触,从而能够切割。切割辅助装置120向硅锭2的被切割部喷射且供给切削液3。切割辅助装置120,如图1所示,具备:喷出部121a、121b,混合加压部分122,气液混合部分123,碱性电解水的制造装置125,以及槽126。如图1、2所示,隔着硅锭2在x方向配置有相对的一对喷出部121a,121b,喷出部121a,121b,能够朝向硅锭2的长度方向的侧面喷射出切削液3。该切削液3是含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水。在进行硅锭2的切割时,从切割辅助装置120的喷嘴状的喷出部121a,121b中连续不断地向硅锭2的被切割部(与钢丝锯接触的部位)喷出。
碱性电解水的制造装置125通过将作为电解质的选自由氯化物盐、碳酸盐、硫酸盐、硝酸盐、铵盐、亚硫酸盐组成的组中的1种以上的盐溶解后的水溶液通过阴极和阳极而电解,制造pH为10以上的无机碱性电解水。从成本和安全性的观点来看,电解质优选选自由NaCl、KCl、K2CO3、Na2CO3、NH4Cl、Na2SO4组成的组中的1种以上的盐。
混合加压部122在调整阀门122a而向在制造装置125中制造的pH为10以上的无机碱性电解水中导入空气或惰性气体等的气体之后,通过泵122b加压,供给气液混合部123。在混合加压部122和罐126之间设置有阀门126a,通过阀门126a,能够调节由泵126b产生的无机碱性电解水的吸引量。在混合加压部122中优选通过泵122b被加压到0.2~0.6MPa,特别优选加压到0.4MPa以上。在气液混合部123中混合的气体没有特别的限制,可以使用通过泵122b被负压吸引的空气,为了抑制硅锭2的切割碎屑的氧化,更优选使用氮等的惰性气体或氢等的还原性气体。
由混合加压部122所供给的气液混合液通过气液混合部123。气液混合部123具有在0.8MPa下被释放的压力调整阀123a,气液混合液被安全地维持在0.1MPa以上、0.6MPa以下。
如图2中所示,在切割辅助装置120的喷出部121a的下方,设置有在y方向延伸的缝隙141a和从缝隙141a的下端向x方向延伸的板状的液体通路142a。缝隙141a,其长度方向的长度(图1、2中所示的y方向的长度)是硅锭2的长度方向的长度以上的缝隙。硅锭由于喷出部121b的形状与喷出部121a同样,因此省略说明。在气液混合部123与喷出部121a、121b之间的配管124a,124b处设置开口部调整阀127a,127b,通过打开开口部调整阀127a,127b,能使气液混合部123的气液混合液流出。如果气液混合液通过开口部调整阀127a,127b在大气压下开放,则在气液混合液中产生微小气泡。即,气液混合液在通过开口部调整阀127a,127b时,气液混合液中包含的被压缩了的气体变成微小气泡,气液混合液作为切削液3从喷出部121a,121b的缝隙141a等处喷出,沿着液体通路上面向硅锭2喷射。通过隔着硅锭2相对的喷出部121a,121b从X方向的两侧向硅锭2喷射切削液3,能够向硅锭2被切割部充分地喷射切削液3。此外,通过代替开口部调整阀127a,127b,在配管124a,124b中设置排出孔等,也能够在气液混合液中产生微小气泡。
在切割装置110切割硅锭2的工序中,连续地进行从与硅锭2的被切割部相对的切割辅助装置120中的切削液3的喷射。硅锭在切割辅助装置120中制造的切削液3的存在下通过钢丝锯112切割硅锭2。切削液3是pH为10以上的无机碱性电解水,由于还原性高,因而能抑制硅锭2的切割碎屑的氧化。在钢丝锯112等的切割工具是金属制品的情况下,通过切削液3的高还原性也能够抑制切割工具的氧化劣化。此外,因切削液3含有微小气泡,能减轻硅锭2与钢丝锯112等的切割工具的摩擦。因此,即使不使用含有有机成分的冷却液,也能确保切割工具的使用寿命和加工精度。
如图1所示,在切割系统1中,从切割装置110中排出的废液4在切割中储存在槽126内,与通过碱性电解水制造装置125制造的碱性电解水混合而被再利用。切削液3在切割系统1中循环,被再利用,也可酌情补充添加通过制造装置125等制造的碱性电解水,或者,在槽126处设置排出阀等,通过废弃其中的一部分,调整循环量。在硅锭2的切割即将结束之前,优选将储槽126换成另外的储罐。在硅锭2的切割结束时,在将硅锭2安装到切割系统1的切割装置110处时,使用的压板114以及为了在压板114处粘贴硅锭2使用的粘合剂有时会混入到废液4中去。通过在硅锭2的切割即将结束之前更换储槽126,能够防止在更换前的槽内储存的废液中混入压板或者粘合剂。通过只回收在更换前的槽内储存的废液,能够回收不纯物少的硅废液。
(实验例1)
使用切割系统1对硅锭进行5个小时的硅锭的切割。在制造装置125中,使用碳酸钾(K2CO3)作为电解质,制造pH=11.4且氧化还原电位ORP=-802mV的碱性电解水,将该碱性电解水在槽126内储存400L,开始硅锭2的切割。切割开始后,由于碱性电解水的pH值逐渐下降,因而每隔30分钟向槽126内补充5L另外制造的碱性电解水(电解质:碳酸钾、pH=13、氧化还原电位ORP=-600mV)的碱性电解水,将切削液3的pH调整至11以上,将氧化还原电位ORP调整到-500mV左右。此外,从在从切割装置110中回收的在储槽126内一次储存的废液4中含有的硅碎屑中确认产生氢气。这显示出废液4中的氧浓度正在降低。
实施5个小时切割作业之后,从槽126回收的废液的氧化还原电位ORP为-167mV。将该回收的废液放置12天后,将其中一部分减压,把液体成分吹散,将固体成分干燥,通过拉曼分光分析法分析干燥后的固体成分。其结果是,在回收的废液中的固体成分中含有的硅元素,其大部分都作为硅单体成分存在,而几乎未检测出氧化硅(SiO2)。即,确认了能够将硅锭2的切割碎屑作为高纯度的硅进行回收,作为硅材料的原料再利用。
将回收的废液进一步放置,切割后经过20天的废液的氧化还原电位ORP为-62mV。将该废液进一步放置5天,对切割后经过了25天的废液也同样回收固体成分,进行拉曼分光分析。其结果为,切割后经过了25天的废液中的固体成分中含有的硅元素,其约40atm%作为氧化硅而被检测出来。由此结果得知:将废液放置甚至到切割后12天左右还能够有效地回收硅单体,另一方面,之后,废液中的硅被氧化,变成为氧化硅。为了从废液中有效地回收硅(硅单体),优选在切割后12天以内进行,更优选在10天以内。
(实施例2)
接着,改变切削液,进行硅锭的切割,分别观察其切断面。使用下面的表格1中所示的3种切削液作为切削液。在样品1以及样品3中,作为碱性电解水使用碳酸钾(K2CO3)作为电解质,制造pH=11.4且氧化还原电位ORP=-830mV的碱性电解水。在样品2中使用水溶性二醇溶液(浓度10~50质量%、pH=5~7)。另外,在样品1中,在与实验例1同样的条件下从喷嘴中喷出切削液,进行切割,在样品2以及样品3中,将硅锭浸渍在切削液中,在切削液中进行切割。通过使切削液从喷嘴喷出,处理样品1的切削液,使其含有微小气泡,在含有微小气泡的状态下向硅锭喷射。其他的切割条件均相同。作为硅锭,使用125mm四方(MONO125)的硅锭。对于硅片的切割,使用的金刚石钢丝锯,采用钢丝张力:15N、钢丝速度:700m/min、切割速度:0.5m/min的切割条件。硅锭通过三维立体表面粗糙度测定装置OLS4100分析硅锭的切割面。将其结果示于表1以及图3~5中。图3是样品1的测定结果,图4是样品2的测定结果,图5示出了样品3的测定结果。
[表1]
切削液 | Ra[μm] | |
样品1 | 1)碱性电解水(从喷嘴中喷射) | 1.193 |
样品2 | 2)现有的冷却液(浸渍) | 1.279 |
样品3 | 3)碱性电解水(浸渍) | 0.575 |
如表1以及图3、4中所示可知,在样品1和样品2中,算术平均粗糙度R a的值是相同程度,切割面的粗糙度分布也是相同程度。由此结果可知,代替样品2中使用的现有的冷却液,通过使用样品1中使用的本发明所述的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水作为切削液,能够高精度地切割硅锭。另外,若比较图3~5,则可知在样品3中,表面呈平坦状态。可以推定该结果表示通过没有被处理为含有微小气泡的碱性电解水,在样品3中使用的切削液溶解了硅锭的切断面。可知,当用于太阳能电池时,由于若硅锭的切断面溶解而变得过于平坦则不优选,因此,样品3的切削液作为用于太阳能电池的硅锭的切削液是不优选的。从上述结果可知,通过处理切削液为含微小气泡,如样品1所示,能够抑制硅锭的切断面的溶解,能得到与使用现有的冷却液的情况同样的切断面,在切割用于太阳能电池的硅锭时,能够适宜使用样品1的切削液。
如上述所示,通过此实施例的硅锭2的切割辅助装置120以及通过此切割辅助装置120而实现的切割方法,通过代替一直使用的水溶性二醇类等的冷却液,使用含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水作为切削液3,能够高精度地切割硅锭2。另外,通过含有该硅锭2的切割辅助装置120的切割系统1,能够将硅锭块2的切割碎屑作为高纯度的硅回收,从而能够作为硅材料的原料再利用。此外,作为向硅锭2的被切割部供给切削液的方法,不仅仅局限于实施例中说明的方法,例如,可以预先制造作为含有微小气泡pH为10以上的无机碱性电解水的切削液且储存,在切割硅锭2时,将被切割部浸渍在切削液中。或者,可以在切割硅锭2时,将预先制造且储存的切削液向被切割部喷射。如本实施例那样,当为了使在喷出部121a,121b中的pH为10以上的无机碱性电解水中含有微小气泡的情况下,由于在总是向硅锭2的被切割部充分地供给含有微小气泡的状态的未使用的切削液3的这一点上,以及不需要预先制造含有微小气泡的切削液且储存的装置,因此在装置变的简便这点来看,是优选的。
另外,在上述的实施例中,虽然将含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水作为切削液3使用的情况举例作了说明,但是,也可以使用含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性水溶液作为切削液3。通常,与无机碱性水溶液比较,无机碱性电解水在作业人员进行作业时的安全性较高,在这一点上是优选的。
在上述实验例中说明的切割辅助装置120以及通过此切割辅助装置120实现的切割方法,虽然示例了使用硅锭2等的硅材料作为被切割材料的情况,但是在使用将碳纤维与环氧树脂等的合成树脂等的母材组合的复合材料的碳纤维强化塑料(CFRP)或者碳纤维强化碳复合材料(C/C复合材料)等的碳纤维复合材料作为被切割材料的情况下也是适合的。例如,由树脂层叠而成的碳纤维复合材料的打孔加工,为了避免来源于润滑油等的油分进入层叠的碳纤维的层间从而强度下降,一直以来主要进行干加工。由于在干加工中,在加工时产生的摩擦热很难消除,因此存在为了提高生产性的高速加工困难这样的问题。如果将在上述的实施例中说明的切割辅助装置以及通过该切割辅助装置实现的切割方法用于碳纤维复合材料的加工中,则由于来源于润滑油等的油分没有进入层叠而成的碳纤维材料的层间且能够加工,从而不需要利用特别的装置,通过现有的机械设备能够湿加工,加工时产生的摩擦热被充分消除,从而能够高速加工。另外,当切削工具是金属制品时,通过切削液的高还原性能够抑制切削工具的氧化劣化。进一步,也可根据需要添加防锈剂进行防锈处理。
附图标记说明
1 切割系统
2 硅锭
3 切削液
4 废液
110 切割装置
120 切割辅助装置
121a、121b 喷出部
122 混合加压部
123 气液混合部
127a 127b 开口部调整阀
Claims (14)
1.一种硅材料的切割辅助装置,在硅材料的切割时,向该硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水。
2.根据权利要求1所述的硅材料的切割辅助装置,其中,向所述硅材料的被切割部喷射所述切削液。
3.根据权利要求2所述的硅材料的切割辅助装置,其中,具备在pH为10以上的无机碱性电解水中混合气体且加压从而制造气液混合液的混合加压部,以及将该气液混合液在大气下开放,向所述硅材料的被切割部喷出的喷出部,该气液混合液在从该喷出部喷出时,成为含有所述微小气泡的所述切削液。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的硅材料的切割辅助装置,其中,所述pH为10以上的无机碱性电解水通过电解将作为电解质的选自由氯化物盐、碳酸盐、硫酸盐、硝酸盐、铵盐、亚硫酸盐组成的组中的1种以上的盐溶解后的水溶液而制造的。
5.根据权利要求4所述的硅材料的切割辅助装置,其中,所述电解质选自由NaCl、KCl、K2CO3、Na2CO3、NH4Cl、Na2SO4组成的组中的1种以上的盐。
6.权利要求1~5中任一项所述的硅材料的切割辅助装置,其中,所述微小气泡为惰性气体或还原性气体的气泡。
7.一种硅材料的切割系统,具备切割硅材料的切割装置,以及向该硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水的切割辅助装置。
8.一种硅材料的切割方法,向硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性电解水,从而切割该硅材料。
9.根据权利要求8所述的硅材料的切割方法,其中,向上述硅材料的被切割部喷射所述切削液。
10.根据权利要求9所述的硅材料的切割方法,其中,所述切削液通过将在pH为10以上的无机碱性电解水中混合气体并加压后的气液混合液在大气压下开放而生成,向所述硅材料的被切割部喷出而被供给。
11.根据权利要求8~10中任一项所述的硅材料的切割方法,其中,所述pH为10以上的无机碱性电解水通过电解将作为电解质的选自由氯化物盐、碳酸盐、硫酸盐、硝酸盐、铵盐、亚硫酸盐组成的组中的1种以上的盐溶解后的水溶液而制造的。
12.根据权利要求11所述的硅材料的切割方法,其中,所述电解质选自由NaCl、KCl、K2CO3、Na2CO3、NH4Cl、Na2SO4组成的组中的1种以上的盐。
13.根据权利要求8~12中任一项所述的硅材料的切割方法,其中,所述微小气泡为惰性气体或还原性气体的气泡。
14.一种硅材料的切割辅助装置,在硅材料的切割时,向该硅材料的被切割部供给作为切削液的含有微小气泡的pH为10以上的无机碱性水溶液。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109652193A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-04-19 | 广州科卢斯流体科技有限公司 | 一种亚稳定型半导体金刚线切割液 |
CN113784828A (zh) * | 2019-06-06 | 2021-12-10 | 株式会社德山 | 多晶硅棒的切断方法、多晶硅棒的短棒的制造方法、多晶硅棒的硅粒的制造方法及多晶硅棒的切断装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7165079B2 (ja) * | 2019-03-12 | 2022-11-02 | 日本タングステン株式会社 | 加工用クーラント供給機構、および、加工用クーラントの供給方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02262955A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-10-25 | Nippon Steel Corp | Siインゴットのワイヤソーによる切断法 |
JP2003068677A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-03-07 | Sony Corp | ダイシング装置およびダイシング方法 |
JP2005088394A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンインゴット切削用スラリーおよびそれを用いるシリコンインゴットの切断方法 |
JP2009107050A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Covalent Materials Corp | ワイヤソーによるワーク切断方法 |
JP2010001181A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 電子部品用シリコンの加工方法及び再生方法 |
JP2010172993A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | ワーク切断方法及びワイヤソー |
JP2012092205A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Nisshin Seiki Kk | 機械加工用油剤 |
JP2013052493A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Nagaoka Univ Of Technology | 機械加工装置およびそれを用いた機械加工方法 |
JP2013111713A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 切削水の供給装置及び供給方法 |
JP2013248582A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Tech Corporation:Kk | 電子材料用基板等の被洗浄物の洗浄装置およびその洗浄方法 |
CN104603053A (zh) * | 2012-09-03 | 2015-05-06 | 学校法人早稻田大学 | 淤泥回收方法以及粉粒体 |
JP2015098079A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 日藤ポリゴン株式会社 | 工作機械の冷却装置および冷却方法 |
-
2016
- 2016-06-21 CN CN201680037975.9A patent/CN107851566B/zh active Active
- 2016-06-21 JP JP2017526299A patent/JPWO2017002670A1/ja active Pending
- 2016-06-21 WO PCT/JP2016/068396 patent/WO2017002670A1/ja active Application Filing
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02262955A (ja) * | 1988-12-15 | 1990-10-25 | Nippon Steel Corp | Siインゴットのワイヤソーによる切断法 |
JP2003068677A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-03-07 | Sony Corp | ダイシング装置およびダイシング方法 |
JP2005088394A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンインゴット切削用スラリーおよびそれを用いるシリコンインゴットの切断方法 |
JP2009107050A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Covalent Materials Corp | ワイヤソーによるワーク切断方法 |
JP2010001181A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 電子部品用シリコンの加工方法及び再生方法 |
JP2010172993A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | ワーク切断方法及びワイヤソー |
JP2012092205A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Nisshin Seiki Kk | 機械加工用油剤 |
JP2013052493A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-21 | Nagaoka Univ Of Technology | 機械加工装置およびそれを用いた機械加工方法 |
JP2013111713A (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 切削水の供給装置及び供給方法 |
JP2013248582A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Tech Corporation:Kk | 電子材料用基板等の被洗浄物の洗浄装置およびその洗浄方法 |
CN104603053A (zh) * | 2012-09-03 | 2015-05-06 | 学校法人早稻田大学 | 淤泥回收方法以及粉粒体 |
JP2015098079A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 日藤ポリゴン株式会社 | 工作機械の冷却装置および冷却方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109652193A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-04-19 | 广州科卢斯流体科技有限公司 | 一种亚稳定型半导体金刚线切割液 |
CN109652193B (zh) * | 2019-01-25 | 2021-10-08 | 广州科卢斯流体科技有限公司 | 一种亚稳定型半导体金刚线切割液 |
CN113784828A (zh) * | 2019-06-06 | 2021-12-10 | 株式会社德山 | 多晶硅棒的切断方法、多晶硅棒的短棒的制造方法、多晶硅棒的硅粒的制造方法及多晶硅棒的切断装置 |
Also Published As
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WO2017002670A1 (ja) | 2017-01-05 |
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