CN107810557A - 针对电流驱动光学介质的控制组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种针对电流驱动光学介质的控制组件，例如包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件。在控制组件内的单独导电层中设置附加电极，以便添加耦合到控制组件的栅电极的单独电容(C2)，以补充已经耦合在栅电极和源电极之间的电容(C1)。

Description

针对电流驱动光学介质的控制组件
技术领域
本发明涉及一种针对电流驱动光学介质的控制组件，例如包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管(TFT)在内的多层电子结构控制组件。
背景技术
通常使用玻璃作为衬底来加工高分辨率AMOLED显示器，其中在所述衬底上沉积多个用于驱动像素电极的晶体管结构。图1和图2中示意性地示出了普通晶体管结构(不按比例)：图1示出了顶栅极配置；图2示出了底栅极配置。图1和图2中的每一个示出了用于驱动像素电极的2T1C(两个晶体管，1个电容器)结构的晶体管(尽管其它结构也是可能的)。也可以通过在金属化之前蚀刻下方的电介质层来实现连接到像素电极的最右侧的通孔，使得ML3将与ML1融合。
在图1中，第一晶体管(5)包括在第一导电层(ML1)中的源电极(2)和漏电极(3)。栅电极(4)位于第二导电层(ML2)中。ML1和ML2被一个或多个电介质或半导体层分开。通常以形成导电岛状物(可选地通过不同层上的通孔或其它装置连接)的方式来图案化导电层，从而产生具有期望功能的电子器件和电路。
第二晶体管(9)包括在第一导电层(ML1)中的源(6)电极和漏(7)电极以及在第二导电层(ML2)中的栅(8)电极。使用导电层ML1和ML2之间的通孔将第一晶体管(5)的漏电极(3)连接到第二晶体管(5)的栅电极(8)。使用导电层ML1和第三导电层(ML3)之间的通孔将第二晶体管(9)的漏电极(7)连接到在ML3中的像素电极(10)。
由于被一个或多个电介质层分开的第二栅电极(8)和源电极(6)的交叠造成存储电容。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。
图2示出了控制组件的备选配置，其是底栅极配置。
在图2中，第一晶体管(5)包括在第二导电层(ML2)中的源电极(2)和漏电极(3)。栅电极(4)位于第一导电层(ML1)中。ML1和ML2被一个或多个电介质或半导体层分开。
第二晶体管(9)包括在第二导电层(ML2)中的源(6)电极和漏(7)电极以及在第一导电层(ML1)中的栅(8)电极。使用导电层ML1和ML2之间的通孔将第一晶体管(5)的漏电极(3)连接到第二晶体管(5)的栅电极(8)。使用导电层ML1和第四导电层(ML4)之间的通孔将第二晶体管(9)的漏电极(7)连接到在ML4中的像素电极(10)。图2还示出了可选的屏蔽电极(11)，其位于源(6)电极和漏(7)电极之间的间隙的上方的第三导电层(ML3)中。这是可选的，但用于防止光从显示表面进入第二晶体管(9)。
由于被一个或多个电介质层分开的第二栅电极(8)和源电极(6)的交叠造成存储电容。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。
由于非柔性无机电介质可实现的每单位面积的高电容，因此可以在非柔性衬底(比如，玻璃)上实现具有小面积占用率的高存储电容。也就是说，由于非柔性结构在制造工艺中的稳定性，可以使结构更精细且层更薄。更薄的电介质层导致每单位面积更高的电容。因此，可以更容易地实现更高的像素密度。
然而，当使用针对柔性AMOLED显示器的柔性衬底和柔性电介质时，并不容易制造每面积的高电容。柔性电介质并不总是具有高介电常数，并且并不总是可以被加工以形成薄层。这样，可以影响柔性显示器的像素密度，从而允许具有较大面积的存储电容器，以便补偿降低的可实现的每单位面积的电容。
因此，我们认识到：需要用于具有增加的存储电容的柔性显示器的多层电子结构。
发明内容
因此，本发明提供一种用于控制电流驱动光学介质的控制组件，所述控制组件包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管(TFT)，所述控制组件包括：衬底，承载多个导电层，每个导电层由相应的电介质层和/或半导体层分开，以限定多个TFT和多个像素电极，所述多个像素电极中的每一个电连接到所述多个TFT中的至少一个；对于每个TFT：所述导电层中的第一导电层和第二导电层限定源/漏电极和栅电极，所述源/漏电极和所述栅电极被布置成使得：在所述源电极与所述栅电极之间限定第一存储电容器(C1)，并且所述漏电极连接到相应像素电极；其中，通过所述导电层中的第三导电层来限定第二电容器(C2)的第一板，并且通过所述栅电极或所述源电极来限定所述第二电容器(C2)的第二板，所述第二电容器(C2)向所述栅电极提供附加存储电容。
利用这种布置，栅电极上的附加电容能够使栅电极的电压保持在期望值。
当所述TFT是顶栅极配置TFT时，所述源/漏电极可以在所述导电层中的第一导电层中，并且其中所述栅电极在所述第二导电层中，所述第二导电层是在由电介质层分开的所述第一层上方的层。
当TFT是顶栅极配置TFT时，可以通过所述栅电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层在所述第二导电层的上方并被电介质层分开，并且其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板在所述栅电极的上方，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。第二电容器的第一板可以通过通孔连接到源电极。
该布置可以包括在所述第二电容器的第一板和所述源电极之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述源极或将所述第一板与所述源极断开连接。
在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔可以位于包括多个像素电极的区域的外部。电容器的第二板和源电极之间的通孔也可以或备选地位于TFT的结构内。
第二电容器的第一板可以连接到辅电压源。在该布置中，可控开关元件可以设置在第二电容器的第一板和辅电压源之间，可控开关元件被布置为可控制地将第一板连接到辅电压源或将第一板与辅电压源断开连接。
所述第三导电层可以包括所述第二电容器的多个第一板，每个TFT拥有一个所述第一板，并且其中所述第二电容器的多个第一板被布置为在所述多个TFT的所述第一层和所述第二层的宽度和长度上互连的栅格，并且其中所述栅格中的孔被布置成允许通孔从所述第三层下方的层穿到所述第三层上方的层。连接总线可以设置在包括所述多个像素电极的区域的外部，且其中所述第二电容器的多个第一板连接到所述连接总线。
在顶栅极配置的备选布置中，可以通过所述源电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层是所述第一导电层下方的层并且被电介质层分开，其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板布置在所述源电极的下方并且连接到所述栅电极，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。在该布置中，第二电容器的第一板可以通过通孔连接到源电极。
当所述TFT是底栅极配置TFT时，所述栅电极可以在所述导电层中的第一导电层中，其中所述源/漏电极在所述第二导电层中，所述第二导电层是在由电介质层分开的所述第一层上方的层。
对于底栅极配置，通过所述栅电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层在所述第一导电层的下方并被电介质层分开，并且其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板在所述栅电极的下方，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。第二电容器的第一板可以通过通孔连接到源电极。
对于底栅极配置，控制组件可以包括在所述第二电容器的第一板和所述源电极之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述源极或将所述第一板与所述源极断开连接。
对于底栅极配置，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔可以位于包括多个像素电极的区域的外部。电容器的第二板和源电极之间的通孔也可以或备选地位于TFT的结构内。
对于底栅极配置，第二电容器的第一板可以连接到辅电压源。
对于底栅极配置，所述控制组件可以包括在所述第二电容器的第一板和所述辅电压源之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述辅电压源或将所述第一板与所述辅电压源断开连接。
对于底栅极配置，所述第三导电层可以包括所述第二电容器的多个第一板，每个TFT拥有一个所述第一板，并且其中所述第二电容器的多个第一板被布置为在所述多个TFT的所述第一层和所述第二层的宽度和长度上互连的栅格。
对于底栅极配置，连接总线可以设置在包括所述多个像素电极的区域的外部，且其中所述第二电容器的多个第一板连接到所述连接总线。
对于底栅极配置，通过所述源电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层是所述第二导电层上方的层并且被电介质层分开，其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板布置在所述源电极的上方并且连接到所述栅电极，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。第二电容器的第一板可以通过通孔连接到栅电极。
上述配置中的任一配置，所述多个TFT中的每一个可以连接到相应第二TFT，其中所述第二TFT的漏极连接到所述TFT的栅电极，使得所述TFT和所述第二TFT中的每一个均处于用于驱动像素电极的2T1C配置下。
附图说明
现在将参考附图仅示例性地描述本发明，在附图中：
图1示出了顶栅极配置的现有技术的控制组件；
图2示出了底栅极配置的现有技术的控制组件；
图3示出了顶栅极配置控制组件；
图4a、图4b和图4c示出了层ML1和ML3之间不同的通孔连接配置；
图5示出了针对层ML1和ML3的布局；
图6示出了针对层ML1和ML3的备选布局；
图7示出了电路图；
图8a示出了备选的顶栅极配置控制组件；
图8b示出了针对图7a的通孔连接配置；
图9示出了备选的顶栅极配置控制组件；
图10示出了底栅极配置控制组件；
图11示出了备选的底栅极配置控制组件；以及
图12示出了备选的底栅极配置控制组件。
具体实施方式
简而言之，本发明的实施例使用位于单独导电层中的附加电极(31)，以便提供与控制组件的栅电极(28)耦合的额外的电容性耦合，以补充已经存在于栅电极(28)和源电极S2之间的电容性耦合(C1)。通过与栅电极(28)交叠的位于单独导电层中的电极提供所述额外的电容性耦合(C2)。单独导电层中的电极可以通过多层结构内的连接(例如，通孔)而导电地连接到与源电极S2相同的电压源，或者可以连接到与源电极S2不同的电压源。备选地，可以通过将控制组件的多层结构内的栅电极导电地连接到单独的导电层中的电极并将其与源电极交叠来提供所述额外的电容性耦合(C2)。上述附加的电容性耦合(C2)有可能具有顶栅极和底栅极配置，如下所述。
图3示出了针对包括用于驱动显示器(例如，AMOLED显示器)中的像素电极的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件的顶栅极配置多层电子结构。图3仅示出了包括具有相同布置的许多像素的显示器中的一个像素。虽然附图示出了2T1C布置的TFT，但是本发明不限于2T1C配置。本发明通常应用于驱动晶体管，在2T1C配置的情况下，所述晶体管是T2。
第一TFT(25)包括在第一导电层(ML1)中的源电极(22)和漏电极(23)。栅电极(24)位于第二导电层(ML2)中。ML1和ML2被一个或多个电介质层分开。在2T1C布置中，源电极(22)可以连接到数据线，并且栅电极(24)可以连接到选择线。
第二TFT(29)包括在第一导电层(ML1)中的源(26)电极和漏(27)电极以及在第二导电层(ML2)中的栅(28)电极。使用导电层ML1和ML2之间的通孔将第一晶体管(5)的漏电极(3)连接到第二晶体管(5)的栅电极(8)。使用导电层ML1和第四导电层(ML4)之间的通孔将第二晶体管(9)的漏电极(7)连接到在ML4中的像素电极(10)。虽然像素电极(30)被示出为单独的第四导电层(ML4)，但是像素电极(30)可以备选地位于与任何其它电极相同的层中。
由于被一个或多个电介质层或半导体层分开的第二栅电极(28)和源电极(26)的交叠造成第一存储电容(C1)。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。
通过TFT(29)的栅电极(28)和在第三导电层(ML3)中的电极或板(31)提供附加的存储电容(C2)。电极(31)充当电容器的一个板，该板通过ML2和ML3之间的不确定数量个电介质或半导体层而与栅电极(28)(电容器(C2)的另一个板)分开。
在该配置中，电极(31)位于栅电极(28)的上方，并且与栅电极(28)交叠。电极(31)和栅电极(28)电容性耦合以提供C2，C2向栅电极(28)提供了附加电容。
在该配置中，电极(31)通过在层ML3和ML1之间延伸的通孔(32)而被电连接到第二TFT(29)的源电极(26)。这样，在电气上，C2与C1并联(由于两个电容器都连接在栅电极(28)和源电极(26)之间)，因此为C1增加了附加电容。
通孔(32)可以置于：(a)显示器(40)的有源区域外部，和/或(b)显示器(40)的有源区域内部。这在图4a和图4b中分别示意性地示出了。
在图4a中，通孔(32)位于显示区域(40)的外部，并且所有源电极沿着ML1连接在一起。在图4b中，通孔(32)位于显示区域(40)的内部和外部，并且所有源电极沿着ML1电学隔离。为了实现更高的分辨率，图4a是优选的选择。
电极(31)可以覆盖显示器的整个区域来作为覆盖层(blanket)，具有用于使顶像素通孔穿过其中的孔。这使得电阻率降低、电压降减小、显示均匀性提高。优选地，尽可能地减少开关TFT的电极(31)和栅电极(24)之间的交叠，以加速连接到开关TFT的栅电极(24)的信号，特别是对于大型显示器而言。
结合图4a，图5示出了图2的多层电子结构的ML1和ML3层的可能布局。这样，每当需要减小与其它金属层的电容性耦合时，以狭窄连接将通孔(32)设置在显示区域的外部，其中电极(31)是被设置为整个显示器上的栅格图案的层ML3。栅格状配置是优于电极(31)分别与连接到源电极(22)或栅电极(24)的数据线或选择线平行的条纹配置。对于底部发光OLED，所述栅格优选地还为光提供光路。源极和栅极驱动器位于显示器的外围，其它各种通孔将源极和栅极电流传送到所需的层。
在这些配置中，注意：OLED电流不流过电极(31)，即仅动态电力是通过电极(31)耗散的。
图6与图5的配置类似，只不过显示区域内还设置了通孔(32)(与图4b一样)。这是节省ML1上的空间的备选方案以实现更高分辨率，尽管该方案以每像素或每组像素的附加通孔为代价。这时候，源电极(26)不是由平行于数据线的线路构成的，而是由通过经由图2中的像素上通孔连接到电极(31)的岛状物构成的。在这种情况下，OLED电流流过电极(31)。
为了改善电压和显示均匀性，可以在显示区域周围设置连接总线(45)，并通孔可以位于显示器周围的多个位置中，从而提供到所需电压源的尽可能多的连接。
图4a和图4b之间的混合配置是可能的，也能够实现冗余。
图7示出了基于p型TFT的显示器中的2T1C像素之一的电路图。该电路配置适用于参考图3至图6和图8至图12所描述的每个实施例。可以看出，第二TFT(T2)的栅极(G2)具有与之相连的两个存储电容(C1和C2)。在栅极(G2)和源极(S2)之间限定了C1，C1连接到供给电压(ELVDD)。另一方面，C2连接到G2和Vx。在该附图中，Vx可以表示多个连接选项。
参考图3，C2连接到源电极(S2)。结合图5或图6，与源电极(S2)的连接表示与电源电压Vx＝ELVDD的连接。在这种情况下，C1和C2彼此电学并联，并且将电容C1电容C2相加。
在备选实施例中(将在下方详细描述)，Vx可以表示到具有恒定供给电压(例如，ELVSS，或接地电压或另一供给电压)的备选电极的连接。这种连接可以通过像素上通孔或者像素外通孔来实现。
栅极和恒定电压源之间也可以存在开关TFT(在图7中被示出为SW1)，但开关在大部分的帧时间内都是导通的，使得C2有效地有助于将栅极电压保持在期望值。就结构中的开关的物理实现而言，向栅电极提供附加电容性耦合的第三电极可以经由开关TFT连接到其它电极和/或电压源，其中通过与T1相同的选择线或单独的选择线来控制开关TFT。这提供了附加的灵活性，以实现补偿表征许多薄膜晶体管技术的阈值电压偏移的驱动方案。如上所述，图1所示的电路配置(具有或不具有开关SW1)适用于参考图3至图6和图8至图12所描述的每个实施例。
在上述任何情况下，Vx是连接到T2的源极(S2)的备选供给电压，C2仍表示T2的栅极(G2)上的C1的附加电容，并且因此与T2的存储电容相加。
图8a示出了针对包括用于驱动显示器(例如，AMOLED显示器)中的像素电极的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件的备选顶栅极配置多层电子结构。与图3一样，仅示出了显示器中的一个像素(显示器包括具有相同布置的许多像素)。虽然附图示出了2T1C布置的TFT，但是本发明不限于2T1C配置。本发明通常应用于驱动晶体管，在2T1C配置的情况下，所述晶体管是T2。
第一TFT(25)包括在第一导电层(ML1)中的源电极(22)和漏电极(23)。栅电极(24)位于第二导电层(ML2)中。ML1和ML2被一个或多个电介质层分开。在2T1C布置中，源电极(22)可以连接到数据线，并且栅电极(24)可以连接到选择线。
第二TFT(29)包括在第一导电层(ML1)中的源(26)电极和漏(27)电极以及在第二导电层(ML2)中的栅(28)电极。使用导电层ML1和ML2之间的通孔将第一晶体管(5)的漏电极(3)连接到第二晶体管(5)的栅电极(8)。使用导电层ML1和第四导电层(ML4)之间的通孔将第二晶体管(9)的漏电极(7)连接到在ML4中的像素电极(10)。虽然像素电极(30)被示出为单独的第四导电层(ML4)，但是像素电极(30)可以备选地位于与任何其它电极相同的层中。
由于被一个或多个电介质层或半导体层分开的第二栅电极(28)和源电极(26)的交叠造成第一存储电容(C1)。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。
通过TFT(29)的栅电极(28)和在第三导电层(ML3)中的电极或板(31)提供附加的存储电容(C2)。电极(31)充当电容器的一个板，该板通过ML2和ML3之间的电介质层而与栅电极(28)(电容器(C2)的另一个板)分开。
在该配置中，电极(31)位于栅电极(28)的上方，并且与栅电极(28)交叠。电极(31)和栅电极(28)电容性耦合以提供C2，C2向栅电极(28)提供了附加电容。
在这种配置中，电极(31)不与第二TFT(29)的源电极(26)相连(如图3所示)。相反，电极可以连接到不同的电压源(例如，图6中的ELVSS)。虽然C2不与C1(电学)并联，但是C2仍然连接到栅电极(28)，并且仍计为栅电极的存储电容的附加电容。
图8b示出了这种布置的简图。可以看出，导电层ML1和ML3上的结构没有连接在一起，而是保持分开。
在这种布置中，可以使用电极(31)的延伸部分来保持TFT沟道区域外部的半导体处于关断状态。当不对半导体进行图案化以隔离TFT时，这对于阻止不希望的泄漏来说是特别有用的。为此，电极(31)可以连接到与源电极(26)不同的电压源。OLED电流将仅流过源电极(26)，而电极(31)将仅用作附加存储电容器的反电极并用于关闭寄生泄漏。
图9示出了针对包括用于驱动显示器(例如，AMOLED显示器)中的像素电极的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件的备选顶栅极配置多层电子结构。与图3和8a一样，仅示出了显示器中的一个像素(显示器包括具有相同布置的许多像素)。虽然附图示出了2T1C布置的TFT，但是本发明不限于2T1C配置。
第一TFT(25)包括在第二导电层(ML2)中的源电极(22)和漏电极(23)。栅电极(24)位于第三导电层(ML3)中。ML2和ML3被一个或多个电介质层分开。在2T1C布置中，源电极(22)可以连接到数据线，并且栅电极(24)可以连接到选择线。
第二TFT(29)包括在第二导电层(ML2)中的源(26)电极和漏(27)电极以及在第三导电层(ML3)中的栅(28)电极。使用导电层ML2和ML3之间的通孔将第一晶体管(25)的漏电极(23)连接到第二晶体管(25)的栅电极(28)。使用导电层ML2和第四导电层(ML4)之间的通孔将第二晶体管(29)的漏电极(27)连接到在ML4中的像素电极(30)。虽然像素电极(30)被示出为单独的第四导电层(ML4)，但是像素电极(30)可以备选地位于与任何其它电极相同的层中。
由于被一个或多个电介质层或半导体层分开的第二栅电极(28)和源电极(26)的交叠造成第一存储电容(C1)。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。。
在该配置中，通过第二TFT(29)的源电极(26)和在第二导电层(ML2)下方的第一导电层(ML1)中的电极或板(31)来提供第二存储电容(C2)，其中所述源电极(26)和电极或板(31)被一个或多个电介质或半导体层分开。电极(31)充当第二电容器的板。使用层ML3和ML1之间的通孔将电极(31)连接到栅电极(28)。当电极(31)延伸为与沟道区域交叠时，电极(31)也可以充当TFT或双栅极的遮光板。
在这种配置中，电极(31)电连接到栅电极(28)，并且耦合到源电极(26)。在电气上，C2与C1并联(因为二者都连接到源电极(26)电极和栅电极(28))，因此向栅电极的存储电容增添了附加电容。
注意到，在上述结构中，电极(31)在这种情况下不能具有栅格状图案，而是由相互分离的岛状物(每个像素或子像素一个岛状物)形成。
图10示出了针对包括用于驱动显示器(例如，AMOLED显示器)中的像素电极的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件的底栅极配置多层电子结构。图10仅示出了包括具有相同布置的许多像素的显示器中的一个像素。虽然附图示出了2T1C布置的TFT，但是本发明不限于2T1C配置。
第一TFT(25)包括在第三导电层(ML3)中的源电极(22)和漏电极(23)。栅电极(24)位于第二导电层(ML2)中。ML3和ML2被一个或多个电介质层分开。在2T1C布置中，源电极(22)可以连接到数据线，并且栅电极(24)可以连接到选择线。
第二TFT(29)包括在第三导电层(ML3)中的源(26)电极和漏(27)电极以及在第二导电层(ML2)中的栅(28)电极。使用导电层ML2和ML3之间的通孔将第一晶体管(25)的漏电极(23)连接到第二晶体管(25)的栅电极(28)。使用导电层ML3和第四导电层(ML4)之间的通孔将第二晶体管(29)的漏电极(27)连接到在ML4中的像素电极(30)。虽然像素电极(30)被示出为单独的第四导电层(ML4)，但是像素电极(30)可以备选地位于与任何其它电极相同的层中。
由于被一个或多个电介质层或半导体层分开的第二栅电极(28)和源电极(26)的交叠造成第一存储电容(C1)。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。
通过第二TFT(29)的栅电极(28)和在第一导电层(ML1)中的电极或板(31)提供第二存储电容(C2)。电极(31)充当电容器的一个板，该板通过ML1和ML2之间的一个或多个电介质或半导体层而与栅电极(28)(电容器(C2)的另一个板)分开。
在该配置中，电极(31)位于栅电极(28)的下方，并且与栅电极(28)交叠。电极(31)和栅电极(28)电容性耦合以提供C2，C2向栅电极(28)提供了附加电容。
在该配置中，电极(31)通过在层ML1和ML3之间延伸的通孔(32)而被电连接到第二TFT(29)的源电极(26)。这样，在电气上，C2与C1并联(由于两个电容器都连接在栅电极(28)和源电极(26)之间)，因此为C1增加了附加电容。
与图3中所讨论的顶栅极配置相同，通孔(32)可以置于：(a)显示器的有源区域外部，和/或(b)显示器的有源区域内部。这在图4a和图4c中分别示意性地示出了。在图4c中，源电极沿ML3电学隔离。关于这些附图的相同讨论也适用于此。
与之前的配置(参考图3、图4、图5和图6)一样，电极(31)可以覆盖显示器的整个区域，作为被形成为栅格的覆盖物(参见图5和图6)。这使得电阻率降低、电压降减小、显示均匀性提高。优选地，尽可能地减少电极(31)和栅电极(24)之间的交叠，以加速连接到栅电极(24)的信号，特别是对于大型显示器而言。
图11示出了针对包括用于驱动显示器(例如，AMOLED显示器)中的像素电极的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件的备选底栅极配置多层电子结构。与图10一样，仅示出了显示器中的一个像素(显示器包括具有相同布置的许多像素)。虽然附图示出了2T1C布置的TFT，但是本发明不限于2T1C配置。
第一TFT(25)包括在第三导电层(ML3)中的源电极(22)和漏电极(23)。栅电极(24)位于第二导电层(ML2)中。ML3和ML2被一个或多个电介质层分开。在2T1C布置中，源电极(22)可以连接到数据线，并且栅电极(24)可以连接到选择线。
第二TFT(29)包括在第三导电层(ML3)中的源(26)电极和漏(27)电极以及在第二导电层(ML2)中的栅(28)电极。使用导电层ML3和ML2之间的通孔将第一晶体管(25)的漏电极(23)连接到第二晶体管(25)的栅电极(28)。使用导电层ML3和第四导电层(ML4)之间的通孔将第二晶体管(29)的漏电极(27)连接到在ML4中的像素电极(30)。虽然像素电极(30)被示出为单独的第四导电层(ML4)，但是像素电极(30)可以备选地位于与任何其它电极相同的层中。
由于被一个或多个电介质层或半导体层分开的第二栅电极(28)和源电极(26)的交叠造成第一存储电容(C1)。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。
通过第二TFT(29)的栅电极(28)和在第一导电层(ML1)中的电极或板(31)提供第二存储电容(C2)。电极(31)充当电容器的一个板，该板通过ML1和ML2之间的一个或多个电介质或半导体层而与栅电极(28)(电容器(C2)的另一个板)分开。
在该配置中，电极(31)位于栅电极(28)的下方，并且与栅电极(28)交叠。电极(31)和栅电极(28)电容性耦合以提供C2，C2向栅电极(28)提供了附加电容。
在这种配置中，电极(31)不与第二TFT(29)的源电极(26)相连(如图10所示)。相反，电极可以连接到不同的电压源(例如，图7中的ELVSS)。虽然C2不与C1(电学)并联，但是C2仍然连接到栅电极(28)，并且仍计为栅电极的存储电容的附加电容。
在这种布置中，可以使用电极(31)的延伸部分来保持TFT沟道区域外部的半导体处于关断状态。当不对半导体进行图案化以隔离TFT时，这对于阻止不希望的泄漏来说是特别有用的。为此，电极(31)可以连接到与源电极(26)不同的电压源。OLED电流将仅流过源电极(26)，而电极(31)将仅用作附加存储电容器的反电极并用于关闭寄生泄漏。
图12示出了针对包括用于驱动显示器(例如，AMOLED显示器)中的像素电极的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件的备选底栅极配置多层电子结构。与图10和11一样，仅示出了显示器中的一个像素(显示器包括具有相同布置的许多像素)。虽然附图示出了2T1C布置的TFT，但是本发明不限于2T1C配置。
第一TFT(25)包括在第二导电层(ML2)中的源电极(22)和漏电极(23)。栅电极(24)位于第一导电层(ML1)中。ML1和ML2被一个或多个电介质层分开。在2T1C布置中，源电极(22)可以连接到数据线，并且栅电极(24)可以连接到选择线。
第二TFT(29)包括在第二导电层(ML2)中的源(26)电极和漏(27)电极以及在第一导电层(ML1)中的栅(28)电极。使用导电层ML1和ML2之间的通孔将第一晶体管(5)的漏电极(3)连接到第二晶体管(5)的栅电极(8)。使用导电层ML2和第四导电层(ML4)之间的通孔将第二晶体管(29)的漏电极(27)连接到在ML4中的像素电极(30)。虽然像素电极(30)被示出为单独的第四导电层(ML4)，但是像素电极(30)可以备选地位于与任何其它电极相同的层中。
由于被一个或多个电介质层或半导体层分开的第二栅电极(28)和源电极(26)的交叠造成第一存储电容(C1)。由于栅电极和源电极之间的存储电容能够使得栅电极的电压保持在期望值，因此这通常是所期望的。
在该配置中，通过第二TFT(29)的源电极(26)和在第二导电层(ML2)上方的第三导电层(ML3)中的电极或板(31)来提供第二存储电容(C2)，其中所述源电极(26)和电极或板(31)被一个或多个电介质或半导体层分开。电极(31)充当第二电容器的板。使用层ML3和ML1之间的通孔将电极(31)连接到栅电极(28)。当电极(31)延伸为与沟道区域交叠时，电极(31)也可以充当TFT或双栅极的遮光板。
在这种配置中，电极(31)电连接到栅电极(28)，并且耦合到源电极(26)。在电气上，C2与C1并联(因为二者都连接到源电极(26)电极和栅电极(28))，因此向栅电极的存储电容增添了附加电容。
注意到，在上述结构中，电极(31)在这种情况下不能具有栅格状图案，而是由相互分离的岛状物(每个像素或子像素一个岛状物)形成。
在上述的任何配置中，注意：为了使电极(31)到像素电极(30)的耦合最小化，可以根据需要将顶像素电介质(即，电极(31)和像素电极(30)之间的电介质层)制作得较厚。通常，电介质厚度在3μm的范围内。减少电极(31)和像素电极(30)之间的耦合减少了像素电极上的寄生电容。
此外，附图表明：电介质层和半导体层延伸至覆盖整个像素。但其无需是这种情况。
此外，在一些配置中，电极(31)可以在相应的导电层中延伸超出栅电极(28)，但是优选地，不延伸到第一栅电极(24)的下方或上方，以便减小电极(31)和第一栅电极(24)之间的耦合的可能性。
在上述每个实施例中，半导体层被视为是在栅极金属层和源极-漏极金属层之间，但是不必是这种情况。但是，半导体层也可以位于与源极-漏极触点相邻但与栅极金属相比的另一侧的位置处。
毫无疑问，本领域技术人员将会想到很多其它有效的备选。将会理解的是：本发明并不限于描述的实施例，并且包括在本发明所附权利要求的范围内的对于本领域技术人员来说很明显的修改。

Claims (26)

1.一种用于控制电流驱动光学介质的控制组件，所述控制组件包括用于驱动有源矩阵光电器件的像素的薄膜晶体管(TFT)，所述控制组件包括：
衬底，承载多个导电层，每个导电层由相应的电介质层和/或半导体层分开，以限定多个TFT和多个像素电极，所述多个像素电极中的每一个电连接到所述多个TFT中的至少一个；对于每个TFT：
所述导电层中的第一导电层和第二导电层限定源/漏电极和栅电极，所述源/漏电极和所述栅电极被布置成使得：在所述源电极与所述栅电极之间限定第一存储电容器(C1)，并且所述漏电极连接到相应像素电极；
所述导电层中的第三导电层被布置成与所述像素电极或半导体沟道相比更强烈地电容性耦合到所述源电极或所述栅电极，
其中，通过所述导电层中的第三导电层来限定第二电容器(C2)的第一板，并且通过所述栅电极或所述源电极来限定所述第二电容器(C2)的第二板，所述第二电容器(C2)向所述栅电极提供附加存储电容。
2.根据权利要求1所述的控制组件，其中所述TFT是顶栅极配置TFT，其中所述源/漏电极在所述导电层中的第一导电层中，并且其中所述栅电极在所述第二导电层中，所述第二导电层是在由电介质层分开的所述第一层上方的层。
3.根据权利要求2所述的控制组件，其中通过所述栅电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层在所述第二导电层的上方并被电介质层分开，并且其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板在所述栅电极的上方，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。
4.根据权利要求3所述的控制组件，其中所述第二电容器的第一板通过通孔连接到所述源电极。
5.根据权利要求4所述的控制组件，包括在所述第二电容器的第一板和所述源电极之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述源极或将所述第一板与所述源极断开连接。
6.根据权利要求4或5所述的控制组件，其中，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔位于包括所述多个像素电极的区域之外。
7.根据权利要求4、5或6所述的控制组件，其中，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔位于所述TFT的结构内。
8.根据权利要求3所述的控制组件，其中，所述第二电容器的第一板连接到辅电压源。
9.根据权利要求8所述的控制组件，包括在所述第二电容器的第一板和所述辅电压源之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述辅电压源或将所述第一板与所述辅电压源断开连接。
10.根据权利要求4至9中任一项所述的控制组件，其中，所述第三导电层包括所述第二电容器的多个第一板，每个TFT拥有一个所述第一板，并且其中所述第二电容器的多个第一板被布置为在所述多个TFT的所述第一层和所述第二层的宽度和长度上互连的栅格，并且其中所述栅格中的孔被布置成允许通孔从所述第三层下方的层穿到所述第三层上方的层。
11.根据权利要求10所述的控制组件，其中，连接总线设置在包括所述多个像素电极的区域之外，且其中所述第二电容器的所述多个第一板连接到所述连接总线。
12.根据权利要求2所述的控制组件，其中，通过所述源电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层是所述第一导电层下方的层并且被电介质层分开，其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板布置在所述源电极的下方并且连接到所述栅电极，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。
13.根据权利要求12所述的控制组件，其中所述第二电容器的第一板通过通孔连接到所述栅电极。
14.根据权利要求1所述的控制组件，其中所述TFT是底栅极配置TFT，其中所述栅电极在所述导电层中的第一导电层中，其中所述源/漏电极在所述第二导电层中，所述第二导电层是在由电介质层分开的所述第一层上方的层。
15.根据权利要求14所述的控制组件，其中通过所述栅电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层在所述第一导电层的下方并被电介质层分开，并且其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板在所述栅电极的下方，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。
16.根据权利要求15所述的控制组件，其中所述第二电容器的第一板通过通孔连接到所述源电极。
17.根据权利要求16所述的控制组件，包括在所述第二电容器的第一板和所述源电极之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述源极或将所述第一板与所述源极断开连接。
18.根据权利要求16或17所述的控制组件，其中，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔位于包括所述多个像素电极的区域之外。
19.根据权利要求16、17或18所述的控制组件，其中，在所述电容器的第二板和所述源电极之间的所述通孔位于所述TFT的结构内。
20.根据权利要求15所述的控制组件，其中，所述第二电容器的第一板连接到辅电压源。
21.根据权利要求20所述的控制组件，包括在所述第二电容器的第一板和所述辅电压源之间的可控开关元件，所述可控开关元件被布置为可控地将所述第一板连接到所述辅电压源或将所述第一板与所述辅电压源断开连接。
22.根据权利要求16至21中任一项所述的控制组件，其中，所述第三导电层包括所述第二电容器的多个第一板，每个TFT拥有一个所述第一板，并且其中所述第二电容器的多个第一板被布置为在所述多个TFT的所述第一层和所述第二层的宽度和长度上互连的栅格。
23.根据权利要求22所述的控制组件，其中，连接总线设置在包括所述多个像素电极的区域之外，且其中所述第二电容器的所述多个第一板连接到所述连接总线。
24.根据权利要求14所述的控制组件，其中，通过所述源电极来限定所述第二电容器的第二板，其中所述第三导电层是所述第二导电层上方的层并且被电介质层分开，其中所述第三导电层中的所述第二电容器的第一板布置在所述源电极的上方并且连接到所述栅电极，以限定与所述栅电极相耦合的所述第二电容器。
25.根据权利要求24所述的控制组件，其中所述第二电容器的第一板通过通孔连接到所述栅电极。
26.根据任一前述权利要求所述的控制组件，其中，所述多个TFT中的每一个连接到相应第二TFT，其中所述第二TFT的漏极连接到所述TFT的栅电极，使得所述TFT和所述第二TFT中的每一个均处于用于驱动像素电极的2T1C配置下。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111739896A (zh) * 2020-07-01 2020-10-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102126552B1 (ko) 2017-12-19 2020-06-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
US10580903B2 (en) 2018-03-13 2020-03-03 Psemi Corporation Semiconductor-on-insulator transistor with improved breakdown characteristics
CN108831906A (zh) * 2018-05-31 2018-11-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示器
US10573674B2 (en) * 2018-07-19 2020-02-25 Psemi Corporation SLT integrated circuit capacitor structure and methods
US10672806B2 (en) 2018-07-19 2020-06-02 Psemi Corporation High-Q integrated circuit inductor structure and methods
US10658386B2 (en) 2018-07-19 2020-05-19 Psemi Corporation Thermal extraction of single layer transfer integrated circuits
US20200043946A1 (en) 2018-07-31 2020-02-06 Psemi Corporation Low Parasitic Capacitance RF Transistors
KR102586145B1 (ko) * 2018-12-10 2023-10-05 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 전자장치
US10777636B1 (en) 2019-06-12 2020-09-15 Psemi Corporation High density IC capacitor structure
KR102612405B1 (ko) * 2019-07-09 2023-12-12 엘지디스플레이 주식회사 전자장치
KR20210021769A (ko) * 2019-08-19 2021-03-02 삼성전자주식회사 디스플레이 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1429056A (zh) * 2001-12-26 2003-07-09 三星Sdi株式会社 带有黑矩阵的平板显示装置及其制造方法
CN1680861A (zh) * 2004-12-03 2005-10-12 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示器、叠层储存电容器及其形成方法
CN1874001A (zh) * 2005-05-28 2006-12-06 三星Sdi株式会社 平板显示器
CN102394247A (zh) * 2011-09-22 2012-03-28 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管元件及显示面板的像素结构与驱动电路
CN102842582A (zh) * 2011-05-20 2012-12-26 三星显示有限公司 平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法
CN103137653A (zh) * 2011-12-01 2013-06-05 乐金显示有限公司 有机发光显示器件
US20130176195A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Jungbae Kim Organic light emitting display device
US20140138694A1 (en) * 2009-10-01 2014-05-22 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for display device and method of fabricating the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
TWI227654B (en) 2002-04-26 2005-02-01 Sanyo Electric Co Method for dimming an electroluminescence display panel, and electroluminescence display panel
JP4438665B2 (ja) * 2005-03-29 2010-03-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
US7652291B2 (en) * 2005-05-28 2010-01-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
JP4438782B2 (ja) * 2006-08-23 2010-03-24 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置
TWI376556B (en) * 2007-05-30 2012-11-11 Au Optronics Corp Pixel structure and method for forming thereof
JP5075583B2 (ja) * 2007-11-01 2012-11-21 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
KR100962961B1 (ko) * 2008-06-17 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101074788B1 (ko) * 2009-01-30 2011-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101084241B1 (ko) * 2010-01-05 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101994657B1 (ko) 2012-12-12 2019-07-02 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
KR102042192B1 (ko) * 2013-04-30 2019-11-08 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US10008513B2 (en) * 2013-09-05 2018-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1429056A (zh) * 2001-12-26 2003-07-09 三星Sdi株式会社 带有黑矩阵的平板显示装置及其制造方法
CN1680861A (zh) * 2004-12-03 2005-10-12 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管液晶显示器、叠层储存电容器及其形成方法
CN1874001A (zh) * 2005-05-28 2006-12-06 三星Sdi株式会社 平板显示器
US20140138694A1 (en) * 2009-10-01 2014-05-22 Lg Display Co., Ltd. Array substrate for display device and method of fabricating the same
CN102842582A (zh) * 2011-05-20 2012-12-26 三星显示有限公司 平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法
CN102394247A (zh) * 2011-09-22 2012-03-28 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管元件及显示面板的像素结构与驱动电路
CN103137653A (zh) * 2011-12-01 2013-06-05 乐金显示有限公司 有机发光显示器件
US20130176195A1 (en) * 2012-01-06 2013-07-11 Jungbae Kim Organic light emitting display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111739896A (zh) * 2020-07-01 2020-10-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN111739896B (zh) * 2020-07-01 2023-08-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US10971062B2 (en) 2021-04-06
GB2540334A (en) 2017-01-18
WO2016170355A1 (en) 2016-10-27
US20180158405A1 (en) 2018-06-07
GB2540334B (en) 2019-12-11
GB201506878D0 (en) 2015-06-03

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