CN107622976A - 一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法。过孔的制备方法包括：在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，其中，任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔；对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，形成过孔。可解决现有技术中的过孔制备方法形成的过孔的坡度角过大而导致的阵列基板产品良率降低的问题。

Description

一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法。

背景技术

在显示面板的制备过程中，阵列基板的制备是其中的一个重要工艺。阵列基板包括衬底基板和形成在衬底基板上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)层，在薄膜晶体管层中包括有源层、源漏极层、栅极层、绝缘层等多个层级结构，为实现不同膜层之间的连接，通常需要在绝缘层上形成过孔，并通过设置在过孔内的导线将绝缘层两侧的膜层进行连接。

目前，过孔的制备通常采用干法刻蚀工艺，即采用等离子体轰击的方式在薄膜上进行刻蚀。由于干法刻蚀为各向异性刻蚀，通常会导致形成的过孔的坡度角过大，不利于后续工艺中形成的导线的连接，甚至会出现断线等不良，降低了阵列基板的产品良率。

发明内容

本发明提供了一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法，用以解决现有技术中的过孔制备方法形成的过孔的坡度角过大而导致的阵列基板产品良率降低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：

一种过孔的制备方法，包括：

在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，其中，任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔；

对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，形成过孔。

本发明提供的过孔的制备方法中，在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层光刻胶层，每层光刻胶层上具有通孔，且任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔，则所述至少两层光刻胶层的通孔拼接形成一个在沿远离所述膜层的方向上通孔逐渐增大的刻蚀孔，通过该刻蚀孔对膜层进行刻蚀，则可使形成的过孔具有较小的坡度角，从而可降低由于过孔的坡度角过大导致的后续工艺中形成的导线的连接不良问题，可提高阵列基板的产品良率。

可选地，所述在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，具体包括：

针对任意两层相邻的光刻胶层，形成靠近所述膜层的光刻胶层包括:

形成一层光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成通孔的图形；

形成远离需形成过孔的膜层的光刻胶层包括：

在靠近所述膜层的光刻胶层上形成一层光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成通孔的图形。

进一步地，所述在所述光刻胶层上形成通孔的图形，具体包括：

通过曝光显影工艺在所述光刻胶层上形成通孔的图形。

进一步地，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的曝光量大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的图形曝光量。

进一步地，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，用于形成远离所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积大于用于形成靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积。

可选地，每层光刻胶层的厚度相等。

可选地，沿所述膜层到所述至少两层光刻胶层的方向上，所述至少两层光刻胶层的厚度逐渐减小。

可选地，沿所述膜层到所述至少两层光刻胶层的方向上，所述至少两层光刻胶层的厚度逐渐增大。

可选地，所述对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，具体包括：

通过干法刻蚀工艺对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀。

本发明还提供了一种显示基板的制备方法，包括如上述技术方案提供的过孔的制备方法。

附图说明

图1是本发明实施例提供的过孔的制备方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的过孔的制备方法形成的阵列基板的局部结构示意图；

图3是本发明实施例提供的过孔的制备方法形成的阵列基板的局部结构示意图；

图4是本发明实施例提供的过孔的制备方法形成的阵列基板的局部结构示意图；

图5是本发明实施例提供的过孔的制备方法形成的阵列基板的局部结构示意图；

图6是本发明实施例提供的过孔的制备方法形成的阵列基板的局部结构示意图。

附图标记：

10，衬底基板；20，栅极层；30，第一栅绝缘层；40，第二栅绝缘层；50，第一光刻胶层；51，第一通孔；60，第二光刻胶层；61，第二通孔；100，刻蚀孔；200，过孔。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种过孔的制备方法，用以解决现有技术中的过孔制备方法形成的过孔的坡度角过大而导致的阵列基板产品良率降低的问题。

参见图1所示，该制备方法包括以下步骤：

步骤S100，在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，其中，任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔；

步骤S200，对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，形成过孔。

以下结合附图对上述步骤的具体实施方式进行说明。参见图2所示，图2中示出的为一个阵列基板的局部结构示意图，该阵列基板包括衬底基板10、栅极层20、第一栅绝缘层30和第二栅绝缘层40，现需在第一栅绝缘层30和第二栅绝缘层40上形成过孔200，以使栅极和后续工艺中在第二栅绝缘层40上形成的其他膜层相连接，则本实施方式中需形成过孔200的膜层为第一栅绝缘层30和第二栅绝缘层40，具体实施中，需形成过孔200的膜层可为一层或多层。

上述步骤S100的具体实施过程参见图2-图6，如图2所示，在第二栅绝缘层40上形成第一光刻胶层50，具体地，第一光刻胶层50可采用涂覆或喷墨打印的方式涂布到第二栅绝缘层40上；

如图3所示，在第一光刻胶层50上形成第一通孔51的图形，图3所示的第一通孔51为其纵向截面示意图，在具体实施中，根据工艺需求，第一通孔51的横截面可为矩形、圆形等形状，第一通孔51的图形通过曝光显影工艺形成；

如图4所示，在第一光刻胶层50上形成第二光刻胶层60，第二光刻胶层60同样可采用涂覆或喷墨打印的方式涂布到第一光刻胶层50上；

如图5所示，在第二光刻胶层60上形成第二通孔61的图形，在具体实施中，根据工艺需求，第二通孔61的横截面可为矩形、圆形等形状，且第二通孔61的图形通过曝光显影工艺形成；其中，第二通孔61的横截面的面积大于第一通孔51的横截面的面积，且第二通孔61在第一光刻胶层50上的投影覆盖第一光刻胶层50上的第一通孔51。

图5中所示的第一通孔51和第二通孔61拼接为一个刻蚀孔100，该刻蚀孔100的直径沿由第一光刻胶层50到第二光刻胶层60的方向上逐渐增大，且第二栅绝缘层40的一部分通过该刻蚀孔100进行暴露，对第二栅绝缘层40暴露的部分进行刻蚀时，则在第二栅绝缘层40和第一栅绝缘层30上形成的过孔200会受刻蚀孔100的形状的影响，使过孔200的坡度角减小，则上述步骤S200的具体实施过程参见图6，如图6所示，在对第一栅绝缘层30和第二栅绝缘层40进行刻蚀后，形成过孔200，过孔200的坡度角θ的大小可根据第一通孔51和第二通孔61拼接成的刻蚀孔100的形状进行调整，具体实施中，需通过干法刻蚀工艺对膜层与至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀。

需要说明的是，图2-图6中仅示出了采用两层光刻胶层形成过孔200的方法，在具体实施中，光刻胶层的数量可不仅限于两层，依照需形成的过孔200的坡度角的所需范围大小，光刻胶层的数量还可为多层，具体例如3层、4层、5层等，在光刻胶层的数量多于两层时，则在形成多层光刻胶层时，针对任意两层相邻的光刻胶层，形成靠近膜层的光刻胶层包括:形成一层光刻胶层，并在光刻胶层上形成通孔的图形；形成远离需形成过孔200的膜层的光刻胶层包括：在靠近膜层的光刻胶层上形成一层光刻胶层，并在光刻胶层上形成通孔的图形。即在形成一层光刻胶层并形成通孔的图形后，再在该光刻胶层上形成另一层光刻胶层。

具体实施中，多层光刻胶层之间的厚度关系可如图2-图6所示，每层光刻胶层的厚度相等。另外，根据所需的多层光刻胶层上的通孔拼接成的刻蚀孔100的形状需求，还可使各个膜层之间的厚度不相等，则在其他实施方式中，在沿所需形成通孔的膜层到光刻胶层的方向上，多层光刻胶层的厚度逐渐减小，或，多层光刻胶层的厚度逐渐增大。

具体实施中，针对任意相邻的两层光刻胶层，为使远离需形成过孔的膜层的光刻胶层上的通孔的面积大于靠近膜层的光刻胶层上的通孔的面积，可采用如下实施方式：

方式一，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，远离膜层的光刻胶层的通孔的图形的曝光量大于靠近膜层的光刻胶层的通孔的图形曝光量。该实施方式中，由于远离膜层的光刻胶层的通孔的图形的曝光量较大，则在显影过程中可形成面积较大的通孔图形，进而使远离需形成过孔的膜层的光刻胶层上的通孔的面积大于靠近膜层的光刻胶层上的通孔的面积。

方式二，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，用于形成远离膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积大于用于形成靠近膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积。该实施方式中，通过掩膜板上的图形来调整光刻胶的曝光面积大小，同样可使远离需形成过孔的膜层的光刻胶层上的通孔的面积大于靠近膜层的光刻胶层上的通孔的面积。

综上所述可知，本发明实施例提供的过孔的制备方法中，在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层光刻胶层，每层光刻胶层上具有通孔，且任意两层相邻的光刻胶层中，远离膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离膜层的光刻胶层的通孔在靠近膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近膜层的光刻胶层的通孔，则至少两层光刻胶层的通孔拼接形成一个在沿远离膜层的方向上通孔逐渐增大的刻蚀孔，通过该刻蚀孔对膜层进行刻蚀，则可使形成的过孔具有较小的坡度角，从而可降低由于过孔的坡度角过大导致的后续工艺中形成的导线的连接不良问题，可提高阵列基板的产品良率。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括如上述实施例提供的过孔的制备方法。

具体实施中，该显示基板的制备方法可用于制备阵列基板或彩膜基板。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种过孔的制备方法，其特征在于，包括：

在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，其中，任意两层相邻的光刻胶层中，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积，且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔；

对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，形成过孔。

2.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，所述在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层，具体包括：

针对任意两层相邻的光刻胶层，形成靠近所述膜层的光刻胶层包括:

形成一层光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成通孔的图形；

形成远离需形成过孔的膜层的光刻胶层包括：

在靠近所述膜层的光刻胶层上形成一层光刻胶层，并在所述光刻胶层上形成通孔的图形。

3.根据权利要求2所述的过孔的制备方法，其特征在于，所述在所述光刻胶层上形成通孔的图形，具体包括：

通过曝光显影工艺在所述光刻胶层上形成通孔的图形。

4.根据权利要求3所述的过孔的制备方法，其特征在于，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，远离所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的曝光量大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的图形曝光量。

5.根据权利要求3所述的过孔的制备方法，其特征在于，在曝光工艺中，针对任意相邻的两层光刻胶层，用于形成远离所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积大于用于形成靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的图形的掩膜板的图形面积。

6.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，每层光刻胶层的厚度相等。

7.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，沿所述膜层到所述至少两层光刻胶层的方向上，所述至少两层光刻胶层的厚度逐渐减小。

8.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，沿所述膜层到所述至少两层光刻胶层的方向上，所述至少两层光刻胶层的厚度逐渐增大。

9.根据权利要求1所述的过孔的制备方法，其特征在于，所述对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀，具体包括：

通过干法刻蚀工艺对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀。

10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的过孔的制备方法。