CN107658230A - 一种生瓷片及ltcc基板表面粗糙度的调控方法 - Google Patents
一种生瓷片及ltcc基板表面粗糙度的调控方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107658230A CN107658230A CN201710767741.6A CN201710767741A CN107658230A CN 107658230 A CN107658230 A CN 107658230A CN 201710767741 A CN201710767741 A CN 201710767741A CN 107658230 A CN107658230 A CN 107658230A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic chips
- surface roughness
- regulation
- control method
- isostatic pressed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 title claims abstract description 77
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 23
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 19
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 17
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 11
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 claims description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 5
- 238000007581 slurry coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 2
- 238000007613 slurry method Methods 0.000 claims 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 15
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 101001034845 Mus musculus Interferon-induced transmembrane protein 3 Proteins 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011469 building brick Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/4807—Ceramic parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Press-Shaping Or Shaping Using Conveyers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种生瓷片及LTCC基板表面粗糙度的调控方法，属于半导体制造技术领域。本发明生瓷片表面粗糙度的调控方法包括以下步骤：(a)将带高分子膜的生瓷片叠放在平整的钢板上；(b)固定生瓷片、钢板和高分子膜后，进行真空封装；(c)进行等静压处理；本发明LTCC基板表面粗糙度的调控方法包括按照本发明方法对生瓷片表面粗糙度进行调控的步骤。本发明生瓷片表面粗糙度的调控方法通过对生瓷片进行等静压处理，实现生瓷片表面粗糙度的减低与可控，为后续工艺提供合格的生瓷片。
Description
技术领域
本发明涉及一种生瓷片及LTCC基板表面粗糙度的调控方法，属于半导体制造技术领域。
背景技术
低温共烧陶瓷技术(LTCC)制备的电子元器件具有高可靠、高性能、高频化等优点，是实现当今电子组件向微型化、轻量化和集成化等方向发展的重要手段，已经得到越来越广泛的应用。其中，生瓷片的制备对于整个LTCC技术至关重要，在电子元器件的设计过程中，除对介质材料选择外，生瓷片的厚度、均匀性等也是获得性能优良的基板，实现各个器件性能的前提。
生瓷片表面粗糙度对电极印刷的均匀性具有重要影响，当生瓷片表面粗糙度较大时，表面凸起部分会造成印刷电极较薄甚至残缺，导致元器件性能失效；其次，生瓷片表面凸起还会造成印刷电极表面的不平整，延长电流信号的传输路径，增加损耗；此外，元器件设计时，频率与生瓷片厚度有关，生瓷片表面粗糙度较大会导致膜片厚度不均匀，影响元器件最终使用频率。基板的表面质量也与生瓷片的表面质量直接相关，若生瓷片表面粗糙度较大，最终获得基板表面质量较差，需后续对基板进行研磨抛光，增加工序及成本。一般要求流延出的生瓷片粗糙度应在0.8μm以下才能满足正常的使用要求。目前对生瓷片的研究主要集中在流延配方及生瓷片的厚度、粉体分布均匀性、机械性能等方面，对生瓷片表面状态研究较少，尤其当流延后获得的粗糙表面较大时(>1.0μm)，其后续处理方法更是鲜有报道。
现有技术中，LTCC技术工艺流程包括浆料配制、流延、打孔、印刷、叠层、等静压、切割、烧结、电镀、测试等环节。现有技术中，等静压是作为LTCC技术中的层压手段，其主要是在叠层后的生瓷片进行压合，其目的是利用其均匀高温高压的特点，使叠层后的生瓷片之间紧密粘结。按照现有技术制得的LTCC基板表面不够平整。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种生瓷片及LTCC基板表面粗糙度的调控方法，该方法制得的生瓷片及LTCC基板表面更加平整。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种生瓷片表面粗糙度的调控方法，其包括以下步骤：
(a)将带高分子膜的生瓷片叠放在平整的钢板上；
(b)固定生瓷片、钢板和高分子膜后，进行真空封装；
(c)进行等静压处理。
本发明上述方法将带高分子膜的生瓷片进行堆叠，然后进行等静压处理，通过调节等静压的温度和压力参数，控制生瓷片内部树脂的软化及流动程度，实现生瓷片表面粗糙度的降低和调控。通常生瓷片中树脂含量在10wt％以上，随着温度升高至玻璃化温度以上，树脂将由高弹态转变为玻璃态，表现出粘流特性，此时施加压应力，树脂将发生流动，与生瓷片中的陶瓷粉末进行重排，当生瓷片表面与光滑平面相接触时，其表面状态将发生彻底改变，获得光滑平整的生瓷片表面。由于等静压技术能够实现恒温以及均匀压应力的作用，因此本发明采用等静压技术，在恒温及均匀压应力作用下对生瓷片进行预处理，通过生瓷片内部树脂的软化以及陶瓷粉体的重排，实现生瓷片表面粗糙度的减低与可控，为后续工艺提供合格的生瓷片。
作为本发明所述生瓷片表面粗糙度的调控方法的优选实施方式，所述步骤(c)中，等静压的温度为50-85℃，等静压的压力为10-55MPa，等静压的预热时间为10-30min，等静压的保压时间为20-40min。
发明人经过研究，发现生瓷片在温度为50-85℃、压力为10-55MPa的条件下经等静压处理后，其表面粗糙度大幅度降低。等静压的温度可为50-85℃中的任意值，等静压的压力可为10-55MPa中的任意值。发明人尤其发现，当等静压的温度为70-85℃，压力为40-55MPa时，经处理的生瓷片表面粗糙度降低程度最大。例如，粗糙度(Ra)为1.1-1.7μm的生瓷片在温度为70-85℃，压力为40-55MPa的条件等静压处理后，其粗糙度(Ra)降至0.19-0.29μm。
作为本发明所述生瓷片表面粗糙度的调控方法的优选实施方式，所述高分子膜为PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜。
作为本发明所述生瓷片表面粗糙度的调控方法的优选实施方式，所述高分子膜和钢板的表面粗糙度(Ra)均小于0.1μm。
本发明还提供了一种LTCC基板表面粗糙度的调控方法，为实现此目的，本发明采取的技术方案为：一种LTCC基板表面粗糙度的调控方法，其包括以下步骤：
(1)配制流延浆料；
(2)将步骤(1)配制的流延浆料进行流延处理，得到生瓷片；
(3)按照权利要求1～4任一项所述方法对步骤(2)得到的生瓷片表面粗糙度进行调控；
(4)生瓷片冲孔；
(5)在生瓷片上填充金属浆料，形成设计的电路图形；
(6)依次堆叠经步骤(5)处理的生瓷片；
(7)等静压处理，得到巴块；
(8)对巴块进行切割；
(9)将步骤(8)切割后的巴块进行烧结处理，再进行电镀，得到LTCC基板。
与现有技术相比，本发明LTCC基板表面粗糙度的调控方法在流延处理与生瓷片冲孔中间增加了等静压处理的步骤。通过利用等静压恒温及均匀压应力的特点，使生瓷片内部树脂发生软化以及与陶瓷粉体重排，为后续印刷以及陶瓷基板的制备提供光滑平整的生瓷片。另外，虽然步骤(3)和步骤(7)都进行了等静压处理，但步骤(3)是将带高分子膜的生瓷片进行堆叠，然后进行等静压处理，步骤(7)需要剥离高分子膜后，对生瓷片进行对位处理，然后堆叠，堆叠后形成一个完整的产品再进行等静压处理，二者处理的工序完全不同，等静压的作用也完全不同。步骤(7)中，等静压是LTCC技术中常用的层压手段，其目的是利用均匀高温高压的特点，使叠层后的生瓷片之间紧密粘结。
作为本发明所述LTCC基板表面粗糙度的调控方法的优选实施方式，所述步骤(1)中，配制流延浆料的方法为：混合氧化铝粉体、PVB和溶剂，球磨，形成流延浆料。
作为本发明所述LTCC基板表面粗糙度的调控方法的优选实施方式，所述步骤(2)中，将步骤(1)配制的流延浆料涂布流延到PET膜上，烘干，得到生瓷片。
作为本发明所述LTCC基板表面粗糙度的调控方法的优选实施方式，所述步骤(4)中，在生瓷片上冲出孔径为0.1mm的通孔。
作为本发明所述LTCC基板表面粗糙度的调控方法的优选实施方式，所述步骤(5)中，将生瓷片放置在丝网下面，用金属浆料平铺在丝网上面，通过丝印机的刮胶刮动浆料，在生瓷片上形成设计的电路图形。
作为本发明所述LTCC基板表面粗糙度的调控方法的优选实施方式，所述步骤(7)中，等静压的温度为55-85℃，等静压的压力为10-55MPa。在此条件下进行等静压处理，可使生瓷片致密化，形成一个整体。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
(1)本发明提供了一种生瓷片表面粗糙度的调控方法，该方法通过等静压工艺对生瓷片进行预处理，利用等静压恒温及均匀压应力的特点，实现生瓷片表面粗糙度的降低和可控，为后续印刷以及光滑陶瓷基板的制备提供光滑平整的生瓷片。本发明运用LTCC中等静压工艺，对表面粗糙度较大的生瓷片进行预处理，将生瓷片粗糙度(>1.0μm)降低至0.6μm以下。
(2)本发明生瓷片表面粗糙度的调控方法通过温度与压力控制，实现生瓷片表面粗糙度在0.2-0.6μm之间调控，满足不同粗糙度生瓷片的需求问题。
(3)本发明提供了一种LTCC基板表面粗糙度的调控方法，该方法较现有方法在流延处理与生瓷片冲孔中间增加了等静压处理的步骤。经等静压处理的生瓷片表面光滑平整，为后续制备性能优良的LTCC基板提供了合格的原材料。
附图说明
图1为本发明生瓷片表面粗糙度的调控流程图。
具体实施方式
为更好地说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明。
下述实施例中，生瓷片表面粗糙度的调控流程如图1所示。
实施例1
本发明生瓷片表面粗糙度的调控方法的一种实施例，本实施例所述生瓷片表面粗糙度的调控方法为：
(a)将带PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜的生瓷片(粗糙度Ra为1.1-1.7μm)的粗糙面朝上，PET面朝下叠放在平整的钢板上，在最表层的生瓷片上附上平整的PET膜；其中，PET膜表面粗糙度(Ra)<0.1μm，钢板表面粗糙度(Ra)<0.1μm；
(b)用胶带将生瓷片、钢板、PET膜固定，随后放入封装袋中进行真空封装；
(c)待等静压温度升至设定值后，将封装袋放入等静压腔中预热，随后进行等静压处理；其中，等静压的温度为50℃，等静压的压力为10MPa，等静压的预热时间为20min，等静压的保压时间为40min。
经上述处理的生瓷片的粗糙度Ra为0.58μm。
实施例2
本发明生瓷片表面粗糙度的调控方法的一种实施例，本实施例所述生瓷片表面粗糙度的调控方法为：
(a)将带PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜的生瓷片(粗糙度Ra为1.1-1.7μm)的粗糙面朝上，PET面朝下叠放在平整的钢板上，在最表层的生瓷片上附上平整的PET膜；其中，PET膜表面粗糙度(Ra)<0.1μm，钢板表面粗糙度(Ra)<0.1μm；
(b)用胶带将生瓷片、钢板、PET膜固定，随后放入封装袋中进行真空封装；
(c)待等静压温度升至设定值后，将封装袋放入等静压腔中预热，随后进行等静压处理；其中，等静压的温度为70℃，等静压的压力为35MPa，等静压的预热时间为30min，等静压的保压时间为20min。
经上述处理的生瓷片的粗糙度Ra为0.30μm。
实施例3
本发明生瓷片表面粗糙度的调控方法的一种实施例，本实施例所述生瓷片表面粗糙度的调控方法为：
(a)将带PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜的生瓷片(粗糙度Ra为1.1-1.7μm)的粗糙面朝上，PET面朝下叠放在平整的钢板上，在最表层的生瓷片上附上平整的PET膜；其中，PET膜表面粗糙度(Ra)<0.1μm，钢板表面粗糙度(Ra)<0.1μm；
(b)用胶带将生瓷片、钢板、PET膜固定，随后放入封装袋中进行真空封装；
(c)待等静压温度升至设定值后，将封装袋放入等静压腔中预热，随后进行等静压处理；其中，等静压的温度为85℃，等静压的压力为55MPa，等静压的预热时间为10min，等静压的保压时间为30min。
经上述处理的生瓷片的粗糙度Ra为0.19μm。
实施例4
本实施例考察了在不同温度和压力下对粗糙度Ra为1.1-1.7μm、玻璃化温度为50-80℃的生瓷片等静压处理的效果，结果如表1所示。
其中，考察的具体方法为：
(a)将带PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜的生瓷片(粗糙度Ra为1.1-1.7μm)的粗糙面朝上，PET面朝下叠放在平整的钢板上，在最表层的生瓷片上附上平整的PET膜；其中，PET膜表面粗糙度(Ra)0.08μm，钢板表面粗糙度(Ra)<0.1μm；
(b)用胶带将生瓷片、钢板、PET膜固定，随后放入封装袋中进行真空封装；
(c)待等静压温度升至设定值后，将封装袋放入等静压腔中预热，随后进行等静压处理；其中，等静压的预热时间为10min，等静压的保压时间为20-40min。
表1
由表1可见，生瓷片在温度为50-85℃、压力为10-55MPa的条件下经等静压处理后，其表面粗糙度大幅度降低。尤其当等静压的温度为70-85℃，压力为40-55MPa时，经处理的生瓷片表面粗糙度降低程度最大。
实施例5
本实施例考察了粗糙度Ra为1.1-1.7μm的生瓷片按照本发明生瓷片表面粗糙度的调控方法处理前后其性能的变化，结果如表2所示。
表2
| 生瓷片参数 | 本发明方法处理前 | 本发明方法处理后 |
| 表面粗糙度(um) | 1.1-1.7 | 0.2-0.6 |
| 表面光泽度 | 30％ | 40％ |
| 生瓷片拉伸力(Mpa) | 5 | 6 |
| 生瓷片密度(g/cm2) | 1.8 | 2.5 |
由表2可见，本发明生瓷片表面粗糙度的调控方法可降低生瓷片的表面粗糙度。
实施例6
本发明LTCC基板表面粗糙度的调控方法的一种实施例，本实施例所述LTCC基板表面粗糙度的调控方法为：
(1)配制流延浆料：混合氧化铝粉体、PVB和溶剂，在架子球磨机上经过24小时滚动充分混合，形成流延浆料；
(2)将步骤(1)配制的流延浆料涂布流延到PET膜上，流延机1m/钟速度流速，烘干(温度为70℃)，得到厚度为50um的生瓷片。
(3)按照实施例1所述方法对步骤(2)得到的生瓷片表面粗糙度进行调控；
(4)按照产品设计图纸，在生瓷片上指定的位置冲出孔径为0.1mm的通孔；
(5)将生瓷片放置在丝网下面，用金属浆料平铺在丝网上面，通过丝印机的刮胶刮动浆料，在生瓷片上形成设计的电路图形；
(6)将生瓷片按照产品所需的结构对位后依次堆叠；
(7)将堆叠后的生瓷片放入温水等静压中，等静压的温度设置为55℃，压力设置为10MPa，使生瓷片致密化，形成一个整体，得到巴块；
(8)将等静压得到的巴块按照产品的大小进行切割；
(9)将步骤(8)切割后的巴块，在860℃的稳定下烧结成瓷；再将烧结后的产品，通过化学原理镀上可焊性金属，得到LTCC基板；
(10)按照产品要求测试得到的LTCC基板的各项性能，测试结果如表3所示。
表3
| LTCC基板性能参数 | 现有方法 | 实施例6所述方法 |
| 抗折强度Mpa | 160 | 165 |
| 气密性Pa*m3/s | 10 | 10.5 |
| 耐压强度kv/mil | 1 | 1.06 |
| 电阻率Ω*cm | 10-11 | 0.9*10-11 |
表3中，现有方法指的是与实施例6所述方法相比，无步骤(3)的方法。
实施例7
本发明LTCC基板表面粗糙度的调控方法的一种实施例，本实施例所述LTCC基板表面粗糙度的调控方法为：
(1)配制流延浆料：混合氧化铝粉体、PVB和溶剂，在架子球磨机上经过24小时滚动充分混合，形成流延浆料；
(2)将步骤(1)配制的流延浆料涂布流延到PET膜上，流延机1m/钟速度流速，烘干(温度为70℃)，得到厚度为50um的生瓷片。
(3)按照实施例2所述方法对步骤(2)得到的生瓷片表面粗糙度进行调控；
(4)按照产品设计图纸，在生瓷片上指定的位置冲出孔径为0.1mm的通孔；
(5)将生瓷片放置在丝网下面，用金属浆料平铺在丝网上面，通过丝印机的刮胶刮动浆料，在生瓷片上形成设计的电路图形；
(6)将生瓷片按照产品所需的结构对位后依次堆叠；
(7)将堆叠后的生瓷片放入温水等静压中，等静压的温度设置为70℃，压力设置为35MPa，使生瓷片致密化，形成一个整体，得到巴块；
(8)将等静压得到的巴块按照产品的大小进行切割；
(9)将步骤(8)切割后的巴块，在860℃的稳定下烧结成瓷；再将烧结后的产品，通过化学原理镀上可焊性金属，得到LTCC基板；
(10)按照产品要求测试得到的LTCC基板的各项性能，测试结果如表4所示。
表4
| LTCC基板性能参数 | 现有方法 | 实施例7所述方法 |
| 抗折强度Mpa | 166 | 170 |
| 气密性Pa*m/s | 10.3 | 10.8 |
| 耐压强度kv/mil | 1.1 | 1.2 |
| 电阻率Ω*cm | 0.86*10-11 | 0.85*10-11 |
表4中，现有方法指的是与实施例7所述方法相比，无步骤(3)的方法。
实施例8
本发明LTCC基板表面粗糙度的调控方法的一种实施例，本实施例所述LTCC基板表面粗糙度的调控方法为：
(1)配制流延浆料：混合氧化铝粉体、PVB和溶剂，在架子球磨机上经过24小时滚动充分混合，形成流延浆料；
(2)将步骤(1)配制的流延浆料涂布流延到PET膜上，流延机1m/钟速度流速，烘干(温度为70℃)，得到厚度为50um的生瓷片。
(3)按照实施例3所述方法对步骤(2)得到的生瓷片表面粗糙度进行调控；
(4)按照产品设计图纸，在生瓷片上指定的位置冲出孔径为0.1mm的通孔；
(5)将生瓷片放置在丝网下面，用金属浆料平铺在丝网上面，通过丝印机的刮胶刮动浆料，在生瓷片上形成设计的电路图形；
(6)将生瓷片按照产品所需的结构对位后依次堆叠；
(7)将堆叠后的生瓷片放入温水等静压中，等静压的温度设置为85℃，压力设置为55MPa，使生瓷片致密化，形成一个整体，得到巴块；
(8)将等静压得到的巴块按照产品的大小进行切割；
(9)将步骤(8)切割后的巴块，在860℃的稳定下烧结成瓷；再将烧结后的产品，通过化学原理镀上可焊性金属，得到LTCC基板；
(10)按照产品要求测试得到的LTCC基板的各项性能，，测试结果如表5所示。
表5
| LTCC基板性能参数 | 现有方法 | 实施例8所述方法 |
| 抗折强度Mpa | 170 | 178 |
| 气密性Pa*m3/s | 11 | 11.3 |
| 耐压强度kv/mil | 1.13 | 1.3 |
| 电阻率Ω*cm | 0.85*10-11 | 0.8*10-11 |
表5中，现有方法指的是与实施例8所述方法相比，无步骤(3)的方法。
由表3、表4和表5可见，本发明LTCC基板表面粗糙度的调控方法较现有方法在流延处理与生瓷片冲孔中间增加了等静压处理的步骤后，制得的LTCC基板的性能得到改善。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种生瓷片表面粗糙度的调控方法，其特征在于：包括以下步骤：
(a)将带高分子膜的生瓷片叠放在平整的钢板上；
(b)固定生瓷片、钢板和高分子膜后，进行真空封装；
(c)进行等静压处理。
2.如权利要求1所述的生瓷片表面粗糙度的调控方法，其特征在于：所述步骤(c)中，等静压的温度为50-85℃，等静压的压力为10-55MPa，等静压的预热时间为10-30min，等静压的保压时间为20-40min。
3.如权利要求1所述的生瓷片表面粗糙度的调控方法，其特征在于：所述高分子膜为PET膜。
4.如权利要求1或3所述的生瓷片表面粗糙度的调控方法，其特征在于：所述高分子膜和钢板的表面粗糙度均小于0.1μm。
5.一种LTCC基板表面粗糙度的调控方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)配制流延浆料；
(2)将步骤(1)配制的流延浆料进行流延处理，得到生瓷片；
(3)按照权利要求1～4任一项所述方法对步骤(2)得到的生瓷片表面粗糙度进行调控；
(4)生瓷片冲孔；
(5)在生瓷片上填充金属浆料，形成设计的电路图形；
(6)依次堆叠经步骤(5)处理的生瓷片；
(7)等静压处理，得到巴块；
(8)对巴块进行切割；
(9)将步骤(8)切割后的巴块进行烧结处理，再进行电镀，得到LTCC基板。
6.如权利要求5所述的LTCC基板表面粗糙度的调控方法，其特征在于：所述步骤(1)中，配制流延浆料的方法为：混合氧化铝粉体、PVB和溶剂，球磨，形成流延浆料。
7.如权利要求5所述的LTCC基板表面粗糙度的调控方法，其特征在于：所述步骤(2)中，将步骤(1)配制的流延浆料涂布流延到PET膜上，烘干，得到生瓷片。
8.如权利要求5所述的LTCC基板表面粗糙度的调控方法，其特征在于：所述步骤(4)中，在生瓷片上冲出孔径为0.1mm的通孔。
9.如权利要求5所述的LTCC基板表面粗糙度的调控方法，其特征在于：所述步骤(5)中，将生瓷片放置在丝网下面，用金属浆料平铺在丝网上面，通过丝印机的刮胶刮动浆料，在生瓷片上形成设计的电路图形。
10.如权利要求5所述的LTCC基板表面粗糙度的调控方法，其特征在于：所述步骤(7)中，等静压的温度为55-85℃，等静压的压力为10-55MPa。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710767741.6A CN107658230A (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种生瓷片及ltcc基板表面粗糙度的调控方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710767741.6A CN107658230A (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种生瓷片及ltcc基板表面粗糙度的调控方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107658230A true CN107658230A (zh) | 2018-02-02 |
Family
ID=61128064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710767741.6A Pending CN107658230A (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种生瓷片及ltcc基板表面粗糙度的调控方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107658230A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109905981A (zh) * | 2019-03-22 | 2019-06-18 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种低温共烧陶瓷电路板的制造方法 |
| CN115321959A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-11 | 广东环波新材料有限责任公司 | 环保型ltcc陶瓷浆料及基板制备方法 |
| CN115321989A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-11 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种调控ltcc用陶瓷基板的表面粗糙度的方法及其应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1226534A (zh) * | 1998-12-28 | 1999-08-25 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种陶瓷厚膜组合成型工艺 |
| US6692598B1 (en) * | 1999-10-18 | 2004-02-17 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Method of producing ceramic green sheet and method of manufacturing multilayer ceramic electronic part |
| CN103050414A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-04-17 | 贵州振华风光半导体有限公司 | 三维集成高密度厚薄膜多芯片组件的集成方法 |
| CN106380228A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-02-08 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种片状陶瓷平整化热处理工装及热处理工艺 |
-
2017
- 2017-08-30 CN CN201710767741.6A patent/CN107658230A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1226534A (zh) * | 1998-12-28 | 1999-08-25 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种陶瓷厚膜组合成型工艺 |
| US6692598B1 (en) * | 1999-10-18 | 2004-02-17 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Method of producing ceramic green sheet and method of manufacturing multilayer ceramic electronic part |
| CN103050414A (zh) * | 2012-11-28 | 2013-04-17 | 贵州振华风光半导体有限公司 | 三维集成高密度厚薄膜多芯片组件的集成方法 |
| CN106380228A (zh) * | 2016-08-26 | 2017-02-08 | 中国建筑材料科学研究总院 | 一种片状陶瓷平整化热处理工装及热处理工艺 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109905981A (zh) * | 2019-03-22 | 2019-06-18 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种低温共烧陶瓷电路板的制造方法 |
| CN109905981B (zh) * | 2019-03-22 | 2021-05-28 | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 | 一种低温共烧陶瓷电路板的制造方法 |
| CN115321959A (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-11 | 广东环波新材料有限责任公司 | 环保型ltcc陶瓷浆料及基板制备方法 |
| CN115321989A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-11 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种调控ltcc用陶瓷基板的表面粗糙度的方法及其应用 |
| CN115321989B (zh) * | 2022-08-26 | 2023-01-24 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种调控ltcc用陶瓷基板的表面粗糙度的方法及其应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107658230A (zh) | 一种生瓷片及ltcc基板表面粗糙度的调控方法 | |
| KR19990062716A (ko) | 정전흡착장치 및 그 제조방법 | |
| CN107130217B (zh) | 一种低成本、高密度ito靶材的制备方法 | |
| CN102034580A (zh) | 表面贴装高精度大功率ntc热敏电阻及其制作方法 | |
| CN104193340B (zh) | 流延成型法制备用于多层布线基板的AlN生瓷片的方法及制得的AlN生瓷片 | |
| CN113087526A (zh) | 一种超薄大尺寸ltcc陶瓷基板的制备方法 | |
| CN110867321A (zh) | 一种多层陶瓷电容器及其制备方法 | |
| CN113211903A (zh) | 一种陶瓷填充型碳氢树脂覆铜板的生产方法 | |
| CN102201285A (zh) | 层叠陶瓷电子部件的制造方法 | |
| CN114920556B (zh) | 一种陶瓷浆料及其制备的多层陶瓷电容器 | |
| EP3951860A1 (en) | Composite body | |
| CN211125377U (zh) | 一种多层陶瓷电容器 | |
| CN111799106A (zh) | 平面电容的制作方法及制作装置 | |
| CN104945002A (zh) | 一种陶瓷/树脂复合材料制备多层器件的方法 | |
| JP2011218268A (ja) | 塗膜形成方法および電子部品 | |
| KR100981299B1 (ko) | 무소성 세라믹스 하이브리드 후막기판의 제조방법 | |
| KR20210033807A (ko) | 방열시트 및 이를 포함한 방열 시스템 | |
| KR102195633B1 (ko) | 저온동시소결용 복합체의 제조방법 | |
| CN115572073B (zh) | 一种可控强析晶高频低损耗ltcc基板材料及其制备方法 | |
| KR100992288B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터의 제조방법 | |
| CN115636664B (zh) | 一种收缩率可调控的玻璃-陶瓷体系陶瓷基板材料及其制备方法 | |
| CN113386418B (zh) | 一种高性能聚四氟乙烯覆铜板的制备方法 | |
| CN102700220B (zh) | 一种介质基板的制备方法 | |
| CN116828699A (zh) | 陶瓷基板及其制造方法 | |
| CN117038330A (zh) | 一种氧化铝陶瓷电容及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180202 |