CN107623492A - 一种高频宽带压控振荡器及其运作方法 - Google Patents
一种高频宽带压控振荡器及其运作方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种高频宽带压控振荡器及其运作方法,包括:输入缓冲单元、谐振单元,输出缓冲单元、负阻单元和尾电流源单元,运作方法为:输入缓冲单元接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元;谐振单元根据电压信号产生振荡信号,并送至输出缓冲单元;输出缓冲单元对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号;负阻单元利用负阻产生的能量补偿谐振单元的损耗;尾电流源单元产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波及其附近的噪声。相对现有技术,本发明提高了振荡频率,增加了输出幅度,降低了相位噪声和偶次谐波噪声,提高了电流源的精度,满足毫米波频段信号源的性能要求。
Description
技术领域
本发明涉及振荡器技术领域,特别涉及一种高频宽带压控振荡器及其运作方法。
背景技术
随着无线通信技术的快速发展以及人们对通信需求的不断提高,应用于毫米波的无线通信技术已成为近年来研究的热点。因此,作为无线通信中收发机的核心模块,锁相环频率综合器直接影响着整个系统的性能,而压控振荡器则是锁相环频率综合器的核心电路;
压控振荡器(VCO,voltage-controlled oscillator)是指输出频率与输入控制电压有对应关系的振荡电路。目前,压控振荡器主要有两种实现形式,一种是环形(Ring)压控振荡器,一种是电感电容(LC)压控振荡器。
相位噪声是决定信息传输质量和可靠性的重要参数。因此,VCO的相位噪声己经成为设计中最关心的指标。通常,压控振荡器的噪声源可以分为:器件噪声和外界干扰噪声。其中器件噪声包括热噪声和闪烁噪声,外界干扰噪声包括MOS管的衬底噪声和电源噪声。
压控振荡器的噪声包括三部分:第一部分为谐振回路噪声,第二部分为交叉耦合管的噪声,第三部分为尾电流管的噪声。因此在设计时,要针对这几部分的噪声进行优化和处理。
现有压控振荡器包括:LC谐振模块,由第一电感、第一电容、第二电容组成,用于产生压控振荡器所需振荡频率的振荡信号。负阻电路,采用NMOS差分耦合电路,提供负阻以补偿谐振回路的损耗,以维持振荡。尾电流源电路,采用闪烁噪声较小的PMOS作为尾电流源,提供振荡单元所需的振荡电流。
传统LC压控振荡器,在高频频段上的相位噪声较差,输出幅度较低,远不能满足在毫米波频段上的性能要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种高频宽带压控振荡器及其运作方法,所要解决的技术问题是:在高频频段上的相位噪声较差,输出幅度较低,远不能满足在毫米波频段上的性能要求。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种高频宽带压控振荡器,包括:
输入缓冲单元,接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元;
谐振单元,用于根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元;
输出缓冲单元,用于对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号;
负阻单元,用于产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元的损耗;
尾电流源单元,用于产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元传输至谐振单元。
本发明的有益效果是:谐振单元提高了振荡频率,增加了输出幅度,具备更大的工作频率范围;采用输出缓冲单元,将谐振单元与后级电路进行缓冲,减小了相位噪声,同时采用共源放大器结构的缓冲电路具有驱动负载的作用;尾电流源单元采用新型威尔逊电流源,并采用大电容滤波技术,其中共源共栅结构能够有效的增加输出阻抗,提高了电流源的精度,有效降低了偶次谐波噪声,满足在毫米波频段上的性能要求。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述输入缓冲单元包括电感L2,所述电感L2的一端接入控制电压,另一端与谐振单元连接。
采用上述进一步方案的有益效果是:抑制输入电流的二次谐波分量进入交流地,防止恶化谐振回路的Q值。
进一步,所述谐振单元包括电感L1、电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,所述NMOS管M3的源极和漏极相连,并与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M4的源极和漏极相连,并与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M3的栅极和NMOS管M4的栅极均与所述电感L2连接;所述电容C1和电容C2串联,所述电容C1和电容C2串联后与所述电感L1并联。
采用上述进一步方案的有益效果是:提高了振荡频率,增加了输出幅度,具备更大的工作范围。
进一步,所述输出缓冲单元包括NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2,所述NMOS管M7的漏极经电阻R1与电源VDD连接;所述NMOS管M7的栅极与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M7的源极接地;所述电容C4的两端分别与所述NMOS管M7的漏极和源极连接;所述电感L3的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第一输出端连接;
所述NMOS管M8的漏极经电阻R2与电源VDD连接;所述NMOS管M8的栅极与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M8的源极接地;所述电容C3的两端分别与所述NMOS管M8的漏极和源极连接;电感L4的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第二输出端连接。
采用上述进一步方案的有益效果是:输出缓冲单元可以提高振荡电路与后级电路的隔离度,并产生较好的负载驱动。
进一步,所述负阻单元包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M5和NMOS管M6;所述PMOS管M1和PMOS管M2的漏极均与电源VDD连接,所述PMOS管M1的源极与所述PMOS管M2的栅极连接,所述PMOS管M2的源极与所述PMOS管M1的栅极连接,所述PMOS管M1的源极与所述电感L1的一端连接,和所述PMOS管M2的源极分别与所述电感L1的两另一端连接;
所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均与所述尾电流源单元连接,所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M6的源极连接,所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M5的源极连接,所述NMOS管M5和NMOS管M6的漏极分别与所述电感L1的两端连接。
采用上述进一步方案的有益效果是:能产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元的损耗,保障谐振单元的震荡信号稳定输出。
进一步,所述尾电流源单元包括NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、电容C5、电容C6和电感L5,所述NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连,所述NMOS管M9的源极接入电流源Iin;所述NMOS管M9的栅极与所述NMOS管M10的栅极相连,并与NMOS管M11的栅极连接;所述NMOS管M9的漏极、NMOS管M11的栅极、NMOS管M12的栅极和NMOS管M13的栅极均接入偏置电流源Ibias;所述NMOS管M12的漏极与其栅极连接;所述NMOS管M12的源极分别与所述NMOS管M13的源极和NMOS管M11的漏极连接;所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M11的源极均接地;
所述电容C5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端接地;所述电容C6的一端与所述NMOS管M13的漏极连接,另一端接地;所述电感L5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端与所述NMOS管M13的漏极连接。
采用上述进一步方案的有益效果是:尾电流源单元把二次谐波以上的偶次谐波滤除掉,抑制偶次谐波附近噪声对振荡器相位噪声的影响,降低了尾电流的沟道调制效应,减小了振荡器波形中的高次谐波失真,使振荡器的波形对称性提高。
进一步,所述NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11和NMOS管M12的宽长比相同;所述NMOS管M13的宽长比大于所述NMOS管M9的宽长比。
本发明解决上述技术问题的另一技术方案如下:一种高频宽带压控振荡器的运作方法,包括以下步骤:
步骤1:输入缓冲单元接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元;
步骤2:谐振单元根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元;同时负阻单元产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元的损耗;尾电流源单元产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元传输至谐振单元;
步骤3:输出缓冲单元对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号。
本发明的有益效果是:谐振单元提高了振荡频率,增加了输出幅度,具备更大的工作频率范围;采用输出缓冲单元,将谐振单元与后级电路进行缓冲,减小了相位噪声,同时采用共源放大器结构的缓冲电路具有驱动负载的作用;尾电流源单元采用新型威尔逊电流源,并采用大电容滤波技术,其中共源共栅结构能够有效的增加输出阻抗,提高了电流源的精度,有效降低了偶次谐波噪声,满足在毫米波频段上的性能要求。
附图说明
图1为本发明一种高频宽带压控振荡器的模块框图;
图2为本发明一种高频宽带压控振荡器的电路原理图;
图3为本发明尾电流源单元的运行原理图;
图4为本发明一种高频宽带压控振荡器的振荡波形图;
图5为本发明一种高频宽带压控振荡器的压控范围仿真图;
图6为本发明一种高频宽带压控振荡器的相位噪声仿真图;
图7为本发明一种高频宽带压控振荡器的运作方法的流程图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、输入缓冲单元,2、谐振单元,3、输出缓冲单元,4、负阻单元,5、尾电流源单元。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
如图1和图2所示,一种高频宽带压控振荡器,包括:
输入缓冲单元1,接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元2;
谐振单元2,用于根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元3;
输出缓冲单元3,用于对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号;
负阻单元4,用于产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元2的损耗;
尾电流源单元5,用于产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,同时抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元4传输至谐振单元2。
上述实施例中,谐振单元2提高了振荡频率,增加了输出幅度,具备更大的工作频率范围;采用输出缓冲单元3,将谐振单元2与后级电路进行缓冲,减小了相位噪声,同时采用共源放大器结构的缓冲电路具有驱动负载的作用;尾电流源单元5采用新型威尔逊电流源,并采用大电容滤波技术,其中共源共栅结构能够有效的增加输出阻抗,提高了电流源的精度,有效降低了偶次谐波噪声。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述输入缓冲单元1包括电感L2,所述电感L2的一端接入控制电压,另一端与谐振单元2连接。
上述实施例中,所述输入缓冲单元1由电感L2组成,采用压控端电感,可以抑制电流的二次谐波分量进入交流地,从而抑制谐振回路Q值的降低。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述谐振单元2包括电感L1、电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,所述NMOS管M3的源极和漏极相连,并与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M4的源极和漏极相连,并与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M3的栅极和NMOS管M4的栅极均与所述电感L2连接;所述电容C1和电容C2串联,所述电容C1和电容C2串联后与所述电感L1并联。
上述实施例中,谐振单元2包括电感L1,电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,用于产生压控振荡器所需振荡频率的振荡信号;传统电容电感压控振荡器中谐振腔采用单个电感L与电容C并联形成,其谐振频率可表示为:
振荡器的谐振腔采用单个电感L1、固定电容C1和固定电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4构成的可变电容并联形成;与传统谐振腔不同的是,采用固定电容并联到谐振腔中,提高了压控振荡器的固有频率;根据传统电路谐振频率表达式,可得本例的谐振频率:
其中,Cf=C1+C2,C1、C2分别为固定电容C1、固定电容C2的电容值,Cf为固定电容C1和固定电容C2串联后的两端的总电容值;Cm=Cm1+Cm2,Cm1、Cm2分别为NMOS管M3、NMOS管M4源漏相连后作为可变电容的电容值,Cm为NMOS管M3和NMOS管M4串联后的两端的总电容值。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述输出缓冲单元3包括NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2,所述NMOS管M7的漏极经电阻R1与电源VDD连接;所述NMOS管M7的栅极与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M7的源极接地;所述电容C4的两端分别与所述NMOS管M7的漏极和源极连接;所述电感L3的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第一输出端连接;
所述NMOS管M8的漏极经电阻R2与电源VDD连接;所述NMOS管M8的栅极与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M8的源极接地;所述电容C3的两端分别与所述NMOS管M8的漏极和源极连接;电感L4的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第二输出端连接。
上述实施例中,NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2构成电阻负载的共源极缓冲电路;其中L3、C4和L4、C3实现50欧姆阻抗匹配;其中MOS管M7、电阻R1、电感L3、电容C4与所述MOS管M8、电阻R2、电感L4、电容C3为对称结构。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述负阻单元4包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M5和NMOS管M6;所述PMOS管M1和PMOS管M2的漏极均与电源VDD连接,所述PMOS管M1的源极与所述PMOS管M2的栅极连接,所述PMOS管M2的源极与所述PMOS管M1的栅极连接,所述PMOS管M1的源极与所述电感L1的一端连接,和所述PMOS管M2的源极分别与所述电感L1的两另一端连接;
所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均与所述尾电流源单元5连接,所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M6的源极连接,所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M5的源极连接,所述NMOS管M5和NMOS管M6的漏极分别与所述电感L1的两端连接。
上述实施例中,PMOS管M1、PMOS管M2的宽长比相同;由PMOS管以及NMOS管交叉耦合差分对组成,所提供的负阻为传统单NMOS的两倍,振荡电路更容易起振,同时输出的波形更加对称。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述尾电流源单元5包括NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、电容C5、电容C6和电感L5,所述NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连,所述NMOS管M9的源极接入电流源Iin;所述NMOS管M9的栅极与所述NMOS管M10的栅极相连,并与NMOS管M11的栅极连接;所述NMOS管M9的漏极、NMOS管M11的栅极、NMOS管M12的栅极和NMOS管M13的栅极均接入偏置电流源Ibias;所述NMOS管M12的漏极与其栅极连接;所述NMOS管M12的源极分别与所述NMOS管M13的源极和NMOS管M11的漏极连接;所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M11的源极均接地;
所述电容C5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端接地;所述电容C6的一端与所述NMOS管M13的漏极连接,另一端接地;所述电感L5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端与所述NMOS管M13的漏极连接。
上述实施例中,尾电流源单元5采用新型威尔逊电流源,其中,NMOS管M9和NMOS管M10组成共源共栅结构,NMOS管M11和NMOS管M13组成源跟随器;其中,共源共栅管能够有效的增加输出阻抗,电流源的精度也有较大的提高。
如图3所示,初始噪声Vn在NMOS管M13的栅极进入,在经过NMOS管M11、NMOS管M13组成的源跟随器后,在NMOS管M13的源极输出噪声为V1,而NMOS管M12为栅漏相接的结构,保证了NMOS管12一直工作在饱和区,起到了一个小信号电阻的作用,在NMOS管M12的栅极形成了噪声V2,再通过共源共栅的NMOS管M9、NMOS管M10时形成了负反馈的噪声V3。
尾电流源单元5在2倍谐振频率出的噪声会通过负阻单元4进入谐振单元2,从而影响振荡器的相位噪声,为了抑制偶次谐波上的噪声,尾电流源单元5上并联一个起低通滤波作用的电容C5,调整合适的电容值,使得低通滤波器的截止频率低于二次谐波频率;通过加入的电容C5,这样会把二次谐波以上的偶次谐波滤除掉,抑制偶次谐波附近噪声对振荡器相位噪声的影响,降低了尾电流的沟道调制效应,减小了振荡器波形中的高次谐波失真,使振荡器的波形对称性提高。
如图4所示,压控振荡器的振荡波形图,该电路在6.7ns附近开始振荡,振幅接近1.2V,表现出较好的起振效果。
如图5所示,压控振荡器的压控范围仿真图,该电路的0-1.8V电压供电下,工作频率覆盖范围为10.7GHz-13.4GHz,调谐范围为22.4%,中心频率为12.05GHz,实现了宽带高频压控振荡器的效果。
如图6所示,压控振荡器的相位噪声仿真图,该电路在1MHz处的相位噪声为-111.9dBc/Hz,满足一般压控振荡器的相位噪声要求。
可作为本发明的一个实施例:所述NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11和NMOS管M12的宽长比相同;所述NMOS管M13的宽长比大于所述NMOS管M9的宽长比。
如图7所示,一种高频宽带压控振荡器的运作方法,包括以下步骤:
步骤1:输入缓冲单元1接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元2;
步骤2:谐振单元2根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元3;同时负阻单元4利用负阻产生的能量补偿谐振单元2的损耗;尾电流源单元5产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元4传输至谐振单元2;
步骤3:输出缓冲单元3对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号。
上述实施例中,谐振单元2提高了振荡频率,增加了输出幅度,具备更大的工作频率范围;采用输出缓冲单元3,将谐振单元2与后级电路进行缓冲,减小了相位噪声,同时采用共源放大器结构的缓冲电路具有驱动负载的作用;尾电流源单元5采用新型威尔逊电流源,并采用大电容滤波技术,其中共源共栅结构能够有效的增加输出阻抗,提高了电流源的精度,有效降低了偶次谐波噪声。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述输入缓冲单元1包括电感L2,所述电感L2的一端接入控制电压,另一端与谐振单元2连接。
上述实施例中,所述输入缓冲单元1由电感L2组成,采用压控端电感,可以抑制电流的二次谐波分量进入交流地,从而抑制谐振回路Q值的降低。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述谐振单元2包括电感L1、电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,所述NMOS管M3的源极和漏极相连,并与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M4的源极和漏极相连,并与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M3的栅极和NMOS管M4的栅极均与所述电感L2连接;所述电容C1和电容C2串联,所述电容C1和电容C2串联后与所述电感L1并联。
上述实施例中,谐振单元2包括电感L1,电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,用于产生压控振荡器所需振荡频率的振荡信号;传统电容电感压控振荡器中谐振腔采用单个电感L与电容C并联形成,其谐振频率可表示为:
振荡器的谐振腔采用单个电感L1、固定电容C1和固定电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4构成的可变电容并联形成;与传统谐振腔不同的是,采用固定电容并联到谐振腔中,提高了压控振荡器的固有频率;根据传统电路谐振频率表达式,可得本例的谐振频率:
其中,Cf=C1+C2,C1、C2分别为固定电容C1、固定电容C2的电容值,Cf为固定电容C1和固定电容C2串联后的两端的总电容值;Cm=Cm1+Cm2,Cm1、Cm2分别为NMOS管M3、NMOS管M4源漏相连后作为可变电容的电容值,Cm为NMOS管M3和NMOS管M4串联后的两端的总电容值。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述输出缓冲单元3包括NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2,所述NMOS管M7的漏极经电阻R1与电源VDD连接;所述NMOS管M7的栅极与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M7的源极接地;所述电容C4的两端分别与所述NMOS管M7的漏极和源极连接;所述电感L3的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第一输出端连接;
所述NMOS管M8的漏极经电阻R2与电源VDD连接;所述NMOS管M8的栅极与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M8的源极接地;所述电容C3的两端分别与所述NMOS管M8的漏极和源极连接;电感L4的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第二输出端连接。
上述实施例中,NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2构成电阻负载的共源极缓冲电路;其中L3、C4和L4、C3实现50欧姆阻抗匹配;其中MOS管M7、电阻R1、电感L3、电容C4与所述MOS管M8、电阻R2、电感L4、电容C3为对称结构。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述负阻单元4包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M5和NMOS管M6;所述PMOS管M1和PMOS管M2的漏极均与电源VDD连接,所述PMOS管M1的源极与所述PMOS管M2的栅极连接,所述PMOS管M2的源极与所述PMOS管M1的栅极连接,所述PMOS管M1的源极与所述电感L1的一端连接,和所述PMOS管M2的源极分别与所述电感L1的两另一端连接;
所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均与所述尾电流源单元5连接,所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M6的源极连接,所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M5的源极连接,所述NMOS管M5和NMOS管M6的漏极分别与所述电感L1的两端连接。
上述实施例中,PMOS管M1、PMOS管M2的宽长比相同;由PMOS管以及NMOS管交叉耦合差分对组成,所提供的负阻为传统单NMOS的两倍,振荡电路更容易起振,同时输出的波形更加对称。
可作为本发明的一个实施例:如图2所示,所述尾电流源单元5包括NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、电容C5、电容C6和电感L5,所述NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连,所述NMOS管M9的源极接入电流源Iin;所述NMOS管M9的栅极与所述NMOS管M10的栅极相连,并与NMOS管M11的栅极连接;所述NMOS管M9的漏极、NMOS管M11的栅极、NMOS管M12的栅极和NMOS管M13的栅极均接入偏置电流源Ibias;所述NMOS管M12的漏极与其栅极连接;所述NMOS管M12的源极分别与所述NMOS管M13的源极和NMOS管M11的漏极连接;所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M11的源极均接地;
所述电容C5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端接地;所述电容C6的一端与所述NMOS管M13的漏极连接,另一端接地;所述电感L5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端与所述NMOS管M13的漏极连接。
上述实施例中,尾电流源单元5采用新型威尔逊电流源,其中,NMOS管M9和NMOS管M10组成共源共栅结构,NMOS管M11和NMOS管M13组成源跟随器;其中,共源共栅管能够有效的增加输出阻抗,电流源的精度也有较大的提高。
如图3所示,初始噪声Vn在NMOS管M13的栅极进入,在经过NMOS管M11、NMOS管M13组成的源跟随器后,在NMOS管M13的源极输出噪声为V1,而NMOS管M12为栅漏相接的结构,保证了NMOS管12一直工作在饱和区,起到了一个小信号电阻的作用,在NMOS管M12的栅极形成了噪声V2,再通过共源共栅的NMOS管M9、NMOS管M10时形成了负反馈的噪声V3。
尾电流源单元5在2倍谐振频率出的噪声会通过负阻单元4进入谐振单元2,从而影响振荡器的相位噪声,为了抑制偶次谐波上的噪声,尾电流源单元5上并联一个起低通滤波作用的电容C5,调整合适的电容值,使得低通滤波器的截止频率低于二次谐波频率;通过加入的电容C5,这样会把二次谐波以上的偶次谐波滤除掉,抑制偶次谐波附近噪声对振荡器相位噪声的影响,降低了尾电流的沟道调制效应,减小了振荡器波形中的高次谐波失真,使振荡器的波形对称性提高。
如图4所示,压控振荡器的振荡波形图,该电路在6.7ns附近开始振荡,振幅接近1.2V,表现出较好的起振效果。
如图5所示,压控振荡器的压控范围仿真图,该电路的0-1.8V电压供电下,工作频率覆盖范围为10.7GHz-13.4GHz,调谐范围为22.4%,中心频率为12.05GHz,实现了宽带高频压控振荡器的效果。
如图6所示,压控振荡器的相位噪声仿真图,该电路在1MHz处的相位噪声为-111.9dBc/Hz,满足一般压控振荡器的相位噪声要求。
可作为本发明的一个实施例:所述NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11和NMOS管M12的宽长比相同;所述NMOS管M13的宽长比大于所述NMOS管M9的宽长比。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,包括:
输入缓冲单元(1),接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元(2);
谐振单元(2),用于根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元(3);
输出缓冲单元(3),用于对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号;
负阻单元(4),用于产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元(2)的损耗;
尾电流源单元(5),用于产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元(4)传输至谐振单元(2)。
2.根据权利要求1所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述输入缓冲单元(1)包括电感L2,所述电感L2的一端接入控制电压,另一端与谐振单元(2)连接。
3.根据权利要求2所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述谐振单元(2)包括电感L1、电容C1、电容C2、NMOS管M3和NMOS管M4,所述NMOS管M3的源极和漏极相连,并与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M4的源极和漏极相连,并与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M3的栅极和NMOS管M4的栅极均与所述电感L2连接;所述电容C1和电容C2串联,所述电容C1和电容C2串联后与所述电感L1并联。
4.根据权利要求3所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述输出缓冲单元(3)包括NMOS管M7、NMOS管M8、电容C3、电容C4、电感L3、电感L4、电阻R1和电阻R2,所述NMOS管M7的漏极经电阻R1与电源VDD连接;所述NMOS管M7的栅极与所述电感L1的一端连接;所述NMOS管M7的源极接地;所述电容C4的两端分别与所述NMOS管M7的漏极和源极连接;所述电感L3的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第一输出端连接;
所述NMOS管M8的漏极经电阻R2与电源VDD连接;所述NMOS管M8的栅极与所述电感L1的另一端连接;所述NMOS管M8的源极接地;所述电容C3的两端分别与所述NMOS管M8的漏极和源极连接;所述电感L4的一端与NMOS管M7的漏极连接,另一端与第二输出端连接。
5.根据权利要求3所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述负阻单元(4)包括PMOS管M1、PMOS管M2、NMOS管M5和NMOS管M6;所述PMOS管M1和PMOS管M2的漏极均与电源VDD连接,所述PMOS管M1的源极与所述PMOS管M2的栅极连接,所述PMOS管M2的源极与所述PMOS管M1的栅极连接,所述PMOS管M1的源极与所述电感L1的一端连接,和所述PMOS管M2的源极分别与所述电感L1的两另一端连接;
所述NMOS管M5和NMOS管M6的源极均与所述尾电流源单元(5)连接,所述NMOS管M5的栅极与所述NMOS管M6的源极连接,所述NMOS管M6的栅极与所述NMOS管M5的源极连接,所述NMOS管M5和NMOS管M6的漏极分别与所述电感L1的两端连接。
6.根据权利要求5所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述尾电流源单元(5)包括NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、电容C5、电容C6和电感L5,所述NMOS管M9的源极与NMOS管M10的漏极相连,所述NMOS管M9的源极接入电流源I in;所述NMOS管M9的栅极与所述NMOS管M10的栅极相连,并与NMOS管M11的栅极连接;所述NMOS管M9的漏极、NMOS管M11的栅极、NMOS管M12的栅极和NMOS管M13的栅极均接入偏置电流源Ibias;所述NMOS管M12的漏极与其栅极连接;所述NMOS管M12的源极分别与所述NMOS管M13的源极和NMOS管M11的漏极连接;所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M11的源极均接地;
所述电容C5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端接地;所述电容C6的一端与所述NMOS管M13的漏极连接,另一端接地;所述电感L5的一端与所述NMOS管M6的源极连接,另一端与所述NMOS管M13的漏极连接。
7.根据权利要求6所述一种高频宽带压控振荡器,其特征在于,所述NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11和NMOS管M12的宽长比相同;所述NMOS管M13的宽长比大于所述NMOS管M9的宽长比。
8.一种高频宽带压控振荡器的运作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1:输入缓冲单元(1)接入控制电压,将电压信号传输至谐振单元(2);
步骤2:谐振单元(2)根据电压信号产生振荡信号,将振荡信号传输至输出缓冲单元(3);同时负阻单元(4)产生负阻,利用负阻产生的能量补偿谐振单元(2)的损耗;尾电流源单元(5)产生工作电流,阻止谐振回路中电流的二次谐波分量进入地,抑制偶次谐波附近的噪声,抑制偶次谐波附近的噪声,将工作电流通过负阻单元(4)传输至谐振单元(2);
步骤3:输出缓冲单元(3)对振荡信号进行缓冲,并输出振荡信号。
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