CN107785404B - 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置，该显示背板包括：基板；薄膜晶体管，设置在基板的一侧；像素电容结构，设置在薄膜晶体管远离基板的一侧，且像素电容结构在基板上的正投影覆盖至少一部分的薄膜晶体管在基板上的正投影。本发明所提出的显示背板，包括依次层叠设置的基板、薄膜晶体管和像素电容结构，且薄膜晶体管设置在基板与像素电容结构之间，如此，将像素电容结构与薄膜晶体管设计在不同层，可在不增加寄生电容的同时，还可节省版图设计面积，提高像素区开口率，从而有利于提高显示面板的分辨率。

Description

显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体的，本发明涉及显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
现有的子像素设计中，薄膜晶体管(TFT)的部分与像素电容的部分是位于同一平面设置的，所以，会导致像素电容(Cst)占用了整个子像素单元的大部分面积。其中，以顶栅结构的顶发射的有机发光二级管(OLED)显示面板为例，是将导体化的有源层(Active)与源漏(S/D)金属分别作为像素电容的两个电极板，并以其间的层间绝缘层(ILD)作为电容介质。如此，由于ILD层较厚
Figure BDA0001451773090000011
从而会使像素电容较小，写入数据(Data)时容易受到TFT寄生电容的影响，为保证显示要求的电容值而无法缩小电容面积，从而不利于显示面板分辨率的提高；并且，由于ILD层的厚度直接影响像素电容的大小，将ILD层的厚度降低之后，反而会导致S/D金属与栅极(Gate)金属走线跨线的地方容易短路，从而影响显示背板的制作良品率。
因而，现阶段的显示背板的结构设计仍有待提高。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
本发明是基于发明人的下列发现而完成的：
本发明人在研究过程中发现，显示背板可包括依次层叠设置的基板、薄膜晶体管和像素电容结构，且薄膜晶体管设置在基板与像素电容结构之间，如此，将像素电容结构与薄膜晶体管设计在不同层，可在不增加寄生电容的同时，还可节省版图设计面积，提高像素区开口率，从而有利于提高显示面板的分辨率。
有鉴于此，本发明的一个目的在于提出一种像素区开口率高、开态电流高或者制作良品率高的显示背板。
在本发明的第一方面，本发明提出了一种显示背板。
根据本发明的实施例，所述显示背板包括：基板；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板的一侧；像素电容结构，所述像素电容结构设置在所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧，且所述像素电容结构在所述基板上的正投影覆盖至少一部分的所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影。
发明人意外地发现，本发明实施例的显示背板，包括依次层叠设置的基板、薄膜晶体管和像素电容结构，且薄膜晶体管设置在基板与像素电容结构之间，如此，将像素电容结构与薄膜晶体管设计在不同层，可在不增加寄生电容的同时，还可节省版图设计面积，提高像素区开口率，从而有利于提高显示面板的分辨率。并且，层叠设置后的像素电容结构无需再以薄膜晶体管的有源层导体化区域作为电容极板使用，可缩短电流流经的轻掺杂漏结构(LDD)区域的长度，从而还有利于提高开态电流。
另外，根据本发明上述实施例的显示背板，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极和源漏电极层；所述像素电容结构在所述基板上的正投影覆盖至少一部分的所述有源层、栅极和源漏电极层在所述基板上的正投影。
根据本发明的实施例，所述像素电容结构包括：第一电极，所述第一电极设置在靠近所述基板的一侧；钝化层，所述钝化层设置在所述第一电极远离所述基板的一侧；第二电极，所述第二电极设置在所述钝化层远离所述基板的一侧。
根据本发明的实施例，所述第一电极在所述基板上的正投影覆盖至少一部分的所述有源层、栅极在所述基板上的正投影。
根据本发明的实施例，所述显示背板进一步包括：第一平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间。
根据本发明的实施例，所述第二电极分为三个区域，其中，第一区域为所述第二电极在所述基板的正投影与所述第一电极在所述基板的正投影重合的区域，第二区域与所述源漏电极层的源极接触，而第三区域为所述第二电极的所述第一区域、第二区域以外的区域；并且，所述像素电容结构进一步包括：第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述钝化层和所述第三区域之间。
根据本发明的实施例，所述钝化层的厚度为
Figure BDA0001451773090000021
根据本发明的实施例，所述第一电极与所述薄膜晶体管的源漏电极层同层设置。
根据本发明的实施例，所述第二电极与所述源极电连接。
根据本发明的实施例，所述显示背板进一步包括：OLED器件，所述OLED器件设置在所述像素电容结构远离所述基板的一侧，且所述OLED器件为顶发射；并且，所述第二电极为所述OLED器件的阳极。
在本发明的第二方面，本发明提出了一种制作显示背板的方法。
根据本发明的实施例，所述方法包括：提供基板；在所述基板的一侧，形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧，形成像素电容结构，且所述像素电容结构在所述基板上的正投影覆盖至少一部分的所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影。
发明人意外地发现，采用本发明实施例的制作方法，获得的显示背板的像素电容结构占子像素单元的面积更小，从而有利于提高显示面板的分辨率。
另外，根据本发明上述实施例的制作方法，还可以具有如下附加的技术特征：
根据本发明的实施例，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极和源漏电极层；所述像素电容结构在所述基板上的正投影覆盖部分的所述有源层、栅极和源漏电极层在所述基板上的正投影。
根据本发明的实施例，在所述形成像素电容结构的步骤之前，所述方法进一步包括：在所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧，形成第一平坦化层。
根据本发明的实施例，所述形成像素电容结构的步骤包括：在所述第一平坦化层远离所述基板的一侧，形成第一电极；在所述第一电极远离所述基板的一侧，形成钝化层；在所述钝化层远离所述基板的一侧，形成第二电极。
根据本发明的实施例，所述第一电极在所述基板上的正投影覆盖部分的所述有源层、栅极在所述基板上的正投影。
根据本发明的实施例，所述第一电极与所述薄膜晶体管的源漏电极层是通过一次构图工艺形成的。
根据本发明的实施例，所述第二电极分为三个区域，其中，第一区域为所述第二电极在所述基板的正投影与所述第一电极在所述基板的正投影的重合区域，第二区域与所述源漏电极的源极接触，而第三区域为所述第二电极的所述第一区域、第二区域以外的区域；并且，在所述形成第二电极的步骤之前，所述形成像素电容结构的步骤进一步包括：在所述钝化层远离所述基板一侧的第三区域，形成第二钝化层。
在本发明的第三方面，本发明提出了一种显示面板。
根据本发明的实施例，所述显示面板包括上述的显示背板。
发明人意外地发现，本发明实施例的显示面板，其叠层设置的像素电容结构和薄膜晶体管，可有效地节省子像素单元的面积，从而有利于提高该显示面板的分辨率。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示背板所描述的特征和优点，仍适用于该显示面板，在此不再赘述。
在本发明的第四方面，本发明提出了一种显示装置。
根据本发明的实施例，所述显示装置包括上述的显示面板。
发明人意外地发现，本发明实施例的显示装置，其显示面板的分辨率更高，从而使该显示装置的显示质量更好。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示背板、显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该显示装置，在此不再赘述。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明一个实施例的显示背板的截面结构示意图；
图2是本发明一个实施例的薄膜晶体管的截面结构示意图；
图3是本发明另一个实施例的显示背板的截面结构示意图；
图4是本发明一个实施例的像素电容结构的第二电极的分区示意图；
图5是本发明一个实施例的制作显示背板方法的流程示意图；
图6是本发明一个实施例的制作方法步骤S200的第一步的半成品的俯视示意图；
图7是本发明一个实施例的制作方法步骤S200的第一步的半成品的截面结构示意图；
图8是本发明一个实施例的制作方法步骤S200的第二步的半成品的俯视示意图；
图9是本发明一个实施例的制作方法步骤S200的第二步的半成品的截面结构示意图；
图10是本发明另一个实施例的制作显示背板方法的流程示意图；
图11是本发明一个实施例的制作方法步骤S400的半成品的俯视示意图；
图12是本发明一个实施例的制作方法步骤S400的半成品的截面结构示意图；
图13是本发明一个实施例的制作方法步骤S400的产品俯视示意图；
图14是本发明一个实施例的制作方法步骤S400的产品截面结构示意图；
图15是本发明一个实施例的制作方法步骤S300的流程示意图；
图16是本发明一个实施例的制作方法步骤S310的产品俯视示意图；
图17是本发明一个实施例的制作方法步骤S310的产品截面结构示意图；
图18是本发明一个实施例的制作方法步骤S330的产品俯视示意图。
附图标记
100 基板
200 薄膜晶体管
201 缓冲层
211 有源材料层
212 导体化的有源层
213 非导体化的有源层
220 栅绝缘层
230 栅极
240 层间绝缘层
241 第一过孔
242 第二过孔
250 源漏电极层
251 源极
300 像素电容结构
310 第一电极
320 钝化层
321 第三过孔
330 第二电极
A 第一区域
B 第二区域
C 第三区域
340 第二平坦化层
400 第一平坦化层
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，本技术领域人员会理解，下面实施例旨在用于解释本发明，而不应视为对本发明的限制。除非特别说明，在下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的，本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可通过市购到的常规产品。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种显示背板。参照图1～4、6～9、11～14、16～18，对本发明的显示背板进行详细的描述。需要说明的是本文中，图1～3、7、9、12、14和17所示的显示背板的结构示意图是沿驱动TFT(DR)从源极(S)到漏极(D)方向的截面结构示意图，而图6、8、11、13、16、18所示的显示背板的俯视结构示意图中忽略了基板、各个介质层(包括缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、平坦化层以及钝化层)和源漏电极层。
根据本发明的实施例，参照图1，该显示背板包括：基板100、薄膜晶体管(TFT)200和像素电容结构300；其中，薄膜晶体管200设置在基板100的一侧；而像素电容结构300设置在薄膜晶体管200远离基板100的一侧，且像素电容结构200在基板100上的正投影覆盖至少一部分的薄膜晶体管200在基板100上的正投影。如此，可将像素电容结构300与薄膜晶体管200放置在不同层，如此层叠设置的像素电容与TFT，可在不增加寄生电容的同时，还可节省版图设计面积，提高子像素单元的开口率。
根据本发明的实施例，薄膜晶体管200可以包括有源层、栅极和源漏电极层，而像素电容结构在基板100上的正投影覆盖至少一部分的有源层、栅极和源漏电极层在基板100上的正投影。在本发明的一些实施例中，参照图2，薄膜晶体管200可包括缓冲层201、非导体化的有源层213、导体化的有源层212、栅绝缘层220、栅极230、层间绝缘层240和源漏电极层250；其中，该薄膜晶体管200为顶栅结构，缓冲层201设置在基板的一侧，同层设置的非导体化的有源层213与导体化的有源层212设置在缓冲层201远离基板的一侧，栅绝缘层220设置在非导体化的有源层213远离基板100的一侧，栅极230设置在栅绝缘层220远离基板100的一侧，层间绝缘层240覆盖栅极230、导体化的有源层212，而源漏电极层250设置在层间绝缘层240远离基板100的一侧并通过第一过孔241与导体化的有源层212接触。
根据本发明的实施例，像素电容结构300可以包括第一电极310，钝化层320和第二电极330；其中，第一电极310设置在靠近基板100的一侧；钝化层320设置在第一电极310远离基板100的一侧；而第二电极330设置在钝化层320远离基板100的一侧。如此，层叠设置的像素电容结构300，其第一电极310与第二电极330可以钝化层320为电容介质，而无需以导体化的有源层212为电极板，可缩短电流流经的轻掺杂漏结构(LDD)区域的长度，从而还有利于提高开态电流。并且，无需再以层间绝缘层(ILD)240为电容介质，可采用合适的厚度来保证S/D电极与Gate电极充分绝缘，从而提高显示背板的制作良品率。
根据本发明的实施例，显示背板还可进一步包括第一平坦化层400，而第一平坦化层400设置在薄膜晶体管200和第一电极310之间。如此，第一平坦化层400可使第一电极310平坦化，从而可避免TFT 200表面的高低起伏影响到像素电容结构300的平整性。在本发明的一些实施例中，参照图3，第一平坦化层400可设置在层间绝缘层240远离栅极230的一侧，如此，第一平坦化层400不仅能使第一电极310平坦化，还可垫高第一电极310以免其对薄膜晶体管200的干扰。
根据本发明的实施例，第一电极310与源漏电极层250可以是同层设置的。如此，可降低显示背板的厚度，并使第一电极处于VG电位，从而可与第二电极330形成像素电容。根据本发明的实施例，第一电极310在基板100上的正投影覆盖至少一部分的有源层213和212以及栅极230在基板100上的正投影。在本发明的一些实施例中，第一电极310的横截面形状可如图16所示，并进一步参考图8中的包括开关TFT和驱动TFT的双TFT结构，第一电极310在基板100上的正投影覆盖了有源层212和栅极230在基板100上的正投影的一部分。如此，在充分利用薄膜晶体管200远离基板100一侧的层叠空间，同时还不会影响源漏电极层250原本走线的功能。
根据本发明的实施例，第一电极310具体的厚度不受特别的限制，本领域技术人员可根据第一电极310的具体材料进行相应地调整。在本发明的一些实施例中，通过一次构图工艺形成的第一电极310与源漏电极层250，其材料和厚度均相同。如此，在形成源漏电极层250的同时，还可在第一平坦化层400的表面形成像素电容结构300的第一电极310。
根据本发明的实施例，第一平坦化层400具体的横截面形状也不受特别的限制，本领域技术人员可根据第一电极310的具体横截面形状进行相应地调整。在本发明的一些实施例中，参考图11，第一平坦化层400的横截面形状可以与第一电极310的横截面形状相同，如此，可充分地使第一电极310完全平坦，从而进一步有利于像素电容结构300的占用面积更小。根据本发明的实施例，第一平坦化层400具体的厚度也不受特别的限制，本领域技术人员可根据层间绝缘层240的具体厚度进行相应地调整，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，钝化层320的具体形状不受特别的限制，只要该形状的钝化层320能保证作为第一电极310与第二电极330之间的电容介质面积即可，本领域技术人员可根据该显示背板的实际用途进行相应地设计。在本发明的一些实施例中，参照图3，钝化层320还可延伸并覆盖第一平坦化层400、源漏电极层250和层间绝缘层240。如此，可将TFT200的各结构(除源极251以外)与带电的第二电极330充分地电绝缘。在一些具体示例中，参照图3，钝化层320在驱动TFT的第一过孔241(图中未标出)对应的位置设置有第三过孔321，用于使第二电极330与源极251电相连。
根据本发明的实施例，钝化层320的具体厚度不受特别的限制，只要该厚度钝化层320能起到像素电容结构300的电容介质作用即可，本领域技术人员可根据像素电容结构300实际的具体要求进行设计和调整。在本发明的一些实施例中，钝化层320的厚度可以为
Figure BDA0001451773090000071
如此，相比现有的层间介质层240(其厚度为
Figure BDA0001451773090000072
)，钝化层320厚度可更薄，从而可使像素电容结构200的电容面积最多降低至50％。
根据本发明的实施例，参照图3，第二电极320与源漏电极层250(图中未标出)中的源极251可以电连接。如此，可将第二电极320与源极251电连接而处于Vs电位。在本发明的一些实施例中，参照图3，第二电极320与源极251可通过第三过孔321直接接触而实现电连接。
根据本发明的实施例，第二电极330的具体形状不受特别的限制，只要该形状的第二电极330能保证与第一电极310的正对面积满足像素电容结构200的设计要求即可，本领域技术人员可根据像素电容结构200的具体要求进行设计。在本发明的一些实施例中，第二电极330的具体形状可如图18所示，第二电极330在基板100上的正投影覆盖了有源层212、栅极230和源漏电极层250在基板100上的正投影的一部分。如此，可充分利用TFT200上方的叠层空间。在一些具体示例中，参照图4，第二电极310分为三个区域：其中，第一区域A为第二电极330在基板100的正投影与第一电极310在基板100的正投影重合的区域，第二区域B与源极接触，而第三区域C为第二电极330的第一区域A、第二区域B以外的区域。
根据本发明的实施例，参照图3，像素电容结构300还可进一步包括第二平坦化层340，且第二平坦化层340可设置在钝化层320和第二电极的第三区域C之间。如此，第二平坦化层340可使第二电极330与第一电极310等的非重合区域C垫高，以免带电的第二电极330对薄膜晶体管200的影响。
根据本发明的实施例，栅绝缘层220、层间绝缘层240和钝化层320的具体材料都不受特别的限制，具体例如SiOx、SiNx、SiON、有机绝缘材料、AlOx、HfOx或TaOx等，本领域技术人员可根据该显示背板的具体使用要求进行相应地选择，在此不再赘述。根据本发明的实施例，第一平坦化层400和第二平坦化层340的具体材料也都不受特别的限制，可以是包括但不限于聚硅氧烷系材料、亚克力系材料、聚酰亚胺系材料等平坦化材料或彩膜材料以及像素界定层的材料，等等，本领域技术人员可根据该显示背板的具体使用要求进行相应地选择，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，该显示背板还可进一步包括OLED器件，而OLED器件设置在像素电容结构300远离基板100的一侧。如此，可使该OLED显示背板的结构更完善。在本发明的一些实施例中，OLED器件可以为顶发射，且第二电极330还可作为该OLED器件的阳极使用。如此，以钝化层320代替现有的层间绝缘层240作为像素电容结构300的电介质，而钝化层320可比层间绝缘层240做得更薄，因此可有效地增大像素电容值，同时解决了现有的层间绝缘层240做得过薄容易影响制作良品率的问题。在本发明的另一些实施例中，OLED器件可以为底发射，如此，层叠设置的像素电容结构300还可对TFT 200起到遮光作用，从而还可提高显示面板的光照稳定性、降低补偿难度。
根据本发明的实施例，各个电极(包括栅极230、源漏电极层250、第一电极310和第二电极330)的具体材料不受特别的限制，具体例如，Ag、Cu、Al、Mo等常用的金属材料，Mo/Cu/Mo等多层金属，AlNd、MoNb等金属合金材料，ITO/Ag/ITO等金属和透明导电氧化物形成的堆栈结构，等等，本领域技术人员可根据该显示背板的具体类型进行相应地选择。在本发明的一些实施例中，对于顶发射模式的显示背板，第二电极330可同时作为OLED器件的阳极，其材料可为ITO/Ag/ITO的堆栈结构，如此，具有反射功能的阳极可将OLED器件的发光层发出的光线向顶部方向反射出，从而可使该OLED器件的发光效率更高。
根据本发明的实施例，导体化和非导体化的有源层212和213的具体材料也不受特别的限制，只要该材料可同时适用于基于氧化(Oxide)技术、硅技术以及有机物技术制造的显示背板即可，本领域技术人员可根据该显示背板的具体类型进行相应地选择。在本发明的一些实施例中，对于顶发射模式的显示背板，有源层212和213的材料可选自氧化物、硅材料和有机材料，其中，氧化物为a-IGZO、ZnON或IZTO，硅材料为a-Si或p-Si，而有机材料为六噻吩或聚噻吩。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种显示背板，包括依次层叠设置的基板、薄膜晶体管和像素电容结构，且薄膜晶体管设置在基板与像素电容结构之间，如此，将像素电容结构与薄膜晶体管设计在不同层，可在不增加寄生电容的同时，还可节省版图设计面积，提高像素区开口率，从而有利于提高显示面板的分辨率。并且，层叠设置后的像素电容结构无需再以薄膜晶体管的有源层导体化区域作为电容极板使用，可缩短电流流经的轻掺杂漏结构(LDD)区域的长度，从而还有利于提高开态电流。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制作显示背板的方法。参照图3～18，对本发明的方法进行详细的描述。根据本发明的实施例，参照图5，该制作方法包括：
S100：提供基板。
在该步骤中，准备基板100，用于后续形成薄膜晶体管200和像素电容结构300。根据本发明的实施例，还可预先对基板100的一侧进行表面处理，而表面处理的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据直接在基板100的这一侧形成的层结构的材料进行相应的选择，在此不再赘述。
S200：在基板的一侧，形成薄膜晶体管。
在该步骤中，在基板100的一侧形成薄膜晶体管200。在本发明的一些实施例中，薄膜晶体管200可包括有源层212和213、栅极230和源漏电极层250。根据本发明的实施例，形成薄膜晶体管200的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据该薄膜晶体管200的具体结构进行相应地选择。
在本发明的一些实施例中，对于顶栅结构的TFT，其制作步骤可包括：第一步，在基板100的一侧形成缓冲层(Buffer)201，再在缓冲层201远离基板100的一侧形成并刻蚀出有源材料层211，该步骤获得的产品结构可参考图6和图7，其中，图7是图6中驱动TFT位置的有源材料层211沿SD线的剖面结构示意图，而图6忽略了基板100、各个介质层；第二步，连续沉积栅绝缘材料层和栅极材料层，再在栅极材料层上涂覆光刻胶并向下刻蚀出栅极230，并以栅极230为掩膜自对准向下继续刻蚀出栅绝缘层(GI)220的图案，然后对暴露出的非沟道区的有源材料层211进行导体化处理，以便形成导体化的有源层212和非导体化的有源层213，该步骤获得的产品结构可参考图8和图9；第三步，沉积整层的层间绝缘层240；第四步，沉积并刻蚀形成源漏电极层250。如此，可获得顶栅结构的薄膜晶体管200。
在本发明的一些实施例中，参照图10，在步骤S200之后、步骤S300之前，该制作方法可进一步包括：
S400：在薄膜晶体管远离基板的一侧，形成第一平坦化层。
在该步骤中，在步骤100形成好的薄膜晶体管200远离基板100的一侧，形成第一平坦化层400，如此，形成的第一平坦化层400可使后续制作的第一电极310平坦化。在本发明的一些实施例中，可在层间绝缘层240远离栅极230的一侧形成第一平坦化层400，且第一平坦化层400在基板100上的正投影覆盖部分的有源层212和213、栅极230在基板100上的正投影。如此，形成的第一平坦化层400不覆盖源极和漏极的金属走线区域以及过孔区域，不仅能使后续的第一电极310平坦化，还可垫高第一电极310以免其对薄膜晶体管200的干扰，该步骤获得的产品结构可参考图11和图12。
根据本发明的实施例，形成第一平坦化层400的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据第一平坦化层400具体的材料和形状进行相应地选择，具体例如沉积并图像化处理等，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，还可在形成好的层间绝缘层240和第一平坦化层400上开孔，其中，第一过孔241只穿透层间绝缘层240，而第二过孔242穿透层间绝缘层240和第一平坦化层400。如此，形成的第一过孔241和第二过孔242，可用于后续电极之间的连接，且该步骤获得的产品结构可参考图13和图14。
S300：在薄膜晶体管远离基板的一侧，形成像素电容结构。
在该步骤中，在薄膜晶体管200和第一平坦化层400远离基板的一侧，继续形成像素电容结构300。如此，可形成叠层设置的像素电容结构300与薄膜晶体管200，可在不增加寄生电容的同时，还可节省版图设计面积，提高子像素单元的开口率。在本发明的一些实施例中，像素电容结构300在基板100上的正投影覆盖部分的有源层212和213、栅极230和源漏电极层250在基板100上的正投影。
根据本发明的实施例，参照图15，步骤S300可进一步包括：
S310：在第一平坦化层远离基板的一侧，形成第一电极。
在该步骤中，在第一平坦化层400远离基板100的一侧，形成第一电极310。如此，在第一平坦化层400的上表面形成的第一电极310更平坦化，且被第一平坦化层400垫高的第一电极310可进一步避免对薄膜晶体管200的影响。在本发明的一些实施例中，形成的第一电极310可与第一平坦化层400的形状相同，其中，第一电极310在基板100上的正投影覆盖部分的有源层212和213、栅极230在基板100上的正投影。如此，可充分保证第一电极310完全平坦，从而进一步有利于像素电容结构300的占用面积更小。在一些具体示例中，第一电极310与源漏电极层250可以是通过一次构图工艺形成的，如此，可降低制作成本并简化制作步骤，且该步骤获得的产品结构可参考图16和图17。
S320：在第一电极远离基板的一侧，形成钝化层。
在该步骤中，在第一电极310远离基板100的一侧，形成钝化层320，如此，可获得像素电容结构300的电介质层。在本发明的一些实施例中，还可将钝化层320延伸并覆盖第一平坦化层400、源漏电极层250和层间绝缘层240。如此，可将TFT 200的各结构(除源极251以外)与带电的第二电极330充分地电绝缘。在一些具体示例中，还可在钝化层320远离驱动TFT的第一过孔241对应的位置形成第三过孔321，如此，第三过孔321可用于使第二电极330与源极251电相连。
根据本发明的实施例，形成钝化层320的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据钝化层320具体的材料和形状进行相应地选择，具体例如沉积方法等，在此不再赘述。
在本发明的一些实施例中，参照图15，步骤S320之后、步骤S330之前，还可进一步包括：
S340：在钝化层远离基板一侧的第三区域，形成第二钝化层。
在该步骤中，在钝化层320远离基板100一侧的第三区域C，形成第二钝化层340。其中，第三区域C的具体位置可参考图4，而第一区域A为第二电极330在基板100的正投影与第一电极310在基板100的正投影重合的区域，第二区域B与源极251接触，而第三区域C为第二电极330的第一区域A、第二区域B以外的区域。
根据本发明的实施例，形成第二平坦化层340的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据第二平坦化层340具体的材料和形状进行相应地选择，具体例如沉积并图像化处理等，在此不再赘述。
S330：在钝化层远离基板的一侧，形成第二电极。
在该步骤中，在钝化层320远离基板100的一侧，形成第二电极330，如此，可获得完整的像素电容结构200。在本发明的一些实施例中，可在钝化层320和第二平坦化层340的远离基板100的一侧，形成第二电极330，如此，第二平坦化层340可将第二电极330与第一电极310重合等区域以外的区域垫高，从而可避免带电的第二电极330对薄膜晶体管200的影响。在一些具体示例中，第二电极330还可通过第三过孔321与源极251接触，从而可使第二电极330处于Vs电位，且该步骤获得的产品结构可参考图18和图3。
根据本发明的实施例，形成第二电极330的具体方法不受特别的限制，本领域技术人员可根据第二电极330具体的材料和形状进行相应地选择，具体例如沉积方法并图案化处理等，在此不再赘述。
在本发明的一些实施例中，该制作方法还可以进一步包括：在像素电容结构300远离基板100的一侧，形成OLED器件，如此，可制作出结构和功能都更完善的显示背板。在一些具体示例中，形成的该OLED器件可为顶发射结构，且第二电极330还可作为OLED器件的阳极使用，如此，可使子像素单元的面积更小，从而有利于提高分辨率。在本发明的另一些实施例中，OLED器件可以为底发射，如此，层叠设置的像素电容结构300还可对TFT 200起到遮光作用，从而还可提高显示面板的光照稳定性、降低补偿难度。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种制作显示背板的方法，该方法获得的显示背板的像素电容结构占子像素单元的面积更小，从而有利于提高显示面板的分辨率。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例，显示面板包括上述的显示背板。
根据本发明的实施例，该显示面板的具体类型不受特别的限制，例如OLED显示面板等，本领域技术人员可根据该显示面板具体的使用要求和实际应用环境进行相应地设计，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示面板除了显示背板以外，还包括其他必要的结构和组成，以OLED显示面板为例，具体例如玻璃盖板或上偏光片等，本领域技术人员可根据该显示面板的具体类型和实际功能进行相应地补充，在此不再赘述。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种显示面板，其叠层设置的像素电容结构和薄膜晶体管，可有效地节省子像素单元的面积，从而有利于提高该显示面板的分辨率。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示背板所描述的特征和优点，仍适用于该显示面板，在此不再赘述。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括上述的显示面板。
根据本发明的实施例，该显示面板的具体类型不受特别的限制，例如OLED显示装置等，本领域技术人员可根据该显示面板具体的使用要求和实际应用环境进行相应地设计，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示装置除了显示面板以外，还包括其他必要的结构和组成，以OLED显示装置为例，具体例如外壳、电路控制板或电源线等，本领域技术人员可根据该显示面板的具体类型和实际功能进行相应地补充，在此不再赘述。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种显示装置，其显示面板的分辨率更高，从而使该显示装置的显示质量更好。本领域技术人员能够理解的是，前面针对显示背板、显示面板所描述的特征和优点，仍适用于该显示装置，在此不再赘述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (8)

1.一种显示背板，其特征在于，包括：
基板；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述基板的一侧，且包括有源层、栅极和源漏电极层；
像素电容结构，所述像素电容结构设置在所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧，且包括层叠设置的第一电极、钝化层、第二电极和第二平坦化层，其中，所述第一电极设置在靠近所述基板的一侧，所述第一电极与所述源漏电极层同层设置，且所述第二电极分为三个区域，第一区域为所述第二电极在所述基板的正投影与所述第一电极在所述基板的正投影重合的区域，第二区域与所述源漏电极层的源极接触，而第三区域为所述第二电极的所述第一区域、所述第二区域以外的区域，所述第二平坦化层设置在所述钝化层和所述第三区域之间；
OLED器件，所述OLED器件设置在所述像素电容结构远离所述基板的一侧，且所述OLED器件为顶发射；
其中，所述像素电容结构在所述基板上的正投影覆盖至少一部分的所述有源层、栅极和源漏电极层在所述基板上的正投影；
所述第二电极与所述源极电连接，并且，所述第二电极为所述OLED器件的阳极，
所述第一电极在所述基板上的正投影覆盖至少一部分的所述有源层、栅极在所述基板上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，进一步包括：
第一平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述薄膜晶体管和所述第一电极之间。
3.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于，所述钝化层的厚度为2500-3000埃。
4.一种制作显示背板的方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板的一侧，形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极和源漏电极层；
在所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧，形成像素电容结构，且所述像素电容结构在所述基板上的正投影覆盖至少一部分的所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影；
其中，所述形成像素电容结构的步骤包括：
在第一平坦化层远离所述基板的一侧，形成第一电极，且所述第一电极与所述薄膜晶体管的源漏电极层是通过一次构图工艺形成的，所述第一电极在所述基板上的正投影覆盖部分的所述有源层、栅极在所述基板上的正投影；
在所述第一电极远离所述基板的一侧，形成钝化层；
在所述钝化层远离所述基板的一侧，形成第二电极，所述第二电极分为三个区域，其中，第一区域为所述第二电极在所述基板的正投影与所述第一电极在所述基板的正投影的重合区域，第二区域与所述源漏电极的源极接触，而第三区域为所述第二电极的所述第一区域、第二区域以外的区域；
在所述形成第二电极的步骤之前，在所述钝化层远离所述基板一侧的第三区域，形成第二钝化层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述像素电容结构在所述基板上的正投影覆盖部分的所述有源层、所述栅极和所述源漏电极层在所述基板上的正投影。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述形成像素电容结构的步骤之前，所述方法进一步包括：
在所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧，形成第一平坦化层。
7.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3任一项所述的显示背板。
8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7所述的显示面板。
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