CN107833875A - 一种高色域led背光源及其加工方法 - Google Patents

一种高色域led背光源及其加工方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107833875A
CN107833875A CN201711095354.9A CN201711095354A CN107833875A CN 107833875 A CN107833875 A CN 107833875A CN 201711095354 A CN201711095354 A CN 201711095354A CN 107833875 A CN107833875 A CN 107833875A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
colour gamut
glue
high colour
wafers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711095354.9A
Other languages
English (en)
Inventor
刘三林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Wenrun Optoelectronic Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Wenrun Optoelectronic Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Wenrun Optoelectronic Technology Co Ltd filed Critical Jiangsu Wenrun Optoelectronic Technology Co Ltd
Priority to CN201711095354.9A priority Critical patent/CN107833875A/zh
Publication of CN107833875A publication Critical patent/CN107833875A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明的一种高色域LED背光源及其加工方法,包括步骤一,将UV LED晶片和若干蓝光LED晶片通过固晶胶用固晶机固定在SMC支架上;步骤二,通过金线焊线机采用金线键合技术将四个LED晶片串联后与SMC支架的正负极连接;步骤三,配制荧光胶溶液,荧光胶溶液为胶水、发射波长为537nm的黄绿粉以及KSF红粉的混合物;步骤四,把配制好的荧光胶溶液倒入点胶机胶桶内并进行排胶排泡,完成后,按GTV色域要求进行点胶;步骤五,将点胶烘烤后的LED产品脱粒后用分光测试机按给定的GTV色域要求进行分光,使得分光后的产品满足NTSC色域>90%,光谱在380‑410nm处有峰波产生,光谱在600‑700nm有多条峰波,使得LED背光源的色彩还原度提高。

Description

一种高色域LED背光源及其加工方法
技术领域
本发明涉及LED技术领域,特别是一种高色域LED背光源及其加工方法。
背景技术
二十一世纪,背光源发展很快,不断有新技术、新产品推出,LED背光逐步进入产业化,有了一定的规模,相比CCFL,LED有着明显的节能优势,LED背光依然存在需要改进之处,国内的上游配套工厂上跟不上国际形势,技术交流与互动改进及试样产品的应用推广等是LED进入大尺寸液晶背光领域的最大障碍,作为液晶产品中重要配件之一的背光源,发展很快,不断有新技术、新产品推出。其中LED(发光二极管)背光市场份额在逐渐增加。在笔记本、显示器及电视机等产品中,原来一直在使用CCFL(冷阴极荧光灯)背光源,从2008年开始,笔记本和显示器产品中LED背光的使用不断扩大。有关统计数字显示,2009年第一季度,LED背光的出货量是2008年同期的8倍。同时在CCFL一统天下的液晶电视领域,随着2008年推出第一款LED背光电视,国内市场上LED背光电视产品也如雨后春笋般出现在市场中。
LED背光结构主要分为两种,单组串联式电源或多组串联式/并联式电源。 单组串联式电源虽然使用较低恒流,但必须将输入电源提升至符合串联式电源的总顺向电压水平,才可以驱动LED。相反的,多组串联式/并联式LED电源虽然需要更高的恒流来驱动,却降低了高电压的需求。 升压转换器需求的差异取决于成本、复杂程度及能量转换效率(对于使用者而言,相当于充电循环之间的电池寿命)。最终也会依据装置本身的产品特性、大小和效能需求来决定最佳解决方案。
背光源LED对颜色还原度要求很高,从而寻求制作一种高色域LED尤为关键。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种高色域LED背光源,其对色彩具有较高的还原度。
本发明为解决上述技术问题采用以下技术方案:
一种高色域LED背光源的加工方法,包括如下步骤:
步骤一,将1个390-395nm的UV LED晶片和3个445-450nm蓝光LED晶片通过固晶胶用固晶机固定在SMC支架上;
步骤二,通过金线焊线机采用金线键合技术将四个LED晶片串联后与SMC支架的正负极连接;
步骤三,配制荧光胶溶液,荧光胶溶液为胶水、发射波长为537nm的黄绿粉以及KSF红粉的混合物,其配比为,胶水:537nm黄绿粉:KSF红粉=3:0.25:0.09;
步骤四,把配制好的荧光胶溶液倒入点胶机胶桶内并进行排胶排泡,完成后,按GTV色域要求进行点胶;
步骤五,将点胶烘烤后的LED产品脱粒后用分光测试机按给定的GTV色域要求进行分光,使得分光后的产品满足NTSC 色域>90%,光谱在380-410nm处有峰波产生,光谱在600-700nm有多条峰波。
进一步的,步骤一中,固晶完成后用150-160℃烤箱烘烤2h±10min使晶片完全固定在SMC支架上。
进一步的,步骤四中,点胶后先用80℃烘烤0.5h±5min,再用160℃烘烤4h±10min。
本发明还提供一种高色域LED背光源,包括SMC支架,所述SMC支架上串联设置有1个UV LED晶片和若干蓝光LED晶片;串联后的LED晶片与 SMC支架正负极连接;在UV LED晶片上粘附有荧光胶,荧光胶由黄绿粉、KSF红粉和胶水混合而成。
进一步的,蓝光LED晶片设有3个。
进一步的,黄绿粉、KSF红粉和胶水的配比为0.25:0.09:3。
进一步的,UV LED晶片和蓝光LED晶片通过固晶胶固定在SMC支架上。
进一步的,固晶胶为绝缘胶。
进一步的,UV LED晶片采用波长为390-395nm的UV LED晶片。
进一步的,蓝光LED晶片采用波长为445-450nm的蓝光LED晶片。
本发明采用以上技术方案与现有技术相比,具有以下技术效果:
本发明采用黄绿粉、KSF红粉和胶水混合,把配制好的荧光胶溶液倒入点胶机胶桶内并进行排胶排泡;完成后,按GTV色域要求进行点胶,点胶后先用80℃烘烤0.5h±5min,再用160℃烘烤4h±10min;使LED色参数满足指定色域,NTSC色域>90%,光谱在380-410nm出有峰波产生,光谱在600-700nm有多条峰波的高色域背光源LED。从而使得LED背光源的色彩还原度提高。
附图说明
图1是本发明结构示意图;
图2是本发明的电路示意图;
图3是本发明的色域要求;
图4是本发明的光谱图;
图5为本发明的NTSC 色域图。
图中,1、蓝光LED晶片;2、UV LED晶片;3、固晶胶;4、引脚;5、SMC支架。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案做进一步的详细说明:
一种高色域LED背光源,如图1所示,包括SMC支架,所述SMC支架上串联设置有UV LED晶片和若干蓝光LED晶片;串联后的LED晶片采用金线键合技术与 SMC支架正负极的引脚4连接;在UV LED晶片上粘附有荧光胶,荧光胶由黄绿粉、KSF红粉和胶水混合而成。
具体的,UV LED晶片设置有1个,并采用波长为390-395nm的UV LED晶片。
蓝光LED晶片设有3个,并采用波长为445-450nm的蓝光LED晶片。
UV LED晶片和蓝光LED晶片通过固晶胶固定在SMC支架上,固晶胶为绝缘胶或者银胶。
黄绿粉、KSF红粉和胶水配比为,胶水:537nm黄绿粉:KSF红粉=3:0.25:0.09,使LED色参数满足指定的GTV色域,NTSC色域>90%,光谱在380-410nm出有峰波产生,光谱在600-700nm有多条峰波的高色域背光源LED。从而使得LED背光源的色彩还原度提高。
具体实施方法包括:
步骤一,1个390-395nm的UV LED晶片2和3个445-450nm蓝光LED晶片1通过绝缘胶(或银胶)用固晶机固晶固定在SMC支架5上,固晶完成后用150-160℃烤箱烘烤2h±10min使芯片完全固定在SMC支架5上;
步骤二,通过金线焊线机采用引线键合技术采用串联方式(如图2所示)使SMC支架5的正负极的引脚4连接;
步骤三,配制荧光胶溶液,荧光胶溶液为胶水与发射波长为537nm的黄绿粉以及KSF红粉的混合物,其配比为,胶水:537nm黄绿粉:KSF红粉=3:0.25:0.09,使光色满足GTV色域要求,如图3所示,色域就是由两种以上颜色组成的面积,颜色用色度坐标表示,图3中GTV的四组有效坐标构成了CODE bin中矩形图;
步骤四,把配制好的荧光胶溶液倒入点胶机胶桶内并进行排胶排泡。完成后,按GTV色域要求进行点胶,点胶后先用80℃烘烤0.5h±5min,再用160℃烘烤4h±10min;
步骤五,将点胶烘烤后的LED产品脱粒后用分光测试机按给定的GTV色域要求(图3)进行分光,分光后的产品满足NTSC 色域>90%(图5),光谱在380-410nm处有峰波产生,光谱在600-700nm有多条峰波(图4)。
本技术领域技术人员可以理解的是,除非另外定义,这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是,诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义,并且除非像这里一样定义,不会用理想化或过于正式的含义来解释。
以上实施例仅为说明本发明的技术思想,不能以此限定本发明的保护范围,凡是按照本发明提出的技术思想,在技术方案基础上所做的任何改动,均落入本发明保护范围之内。上面对本发明的实施方式作了详细说明,但是本发明并不限于上述实施方式,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以再不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。

Claims (10)

1.一种高色域LED背光源的加工方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一,将1个390-395nm的UV LED晶片和3个445-450nm蓝光LED晶片通过固晶胶用固晶机固定在SMC支架上;
步骤二,通过金线焊线机采用金线键合技术将四个LED晶片串联后与SMC支架的正负极连接;
步骤三,配制荧光胶溶液,荧光胶溶液为胶水、发射波长为537nm的黄绿粉以及KSF红粉的混合物,其配比为,胶水:537nm黄绿粉:KSF红粉=3:0.25:0.09;
步骤四,把配制好的荧光胶溶液倒入点胶机胶桶内并进行排胶排泡,完成后,按GTV色域要求进行点胶;
步骤五,将点胶烘烤后的LED产品脱粒后用分光测试机按给定的GTV色域要求进行分光,使得分光后的产品满足NTSC 色域>90%,光谱在380-410nm处有峰波产生,光谱在600-700nm有多条峰波。
2.根据权利要求1所述的一种高色域LED背光源的加工方法,其特征在于:步骤一中,固晶完成后用150-160℃烤箱烘烤2h±10min使晶片完全固定在SMC支架上。
3.根据权利要求1所述的一种高色域LED背光源的加工方法,其特征在于:步骤四中,点胶后先用80℃烘烤0.5h±5min,再用160℃烘烤4h±10min。
4.一种高色域LED背光源,其特征在于:包括SMC支架,所述SMC支架上串联设置有1个UVLED晶片和若干蓝光LED晶片;串联后的LED晶片与 SMC支架正负极连接;在UV LED晶片上粘附有荧光胶,荧光胶由黄绿粉、KSF红粉和胶水混合而成。
5.根据权利要求4所述的一种高色域LED背光源,其特征在于:蓝光LED晶片设有3个。
6.根据权利要求4所述的一种高色域LED背光源,其特征在于:黄绿粉、KSF红粉和胶水的配比为0.25:0.09:3。
7.根据权利要求4所述的一种高色域LED背光源,其特征在于:UV LED晶片和蓝光LED晶片通过固晶胶固定在SMC支架上。
8.根据权利要求7所述的一种高色域LED背光源,其特征在于:固晶胶为绝缘胶。
9.根据权利要求4所述的一种高色域LED背光源,其特征在于:UV LED晶片采用波长为390-395nm的UV LED晶片。
10.根据权利要求4所述的一种高色域LED背光源,其特征在于:蓝光LED晶片采用波长为445-450nm的蓝光LED晶片。
CN201711095354.9A 2017-11-09 2017-11-09 一种高色域led背光源及其加工方法 Pending CN107833875A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711095354.9A CN107833875A (zh) 2017-11-09 2017-11-09 一种高色域led背光源及其加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711095354.9A CN107833875A (zh) 2017-11-09 2017-11-09 一种高色域led背光源及其加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107833875A true CN107833875A (zh) 2018-03-23

Family

ID=61653938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711095354.9A Pending CN107833875A (zh) 2017-11-09 2017-11-09 一种高色域led背光源及其加工方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107833875A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109411456A (zh) * 2018-10-16 2019-03-01 江苏稳润光电科技有限公司 一种用于生鲜灯照明的led光源
CN109950181A (zh) * 2019-03-28 2019-06-28 黄山美太电子科技有限公司 一种led数码管生产加工工艺流程
CN113534572A (zh) * 2021-06-03 2021-10-22 东莞市立德达光电科技有限公司 一种双色手机闪光灯照明led灯
CN113540321A (zh) * 2021-05-27 2021-10-22 东莞市立德达光电科技有限公司 一种高光色品质的白光led封装方法
CN113540322A (zh) * 2021-06-03 2021-10-22 东莞市立德达光电科技有限公司 一种摄影补光灯led封装方法
CN113540315A (zh) * 2021-06-11 2021-10-22 东莞市立德达光电科技有限公司 一种植物照明led封装方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076836A (ja) * 2007-08-30 2009-04-09 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置およびそれに用いるカラーフィルタ
CN104793275A (zh) * 2015-04-29 2015-07-22 宁波江北激智新材料有限公司 一种色度坐标和色域范围可调的荧光薄膜
CN105226165A (zh) * 2015-09-21 2016-01-06 安徽科发信息科技有限公司 一种led封装工艺
CN105633253A (zh) * 2014-11-21 2016-06-01 有研稀土新材料股份有限公司 白光led、背光源及液晶显示装置
CN106057991A (zh) * 2016-07-01 2016-10-26 深圳市源磊科技有限公司 一种一体化led光源模组的制作方法
CN106098904A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 浙江阳光照明电器集团股份有限公司 一种led灯珠及使用该led灯珠的led灯具

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076836A (ja) * 2007-08-30 2009-04-09 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示装置およびそれに用いるカラーフィルタ
CN105633253A (zh) * 2014-11-21 2016-06-01 有研稀土新材料股份有限公司 白光led、背光源及液晶显示装置
CN104793275A (zh) * 2015-04-29 2015-07-22 宁波江北激智新材料有限公司 一种色度坐标和色域范围可调的荧光薄膜
CN105226165A (zh) * 2015-09-21 2016-01-06 安徽科发信息科技有限公司 一种led封装工艺
CN106057991A (zh) * 2016-07-01 2016-10-26 深圳市源磊科技有限公司 一种一体化led光源模组的制作方法
CN106098904A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 浙江阳光照明电器集团股份有限公司 一种led灯珠及使用该led灯珠的led灯具

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109411456A (zh) * 2018-10-16 2019-03-01 江苏稳润光电科技有限公司 一种用于生鲜灯照明的led光源
CN109950181A (zh) * 2019-03-28 2019-06-28 黄山美太电子科技有限公司 一种led数码管生产加工工艺流程
CN109950181B (zh) * 2019-03-28 2021-05-11 黄山美太电子科技有限公司 一种led数码管生产加工工艺流程
CN113540321A (zh) * 2021-05-27 2021-10-22 东莞市立德达光电科技有限公司 一种高光色品质的白光led封装方法
CN113534572A (zh) * 2021-06-03 2021-10-22 东莞市立德达光电科技有限公司 一种双色手机闪光灯照明led灯
CN113540322A (zh) * 2021-06-03 2021-10-22 东莞市立德达光电科技有限公司 一种摄影补光灯led封装方法
CN113540315A (zh) * 2021-06-11 2021-10-22 东莞市立德达光电科技有限公司 一种植物照明led封装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107833875A (zh) 一种高色域led背光源及其加工方法
CN107565006B (zh) 一种具有日光可见光部分光谱结构的led光源及灯具
CN104633499B (zh) 一种高显色指数的led光源模组及led灯具
WO2016169471A1 (zh) 一种led灯丝灯的构建方法及led灯丝灯
CN101699154A (zh) 一种led白灯及其封装方法
CN104538391B (zh) 白光led模组
CN101737641B (zh) 发光二极管光源模组及其应用
CN102244185A (zh) 一种具有高显色指数、高光效、低色温的白光led及其制备方法
CN102760419A (zh) 一种全彩色硅基有源选址发光二极管微投影芯片
WO2015192413A1 (zh) 一种led封装结构及液晶显示装置
CN106772761A (zh) 一种高色域侧入式led背光模组
CN112203383A (zh) 一种多光谱led的调光方法
CN105529388A (zh) 一种使用红光荧光粉的高色域白光led实现方法
CN105485573A (zh) 一种高色域直下式led背光模组
CN101303475B (zh) 发光二极管背光模块及应用其的液晶显示器
CN203787420U (zh) 可变换连接的阵列式cob光源
CN100403558C (zh) 白偏蓝贴片式发光二极管及其制造方法
TWI407196B (zh) 發光二極體背光模組及其應用
CN204315629U (zh) 背光模组贴片灯珠的封装结构
CN202205746U (zh) 集成式组合波长可调光植物生长led
CN207558787U (zh) 一种驱蚊led灯
CN206339681U (zh) 一种高色域侧入式led背光模组
CN201251045Y (zh) 发光二极管灯及同步发光二极管灯串
CN206133150U (zh) 一种led、灯条、背光源及液晶显示模组
CN109164632A (zh) 一种高色域液晶显示背光模组及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180905

Address after: 212009 88 Wei Yi Road, Ding Mao Development Area, Zhenjiang, Jiangsu

Applicant after: Wenrui Photoelectric Co., Ltd., Jiangsu

Address before: 212009 88 Wei Yi Road, Ding Mao Development Area, Zhenjiang, Jiangsu

Applicant before: Jiangsu Wenrun Optoelectronic Technology Co., Ltd.

RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180323