CN107835957B - 一种空间相位调制器及其制备方法 - Google Patents

一种空间相位调制器及其制备方法 Download PDF

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Abstract

一种空间相位调制器及其制备方法。该空间相位调制器包括对盒的第一基板(70)及第二基板(10)，以及设置在两个基板之间的液晶层(40)。第一基板(70)朝向液晶层(40)的一面层叠设置有透明电极层(60)及第一对准导向层(50)，第二基板(10)朝向液晶层(40)的一面层叠设置有电极层(20)及绝缘介质玻璃层(30)，绝缘介质玻璃层(30)朝向液晶层(40)的一面具有斜锯齿结构(321)，锯齿结构(321)作为第二对准导向层与第一对准导向层(50)配合控制液晶层(40)的液晶分子的偏转方向。

Description

一种空间相位调制器及其制备方法
技术领域
本发明涉及到通信领域，尤其涉及到一种空间相位调制器及其制备方法。
背景技术
LCoS(Liquid Crystal on Silicon)，即液晶附硅，也叫空间相位调制器，是一种基于反射模式，尺寸非常小的矩阵液晶装置。通常，单片空间相位调制器上由数百万个像素点(pixel)构成，每个像素的大小为几个或者几十个微米。通过控制每个像素点上的电压值，来实现空间相位调制器的不同功能。空间相位调制器最开始的应用主要在显示领域，与其它液晶显示技术相比，基于空间相位调制器的显示设备更容易实现高的分辨率和充分的色彩表现。随着对空间相位调制器的研究逐渐深入，其应用范围也不断扩大。特别近几年，空间相位调制器作为一种新型的光学引擎，已经逐渐应用于光通信领域：包括WSS、色散补偿、光学整形等等。
与显示领域应用不同的是，在通信中的应用主要是基于空间相位调制器的相位调制效应。LCoS作为SLM(空间相位调制器)，实现对空间光的相位控制，从而实现空间相位调制器的相应功能。传统的空间相位调制器如图1所示，其物理结构从上到下依次包括表面玻璃层1、公共ITO电极层2、上对准导向层3、液晶分子层4、下对准导向层5、电极层6以及硅基背板7。当在电极层6以及公共ITO电极层2之间施加电压后，液晶分子在电场的作用下产生偏转，不同的电压会产生不同的偏转角度。同时，由于液晶分子材料的双折射效应，分子材料的不同偏角意味着不同的双折射率以及光程。因此，当入射光进入液晶层的不同位置时，由于加载的电压不同而产生不同的光相位延迟量，从而实现对入射光的空间相位调制效应。
在空间相位调制器的有源区域有一层镀铝电极，大小对应于空间相位调制器的每个像素点(pixel)。由于每个像素点上所加的电压值是不一样的，因此，在相邻的像素点之间，需要一个空闲(gap)区域来隔离两个像素点之间的电场干扰，而空闲区域的材料为硅，对于入射光基本不反射。这样一来，当光入射至空间相位调制器的背板时，入射在镀铝电极上的部分能够得到大部分反射(通常＞96％)，而入射至gap区域的光将大部分被吸收而损耗掉。当gap减小时，可以提高器件反射率，但是由于边沿场效应使得两个相邻像素点的串扰增加，影响器件性能。因此，在空间相位调制器器件设计时，需要在损耗及串扰之间作一个平衡，保证器件的综合性能。当空间相位调制器用于光通信领域时，空间相位调制器损耗的提升必然会带来器件的额外损耗，需要增加光放大器的增益值，而这样会带来更大的放大器噪声，影响系统传输性能。因此，在通信领域应用时，空间相位调制器的器件损耗显得更加尤为重要。以目前商用的产品为例，其用于通信波段的产品的填充率(定义为电极区域与整个像素点区域的比值)为87％，器件的反射率为60％。这样，仅由反射率带来的损耗就达到2.2dB。因此，当空间相位调制器作为光学开关引擎用于光模块(如WSS)时，由空间相位调制器部件带来的损耗就将达到3dB左右，而传统的MEMS光学引擎损耗＜1dB。因此，基于该空间相位调制器的光学器件，在器件损耗方面性能将受到影响。
如图2所示，现有技术一通过在空间相位调制器中间加入绝缘介质玻璃层8方式，可以有效提升器件的反射率。即空间相位调制器下基板上的结构包括：硅基背板7，设置在硅基背板上的电极层6，设置在电极层6上的绝缘介质玻璃层8，及设置在绝缘介质玻璃层8上的下对准导向层5。然而，该绝缘介质玻璃层8的引入，会给工艺制作带来一定的难度，具体原因如下：空间相位调制器器件在液晶分子(LC)层与基板之间会有一层由聚合物材料构成的对准导向层，该层用于控制LC分子的偏转方向以及偏转速度，保证空间相位调制器器件的稳定工作。对于传统的空间相位调制器芯片，对准导向层是用机械摩擦的方式在硅基板上实现，对空间相位调制器的整体性能以及后续的工艺流程均没有影响。然而，对于加入绝缘介质玻璃层8的空间相位调制器芯片结构，由于对准导向层将处于液晶分子与绝缘介质玻璃层之间，该对准导向层在制作过程中很容易对绝缘介质玻璃层造成破坏，从而影响成品率以及器件性能。
发明内容
本发明提供了一种空间相位调制器及其制备方法，用以提高空间相位调制器的成品率及简化空降相位调制器的制作工艺。
第一方面，提供了一种空间相位调制器，该空间相位调制器包括：对盒的第一基板及第二基板，以及设置在所述第一基板及第二基板之间的液晶层；其中，沿第一基板指向第二基板的方向，所述第一基板朝向所述液晶层的一面层叠设置有透明电极层及第一对准导向层；沿所述第二基板指向所述第一基板的方向，所述第二基板朝向液晶层的一面层叠设置有电极层及绝缘介质玻璃层，所述绝缘介质玻璃层朝向所述液晶层的一面具有斜锯齿结构，在所述透明电极层及所述电极层通电形成电场时，所述斜锯齿结构作为第二对准导向层与所述第一对准导向层配合控制所述液晶层的液晶分子的偏转方向。
结合上述第一方面、在第一种可能的实现方式中，所述绝缘介质玻璃层包括至少一对折射率不同的氧化物层。
结合上述第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述氧化物层的氧化物为ZrO2、SiO2或TiO2。
结合上述第一方面的第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述斜锯齿结构设置在与所述液晶层相邻的一层氧化物层。
结合上述第一方面、在第四种可能的实现方式中，所述每个斜锯齿的倾斜角介于3°～15°。
结合上述第一方面、第一方面的第一种可能的实现方式、第一方面的第二种可能的实现方式、第一方面的第三种可能的实现方式、第一方面的第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述第一基板为玻璃基板，所述第二基板为硅基背板。
结合上述第一方面的第五种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，所述电极层为镀铝电极层。
第二方面，提供了一种空间相位调制器的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
在第一基板上形成透明电极层及第一对准导向层；且，
在第二基板上形成电极层及绝缘介质玻璃层，并在绝缘介质玻璃层的表面形成斜锯齿结构；所述斜锯齿结构作为第二对准导向层与所述第一对准导向层配合控制所述液晶层的液晶分子的偏转方向；
将第一基板及第二基板对盒并填充液晶层，且在对盒时，所述第一对准导向层及所述斜锯齿结构相向而置。
结合上述第二方面，在第一种可能的实现方式中，所述在第二基板上形成电极层及绝缘介质玻璃层，并在绝缘介质玻璃层的表面形成斜锯齿结构具体为：
在第一基板上形成电极层；
在形成的电极层上形成至少一对折射率不同的氧化物层，并在形成最后一层氧化物层时，将第一基板旋转设定角度，形成斜锯齿结构的最后一层氧化物层，且该斜锯齿的倾斜方向朝向所述液晶层的对准方向。
结合上述第二方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，在形成斜锯齿结构的最后一层氧化物层时，形成的斜锯齿的倾斜角介于3°～10°。
结合上述第二方面的第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，还包括：在形成的电极层上交替形成折射率不同的氧化物层之前，根据空间相位调制器的工作波长及特性要求，优化各层氧化物层的材料、厚度、周期数以及斜锯齿宽度。
结合上述第二方面的第二种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，在具体设置所述至少一对折射率不同的氧化物层时可采用：(0.5H 0.5L)^n、(0.5H L 0.5H)^n、H(L H)^n方式来制备。
根据第一方面提供的空间相位调制器、第二方面提供的提供空间相位调制器的制备方法。空间相位调制器通过采用在绝缘介质玻璃层上形成斜锯齿结构作为第二对准导向层，从而在制作绝缘介质玻璃层时即可制作出第二对准导向层，简化了空间相位调制器的制作步骤，并且与现有技术相比，本实施例提供的空间相位调制器在制作的过程中，在形成绝缘介质玻璃层时即形成斜锯齿结构，避免了现有技术中生产空间相位调制器时，在绝缘介质玻璃层上通过机械摩擦的方式形成对准导向层时对绝缘介质玻璃层造成的破坏，从而提高了空间相位调制器的成品率，同时，降低了空调间调制器的生产难度，简化了生产工艺。
附图说明
图1为现有技术中的空间相位调制器的结构示意图；
图2为现有技术中的空间相位调制器的硅基背板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的空间相位调制器的结构示意图；
图4a～图4b为本发明实施例提供的绝缘介质玻璃层的制备流程图；
图5为本发明实施例提供的一种空间相位调制器的结构示意图；
图6为图5所示的空间相位调制器的反射率仿真图；
图7为图5所示的空间相位调制器的响应时间实验图。
附图标记：
1-表面玻璃层 2-公共ITO电极层 3-上对准导向层
4-液晶分子层 5-下对准导向层 6-电极层
7-硅基背板 8-绝缘玻璃层 10-第二基板
20-电极层 30-绝缘介质玻璃层 31-第一氧化物层
32-第二氧化物层 321-斜锯齿结构 40-液晶层
50-第一对准导向层 60-透明电极层 70-第一基板
80-沉积源
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施例进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
如图3所示，图3为本发明实施例提供的空间相位调制器的结构示意图。
本发明实施例提供了一种空间相位调制器，该空间相位调制器包括：对盒的第一基板70及第二基板10，以及设置在第一基板70及第二基板10之间的液晶层40；其中，沿第一基板70指向第二基板10的方向，第一基板70朝向液晶层40的一面层叠设置有透明电极层60及第一对准导向层50；沿第二基板10指向第一基板70的方向，第二基板10朝向液晶层40的一面层叠设置有电极层20及绝缘介质玻璃层30，绝缘介质玻璃层30朝向液晶层40的一面具有斜锯齿结构321，在透明电极层60及电极层20通电形成电场时，斜锯齿结构321作为第二对准导向层与第一对准导向层50配合控制液晶层40的液晶分子的偏转方向。
在上述实施例中，通过采用在绝缘介质玻璃层30上形成斜锯齿结构321作为第二对准导向层，从而在制作绝缘介质玻璃层30时即可制作出第二对准导向层，简化了空间相位调制器的制作步骤，并且与现有技术相比，本实施例提供的空间相位调制器在制作的过程中，在形成绝缘介质玻璃层30时即形成斜锯齿结构321，避免了现有技术中生产空间相位调制器时，在绝缘介质玻璃层30上通过机械摩擦的方式形成对准导向层时对绝缘介质玻璃层30造成的破坏，从而提高了空间相位调制器的成品率，同时，降低了空调间调制器的生产难度，简化了生产工艺。
此外，在具体生产上述绝缘介质玻璃层30的斜锯齿结构321时，斜锯齿的倾角可以灵活变换，不受设备影响，有效提升空间相位调制器的切换速度；具体的，如图4a及图4b所示，图4a及图4b示出了形成绝缘介质玻璃层30的工艺步骤，其中，绝缘介质玻璃层30有多层不同折射率的氧化物层组成，具体的，绝缘介质玻璃层30包括至少一对折射率不同的氧化物层，如图3中所示的一对折射率不同的氧化物层分别为第一氧化物层31及第二氧化物层32，在形成绝缘介质玻璃层30时，第一氧化物层31及第二氧化物层32交替设置。其中的氧化物层的氧化物为ZrO2、SiO2或TiO2，或者其他的氧化物，在具体生产时，首先根据空间相位调制器的工作波长及特性(如反射率)要求，选择合适的氧化物层、厚度、周期数以及斜锯齿宽度x首先形成绝缘介质玻璃层30中的各层氧化物。之后通过蒸发方式沉积在空间相位调制器背板上，其中沉积方式可以为等离子法(plasma)、热蒸发法(thermal)、电子束法(Electron)等；在形成斜锯齿结构321时，斜锯齿结构321设置在与液晶层40相邻的一层氧化物层。具体的，将第二基板10在旋转平台上转动一个角度(或者将沉积源80相对第二基板10旋转一个角度)，使得空间相位调制器与沉积源80之间有一个夹角，该夹角与斜锯齿的倾角一致，该倾斜角介于3°～15°，如3°、5°、7°、10°、12°、14°、15°等不同的倾斜角度；通过plasma/thermal/electron source等蒸发方式完成绝缘介质玻璃层30最上层材料的沉积形成斜锯齿结构，如图3所示，其中的倾斜角为角度a，该角度介于3°～10°，如3°、5°、7°、10°等不同的倾斜角度。通过上述描述可以看出，本实施例提供的空间相位调制器的绝缘介质玻璃层30上的斜锯齿结构321可以根据需要调整倾斜角度，不受设备本身结构的影响，方便根据实际情况调整斜锯齿的倾斜角度。
在本发明的具体实施例中，第一基板70采用玻璃基板，第二基板10采用硅基背板。并且其中的电极层20为镀铝电极层，该镀铝电极层与透明电极层60形成电场，以给液晶分子转动提供电场力。
为了方便对本发明实施例的理解，下面结合附图5对本发明的一具体实施例进行说明。
本实施例提供的空间相位调制器的第一基板70、透明电极层60及第一对准导向层50与上述实施例提供的空间相位调制器相同，因此，在图5中未示出，图5仅示出了具体的绝缘介质玻璃层30的结构，其中的绝缘介质玻璃层30中的氧化物选用ZrO2和SiO2，且绝缘介质玻璃层30的层数及厚度如图5所示，该厚度根据空间相位调制器的工作波长及特性(如反射率)要求优化出来的。
该实施例所述的空间相位调制器的应用波段为1550nm波段。首先，我们设定斜锯齿结构321的预倾角大小为5°，绝缘介质玻璃层30的氧化物材料选择为ZrO2和SiO2，其中的ZrO2作为高折射率材料，SiO2则作为低折射率材料。绝缘介质玻璃层30设计采用(0.5H L0.5H)^n结构。最终，优化的绝缘介质玻璃层30结构如图5所示，斜锯齿宽度为3mm，因此最上层ZrO2材料的厚度变化大约在(90～350nm)之间。该层既作为绝缘介质玻璃层30的最上层，也作为第二对准导向层，起到对液晶分子的偏转导向的作用。
针对该绝缘介质玻璃层30结构，我们进行了仿真，从结果可以看出(如图6所示)，虽然绝缘介质玻璃层30最上层为倾斜层，造成不同位置对应的绝缘介质玻璃层30结构厚度不一样，但这对于器件的反射率影响很小。整体器件反射率＞96％，不同厚度带来的反射率差异＜2％。
根据该绝缘介质玻璃层30设计以及前面所述的工艺步骤，我们完成了整体器件的封装，图7为器件反射率的实验测试结果。由图7可以看出，当空间相位调制器加入该绝缘介质玻璃层30结构后，器件反射率从75％提升到95％以上，同时波长相关性也减弱，从1520nm至1570nm，引入该绝缘介质玻璃层30后的波长相关性＜1％。
参考图3、图4a及图4b，本发明实施例还提供了一种空间相位调制器的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
在第一基板70上形成透明电极层60及第一对准导向层50；且
在第二基板10上形成电极层20及绝缘介质玻璃层30，并在绝缘介质玻璃层30的表面形成斜锯齿结构321；所述斜锯齿结构321作为第二对准导向层与所述第一对准导向层50配合控制所述液晶层40的液晶分子的偏转方向；
将第一基板70及第二基板10对盒并填充液晶层40，且在对盒时，所述第一对准导向层50及所述斜锯齿结构321相向而置。
在上述实施例中，通过在形成绝缘介质玻璃层30时形成斜锯齿结构321，避免了现有技术中生产空间相位调制器时，在绝缘介质玻璃层30上通过机械摩擦的方式形成对准导向层时对绝缘介质玻璃层30造成的破坏，从而提高了空间相位调制器的成品率，同时，降低了空调间调制器的生产难度，简化了生产工艺。此外，斜锯齿结构321的倾角可以灵活变换，即斜锯齿结构321的倾斜角度可以根据调整的绝缘介质玻璃层后的倾斜程度而定，不受设备影响，有效提升空间相位调制器的切换速度。
为了方便对本实施例提供的制备方法的理解，下面结合详细的生产步骤进行说明。
步骤一：在第一基板70上形成透明电极层60及第一对准导向层50；
具体的，其中的第一基板70采用玻璃基板，通过刻蚀曝光等方式在玻璃基板上形成透明电极层60，并在形成的透明电极层60沉积一层氧化物，通过机械摩擦的方式形成第一对准导向层50；
步骤二、在第二基板10上形成电极层20及绝缘介质玻璃层30，并在绝缘介质玻璃层30的表面形成斜锯齿结构321；所述斜锯齿结构321作为第二对准导向层与所述第一对准导向层50配合控制所述液晶层40的液晶分子的偏转方向；
具体的，首先在第一基板70上形成电极层20；之后，在形成的电极层20上形成至少一对折射率不同的氧化物层，并在形成最后一层氧化物层时，将第一基板70旋转设定角度，形成斜锯齿结构321的最后一层氧化物层，且该斜锯齿的倾斜方向朝向液晶层40的对准方向。
在形成的电极层20上交替形成折射率不同的氧化物层之前，根据空间相位调制器的工作波长及特性要求，优化各层氧化物层的材料、厚度、周期数以及斜锯齿宽度。在具体设置至少一对折射率不同的氧化物层时可采用：(0.5H 0.5L)^n、(0.5H L 0.5H)^n、H(L H)^n方式来制备。以本实施例中的C波段(1530-1570nm)为例，其中，H：代表在C波段处(通常取中心波长1550nm)的四分之一的光学厚度(高折射率材料)；L：代表在1550nm处的四分之一的光学厚度(低折射率材料)；n：代表重复的次数；例如高折射率材料为A，其折射率为r1，低折射率材料为B，其折射率为r2.，n取值为3，则(0.5H 0.5L)^n材料顺序依次为：ABABAB，A材料的厚度为(0.5×1550nm)/(4×r1)，B的厚度为(0.5×1550nm)/(4×r2)；(0.5H L 0.5H)^n材料顺序依次为ABAABAABA，其中A材料的厚度为(0.5×1550nm)/(4×r1)，B的厚度为(1×1550nm)/(4×r2)；H(L H)^n材料顺序依次为A BA BA BA，其中A材料的厚度为(1×1550nm)/(4×r1)，B的厚度为(1×1550nm)/(4×r2)。
如图4a所示，通过蒸发方式将氧化物层沉积在空间相位调制器背板上，其中沉积方式可以为等离子法(plasma)、热蒸发法(thermal)、电子束法(Electron)等，每层的厚度依据绝缘介质玻璃层30设计时的优化值，通过控制沉积温度、时间等参数来实现；该流程多次重复实现绝缘介质玻璃层30各层的沉积(不包括绝缘介质玻璃层30带倾斜角的最上层氧化层)；在完成与氧化物层之后，如图4b所示，将硅基背板在旋转平台上转动一个角度(或者将沉积源80相对硅基背板旋转一个角度)，使得空间相位调制器与沉积源80之间有一个夹角，该夹角与斜锯齿的倾角一致，该倾斜角介于3°～10°，如3°、5°、7°、10°等不同的倾斜角度；通过plasma/thermal/electron source等蒸发方式完成绝缘介质玻璃层30最上层材料的沉积。
步骤三：将第一基板70及第二基板10对盒并填充液晶层40，且在对盒时，所述第一对准导向层50及所述斜锯齿结构321相向而置。
具体的，将第一基板70及第二基板10对盒，并且使得第一对准导向层50及斜锯齿结构321相向设置，并在第一基板70及第二基板10之间填充液晶，完成整个空间相位调制器的制备。
通过上述具体实施例的描述可以看出，本实施例在制备空间相位调制器时，通过采用同一工艺在形成氧化物层时形成于第一对准导向层50相配合的斜锯齿结构321，从而方便了空间相位调制器的制作，同时，避免了采用摩擦的工艺在氧化物层上形成第二对准导向层对氧化物造成的损伤，提高了空间相位调制器的成品率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种空间相位调制器，其特征在于，包括：对盒的第一基板及第二基板，以及设置在所述第一基板及第二基板之间的液晶层；其中，沿第一基板指向第二基板的方向，所述第一基板朝向所述液晶层的一面层叠设置有透明电极层及第一对准导向层；沿所述第二基板指向所述第一基板的方向，所述第二基板朝向液晶层的一面层叠设置有电极层及绝缘介质玻璃层，所述绝缘介质玻璃层朝向所述液晶层的一面具有斜锯齿结构，在所述透明电极层及所述电极层通电形成电场时，所述斜锯齿结构作为第二对准导向层与所述第一对准导向层配合控制所述液晶层的液晶分子的偏转方向；
所述绝缘介质玻璃层包括：多个第一氧化物层及多个第二氧化物层，且所述第一氧化物层及所述第二氧化物层交替设置；所述斜锯齿结构设置在与所述液晶层相邻的一层氧化物层；
所述第一氧化物层与所述第二氧化物层的折射率不同；所述第一氧化物层和所述第二氧化物层满足：(0.5H 0.5L)^n、(0.5H L 0.5H)^n、H(L H)^n；其中，H:代表所述第一氧化物层和第二氧化物层中的高折射率材料层在C波段处的四分之一的光学厚度；L:代表所述第一氧化物层和第二氧化物层中的低折射率材料层在C波段处的四分之一的光学厚度；n:代表重复的次数。
2.如权利要求1所述的空间相位调制器，其特征在于，所述氧化物层的氧化物为ZrO2、SiO2或TiO2。
3.如权利要求1所述的空间相位调制器，其特征在于，所述每个斜锯齿的倾斜角介于3°～15°。
4.如权利要求1～3任一项所述的空间相位调制器，其特征在于，所述第一基板为玻璃基板，所述第二基板为硅基背板。
5.如权利要求4所述的空间相位调制器，其特征在于，所述电极层为镀铝电极层。
6.一种空间相位调制器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在第一基板上形成透明电极层及第一对准导向层；且，
在第二基板上形成电极层及绝缘介质玻璃层，并在绝缘介质玻璃层的表面形成斜锯齿结构；所述斜锯齿结构作为第二对准导向层与所述第一对准导向层配合控制液晶层的液晶分子的偏转方向；
将第一基板及第二基板对盒并填充液晶层，且在对盒时，所述第一对准导向层及所述斜锯齿结构相向而置；其中，
所述在第二基板上形成电极层及绝缘介质玻璃层，并在绝缘介质玻璃层的表面形成斜锯齿结构具体为：
在第二基板上形成电极层；
在形成的电极层上形成多个第一氧化物层及多个第二氧化物层，且所述第一氧化物层及所述第二氧化物层交替设置；其中，所述第一氧化物层与所述第二氧化物层的折射率不同；
并在形成最后一层氧化物层时，将第二基板旋转设定角度，形成斜锯齿结构的最后一层氧化物层，且该斜锯齿的倾斜方向朝向所述液晶层的对准方向；
在具体设置所述多个第一氧化物层及多个第二氧化物层时可采用：(0.5H 0.5L)^n、(0.5H L 0.5H)^n、H(L H)^n方式来制备；其中，H:代表所述第一氧化物层和第二氧化物层中的高折射率材料层在C波段处的四分之一的光学厚度；L:代表所述第一氧化物层和第二氧化物层中的低折射率材料层在C波段处的四分之一的光学厚度；n:代表重复的次数。
7.如权利要求6所述的空间相位调制器的制备方法，其特征在于，在形成斜锯齿结构的最后一层氧化物层时，形成的斜锯齿的倾斜角介于3°～15°。
8.如权利要求7所述的空间相位调制器的制备方法，其特征在于，还包括：在形成的电极层上交替形成折射率不同的氧化物层之前，根据空间相位调制器的工作波长及特性要求，优化各层氧化物层的材料、厚度、周期数以及斜锯齿宽度。
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