CN107807023B - 包埋样品块的制造方法及样品试片 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 188
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000008521 reorganization Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/36—Embedding or analogous mounting of samples
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
- G01N2001/2873—Cutting or cleaving
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/36—Embedding or analogous mounting of samples
- G01N2001/364—Embedding or analogous mounting of samples using resins, epoxy
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/36—Embedding or analogous mounting of samples
- G01N2001/366—Moulds; Demoulding
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Abstract
本发明提供一种包埋样品块的制造方法及样品试片,其包埋样品块的制造方法包括提供载板。载板具有样品容置区及标记区,并且样品容置区具有第一凹槽,而标记区具有第二凹槽。配置样品于第一凹槽中。形成模板,其立于载板外围。模板围绕样品容置区及标记区,并形成暴露样品、第一凹槽及第二凹槽的开口。形成模封材于开口中,使其包覆样品并且填充于第一凹槽及第二凹槽中。固化模封材,并且移除模板,以得到包埋样品块。此外,一种以包埋样品块切片形成的样品试片也被提及。本发明提供的包埋样品块的制造方法,可批次性地制作具有用于进行样品对位的标记的包埋样品块,以提高电子显微镜的样品制备效率及品质。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子显微镜的样品,尤其涉及一种电子显微镜的包埋样品块的制造方法及样品试片。
背景技术
电子显微镜的高解析三维影像技术应用在临床医疗及生物分子研究的分析检测应用上,可有效地增加观测影像的解析度以及观测结果的精确度。然而,在建立高解析度的三维影像的过程中,需制备大量的超薄样品,并且在样品观察过程中须对影像进行精密的定位。在目前电子显微镜的样品块的制备过程中,大多仍需采用手动的方式并利用胶管逐一地进行样品树酯包埋。因此,当需要观测大量样品时,样品的制备将耗费大量的人力及时间成本。此外,单次单个制作的样品的制作品质参差不齐,使得观察样品的品质无法均一,进而影响样品的观测品质。因此,如何有效地提升电子显微镜的样品块的制作效率与品质,已成为现今电子显微镜观测技术发展的重要课题。
发明内容
本发明提供一种包埋样品块的制造方法,可批次性地制作具有用于进行样品对位的标记的包埋样品块,以提高电子显微镜的样品制备效率及品质。
本发明提供一种样品试片,其藉由对包埋样品块进行连续切片而形成,且样品切片的表面具有标记,可用以进行对位,其可节省电子显微镜对样品薄片进行观测的过程中观测定位及影像重组所需的时间。
本发明的包埋样品块的制造方法包括提供载板,载板具有样品容置区及标记区,并且样品容置区具有第一凹槽,而标记区具有第二凹槽。配置样品于第一凹槽中。形成模板,其立于载板外围。模板围绕样品容置区及标记区,并形成暴露样品、第一凹槽及第二凹槽的开口。形成模封材于开口中,使其包覆样品,并且填充于第一凹槽及第二凹槽中。固化模封材,并且移除模板,以得到包埋样品块。
本发明的样品试片是沿轴向对包埋样品块进行连续切片而来。不同的样品试片的轮廓对应于轴向上不同位置的包埋样品块的剖面轮廓,藉以判断样品试片的排序。包埋样品块包括载板、样品、模封材以及承载部分。载板具有样品容置区及标记区,并且样品容置区具有第一凹槽,而标记区具有第二凹槽。样品配置于第一凹槽中。模封材包覆样品并且填充于第一凹槽及第二凹槽中。样品试片包括承载部分、样品切片以及模封部分。承载部分由对载板进行切片而来。承载部分具有对应于第一凹槽容置孔以及对应于第二凹槽的标记孔。样品切片位于容置孔内,且模封部分填入容置孔与标记孔。
在本发明的一实施例中,上述形成载板的步骤包括提供载板材料层于基底上。在载板材料层与该基底之间形成脱膜层,使载板材料层通过脱膜层配置基底上。图形化载板材料层以形成第一凹槽及第二凹槽。形成标记层,其覆盖第一凹槽及第二凹槽的表面。
在本发明的一实施例中,上述的图案化载板材料层的步骤包括形成图案化掩膜于载板材料层上。藉由图案化掩膜来蚀刻载板材料层,以形成第一凹槽及第二凹槽。
在本发明的一实施例中,上述的形成图案化掩膜的方法包括涂布光阻层于载板材料层上。图案化光阻层,并且固化图案化后的光阻层,以形成该图案化掩膜。
在本发明的一实施例中,上述的包埋样品块的制造方法还包括研磨包埋样品块的底面,以暴露出部分的标记层并形成标记。
在本发明的一实施例中,上述的形成载板的步骤包括提供基底。图案化基底的表面,以形成第一凹槽及第二凹槽。形成标记层覆盖第一凹槽及第二凹槽的表面。
在本发明的一实施例中,上述的包埋样品块的制造方法还包括沿轴向对包埋样品块进行切片,以形成多个样品试片。
在本发明的一实施例中,上述的开口的形状包括梯形、双截边圆形或多边形。
在本发明的一实施例中,上述的第一凹槽的宽度沿轴向渐缩。
在本发明的一实施例中,上述的包埋样品块的第一凹槽的宽度沿轴向渐缩,且不同的该样品试片的容置孔具有不同宽度。
在本发明的一实施例中,上述的样品试片的轮廓包括梯形、双截边圆型或多边形。
在本发明的一实施例中,上述的模封材包括树酯。
在本发明的一实施例中,上述的载板包括标记层。标记层覆盖第一凹槽及第二凹槽的表面。样品试片的承载部分具有位于各标记孔内且对应标记层的标记环。
在本发明的一实施例中,上述的样品切片的标记孔具有相同的布局。
基于上述,在本发明的多个实施例的包埋样品块的制造方法中,包埋样品块的载板材料层内具有样品容置区及标记区,使得包埋样品块经切片后可形成表面具有标记的样品试片。在本发明的多个实施例中,由于包埋样品块可切片形成多个样品试片,使得电子显微镜的样品制备的效率大幅地提升,并且使得用于电子显微镜观察的样品试片的制作品质趋于一致。此外,由于样品试片具有直接制作于其上的标记,其可用于对位,使得电子显微镜对于样品的观测定位以及影像重组所需的时间可大幅地减少。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1G是依照本发明的一实施例的包埋样品块的制造方法的流程示意图;
图2A至图2G是依照本发明的另一实施例的包埋样品块的制造方法的流程示意图;
图3A至图3E是依照本发明的另一实施例的包埋样品块的制造方法的流程示意图;
图4A至图4F是依照本发明的另一实施例的包埋样品块的载板材料层的制造方法的流程示意图;
图5A至图5H是依照本发明的另一实施例的包埋样品块的载板材料层的制造方法的流程示意图;
图6是依照本发明的一实施例的模板的开口形状的示意图;
图7A是依照本发明的另一实施例的载板材料层的第一凹槽的示意图;
图7B是以图7A的第一凹槽形成的包埋样品块的样品试片的示意图。
附图标记:
50:样品;
50a:样品切片;
70:石英模仁;
80:UV光源;
100、200、300:包埋样品块;
100a:样品试片;
110、310:基底;
112:上表面;
120、420、520:载板;
115:脱膜层;
124、424:载板材料层;
124a、424a:样品容置区;
124a1、124a2、424a1:第一凹槽;
124b、424b:标记区;
124b1、424b1:第二凹槽;
125a:容置孔;
125b:标记孔;
126:标记层;
126a:标记环;
130、230、330:模板;
132、232、332:开口;
132a:三角型开口;
132b:双截边开口;
132c:多角形开口;
132d:方形开口;
140:模封材;
150:模封部分;
160:承载部分;
430:图案化掩膜;
530:UV光阻层;
A1:轴;
d1、d2、d3:直径。
具体实施方式
图1A至图1G是依照本发明的一实施例的包埋样品块的制造方法的流程示意图。请参考图1A至图1G,包埋样品块100的制造方法包括:提供载板120(如图1A)。在本实施例中,载板120包括载板材料层124及标记层126。此外,载板120可配置于基底110上,并且基底110的材料例如是硅晶圆。接着,如图1A所示,基底110的上表面112与载板材料层124之间可形成脱膜层115,使得载板材料层124通过脱膜层115配置于基底110上。
在本实施例中,脱膜层115例如是由铝层材料组成,而载板材料层124例如是由树酯层材料组成。然而,在本发明中,脱膜层115的材料并不限制于此,在其他的实施例中,脱膜层115的材料还包括钛(Ti)层、铬(Cr)层、金(Au)层、铂(Pt)层或是金属化合物材料层例如氧化铝(Al2O3)层、氧化钛(TiO2)层以及氧化钽(Ta2O4)层等。此外,在本发明中,载板材料层124的组成材料也不限制于上述,在其他实施例中,载板材料层124的组成材料还包括高分子聚合物层例如树酯层、光阻层、聚酰亚胺(polyimide,简称PI)层、聚酸甲酯(polymethylmethacrylate,简称PMMA)层或是无机介电材料层例如硅氧化物层或是硅氮化物层等。
在本实施例中,载板120包括样品容置区124a以及标记区124b。此外,样品容置区124a具有第一凹槽124a1,且标记区124b具有多个第二凹槽124b1。如图1所示,第一凹槽124a1及第二凹槽124b1的表面可以溅镀的方式形成标记层126,并且标记层126的组成材料例如是金层或是铝层。
接着,请参考图1B,样品50可配置于第一凹槽124a1中。在本实施例中,模板130设置于载板120的外围。模板130的延伸方向垂直于基底110的上表面112的平面方向,且模板130围绕样品容置区124a及标记区124b,以形成暴露第一凹槽124a1及第二凹槽124b1的开口132。在本实施例中,模板130的结构可以与半导体或微机电工艺相容的硅晶圆或玻璃晶圆等材料制成。或是,在其他实施例中,模板130的结构的也可以陶瓷、石英、金属或是塑胶块等材料加工制成。
请参考图1C,例如是树酯的模封材料可由开口132填入载板120与模板130之间,以形成模封材140。模封材140包覆样品50并且填充于第一凹槽124a1及第二凹槽124b1中。接着,如图1D所示,在大气压力或真空腔室的环境中,对模封材140进行加热固化。当模封材140固化完成后,可进行脱膜程序,以移除模板130。在本实施例中,模封材140的材料除上述的树酯之外,还包括其他的高分子聚合物,例如光阻、聚酰亚胺(polyimide,简称PI)、聚酸甲酯(polymethylmethacrylate,简称PMMA)或是无机介电材料例如硅氧化物或是硅氮化物等。
请参考图1E,基底110可通过脱膜层115进行脱膜,而由载板材料层124的底部移除,以获得包埋样品块100。接着,请参考图1F,包埋样品块100的底面可进行研磨,直至如图1F的剖面线AA’的位置,以将部分的样品50以及第一凹槽124a1及第二凹槽124b1的表面上的部分标记层126暴露于包埋样品块100的底部。在本实施例中,暴露于包埋样品块100的底部的部分标记层126可用来标示样品容置区124a的边界线,以及形成于标记区124b内的多个标记。
在本实施例中,上述的基底110经由脱膜层115进行脱膜的方式包括施以超音波振荡、热冲击、机械力,或是以化学溶液蚀刻脱膜层115以及研磨或蚀刻等方式来移除基底110。
如图1G所示,在本实施例中,包埋样品块100的模封材140可提供做为切片机具的夹持部,以将包埋样品块100夹持于机具中进行切片,以产生多个样品试片100a。本实施的样品试片100a包括承载部分160、样品切片50a以及模封部分150。在本实施例中,承载部分160具有对应上述第一凹槽124a1的容置孔125a,以及对应于上述的第二凹槽124b1的标记孔125b。此外,样品切片50a位于容置孔125a中,并且模封部分150分别填入容置孔125a与标记孔125b中。
在本实施例中,在电子显微镜进行样品观察前,样品可以上述包埋样品块100的半成品形式进行保存。当电子显微镜准备对样品50进行观察时,再将包埋样品块100切片成多个样品试片100a,以进行后续的观察步骤。在其他实施例中,在电子显微镜进行样品观察前,也可先完成多个载板120的公版半成品的制作,待需对新样品进行观察时,可直接将新样品包埋于已制作完成的载板120中,以缩短整体包埋样品块100的制作时间。
详细而言,请参考图1F及1G,包埋样品块100具有垂直载板120的表面的轴A1,并且包埋样品块100可在其轴A1的多个位置进行切片,以形成多个样品试片100a。因此,每一个样品试片100a分别与其所在的轴A1的位置上的包埋样品块100的剖面轮廓相同。
上述经研磨的包埋样品块100的标记层126的延伸方向与轴A1的方向平行,并且在包埋样品块100进行切片后,经切割的标记层126可分别于上述的标记孔125b内形成对应的标记环126a。除此之外,由于各个样品试片100a的标记孔125b是由包埋样品块100的第二凹槽124b1所对应形成,因此,在本实施例中,每一个样品试片100a的标记孔125b的布局方式以及其与样品切片50a之间的相对位置相同。
图2A至图2G是依照本发明的另一实施例的包埋样品块的制造方法的流程示意图。本实施例的包埋样品块的制造方法与图1A至图1G的包埋样品块的制造方法差异在于:相对于上述实施例的单一个包埋样品块100的制造方法,本实施例的制造方法可同时制作多个包埋样品块。请参考图2A及图2B,本实施例的制造方法包括:在基底110的上表面112上形成脱膜层115以及载板材料层124,并且本实施例的基底110的材料例如是硅晶圆,而脱膜层115的组成材料例如是铝层。
接着,如图2B所示,在脱膜层115上同时形成多个载板120(附图示出两个为例做说明),并且每个载板120分别包括样品容置区124a以及标记区124b。样品容置区124a具有第一凹槽124a1,而标记区124b具有多个第二凹槽124b1。此外,标记层126可形成于第一凹槽124a1及第二凹槽124b1的表面上。请参考图2C,多个样品50可分别置入样品容置区124a的第一凹槽124a1中。
请参考图2D,在本实施例中,模板230可对准并装设于两个并列的载板120之间及其周围,并且模板230的延伸方向垂直于基底110的表面。此外,模板230围绕载板120并形成开口232。
接着,如图2E所示,在上述的开口232中填充树酯,并对树酯进行加热固化,以形成模封材140。模封材140覆盖载板材料层124且包覆样品50,并填充进入第一凹槽124a1及第二凹槽124b1中。
请参考图2F,当模封材140固化完成后,进行脱膜以移除模板230。接着,请参考图2G,经由脱膜层115将基底110移除,以同时获得多个包埋样品块200。
在本实施例中,多个包埋样品块200可批次地同时制作完成。因此,相较于图1的单一个包埋样品块100的制作方式,本实施例的包埋样品块200的制作效率可有效地提升,并且同批次制作的包埋样品块200的品质也可趋于一致,避免发生不同包埋样品块200的品质参差不齐的情形。
在本实施例中,包埋样品块200可采用与半导体或微机电相关的硅晶圆材料作为基底110,并采用相关的工艺进行制作。如此,不但包埋样品块200的制作品质及精度可有效提升,且可方便于制作包埋样品块200或其载板120作为半成品库存备料,以缩短整体包埋样品块200的制备程序及时间,或是在电子显微镜观察样品50时,批次地预备供电子显微镜的观察的样品切片50a。
图3A至图3E是依照本发明的另一实施例的包埋样品块的制造方法的流程示意图。请参考图3A至图3E,本实施例的包埋样品块300的制造方法与上述的实施例的制造方法的差异在于:本实施例的制造方法可直接以树酯块来作为包埋样品块300的基底310(如图3A所示)。此外,如图3B所示,在本实施例中,样品容置区124a及标记区124b及其第一凹槽124a1及第二凹槽124b1可直接形成于基底310的表面。
详细而言,在本实施例中,基底310可直接经由例如是蚀刻的加工程序来形成上述的样品容置区124a及标记区124b。此外,样品容置区124a及标记区124b的第一凹槽124a1及第二凹槽124b1的表面可以蒸镀的方式形成标记层126。
接着,如图3C所示,样品50放置于样品容置区124a中,并且模板330设置于基底310上,并沿基底310的周围环绕样品50、样品容置区124a以及标记区124b,以形成开口332。然后,如图3D所示,沿上述的开口332注入树酯,以形成模封材140。
请参考图3E,模封材140可在大气压力或真空腔室的环境中进行加热固化。当模封材140固化完成后,再将模板330脱模移除,以获得包埋样品块300。值得一提的是,当模封材140于真空腔室的环境下进行加热固化时,可减少模封材140内气泡包埋的问题。
在本实施例中,包膜样品块300的制造方法是以例如树酯块来形成基底310,并直接以基底310作为载板,而于其表面加工,使得样品容置区124a及标记区124b可直接形成于基底310上。因此,在本实施例中,包埋样品块300不需另外使用例如是硅晶圆或玻璃晶圆等材料来形成基底310。
相较于上述的实施例,本实施例的制造方法无需另外于基底310表面上形成脱膜层。也因此,基底310的工艺材料及步骤可有效地减少,以减少包埋样品块300的制作成本。
图4A至图4F是依照本发明的另一实施例的包埋样品块的载板材料层的制造方法的流程示意图。请参考图4A至图4F,本实施例的包埋样品块的制造方法与图1A至图1G的实施例的制造方法类似。然而,本实施例与上述的实施例在载板的制作方式上仍存在差异,详述如后。
在本实施例中,当脱膜层115形成于基板110的表面后(如图4A所示),脱膜层115的表面可涂布树酯,以形成载板材料层424(如图4B所示),并且对载板材料层424进行加热使其固化。接着,如图4C所示,涂布光阻于载板材料层424上,并进行曝光显影,以形成图案化掩膜430。
请参考图4D,在形成图案化掩膜430后,再以例如是干蚀刻的方式于载板材料层424蚀刻定义图形,以于载板材料层424中形成样品容置区424a及标记区424b及其第一凹槽424a1及第二凹槽424b1。接着,如图4E所示,移除图案化掩膜430,并且如图4F所示,于载板材料层424上溅镀标记层126,其材料例如是金层或铝层,以完成载板420的制作。
在本实施例中,载板材料层424可以图案化掩膜430作为蚀刻保护层,并进而以蚀刻工艺来定义其图形。本实施例的载板420可以半导体或微机电的相关工艺来进行制作,以增进载板420的制作效率以及精确度。
图5A至图5F是依照本发明的另一实施例的包埋样品块的载板的制造方法的流程示意图。在本实施例中,图5A示出的形成于基底110上的脱膜层115以及图5B示出的载板材料层424的制造方法皆与图4A至图4F的实施例相同。然而,本实施例与上述的实施例的差异在于:本实施例的载板材料层424的图案是藉由转印石英模仁70(如图5C所示)的图案的工艺方式来定义。在本实施例中,载板材料层424的材料例如是树酯层。
详细而言,请参考图5D,载板材料层424的表面上可涂布UV光阻层530。接着,如图5E所示,将石英模仁70朝UV光阻530的方向下压,以进行纳米转印工艺。同时,UV光源80沿箭头方向照射UV光阻层530,使UV光阻层530固化。然后,如图5F所示,移除石英模仁70,以完成UV光阻层530的图案化工艺。
如图5G所示,图案化后的UV光阻层530可作为载板材料层424的蚀刻掩膜。在本实施例中,载板材料层424以干式蚀刻的方式进行图案化,以于载板材料层424中形成样品放置区424a与标记区424b及其第一凹槽424a1及第二凹槽424b1。
如图5H所示,在载板材料层424完成图案化后,于UV光阻层530、第一凹槽424a1以及第二凹槽424b1的表面溅镀标记层126,其材料例如是金层或铝层,以完成载板520的制作。
图6是依照本发明的一实施例的模板的开口形状的示意图。请参考1B及图6,模板130可沿基底110的边缘围绕样品50、样品容置区124a及标记区124b,以形成开口132。在本实施例中,开口132可依模板层110的结构设计形成如图6所示的三角型开口132a、双截边开口132b、多角形开口132c或是方形开口132d。在本实施例中,由于不同结构设计的模板130具有不同的开口132的形状,使得形成于其中的模封材140也具有不同的形状,进而形成具有不同外型的包埋样品块100。因此,当不同的包埋样品块100切片形成不同批次的样品试片100a时,不同批次的样品试片100a可具有不同的轮廓外形,以作为不同批次的样品试片100a的标示。
图7A是依照本发明的另一实施例的载板的第一凹槽的示意图。图7B是以图7A的第一凹槽形成的包埋样品块的样品切片的示意图。本实施例的第一凹槽124a2与上述的第一凹槽124a1的结构差异在于:上述的第一凹槽124a1,其凹槽的侧壁与凹槽的底面彼此互相垂直。然而,在本实施例中,第一凹槽124a2的侧壁是倾斜于凹槽的底面,并且夹一角度。如图7A所示,本实施例的第一凹槽124a2的俯视形状例如是圆形,并且其直径由凹槽的顶部朝凹槽的底面渐减。
请参考图1G及图7B,在本实施例中,将经由上述的第一凹槽124a2制成的包埋样品块100经切片可获致多个分别具有直径d1、直径d2以及直径d3的容置孔125a与样品切片50a的样品试片100a。因此,在本实施例中,同一块包埋样品块100经切片可获致具有不同轮廓大小的样品切片50a。样品切片50a的轮廓大小可用来做为样品切片50a的观察前后顺序的标示。举例而言,电子显微镜对于样品试片100a的观察顺序可由具有轮廓较小的样品切片50a的样品试片100a开始观测,并且随着观察程序的进行,接受观察样品试片100a的样品切片50a的轮廓也随之渐增。因此,样品切片50a的轮廓大小可用来辨识电子显微镜观察的前后顺序,同时可辨识出不同的样品切片50a是分别属于包埋样品块100的哪一部分。
此外,在本发明另一个未示出的实施例中,上述的第一凹槽124a2的剖面宽度也可由凹槽的顶部朝凹槽的底面渐增。此外,本发明对于第一凹槽124a2的凹槽的侧壁相对于凹槽的底面的倾斜斜率可根据实际样品切片50a的制作需求来做适当的调整。
综上所述,在本发明的多个实施例中,包埋样品块的载板具有样品容置区以及标记区以及其第一凹槽及第二凹槽,并且样品可置放于第一凹槽中。藉由配置于基底上的模板,以及注入于模板所围绕而成的开口中的模封材,可形成具有特定外型结构的包埋样品块。因此,不同的包埋样品块经切片后可产生具有不同轮廓外型的样品试片,以作为不同批次的样品试片的辨识标示。此外,藉由改变容置样品的第一凹槽的侧壁相对于其底面的斜率,可产生剖面宽度(直径)渐增或渐减的样品容置孔,进而使得同一批次的样品试片的样品切片可具有不同的轮廓(直径),以作为同一批次的样品试片的观察前后顺序的辨别方式,并可用以辨别不同的样品试片分别是属于包埋样品块的哪一部分。
在本发明的多个实施例的包埋样品块的制造方法中,多个包埋样品块可同时被制作完成,并且可采用半导体以及微机电的相关标准化工艺来进行制作,使得不同的包埋样品块的制作品质趋于一致,以大幅提升电子显微镜的样品制备效率及品质。此外,由于上述的包埋样品块经切片形成的样品试片本身具有直接制作于其上用于对位的精密标记,方便于样品试片的取放以及定位自动化作业。因此,电子显微镜观测定位及影像重组所需的时间可有效地减少。
虽然本发明已以实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更改与润饰,均在本发明范围内。
Claims (15)
1.一种包埋样品块的制造方法,其特征在于,包括
提供载板,所述载板具有样品容置区及标记区,并且所述样品容置区具有第一凹槽,而所述标记区具有多个第二凹槽;
形成标记层,覆盖所述第一凹槽及所述多个第二凹槽的表面;
配置样品于所述第一凹槽中;
形成模板,立于所述载板的外围,且所述模板围绕所述样品容置区及所述标记区,并形成暴露所述样品、所述第一凹槽及所述多个第二凹槽的开口;
形成模封材于所述开口中,使其包覆所述样品,并且填充于所述第一凹槽及所述多个第二凹槽中;
固化所述模封材;以及
移除所述模板,以得到所述包埋样品块。
2.根据权利要求1所述的包埋样品块的制造方法,其特征在于,形成所述载板的步骤包括:
提供载板材料层于基底上;
在所述载板材料层与所述基底之间形成脱膜层,使所述载板材料层通过所述脱膜层配置于所述基底上;以及
图形化所述载板材料层,以形成所述第一凹槽及所述多个第二凹槽。
3.根据权利要求2所述的包埋样品块的制造方法,其特征在于,图案化所述载板材料层的步骤包括:
形成图案化掩膜于所述载板材料层上;以及
藉由所述图案化掩膜来蚀刻所述载板材料层,以形成所述第一凹槽及所述多个第二凹槽。
4.根据权利要求3所述的包埋样品块的制造方法,其特征在于,形成所述图案化掩膜的方法包括:
涂布光阻层于所述载板材料层上;
图案化所述光阻层;以及
固化图案化后的所述光阻层,以形成所述图案化掩膜。
5.根据权利要求2所述的包埋样品块的制造方法,其特征在于,还包括研磨所述包埋样品块的底面,以暴露出部分的所述标记层并形成多个标记。
6.根据权利要求1所述的包埋样品块的制造方法,其特征在于,形成所述载板的步骤包括:
提供基底;以及
图案化所述基底的表面,以形成所述第一凹槽及所述多个第二凹槽。
7.根据权利要求1所述的包埋样品块的制造方法,其特征在于,还包括沿轴向对所述包埋样品块进行切片,以形成多个样品试片。
8.根据权利要求1所述的包埋样品块的制造方法,其特征在于,所述开口的形状包括双截边圆形或多边形。
9.根据权利要求7所述的包埋样品块的制造方法,其特征在于,所述第一凹槽的宽度沿所述轴向渐缩。
10.一种样品试片,沿轴向对包埋样品块进行连续切片而来,其特征在于,不同的所述样品试片的轮廓对应于所述轴向上不同位置的所述包埋样品块的剖面轮廓,藉以判断各所述样品试片的排序,所述包埋样品块包括:
载板,具有样品容置区及标记区,并且所述样品容置区具有第一凹槽,而所述标记区具有多个第二凹槽;
样品,配置于所述第一凹槽中;以及
模封材,包覆所述样品并且填充于所述第一凹槽及所述多个第二凹槽中,且所述样品试片包括:
承载部分,对所述载板进行切片而来,所述承载部分具有对应于所述第一凹槽的容置孔以及对应于所述多个第二凹槽的多个标记孔;
样品切片,位于所述容置孔内;以及
模封部分,填入所述容置孔与所述多个标记孔。
11.根据权利要求10所述的样品试片,其特征在于,所述包埋样品块的所述第一凹槽的宽度沿所述轴向渐缩,且不同的所述样品试片的所述容置孔具有不同宽度。
12.根据权利要求10所述的样品试片,其特征在于,所述多个样品试片的轮廓包括双截边圆型或多边形。
13.根据权利要求10所述的样品试片,其特征在于,所述模封材包括树酯。
14.根据权利要求10所述的样品试片,其特征在于,所述载板包括标记层,覆盖所述第一凹槽及所述多个第二凹槽的表面,且所述样品试片的所述承载部分具有位于各所述标记孔内且对应所述标记层的标记环。
15.根据权利要求14所述的样品试片,其特征在于,各所述样品切片的所述多个标记孔具有相同的布局。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105129166A TWI606231B (zh) | 2016-09-08 | 2016-09-08 | 包埋樣品塊的製造方法及樣品試片 |
TW105129166 | 2016-09-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107807023A CN107807023A (zh) | 2018-03-16 |
CN107807023B true CN107807023B (zh) | 2020-07-14 |
Family
ID=60451831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610975619.3A Active CN107807023B (zh) | 2016-09-08 | 2016-11-07 | 包埋样品块的制造方法及样品试片 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9835530B1 (zh) |
JP (1) | JP6506328B2 (zh) |
CN (1) | CN107807023B (zh) |
TW (1) | TWI606231B (zh) |
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-
2016
- 2016-09-08 TW TW105129166A patent/TWI606231B/zh active
- 2016-10-24 US US15/331,917 patent/US9835530B1/en active Active
- 2016-11-07 CN CN201610975619.3A patent/CN107807023B/zh active Active
-
2017
- 2017-02-28 JP JP2017037038A patent/JP6506328B2/ja active Active
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---|---|
US9835530B1 (en) | 2017-12-05 |
TWI606231B (zh) | 2017-11-21 |
JP6506328B2 (ja) | 2019-04-24 |
TW201809629A (zh) | 2018-03-16 |
CN107807023A (zh) | 2018-03-16 |
JP2018040784A (ja) | 2018-03-15 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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