CN107710072B - 光掩模、包括光掩模的层压体、光掩模制备方法、图案形成装置和图案形成方法 - Google Patents

光掩模、包括光掩模的层压体、光掩模制备方法、图案形成装置和图案形成方法 Download PDF

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Abstract

本说明书涉及一种光掩模、包括该光掩模的层压体、光掩模的制备方法、使用所述光掩模的图案形成装置和使用所述光掩模的图案形成方法。

Description

光掩模、包括光掩模的层压体、光掩模制备方法、图案形成装 置和图案形成方法
技术领域
本申请要求于2015年07月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0106838的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本申请中。
本说明书涉及一种光掩模、包括该光掩模的层压体、该光掩模的制备方法、使用该光掩模的图案形成装置和使用该光掩模的图案形成方法。
背景技术
当形成显示装置的图案时，在基板(substrate)上形成图案的方法当中，经常采用使用光掩模的光刻方法。
光刻方法指在底板(base plate)上均匀地涂布光刻胶(photoresist)、使用曝光装置和光掩模在光掩模上对图案进行曝光、然后进行显影和后烘烤处理以形成目标图案的全部工艺。
当光刻胶层为正性抗蚀层时，曝光区域中的抗蚀层材料中发生化学变化，并且在显影过程中材料会从抗蚀层脱落。同时，当光刻胶层为负性抗蚀层时，未曝光的材料在显影过程中脱落。
此处，光刻方法通过将形成掩模图案的可渗透的基板设置为光掩模并向该光掩模上照射光来在抗蚀膜上形成具有固定形状的抗蚀图案。
发明内容
技术问题
本说明书旨在提供一种光掩模、包括该光掩模的层压体、该光掩模的制备方法、使用该光掩模的图案形成装置以及使用该光掩模的图案形成方法。
技术方案
本说明书的一个实施方案提供一种光掩模，包括：基板；设置在所述基板上的屏蔽掩模图案；以及位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层，其中，所述透明平坦层的厚度大于或等于1μm且小于或等于500μm，所述透明平坦层的厚度大于所述屏蔽掩模图案的厚度，并且所述透明平坦层的表面粗糙度(Ra)为0.1nm至20nm。
本说明书的另一实施方案提供一种层压体，包括：曝光目标，该曝光目标包括底板(base plate)和设置在该底板上的光刻胶层；以及光掩模，该光掩模包括基板、设置在该基板上的屏蔽掩模图案以及位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层，其中，所述曝光目标的所述光刻胶层与所述光掩模的所述透明平坦层接触。
本说明书的又一实施方案提供一种图案形成装置，包括：底板退绕单元和曝光目标卷绕单元；涂布单元，该涂布单元将光刻胶涂布在由所述底板退绕单元供应的底板上；干燥单元，该干燥单元对涂布有光刻胶的曝光目标进行干燥；供应光掩模的光掩模供应单元，所述光掩模包括设置在基板上的屏蔽掩模图案和位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层；收集所述光掩模的光掩模收集单元；层压单元，该层压单元进行加压以使曝光目标的光刻胶与光掩模的透明平坦层接触；以及曝光单元，该曝光单元从所述光掩模的基板的一侧照射光。
本说明书的又一实施方案提供一种光掩模的制备方法，包括：在基板上形成屏蔽掩模图案；以及在所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上形成透明平坦层。
本说明书的再一实施方案提供一种图案形成方法，包括：制备曝光目标，该曝光目标包括设置在底板上的光刻胶层；进行层压使得曝光目标的光刻胶层与光掩模的透明平坦层接触，所述光掩模包括设置在基板上的屏蔽掩模图案和位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层；通过从所述光掩模的基板的一侧照射光进行曝光；以及在曝光之后将所述光掩模与所述曝光目标分离。
有益效果
使用根据本说明书的光掩模具有的优点在于，可以使用卷对卷方法在短期内连续地进行曝光工艺。
通过使用透明平坦层，根据本说明书的光掩模能够防止由曝光目标的光刻胶层与屏蔽图案层之间的接触引起的污染。
附图说明
图1是根据本说明书的一个实施方案的光掩模的垂直截面图；
图2是示出使用根据本说明书的一个实施方案的光掩模的图案形成方法的流程图；
图3示出了根据本说明书的一个实施方案的光掩模和使用该光掩模形成的图案的图像；
图4是根据本说明书的一个实施方案的图案形成装置的模拟图。
具体实施方式
下文中，将详细描述本说明书。
本说明书的一个实施方案提供一种光掩模，包括：基板；设置在所述基板上的屏蔽掩模图案；以及位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层，其中，所述透明平坦层的厚度大于或等于1μm且小于或等于500μm，所述透明平坦层的厚度大于所述屏蔽掩模图案的厚度，并且所述透明平坦层的表面粗糙度(Ra)为0.1nm至20nm。
当透明平坦层的厚度大于屏蔽掩模图案的厚度时，可以防止由曝光目标的光刻胶层与屏蔽图案之间的接触引起的污染。
所述光掩模可以以卷绕在辊上的形式储存，以便用于卷对卷工艺中。
对基板的材料没有特别地限制，然而，优选与屏蔽掩模图案和透明平坦层具有良好粘合性的材料，并且作为光掩模的基板，优选对穿透光掩模的光具有最小影响的材料。
基板可以是硬质基板或柔性基板。具体地，柔性基板可以是塑料基板或塑料薄膜。对塑料基板或塑料薄膜没有特别地限制，其实例可以包括聚丙烯酸酯、聚丙烯(PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、聚邻苯二甲酸乙二醇酯、聚邻苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚苯乙烯(PS)、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚醚醚酮(PEEK)和聚酰亚胺(PI)中的任意一种或多种。
当基板是柔性基板时，具有的优点在于，光掩模能够以卷绕在辊上的形式储存，以便用于卷对卷工艺中。
作为基板，可以使用具有高透明度的基板，并且基板的透光率可以为50％以上。
优选地，基板的折射率与透明平坦层的折射率之间的差较小，并且基板的折射率可以大于或等于1.45且小于或等于1.65。
屏蔽掩模图案由能够屏蔽光的材料形成，对其没有特别地限制，只要是能够屏蔽光并且容易形成图案的材料即可，并且可以由现有技术中通常使用的材料形成。例如，屏蔽掩模图案可以是金属图案，具体地，所述金属图案可以由铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、金(Au)和银(Ag)中的至少一种形成。
对形成屏蔽掩模图案的方法没有特别地限制，只要它能够在基板上形成屏蔽图案即可，其实例可以包括辊印刷、喷墨印刷方法、丝网印刷方法、沉积方法、光刻方法、蚀刻方法等。
屏蔽掩模图案的形式可以是需要金属图案或光刻胶图案的领域中的图案形式。
屏蔽掩模图案的形式可以是触摸面板的金属图案的形式，并且可以是重复相同图案的形式或者分离或连接两个以上不同的图案的形式。例如，如图3中所示，屏蔽掩模图案的形式可以是以下图案形式中的至少一种：点阵屏单元图案(lattice screen unitpattern)；连接至所述点阵屏单元图案并且连接至外部软印刷电路板的镂图案(routerpattern)；以及当连接所述点阵屏单元图案和所述镂图案时降低电阻的连接图案。
屏蔽掩模图案的厚度大于或等于20nm且小于或等于500nm。
透明平坦层覆盖设置有屏蔽掩模图案的基板的整个表面，并且透明平坦层的与邻近设置有屏蔽掩模图案的基板的表面相反的表面是平层。对于透明平坦层，表示与邻近设置有屏蔽掩模图案的基板的表面相反的表面的平坦程度的表面粗糙度(Ra)优选大于或等于0.1nm且小于或等于20nm。当表面粗糙度满足上述范围时，由于表面弯曲，空气被封在凹陷部分中，并且与突出部分(projected part)相比，凹陷部分中空气分布相对更多，因此，防止由产生的空气的折射率差异引起的入射光的散射或折射，这对提高图案得到性有效。
作为透明平坦层，优选不被屏蔽掩模图案屏蔽并且对穿透光掩模的光具有最小影响的材料。可以使用具有高透明度的材料作为透明平坦层，并且透明平坦层的透光率可以为50％以上。
透明平坦层的折射率与基板的折射率之间的差优选为较小，并且透明平坦层的折射率可以大于或等于1.43且小于或等于1.49。
从透明平坦层与基板接触的一个点到透明平坦层的与邻近设置有屏蔽掩模图案的基板的表面相反的表面的距离可以大于屏蔽掩模图案的高度。
透明平坦层的厚度可以大于或等于1μm且小于或等于500μm。具体地，从透明平坦层与基板接触的一个点到透明平坦层的与邻近设置有屏蔽掩模图案的基板的表面相反的表面的距离大于或等于1μm且小于或等于500μm。更具体地，从透明平坦层与基板接触的一个点到透明平坦层的与邻近设置有屏蔽掩模图案的基板的表面相反的表面的距离可以大于或等于1μm且小于或等于50μm。当透明平坦层的厚度满足上述范围时，即使在部分照射光穿过屏蔽掩模图案时由衍射现象引起光路改变，至光刻胶表面的距离仍足够接近，这对提高图案得到性有效。
透明平坦层优选具有优异的涂布性能以便形成平层、具有高透光率，并且具有粘合和剥离性能以便粘附于其它材料的表面上并且与其它材料的表面分离。
透明平坦层可以包含有机硅类树脂，具体地，可以包含硅氧烷类树脂，更具体地，可以包含聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
本说明书的另一实施方案提供一种层压体，包括：曝光目标，该曝光目标包括底板和设置在该底板上的光刻胶层；以及光掩模，该光掩模包括基板、设置在该基板上的屏蔽掩模图案以及位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层，其中，所述曝光目标的所述光刻胶层与所述光掩模的所述透明平坦层接触。
对底板的材料没有特别地限制，然而，底板可以是硬质材料或软质材料。
所述硬质材料可以包括玻璃、金属、硬塑料或厚塑料。
所述软质材料可以包括软塑料或薄塑料。
底板的厚度可以大于或等于15μm且小于或等于2mm，然而，厚度不限于此。
光刻胶层(PR)指包含如下聚合物的层：该聚合物通过暴露于光，对显影液具有不同耐受性，并且光刻胶层可以是正性光刻胶层或负性光刻胶层。具体地，光刻胶层优选为正性光刻胶层。
光刻胶层的厚度可以大于或等于100nm且小于或等于10μm，然而，厚度不限于此。
曝光目标还可以包括设置在底板和光刻胶层之间的金属层。
对金属层的材料没有特别地限制，然而，金属层可以由铜(Cu)、铬(Cr)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、金(Au)和银(Ag)中的至少一种形成。
对于对所述层压体中的光掩模的描述，可以使用上面提供的对光掩模的描述。
本说明书的又一实施方案提供一种图案形成装置，包括：底板退绕单元和曝光目标卷绕单元；涂布单元，该涂布单元将光刻胶涂布在由所述底板退绕单元供应的底板上；干燥单元，该干燥单元对涂布有所述光刻胶的曝光目标进行干燥；供应光掩模的光掩模供应单元，所述光掩模包括设置在基板上的屏蔽掩模图案和位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层；收集所述光掩模的光掩模收集单元；层压单元，该层压单元进行加压以使所述曝光目标的光刻胶与所述光掩模的透明平坦层接触；以及曝光单元，该曝光单元从所述光掩模的基板的一侧照射光。
底板退绕单元和曝光目标卷绕单元供应底板并且收集经过一系列处理的曝光目标，并且通过控制底板退绕单元和曝光目标卷绕单元的速率，可以控制提供至底板的张力。
底板退绕单元和曝光目标卷绕单元可以具有辊形状，并且可以分别是具有卷绕在辊上的底板的底板退绕辊，以及卷绕经过一系列处理的曝光目标的曝光目标卷绕辊。
由底板退绕单元供应的底板可以是在一个表面上设置有金属层的底板。
涂布单元位于底板退绕单元和曝光目标卷绕单元之间，并且能够将光刻胶涂布在由底板退绕单元供应的底板上，具体地，能够将正性光刻胶涂布在由底板退绕单元供应的底板上。
此处，由涂布单元涂布的光刻胶指包含如下聚合物的组合物：该聚合物通过暴露于光，对显影液具有不同耐受性，并且光刻胶组合物还可以包含光引发剂、交联剂、添加剂和溶剂中的至少一种。
当由底板退绕单元供应的底板是在一个表面上设置有金属层的底板时，涂布单元可以将光刻胶涂布在所述金属层上。
干燥单元对由涂布单元涂布的光刻胶进行干燥，并且干燥单元的干燥方法可以是热空气干燥方法或红外线干燥方法。具体地，干燥单元的干燥方法优选为红外线干燥方法。换言之，干燥单元可以是红外线干燥单元。当干燥单元是红外线干燥单元时，可以将光刻胶膜均匀地干燥至其深部。
对于对所述图案形成装置中的光掩模的描述，可以使用上面提供的对光掩模的描述。
光掩模供应单元和光掩模收集单元供应光掩模并且收集经过一系列处理的光掩模，并且通过控制光掩模供应单元和光掩模收集单元的速率，可以控制提供至光掩模的张力。
光掩模供应单元和光掩模收集单元可以具有辊形状，并且可以分别是具有卷绕在辊上的光掩模的光掩模供应辊，以及卷绕经过一系列处理的光掩模的光掩模收集辊。
层压单元可以进行加压和粘附，使得曝光目标的光刻胶与光掩模的透明平坦层彼此接触。
层压单元可以包括两对压力辊。具体地，层压单元可以包括：一对第一压力辊，其具有位于光掩模的基板侧上的任意一个辊和位于曝光目标的底板侧上的与该一个辊相应的另一个辊；以及另一对第二压力辊，其具有位于光掩模的基板侧上的任意一辊和位于曝光目标的底板侧上的与该一个辊相应的另一个辊，并且所述第二压力辊与所述第一压力辊分开设置。此处，压力辊对可以基于粘合光掩模和曝光目标的层压体平面对称。换言之，在平面对称的压力辊对中，任意一个辊位于层压体的一个表面上并且另一个辊位于层压体的另一表面上，所述层压体中光掩模和曝光目标粘合的层压体作为中心，并且两个辊可以被设置为穿过层压体彼此相对。
曝光单元可以从光掩模的基板的一侧照射光。
当层压单元包括两对压力辊时，曝光单元可以设置在两对压力辊之间。
曝光单元的曝光条件可以根据涂布的光刻胶的性能来控制，并且没有特别地限制。
所述图案形成装置还可以包括显影单元，该显影单元对由曝光单元曝光的曝光目标进行显影。
显影单元可以根据显影方法设置必要的设备，并且没有特别地限制。
本说明书的又一实施方案提供一种光掩模的制备方法，包括：在基板上形成屏蔽掩模图案；以及在所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上形成透明平坦层。
在基板上形成屏蔽掩模图案的方法可以是喷墨印刷方法、凹版印刷方法、凹版胶印方法、丝网印刷方法、反向胶版印刷方法和光刻方法。具体地，在基板上形成屏蔽掩模图案的方法可以是光刻方法，将屏蔽掩模金属沉积在基板上并形成抗蚀图案之后，通过刻蚀工艺选择性地除去没有设置抗蚀图案的区域中的金属，最后，将屏蔽掩模图案上的抗蚀图案剥离以形成屏蔽掩模图案。
透明平坦层可以在基板的设置有屏蔽掩模图案的表面上形成。
形成透明平坦层的方法可以包括：在基板的设置有屏蔽掩模图案的表面上涂布用于形成透明平坦层的组合物；对涂布的组合物进行干燥；以及对干燥后的组合物进行固化。
用于形成透明平坦层的组合物可以包含有机硅类树脂，具体地，可以包含硅氧烷类树脂，更具体地，包含聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
用于形成透明平坦层的组合物还可以包含固化剂。对固化剂没有特别地限制，可以选择本领域中通常使用的材料。
对用于形成透明平坦层的组合物的涂布方法没有特别地限制，其实例可以包括棒涂布、狭缝模涂布、旋转涂布、逗号涂布、微凹版涂布或浸涂。
本说明书的再一实施方案提供一种图案形成方法，包括：制备曝光目标，该曝光目标包括设置在底板上的光刻胶层；进行层压，使得所述曝光目标的光刻胶层与光掩模的透明平坦层接触，所述光掩模包括设置在基板上的屏蔽掩模图案和位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层；通过从所述光掩模的基板的一侧照射光进行曝光；以及在曝光之后将所述光掩模与所述曝光目标分离。
在所述图案形成方法中，将不再重复与上面提供的描述重复的描述，这些重复描述可以引用上面提供的描述。
所述图案形成方法还可以包括在分离光掩模之后通过对曝光后的曝光目标进行显影来形成光刻胶图案。
对曝光后的曝光目标进行显影的方法可以包括：以将显影液涂布在曝光后的目标上的方式形成光刻胶图案；或者以将曝光后的曝光目标浸渍在显影液中的方式形成光刻胶图案。
当曝光目标还包括设置在底板和光刻胶层之间的金属层时，所述图案形成方法还可以包括：在分离光掩模之后通过对曝光后的曝光目标进行显影来形成光刻胶图案；以及通过对金属层的未形成光刻胶图案的部分进行蚀刻来形成金属图案。
金属图案的形成可以包括：对金属层的未形成光刻胶图案的部分进行蚀刻；以及对金属层进行蚀刻之后除去光刻胶图案。
下文中，将参照实施例更详细地描述本说明书。然而，下面的实施例仅用于说明的目的，并且不意在限制本说明书。
实验例1.透明平坦层涂布溶液的制备
通过混合100重量份的液体有机硅树脂(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.,KE-1606)、15重量份的有机硅固化剂(Shin-Etsu Chemical Co.CAT-RG)和115重量份的环己烷来制备透明平坦层涂布溶液。
实验例2.光掩模的制备
采用反向胶版印刷工艺在沉积有厚度为100nm的铝(Al)层的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)底板上形成线宽为3μm至20μm的蚀刻图案之后，通过铝(Al)蚀刻和抗蚀剥离工艺在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)底板上形成屏蔽掩模图案。使用旋转涂布方法或狭缝涂布方法将制备的透明平坦层涂布溶液涂布在所述屏蔽掩模图案的顶部之后，将所得物在100℃下固化20分钟来制备光掩模。
实验例3.涂布有光刻胶的基板的制备
使用旋转涂布方法或狭缝涂布方法在沉积有厚度为100nm的铝(Al)层的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)底板的上表面上涂布酚醛清漆树脂类正性光刻胶(LG Chem.Ltd.,LGPR-412DF)之后，将所得物在120℃下干燥3分钟，形成厚度为1.5μm的光刻胶薄膜。
实验例4.光掩模的粘合性能的评价
使用辊式层压机对制备完成的光掩模和涂布有光刻胶的基板进行层压。将层压后的层压体在室温下静置24小时，并且检查层压之前和层压之后的附着条件。在下面的表1中，当保持附着时将条件归为O，当在两个基板之间发生提升时将条件归为X。
实验例5.光掩模的剥离性能的评价
使用辊式层压机对制备完成的光掩模和涂布有光刻胶的基板进行层压。将层压后的层压体在室温下静置24小时之后，将光掩模从涂布有光刻胶的基板上剥离。使用显微镜观察剥离的光掩模的表面以确定是否污染。在下面的表1中，当在光掩模表面上不存在异物时的条件分类为O，当存在异物时的条件分类为X。
实验例6.图案得到性(Pattern Obtainment)的评价
使用辊式层压机对制备完成的光掩模和涂布有光刻胶的基板进行层压。将层压后的层压体固定在保持水平的平板上之后，使用平行曝光装置(Karl Suss MA8)对层压后的层压体曝光1秒钟。从完成曝光的层压体中除去光掩模之后，将所得物在2.38重量％的四甲基氢氧化铵(TMAH)显影液中沉积60秒，并进行油-水洗涤以形成光刻胶图案。在下面的表1中，光刻胶的图案得到特性如下分类。
A：相对于光掩模屏蔽掩模图案，线宽变化率和线边缘粗糙度(LER)增加率为30％以下
B：相对于光掩模屏蔽掩模图案，线宽变化率为30％以上或者线边缘粗糙度(LER)增加率为30％以上
C：未得到图案
实施例1至3
使用实验例1至6的方法制备光刻胶并评价它们的性能，并且改变透明平坦层的厚度和表面粗糙度。由此得到的结果示于下面的表1中。
比较例1至4
除了在透明平坦层的制备工艺中通过压印(imprinting)具有高表面粗糙度的底板来提高表面粗糙度或者不使用透明平坦层之外，以与实施例1至3中相同的方式制备光刻胶并评价它们的性能。由此得到的结果示于下面的表1中。
[表1]
Figure GDA0002557525870000111

Claims (19)

1.一种光掩模，包括：
基板；
设置在所述基板上的屏蔽掩模图案；以及
透明平坦层，该透明平坦层位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上，
其中，所述透明平坦层的厚度大于或等于30μm且小于或等于500μm，
所述屏蔽掩模图案的厚度大于或等于20nm且小于或等于500nm，
所述透明平坦层的厚度大于所述屏蔽掩模图案的厚度，并且
所述透明平坦层的表面粗糙度(Ra)为0.1nm至20nm。
2.根据权利要求1所述的光掩模，其中，从所述透明平坦层与所述基板接触的一个点到所述透明平坦层的与邻近设置有所述屏蔽掩模图案的所述基板的表面相反的表面的距离大于所述屏蔽掩模图案的高度。
3.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述透明平坦层包含有机硅类树脂。
4.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述基板是柔性基板。
5.根据权利要求1所述的光掩模，其中，所述光掩模以卷绕在辊上的形式储存，以便用于卷对卷工艺中。
6.一种层压体，包括：
曝光目标，该曝光目标包括底板和设置在该底板上的光刻胶层；以及
光掩模，该光掩模包括：基板、设置在该基板上的屏蔽掩模图案，以及位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层，其中，所述透明平坦层的厚度大于或等于30μm且小于或等于500μm，所述屏蔽掩模图案的厚度大于或等于20nm且小于或等于500nm，所述透明平坦层的厚度大于所述屏蔽掩模图案的厚度，并且所述透明平坦层的表面粗糙度(Ra)为0.1nm至20nm，
其中，所述曝光目标的所述光刻胶层与所述光掩模的所述透明平坦层接触。
7.根据权利要求6所述的层压体，其中，所述光刻胶层是正性光刻胶层。
8.根据权利要求6所述的层压体，其中，所述曝光目标还包括设置在所述底板和所述光刻胶层之间的金属层。
9.一种图案形成装置，包括：
底板退绕单元和曝光目标卷绕单元；
涂布单元，该涂布单元将光刻胶涂布在由所述底板退绕单元供应的底板上；
干燥单元，该干燥单元对涂布有所述光刻胶的曝光目标进行干燥；
供应光掩模的光掩模供应单元，所述光掩模包括设置在基板上的屏蔽掩模图案和位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层，其中，所述透明平坦层的厚度大于或等于30μm且小于或等于500μm，所述屏蔽掩模图案的厚度大于或等于20nm且小于或等于500nm，所述透明平坦层的厚度大于所述屏蔽掩模图案的厚度，并且所述透明平坦层的表面粗糙度(Ra)为0.1nm至20nm；
收集所述光掩模的光掩模收集单元；
层压单元，该层压单元进行加压以使所述曝光目标的所述光刻胶与所述光掩模的所述透明平坦层接触；以及
曝光单元，该曝光单元从所述光掩模的所述基板的一侧照射光。
10.根据权利要求9所述的图案形成装置，其中，所述层压单元包括两对压力辊，所述曝光单元设置在所述两对压力辊之间。
11.根据权利要求9所述的图案形成装置，其中，由所述底板退绕单元供应的所述底板是一个表面上设置有金属层的底板，并且所述涂布单元将所述光刻胶涂布在所述金属层上。
12.根据权利要求9所述的图案形成装置，其中，所述干燥单元是红外线干燥单元。
13.根据权利要求9所述的图案形成装置，还包括显影单元，该显影单元对由所述曝光单元曝光的曝光目标进行显影。
14.一种光掩模的制备方法，包括：
在基板上形成屏蔽掩模图案；以及
形成透明平坦层，该透明平坦层位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上，其中，所述透明平坦层的厚度大于或等于30μm且小于或等于500μm，所述屏蔽掩模图案的厚度大于或等于20nm且小于或等于500nm，所述透明平坦层的厚度大于所述屏蔽掩模图案的厚度，并且所述透明平坦层的表面粗糙度(Ra)为0.1nm至20nm。
15.根据权利要求14所述的光掩模的制备方法，其中，所述透明平坦层的形成包括：将包含有机硅类树脂的组合物涂布在所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上；以及
对所述组合物进行干燥和固化。
16.一种图案形成方法，包括：
制备曝光目标，该曝光目标包括设置在底板上的光刻胶层；
进行层压，使得所述曝光目标的所述光刻胶层与光掩模的透明平坦层接触，所述光掩模包括设置在基板上的屏蔽掩模图案和位于所述基板的设置有所述屏蔽掩模图案的表面上的透明平坦层，其中，所述透明平坦层的厚度大于或等于30μm且小于或等于500μm，所述屏蔽掩模图案的厚度大于或等于20nm且小于或等于500nm，所述透明平坦层的厚度大于所述屏蔽掩模图案的厚度，并且所述透明平坦层的表面粗糙度(Ra)为0.1nm至20nm；
通过从所述光掩模的所述基板的一侧照射光进行曝光；以及
在所述曝光之后将所述光掩模与所述曝光目标分离。
17.根据权利要求16所述的图案形成方法，还包括在分离所述光掩模之后通过对曝光后的曝光目标进行显影来形成光刻胶图案。
18.根据权利要求16所述的图案形成方法，其中，所述曝光目标还包括设置在所述底板和所述光刻胶层之间的金属层。
19.根据权利要求18所述的图案形成方法，还包括：
在分离所述光掩模之后，通过对曝光后的曝光目标进行显影来形成光刻胶图案；以及
通过对所述金属层的未形成光刻胶图案的部分进行蚀刻来形成金属图案。
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