CN107845705A - 基材通过真空溅射技术制造的新型led光源的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法，它涉及LED光源技术领域。基材的上方通过基材填充胶材与LED支架固定连接，LED支架采用倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置，所述的支架杯底安装有芯片,芯片上焊接有金线,芯片和金线的上方封装有荧光胶。基材主体选取铝材，通过真空溅射技术，在特定基材表面沉积金属或金属氧化物等材料，形成容易焊接界面，做成LED封装支架铝材，通过控制表面氧化铝(氧化硅)，氧化钛及银层厚度，实现LED支架基板正面表面打线，焊接(正装LED打线焊接工艺，倒装LED共晶或锡膏焊接工艺)，支架反面焊锡工艺，且产品尺寸，结构，支架成型，加工艺多样化。
Description
技术领域
本发明涉及基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法，属于LED光源技术领域。
背景技术
LED自从问世以上，受到广泛重视而得到迅速发展，是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是：亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。LED的发展前景极为广阔，目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性方向发展。但实际在生产使用LED产品的过程中，经常会遭遇“产品硫化(包含硫化、卤化、氧化等污染现象)导致产品失效”等问题，这些问题给客户和生产厂家都带来一定损失，出现硫化反应后，产品功能区会黑化，光通量会逐渐下降，色温出现明显漂移。其原理是：因为贴片LED的支架是在金属基材上镀银（银层会起到发亮，反射光的作用）， LED在高温焊接时，碰到了硫或硫蒸气，则会造成支架上的银层与硫发生化学反应2Ag+S＝Ag2S↓，形成Ag2S ,视反应量的多少，其颜色为黄色或黑色不等。最严重的银层都反应完，金丝断裂，造成LED开路。
众所周知，LED支架气密性不佳，尤其是在高温的时候，更容易造成器件污染失效，支架底部镀银层发黑，降低了器件的可靠性。
发明内容
针对上述问题，本发明要解决的技术问题是提供基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法。
本发明的基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源。它包含基材1、支架填充胶材a、LED支架2、荧光胶3、芯片4、金线5倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置6, 基材1和胶材a通过一定工艺成型LED支架2，支架2的杯底安装有芯片4,正装LED芯片4上焊接有金线5,倒装LED芯片4与支架2杯底焊接,芯片4和金线5的上方封装有荧光胶3。
作为优选，所述的LED支架2的底部为倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置6，胶材和金属片相互紧扣，二者相互嵌入不限于倒T型或蘑菇头形状。
作为优选，所述的基材1下表面通过真空溅射技术沉积金属铜、银、锡、镍、锌等金属材料一种或几种(同时所沉积金属材料不限于上述几种)。
进一步优选，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化铝、二氧化钛层(不局限于此，同时可添加其它金属或氧化物保护层)。
进一步优选，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化钛、二氧化硅、二氧化钛(不局限于此，同时可添加其它金属或氧化物保护层)。
本发明的有益效果：基材主体选取铝材，通过真空溅射技术，在特定基材表面沉积金属或金属氧化物等材料，形成容易焊接界面，做成LED封装支架铝材，该工艺保护材料表面不容易被硫化，溴化，氧化等，提高基材反射率和光泽度。通过控制表面氧化铝(氧化硅)，氧化钛及银层厚度，实现LED支架基板正面表面打线，焊接(正装LED打线焊接工艺，倒装LED共晶或锡膏焊接工艺)，支架反面焊锡工艺，且产品尺寸，结构，支架成型，加工艺多样化。
附图说明：
为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。
图1为本发明结构示意图；
图2为本发明中基材的结构示意图；
图3为本发明中LED支架的结构示意图；
图4为图3的左视结构示意图；
图5为本发明中LED半成品的结构示意图；
图6为本发明具体实施方式一中基材的具体结构示意图；
图7为本发明具体实施方式二中基材的具体结构示意图；
具体实施方式：
具体实施方式一：如图1-6所示，本具体实施方式采用以下技术方案：它包含基材1、支架填充胶材a、LED支架2、荧光胶3、芯片4、金线5和倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置6, 基材1和胶材a通过一定工艺成型LED支架2，支架2的杯底安装有芯片4,正装LED芯片4上焊接有金线5,倒装LED芯片4与支架2杯底焊接,芯片4和金线5的上方封装有荧光胶3。
作为优选，所述的LED支架2的底部为倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置6，胶材和金属片相互紧扣，二者相互嵌入不限于倒T型或蘑菇头形状。
作为优选，所述的基材1下表面通过真空溅射技术沉积金属铜、银、锡、镍、锌等金属材料一种或几种(同时所沉积金属材料不限于上述几种)。
进一步优选，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化铝、二氧化钛层(不局限于此，同时可添加其它金属或氧化物保护层)。
本具体实施方式中基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法为：步骤一：基材工艺处理：选取经过正反表面处理过的基材冲压；步骤二：LED支架制作：用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架2，且LED支架2中部设置有倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置装置6，步骤三：led封装工艺：在LED支架2上通过进行点胶，安装芯片4，焊金线5等工艺制成成型的LED半成品；步骤四：通过调配荧光胶比例，将荧光胶层3灌封在LED半成品上，并且进行烘烤固化成型做成所需的LED光源灯珠。
具体实施方式二：参照图7，本具体实施方式与具体实施方式一的不同之处在于：所述的基材1的上表面处理方式不同，其中，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化钛、二氧化硅、二氧化钛。其它组成和连接关系与具体实施方式一相同。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (4)
1.基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法，其特征在于：所述的真空溅射技术制造的LED光源：包含基材(1)、支架填充胶材(a)、LED支架(2)、荧光胶(3)、芯片(4)、金线(5) 和倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置(6), 基材(1)和胶材(a)通过一定工艺成型LED支架(2)，支架(2)的杯底安装有芯片(4),正装LED芯片(4)上焊接有金线(5),倒装LED芯片(4)与支架(2)杯底焊接,芯片(4)和金线(5)的上方封装有荧光胶(3)，所述的LED支架(2)的底部为倒T型或蘑菇头型互扣嵌入装置(6)，所述的胶材和金属片相互紧扣，二者相互嵌入不限于倒T型或蘑菇头形状 ；所述的真空溅射技术制造的LED光源的制造方法为：步骤一：基材(1)工艺处理：所述的基材(1)表面通过真空溅射技术沉积金属或金属氧化物等材料；步骤二：LED支架制作：用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架(2)，且LED支架(2)中部设置有避空装置(6)，步骤三：led封装工艺：在LED支架(2)上通过进行点胶，安装芯片(4)，焊金线(5)等工艺制成成型的LED半成品；步骤四：通过调配荧光胶比例，将荧光胶层(3)灌封在LED半成品上，并且进行烘烤固化成型做成所需的LED光源灯珠。
2.根据权利要求1所述的基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法，其特征在于：所述的基材(1) 下表面通过真空溅射技术沉积金属铜、银、锡、镍、锌等金属材料一种或几种且所沉积金属材料不限于上述几种。
3.根据权利要求1所述的基材通过真空溅射技术制造的新型LED光源的制造方法，其特征在于：所述的基材(1)上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化铝、二氧化钛层，且基材1上可添加其它金属或氧化物保护层。
4.根据权利要求1所述的一种通过真空溅射技术制造的LED光源，其特征在于：所述的基材（1）上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝、二氧化钛、银、二氧化钛、二氧化硅、二氧化钛，且基材1上可添加其它金属或氧化物保护层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180327 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |