CN107675260A - 一种AlN‑SiC固溶体晶须及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明具体涉及一种AlN‑SiC固溶体晶须及其制备方法。其技术方案是：按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.005~0.05），将Al4SiC4粉料和纳米镍粉混合，在5~50MPa条件下压制成型；将成型后的坯体装入石墨坩埚内，置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min，以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃，自然冷却，制得AlN‑SiC固溶体晶须。所述AlN‑SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。本发明工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀，制备的AlN‑SiC固溶体晶须导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越，适合工业化生产及推广应用。

Description

一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法
技术领域
本发明属于AlN-SiC固溶体材料领域。具体涉及一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法。
背景技术
AlN材料具有较低的密度、较高的热导率、较高的电阻率、较大的机械强度、抗氧化性能优良和抗热震性能好等优点，广泛应用于电子衬底、切削工具、散热器和许多高温结构部件领域；但由于它的韧性较差，使它在承载轴承方面的应用受到限制。AlN和SiC具有相似的晶体结构和高温性能，已有许多报道用多种方法成功制备出AlN-SiC固溶体，从而提高了陶瓷材料的机械性能。
目前，Chen Kexin等人（Chen K, Jin H, Zhou H, et al. Combustionsynthesis of AlN–SiC solid solution particles[J]. Journal of the EuropeanCeramic Society, 2000, 20(14–15)2601-2606.）用铝粉、硅粉和炭黑合成AlN-SiC固溶体粉末，公开了氮气压力、(Si+C)/Al原子的比例对反应产物AlN-SiC晶相和燃烧过程的影响，该法反应温度和速率很难控制，晶体生长不完整；R. Roucka等人利用分子束外延法制备了AlN-SiC固溶体薄膜（Roucka R, Tolle J, Chizmeshya A V, et al. Low-temperatureepitaxial growth of the quaternary wide band gap semiconductor SiCAlN.[J].Physical Review Letters, 2002, 88(20)206102.），该方法用H3SiCN蒸汽和Al原子制备AlN-SiC固溶体薄膜，虽所需的温度较低，但反应系统复杂、晶体的生长速度慢和生长面积也受到一定限制；I.Jenkins等人用化学金属有机化学气相沉积法制备了AlN-SiC固溶体（Jenkins I, Irvine K G, Spencer M G, et al. Growth of solid solutions ofaluminum nitride and silicon carbide by metalorganic chemical vapordeposition[J]. Journal of Crystal Growth, 1993, 128(1–4):375-378.），该方法以硅烷、丙烷、氨气和三甲基铝作为反应气体，以氢气作为传输气体，虽在Si和SiC基体上生长出AlN-SiC固溶体，但原料处理工艺复杂，合成率低。
发明内容
本发明旨在克服现有技术缺陷，目的在于提供一种工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀的AlN-SiC固溶体晶须的制备方法，所制备的AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面，所述AlN-SiC固溶体晶须材料导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
步骤一、按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.005~0.05），将所述Al4SiC4粉料和所述纳米镍粉混合，即得混合粉。
步骤二、将所述混合粉在5~50MPa条件下压制成型，再将成型后的坯体装入石墨坩埚内。
步骤三、将所述石墨坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min，再以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃，然后自然冷却至室温，制得AlN-SiC固溶体晶须。所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。
所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。
所述氮气的纯度≥98Vol%。
由于采用上述技术方案，本发明与现有技术相比具有以下优点：
本发明使用Al4SiC4坯体制备AlN-SiC固溶体晶须，AlN-SiC固溶体晶须在生长过程中不需要模板和载体，所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。所述AlN-SiC固溶体晶须能在较低温度和较短时间下生成，工艺简单。本发明采用单相Al4SiC4原料制备AlN-SiC固溶体晶须，使产物化学成分分布更加均匀，收得率高，有利于AlN-SiC固溶体晶须工业化生产及推广应用。
本发明制备的AlN-SiC固溶体为晶须状，是目前本领域研究结果未有的，AlN-SiC固溶体晶须继承了AlN晶须和SiC晶须特有的性质，具有较高的导热率、电阻率和韧性。
本发明在Al4SiC4坯体表面制得AlN-SiC固溶体晶须：直径为0.1~4μm；长度为5μm~2mm；随着温度提高，AlN-SiC固溶体晶须产率和尺寸则逐步提高。
因此，本发明具有工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀的特点，所制备的AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面，所述AlN-SiC固溶体晶须材料导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越，适合工业化生产及推广应用。
附图说明
图1是本发明制备的一种AlN-SiC固溶体晶须的扫描电子显微镜照片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的描述，并非对其保护范围的限制。
本具体实施方式中：
所述氮气的纯度≥98Vol%；
所述Al4SiC4粉体的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。
实施例中不再赘述。
实施例1
一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法。本实施例所述制备方法是：
步骤一、按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.005~0.01），将所述Al4SiC4粉料和所述纳米镍粉混合，即得混合粉。
步骤二、将所述混合粉在5~20MPa条件下压制成型，再将成型后的坯体装入石墨坩埚内。
步骤三、将所述石墨坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1300~1650℃条件下保温60~240min，再以5~7℃/min的速率冷却至800~850℃，然后自然冷却至室温，制得AlN-SiC固溶体晶须。
本实施例所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面；所述AlN-SiC固溶体晶须：直径为0.1~2μm，长度为5~500μm。
实施例2
一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法。本实施例所述制备方法是：
步骤一、按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.01~0.03），将所述Al4SiC4粉料和所述纳米镍粉混合，即得混合粉。
步骤二、将所述混合粉在15~30MPa条件下压制成型，再将成型后的坯体装入石墨坩埚内。
步骤三、将所述石墨坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1400~1750℃条件下保温180~360min，再以6~8℃/min的速率冷却至850~900℃，然后自然冷却至室温，制得AlN-SiC固溶体晶须。
本实施例所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面；所述AlN-SiC固溶体晶须：直径为0.5~2μm，长度为0.25~1mm。
实施例3
一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法。本实施例所述制备方法是：
步骤一、按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.02~0.04），将所述Al4SiC4粉料和所述纳米镍粉混合，即得混合粉。
步骤二、将所述混合粉在25~40MPa条件下压制成型，再将成型后的坯体装入石墨坩埚内。
步骤三、将所述石墨坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1500~1850℃条件下保温300~480min，再以7~9℃/min的速率冷却至900~950℃，然后自然冷却至室温，制得AlN-SiC固溶体晶须。
本实施例所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面；所述AlN-SiC固溶体晶须：直径为1.5~3μm，长度为0.5~1.5mm。
实施例4
一种AlN-SiC固溶体晶须及其制备方法。本实施例所述制备方法是：
步骤一、按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.03~0.05），将所述Al4SiC4粉料和所述纳米镍粉混合，即得混合粉。
步骤二、将所述混合粉在35~50MPa条件下压制成型，再将成型后的坯体装入石墨坩埚内。
步骤三、将所述石墨坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1600~1900℃条件下保温420~600min，再以8~10℃/min的速率冷却至950~1000℃，然后自然冷却至室温，制得AlN-SiC固溶体晶须。
本实施例所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面；所述AlN-SiC固溶体晶须：直径为2.5~4μm，长度为1~2mm。
本具体实施方式与现有技术相比具有以下优点：
本具体实施方式使用Al4SiC4坯体制备AlN-SiC固溶体晶须，AlN-SiC固溶体晶须在生长过程中不需要模板和载体，所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。所述AlN-SiC固溶体晶须能在较低温度和较短时间下生成，工艺简单。本具体实施方式采用单相Al4SiC4原料制备AlN-SiC固溶体晶须，使产物化学成分分布更加均匀，收得率高，有利于AlN-SiC固溶体晶须工业化生产及推广应用。
本具体实施方式制备的AlN-SiC固溶体为晶须状，是目前本领域研究结果未有的，AlN-SiC固溶体晶须继承了AlN晶须和SiC晶须特有的性质，具有较高的导热率、电阻率和韧性。
本具体实施方式制备的AlN-SiC固溶体晶须如图1所示，图1是实施例1在Al4SiC4坯体表面制备的一种AlN-SiC固溶体晶须的扫描电子显微镜照片。从照片可以看出：直径为0.4μm~2μm，长度为10~140μm。本具体实施方式在Al4SiC4坯体表面制得AlN-SiC固溶体晶须：直径为0.1μm~4μm，长度为5μm~2mm。随着温度提高，AlN-SiC固溶体晶须产率和尺寸则逐步提高。
因此，本具体实施方式具有工艺简单、晶须尺寸可控、收得率高和化学成分分布均匀的特点，所制备的AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面，制备的AlN-SiC固溶体晶须材料导热性高、电绝缘性能好和机械性能优越，适合工业化生产及推广应用。

Claims (3)

1.一种AlN-SiC固溶体晶须的制备方法，其特征在于所述制备方法是：
步骤一、按Al4SiC4粉料∶纳米镍粉的质量比为1∶（0.005~0.05），将所述Al4SiC4粉料和所述纳米镍粉混合，即得混合粉；
步骤二、将所述混合粉在5~50MPa条件下压制成型，再将成型后的坯体装入石墨坩埚内；
步骤三、将所述石墨坩埚置于管式刚玉炉中，在氮气气氛和1300~1900℃条件下保温60~600min，再以5~10℃/min的速率冷却至800~1000℃，然后自然冷却至室温，制得AlN-SiC固溶体晶须；
所述Al4SiC4粉料的Al4SiC4含量≥98.0wt%，粒度≤150μm。
2.按照权利要求1所述AlN-SiC固溶体晶须的制备方法，其特征在于所述氮气的纯度≥98Vol%。
3.一种AlN-SiC固溶体晶须，其特征在于所述AlN-SiC固溶体晶须是根据权利要求1~2项中任一项所述AlN-SiC固溶体晶须的制备方法所制备的AlN-SiC固溶体晶须；
所述AlN-SiC固溶体晶须生长在所述Al4SiC4坯体表面。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109133986A (zh) * 2018-10-22 2019-01-04 武汉科技大学 一种基于发泡法的AlN-SiC多孔复合陶瓷及其制备方法
CN109678517A (zh) * 2019-03-04 2019-04-26 武汉科技大学 一种原位AlN-B4C增强的碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法
CN110357103A (zh) * 2019-07-01 2019-10-22 武汉科技大学 基于碳化铝铌的碳化铌-氮化铝复合粉体及其制备方法
CN111635233A (zh) * 2020-06-09 2020-09-08 武汉科技大学 原位生成AlN/SiC结合C复合材料及其制备方法
CN111704465A (zh) * 2020-06-09 2020-09-25 武汉科技大学 原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法
CN111732438A (zh) * 2020-06-09 2020-10-02 武汉科技大学 SiC晶须增强AlN陶瓷结合C复合耐火材料及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4569922A (en) * 1982-12-08 1986-02-11 Asahi Glass Company Ltd. Silicon carbide-aluminum nitride sintered article and process for its production
JP2007084405A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Riyuukoku Univ ナノ構造を有するＳｉＣ−Ａ１Ｎ固溶焼結体とその製造方法
CN102515767A (zh) * 2011-11-30 2012-06-27 北京科技大学 一种制备SiC-AlN固溶体陶瓷粉末的方法
CN105543535A (zh) * 2015-12-18 2016-05-04 聊城大学 Al4SiC4与Cr协同强化网/球状铜材料及制备方法
CN106631026A (zh) * 2017-01-09 2017-05-10 武汉科技大学 一种Al4SiC4‑Al4O4C复合材料及其制备方法
CN106702494A (zh) * 2016-11-28 2017-05-24 武汉科技大学 一种在Al4O4C基体表面制备AlN晶须的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4569922A (en) * 1982-12-08 1986-02-11 Asahi Glass Company Ltd. Silicon carbide-aluminum nitride sintered article and process for its production
JP2007084405A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Riyuukoku Univ ナノ構造を有するＳｉＣ−Ａ１Ｎ固溶焼結体とその製造方法
CN102515767A (zh) * 2011-11-30 2012-06-27 北京科技大学 一种制备SiC-AlN固溶体陶瓷粉末的方法
CN105543535A (zh) * 2015-12-18 2016-05-04 聊城大学 Al4SiC4与Cr协同强化网/球状铜材料及制备方法
CN106702494A (zh) * 2016-11-28 2017-05-24 武汉科技大学 一种在Al4O4C基体表面制备AlN晶须的方法
CN106631026A (zh) * 2017-01-09 2017-05-10 武汉科技大学 一种Al4SiC4‑Al4O4C复合材料及其制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AIMIN CHU ET AL.: ""Two-Step Carbothermal Synthesis of AlN–SiC Solid Solution Powder Using Combustion Synthesized Precursor"", 《J.AM.CERAM.SOC.》 *
GUANGHUA LIU ET AL.: ""A New Route to Synthesize SiC-AlN Solid Solution Whiskers"", 《CRYSTAL GROWTH & DESIGN》 *
KIYOSHI ITATANI ET AL.: ""Preparation of Aluminum Nitride–Silicon Carbide Nanocomposite Powder by the Nitridation of Aluminum Silicon Carbide"", 《J.AM.CERAM.SOC.》 *
R. ROUCKA ET AL.: ""Low-Temperature Epitaxial Growth of the Quaternary Wide Band Gap Semiconductor SiC AlN"", 《PHYSICAL REVIEW LETTERS》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109133986A (zh) * 2018-10-22 2019-01-04 武汉科技大学 一种基于发泡法的AlN-SiC多孔复合陶瓷及其制备方法
CN109133986B (zh) * 2018-10-22 2021-02-19 武汉科技大学 一种基于发泡法的AlN-SiC多孔复合陶瓷及其制备方法
CN109678517A (zh) * 2019-03-04 2019-04-26 武汉科技大学 一种原位AlN-B4C增强的碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法
CN109678517B (zh) * 2019-03-04 2021-09-28 武汉科技大学 一种原位AlN-B4C增强的碳化硅蜂窝陶瓷及其制备方法
CN110357103A (zh) * 2019-07-01 2019-10-22 武汉科技大学 基于碳化铝铌的碳化铌-氮化铝复合粉体及其制备方法
CN110357103B (zh) * 2019-07-01 2022-06-14 武汉科技大学 基于碳化铝铌的碳化铌-氮化铝复合粉体及其制备方法
CN111635233A (zh) * 2020-06-09 2020-09-08 武汉科技大学 原位生成AlN/SiC结合C复合材料及其制备方法
CN111704465A (zh) * 2020-06-09 2020-09-25 武汉科技大学 原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法
CN111732438A (zh) * 2020-06-09 2020-10-02 武汉科技大学 SiC晶须增强AlN陶瓷结合C复合耐火材料及其制备方法

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