CN107615381A - 磁盘用玻璃基板、磁盘、玻璃基板中间体和磁盘用玻璃基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

包含碱土金属成分作为玻璃组分的磁盘用玻璃基板的端面是镜面，在测量了对所述端面进行2.5μm蚀刻以后的所述端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率在40％以上。

Description

磁盘用玻璃基板、磁盘、玻璃基板中间体和磁盘用玻璃基板的 制造方法

技术领域

本发明涉及磁盘用玻璃基板、磁盘以及作为磁盘用玻璃基板的坯板的玻璃基板中间体。

背景技术

如今，在个人计算机、笔记本型个人计算机或者DVD(Digital Versatile Disc：数字通用光盘)记录装置等中内置有硬盘装置以进行数据记录。特别在笔记本型个人计算机等以便携性为前提的设备中所用的硬盘装置中，使用在非磁性体的磁盘用基板上设置有磁性膜(以下，也称作磁性层)的磁盘。作为磁盘用基板，例如使用玻璃基板。

作为磁盘，出于记录密度的高密度化和存储容量的大容量化的要求，开发出了DFH(Dynamic Flying Height：动态飞行高度)型的磁头(以下，也称作DFH磁头)，在该DFH磁头中，仅使记录再现元件(记录元件和再现元件中的至少一方)向介质表面侧突出，由此磁盘表面与记录再现元件之间的距离(以下，称作悬浮距离)比以往相比变短，例如悬浮距离为5nm左右。

在这样的DFH磁头中，由于上述悬浮距离短，因此必须避免微小粒子等附着于磁盘的主表面上。为了抑制该微小粒子的附着，期望不仅在玻璃基板的主表面上还在端面上也高精度地进行研磨，不形成微小的凹坑等缺陷。

一般而言，玻璃基板的端面包括玻璃基板的侧壁面、以及设置于该侧壁面与主表面之间的倒角面。在该玻璃基板中，已知有在倒角面不具有凹陷的凹坑缺陷的玻璃基板(专利文献1)。

该玻璃基板是通过在用固定有金刚石磨粒的磨具进行了倒角加工以后使用研磨刷进行端面研磨而获得的玻璃基板、且是在对玻璃基板的倒角面的表面进行5μm蚀刻以后观察到的直径或者长径为10μm以上的凹坑缺陷为5个/mm²以下的玻璃基板。

现有技术文件

专利文献

专利文献1：日本特开2012-142084号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述DFH磁头中，设置有用于对记录再现元件施加热而通过热膨胀来控制上述悬浮距离的加热器，但是，最近，为了进一步减小上述悬浮距离，作为用于高精度地进行上述悬浮距离的控制的功能元件，将HDI(Head Disk Interface：头盘界面)传感器搭载于DFH磁头。在该DFH磁头中，根据来自HDI传感器的信号，控制记录元件和再现元件中的至少一方的记录再现元件的突出量。利用搭载有该HDI传感器的DFH磁头，首次实现了即使在将记录再现元件与磁盘之间的距离极力减小为1nm以下的情况下也能够进行长期且稳定的记录再现。

使用由这样的DFH磁头和上述的不具有凹坑缺陷的玻璃基板制作而成的磁盘，在设DFH磁头的记录再现元件的悬浮距离为1nm、5nm和10nm的悬浮条件下进行长期介质耐久性测试时，在悬浮距离为1nm的悬浮条件下，确认到再现信号的SN比降低的现象。在现有的悬浮距离为5nm和10nm的悬浮条件下，未看到上述SN比的降低。

因此，认为在设悬浮距离为1nm以下的悬浮条件下，由于到目前为止无需考虑的现象而使得再现信号的SN比降低。

因此，本发明提供一种即使在悬浮距离比以往小的记录再现元件的悬浮条件下，磁盘的记录再现也不会产生障碍的磁盘用玻璃基板、磁盘、玻璃基板中间体和磁盘用玻璃基板的制造方法。

用于解决问题的手段

本发明的一个方式是一种磁盘用玻璃基板，该磁盘用玻璃基板包含碱土金属成分作为玻璃组分。该磁盘用玻璃基板包含碱土金属成分作为玻璃组分，其中，

所述玻璃基板的端面是镜面，

所述端面具有如下的面：在测量了对所述端面进行2.5μm蚀刻以后的所述端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，该面中粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上。

优选的是，所述粗糙度百分率为50％以上。

优选的是，所述粗糙度百分率为60％以下。

优选的是，所述镜面的算术平均表面粗糙度为0.015μm以下。

优选的是，构成所述磁盘用玻璃基板的玻璃的玻璃化温度为700℃以上。

优选的是，所述玻璃基板的所述端面具有侧壁面、以及所述玻璃基板的主表面与所述侧壁面之间的倒角面，所述侧壁面是所述粗糙度百分率为40％以上的面。

优选的是，构成所述磁盘用玻璃基板的玻璃是无碱玻璃。

优选的是，所述玻璃基板是与具有DFH(Disk Flying Height：动态飞行高度)功能的磁头一起搭载于硬盘驱动器的磁盘用玻璃基板。

优选的是，所述玻璃基板是用于能量辅助磁记录方式用的磁盘的玻璃基板。

此外，本发明的另一方式是一种磁盘，该磁盘在所述磁盘用玻璃基板的表面至少具有磁性膜。

此外，本发明的再一方式是作为磁盘用玻璃基板的坯板的玻璃基板中间体，该玻璃基板中间体包含碱土金属成分作为玻璃组分。在该玻璃基板中间体中，

所述玻璃基板中间体的端面是镜面，

所述端面具有如下的面：在测量了对所述端面进行2.5μm蚀刻以后的所述端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，该面中粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上。

优选的是，所述粗糙度百分率为50％以上。

优选的是，所述粗糙度百分率为60％以下。

优选的是，构成所述玻璃基板中间体的玻璃是无碱玻璃。

并且，本发明的再又一方式是一种进行玻璃基板的端面研磨处理的磁盘用玻璃基板的制造方法。在该制造方法中的所述端面研磨处理中，以使得在对所述玻璃基板的端面进行2.5μm蚀刻以后的所述端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上的方式，进行所述端面的研磨。

本发明的再又一方式也是进行玻璃基板的端面研磨处理的磁盘用玻璃基板的制造方法。在该情况下，其特征在于，在所述玻璃基板中间体的主表面上至少进行研磨处理。

发明效果

根据上述磁盘用玻璃基板、磁盘、玻璃基板中间体和磁盘用玻璃基板的制造方法，能够抑制玻璃基板的端面上的腐蚀的产生。其结果，即使在记录再现元件的悬浮距离比以往小的悬浮条件下，磁盘的记录再现也不会产生障碍，能够抑制再现信号的SN比的降低。

附图说明

图1是示出本实施方式的磁盘用玻璃基板的外观形状的图。

图2是本实施方式的磁盘用玻璃基板的端面的放大剖视图。

图3是说明玻璃基板的粗糙度截面积的负荷率曲线的图。

图4是说明粗糙度截面积(截面长度)的负荷率的图。

图5的(a)～(d)是示出各种一维的表面形状的波形和这时获得的粗糙度截面长度的负荷率曲线的图。

图6是说明求出本实施方式的玻璃基板的侧壁面与倒角面之间的连接部分的截面形状的曲率半径的方法的图。

图7是说明对本实施方式的玻璃基板的端面进行的磨削的一例的图。

图8是说明本实施方式中的端面研磨处理的一例的图。

图9是说明本实施方式中的端面研磨处理的一例的图。

图10是说明本实施方式中的端面研磨处理的一例的图。

图11是说明本实施方式中的端面研磨处理的一例的图。

具体实施方式

以下，对本发明的磁盘用玻璃基板、磁盘、玻璃基板中间体和磁盘用玻璃基板的制造方法详细地进行说明。

本申请发明人在调查研究了在设磁头的记录再现元件的悬浮距离为1nm以下的悬浮条件下再现信号的SN比降低的玻璃基板时，发现了在端面形成有由于以往如果将玻璃基板的端面研磨成镜面状则不会产生的腐蚀(玻璃成分的熔析)而引起的物质。认为引起该腐蚀的物质是在主表面上移动并且附着于记录再现元件的物质。即，认为玻璃基板的端面即使被镜面精加工，端面的表面也会由于磁盘制作时的成膜处理时的热冲击等而受到损伤，使得通过形状加工或端面研磨而形成的潜在裂纹增大而使得裂纹变得明显，由于该明显的裂纹而产生了玻璃成分的一部分、例如镁或钙等碱土金属成分熔析的腐蚀。熔析后的碱土金属成分有时还与空气中的二氧化碳发生反应，生成碳酸镁或碳酸钙等碳酸盐。特别是，在通过使用激光束等对磁盘进行局部加热来记录信息的HAMR(Heat Assisted MagneticRecording：热辅助磁记录)等面向能量辅助磁记录方式用的磁盘使用的玻璃基板中，需要在磁性层的成膜后以例如500～700℃的温度进行退火处理，因此必须更大地抑制腐蚀的产生。

本申请发明人为了抑制该腐蚀的产生，深刻研究了玻璃基板的端面的表面形状和腐蚀的产生，其结果，想到了以下的技术。

·本说明书中所说的算术平均粗糙度Ra和最大高度Rz的值是依照JIS B0601：2001的值。

·为了求出粗糙度截面积的负荷率、算术平均粗糙度Ra和最大高度Rz的值而进行的玻璃基板的端面的表面形状的计测使用激光显微镜在50μm四边的评价区域中按照以下的条件进行。

观察倍率：3000倍、

高度方向(Z轴)的测量间距：0.01μm、

截止值λs：0.25μm、

截止值λc：80μm。

另外，高度方向的分辨率优选为1nm以下。此外，虽然在本实施方式中观察倍率为3000倍，但观察倍率根据测量面的大小而在1000～3000倍左右的范围内适当选择。

(磁盘)

磁盘形成为将圆板形状的中心部分裁切为同心圆形状的环形，绕环的中心旋转。磁盘具有玻璃基板、以及至少磁性层(磁性膜)。另外，除了磁性层以外，还形成有例如附着层、软磁层、非磁性基底层、垂直磁记录层、保护层和润滑层等。附着层例如使用Cr合金等。附着层作为与玻璃基板的粘接层发挥功能。软磁层例如使用CoTaZr合金等。非磁性基底层例如使用颗粒非磁性层等。垂直磁记录层例如使用颗粒磁性层等。保护层使用由氢碳构成的材料。润滑层例如使用氟系树脂等。

磁盘例如使用同轴(in-line)式溅射装置，在玻璃基板的两个主表面上依次形成CrTi的附着层、CoTaZr/Ru/CoTaZr的软磁层、CoCrSiO₂的非磁性颗粒基底层、CoCrPt-SiO₂·TiO₂的颗粒磁性层、氢化碳保护膜。并且，通过浸渍法在所形成的最上层形成全氟聚醚润滑层。

作为本实施方式中的磁盘用玻璃基板的材料，能够使用铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃等。特别在能够制作容易减少主表面的平面度、弯曲性、粗糙度且基板的强度优异的磁盘用玻璃基板的方面，能够优选使用无定形的铝硅酸盐玻璃。此外，铝硅酸盐玻璃由于还能够实施化学强化，因此优选。

(玻璃组分1)

虽然不对本实施方式的玻璃基板的组分进行限定，但本实施方式的玻璃基板优选是由换算为氧化物基准、以质量％表示而含有

[SiO₂]+0.43×[Al₂O₃]+0.59×[CaO]-74.6≤0，并且，

[SiO₂]+0.21×[MgO]+1.16×[CaO]-83.0≤0

的无碱玻璃的组分构成的无定形的铝硅酸盐玻璃。上述[]是[]内的玻璃成分的含有率(质量％)。下面，也将上述称作玻璃组分1。

(玻璃组分2)

此外，作为其他优选的玻璃组分，还可列举下述组分。即，是由换算为氧化物基准、以质量％表示而含有

的玻璃的组分构成的无定形的铝硅酸盐玻璃。

本实施方式的玻璃基板包含MgO、CaO、SrO等碱土金属成分中的任意成分，作为玻璃组分的必须成分。另外，虽然可以包含碱金属成分(Li₂O、Na₂O、K₂O)，但在想提高Tg的情况下优选减少含有量，更优选不包含。此外，在包含碱金属成分的玻璃的情况下，有时还根据玻璃组分的不同而担心碱金属成分的熔析，但通过使其含有量降低或者为零(无碱玻璃)，能够减少熔析风险。

另外，为了应对形成磁性膜时的加热处理，优选调整玻璃组分以使玻璃化温度(Tg)成为600℃以上。玻璃化温度更优选为700℃以上，进一步优选为750℃以上。特别是，在设玻璃化温度为700℃以上时，还能够耐受上述的500～700℃的全部温度区域的热处理，因此优选设玻璃化温度为700℃以上。这样的玻璃基板适合于用作面向能量辅助磁记录方式用的磁盘使用的玻璃基板。

(磁盘用玻璃基板)

图1是示出本实施方式的磁盘用玻璃基板的外观形状的图。图2是磁盘用玻璃基板的外周侧端面的放大剖视图。

如图1所示，本实施方式中的磁盘用玻璃基板是形成有内孔2的环形的薄板的玻璃基板。玻璃基板的尺寸(直径)随意。玻璃基板例如能够在标称1.8～3.5英寸尺寸的基板中使用。板厚也未特别限制，例如能够设为0.3～3mm。

如图2所示，本实施方式的玻璃基板具有：一对主表面1p；玻璃基板的侧壁面1t，其与一对主表面1p垂直地延伸；以及倒角面1c，其设置于侧壁面1t与主表面1p之间，从侧壁面1t起相对于侧壁面1t倾斜地延伸，与主表面1p连续。虽然未图示，但玻璃基板的内周侧端面也同样形成有侧壁面和倒角面。另外，倒角面的一部分或者全部可以形成为在俯视时为圆弧状。

本实施方式的玻璃基板的关于侧壁面和倒角面中的至少任意一方的面的表面形状，成为满足以下2个要件1、2的形状。

(要件1)玻璃基板的端面是镜面、

(要件2)玻璃基板的端面具有如下粗糙度百分率：在测量了对玻璃基板的端面进行2.5μm湿蚀刻以后的端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上。

要件1的玻璃基板的端面是镜面是指：对玻璃基板的端面进行研磨处理，端面如镜子那样反射物体的像而在面上显现出像的面。关于镜面，例如端面的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra优选为0.015μm以下。在端面的算术平均粗糙度R大于0.015μm的情况下，在表面的凹部中会捕捉异物，由此异物(微粒子)容易附着。此外，端面的表面粗糙度的最大高度Rz优选为0.15μm以下。通过设最大高度Rz为0.15μm以下，端面上产生的筋状的槽的深度变浅，因此研磨中使用的胶体硅等微粒子难以附着(残留)于表面。

更优选的是，算术平均粗糙度Ra为0.015μm以下，并且上述最大高度Rz优选为0.15μm以下。

根据以下说明的端面(侧壁面和/或者倒角面)的粗糙度截面积的负荷率曲线求出要件2的粗糙度百分率(粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率)。图3是说明侧壁面和/或者倒角面的粗糙度截面积的负荷率曲线的图。另外，粗糙度截面积的负荷率曲线也称作轴承曲线。

这里，“粗糙度百分率”是指在假设作为对象的物体的表面附近区域的表面形状的测量结果(或者表面形状的测量数据)中，利用在某一高度上与生成该表面的宏观形状的面平行的平面对上述物体的表面附近区域进行切断时，用百分比表示设上述进行切断的平面在该表面附近区域中与突出最大的最大突出部分相接的切断高度的等级(切断等级)为最高高度0％、在玻璃基板的表面附近区域中与凹陷最深的最深谷部相接的切断高度的等级(切断等级)为最低高度100％时的切断高度的等级的值。“粗糙度截面积的负荷率”是指用百分比表示在特定的切断等级中对该表面附近区域进行切断的切断面的面积相对于该物体的表面附近区域在切断面上存在的区域的面积(即，从与切断面垂直的方向观察时的该物体的表面附近区域的面积、且不是沿着该表面的凹凸的表面积)的比率的值。在图4所示的一维的表面形状的例子中，“粗糙度截面积的负荷率”是对物体的表面附近区域进行切断的区域的长度L1、L2、L3、L4的合计长度(L1+L2+L3+L4)相对于切断长度L0的比率的用百分比表示的值。图4是说明粗糙度截面积的负荷率的图。

“粗糙度截面积的负荷率曲线”是表示针对作为对象的表面附近区域，以纵轴为粗糙度百分率的轴、横轴为粗糙度截面积的负荷率的轴时的两者的关系的曲线。

图5的(a)～(d)是示出多个一维的表面形状的波形c～f和此时获得的粗糙度截面长度的负荷率曲线C～F的图。在图5的(a)～(d)所示的例子中，为了求出一维的波形的负荷率曲线，所以成为粗糙度截面长度的负荷率曲线，但在图3所示的例子中是调查并求出了粗糙度截面积的负荷率曲线。

如图5的(a)所示，在凸部隔着间隔从大致恒定的等级的表面突出的波形c的情况下，负荷率曲线C是如下曲线：在粗糙度百分率从0％朝100％前进(朝图中的纵轴下方前进)时，负荷率平稳上升(朝图中的横轴右方向前进)。与此相对，如图5的(d)所示，在裂纹等的凹部隔着间隔从大致恒定的等级的表面朝内部发展的波形f的情况下，负荷率曲线F是如下曲线：在粗糙度百分率从0％朝100％前进时(朝图中的纵轴下方向前进)时，负荷率急剧上升(朝图中的横轴右方向前进)。如图5的(b)所示，在凸部和凹部以大致相同的比率出现的一维波形d的情况下，负荷率曲线D是在粗糙度百分率从0％朝100％前进(朝图中的纵轴下方向前进)时负荷率的上升(图中的横轴右方向)的梯度大致固定的曲线，该梯度处于负荷率曲线C的梯度与负荷率曲线F的梯度的中间。因此，能够根据负荷率曲线把握表面形状为何种形状。

关于上述的要件2，首先，求出关于对玻璃基板的端面进行2.5μm湿蚀刻后的端面的表面形状的负荷率曲线。该表面形状的数据通过关于湿蚀刻后的端面的表面形状的计测而获得。此时，本实施方式的玻璃基板的湿蚀刻后的端面中，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率成为40％以上。优选的是，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率成为50％以上。这样，本实施方式的玻璃基板的端面具有在对玻璃基板的端面进行了湿蚀刻时粗糙度百分率成为40％以上的表面形状。

使用湿蚀刻后的端面的表面形状的粗糙度百分率的值来确定玻璃基板的端面的表面形状是因为，在用于形成侧壁面1t和倒角面1c(参照图2)的形状加工处理时，在玻璃基板的端面的表面附近形成潜在裂纹，该潜在裂纹的间隙通过湿蚀刻而扩展，潜在裂纹变得明显。即，在端面研磨处理后的玻璃基板的端面上形成有许多如果不进行湿蚀刻则不会变得明显的潜在裂纹，为了通过湿蚀刻使该潜在裂纹变得明显后对端面进行评价，求出湿蚀刻后的端面的表面形状的负荷率曲线。

在本实施方式的玻璃基板中，湿蚀刻后的端面的表面形状的粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上。这意味着，湿蚀刻后的端面不是如图5的(d)所示的表面形状，而是如图5的(b)所示的表面形状。即，意味着不是如图5的(d)所示的裂纹等凹部朝内部发展的表面形状。通过粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率的值来确定端面的表面形状是因为，能够根据该值获知负荷率曲线的形状，并且，能够精密地获知湿蚀刻后的端面的表面形状。

关于图3所示的端面的表面形状的负荷率曲线，在负荷率曲线A中，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上，在负荷率曲线B中，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率小于40％。因此，表示负荷曲线A的端面的表面形状接近如图5的(b)所示的以大致相同的比率包含凹部和凸部的表面形状，表示负荷曲线B的表面形状接近如图5的(c)、(d)所示的裂纹等凹部隔着间隔从大致恒定的表面等级起进行发展的表面形状。

即，要件2意味着即使对端面进行湿蚀刻，明显存在的潜在裂纹也较少。因此，在满足要件1和要件2的玻璃基板中，附着于端面的微粒子较少，此外，潜在裂纹较少，因此即使潜在裂纹由于磁盘制作时的成膜处理时的热冲击等而扩展而使潜在裂纹变得明显，明显的裂纹也较少。因此，能够抑制玻璃基板中的腐蚀的产生。即，本实施方式的玻璃基板能够在设悬浮距离为1nm以下的记录元件或者再现元件的悬浮条件下，记录再现的障碍较少，能够抑制信号的SN比的降低。

在玻璃基板包含碱土金属成分的情况下，碱土金属成分容易在玻璃基板的表面熔析。即使是由包含这样的碱土金属成分的含碱土类玻璃构成的玻璃基板，本实施方式的玻璃基板的潜在裂纹也较少，因此能够抑制腐蚀的产生。

这样，本实施方式的端面是镜面，端面具有在湿蚀刻后的端面的粗糙度截面积的负荷率曲线中粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上的表面形状。在后述的玻璃基板的制造方法中，具有这样的表面形状的端面通过使用后述的形状加工处理和使用了磁功能性流体的端面研磨处理来调整处理条件而实现。在利用现有的研磨刷或研磨垫的端面研磨处理中，在通过使研磨刷或研磨垫与端面抵接而进行研磨的端面研磨处理中，即使能够使端面成为镜面，在表面附近也容易形成潜在裂纹，因此不满足要件2。在使用了磁功能性流体的端面研磨处理中，磁功能性流体因磁而变硬，但与研磨刷或研磨垫相比，匹配玻璃基板的侧壁面1t和倒角面1c的截面形状而更加柔软地变形，因此与研磨刷或研磨垫相比，难以在侧壁面1t或倒角面1c的表面形成筋状的槽或潜在裂纹。磁功能性流体例如适当地使用在磁粘性流体中包含研磨磨粒的浆料。

另外，蚀刻后的粗糙度百分率优选为60％以下。在蚀刻后的粗糙度百分率大于60％时，端面的表面形状接近如图5的(a)所示的波形c的表面形状，表面容易损伤。该原因并不一定明确，但在蚀刻后的粗糙度百分率大于60％的情况下，蚀刻前的玻璃基板端面被估计为其表面的较大区域由于蚀刻或摩擦等而容易受到浸蚀等损伤。因此，被推测为在端面研磨后被保持于载置部上并进行主表面研磨的情况或在进行成膜处理时用爪状的夹具保持磁盘用玻璃基板的外周端面的情况下，端面容易损伤。

通常，在磁性膜等的成膜工序中，侧壁面1t与爪状的保持夹具接触，另一方面，倒角面1c不与保持夹具接触，因此比倒角面1c更容易受到损伤。因此，特别是，侧壁面1t优选具有满足要件2的表面形状。另外，侧壁面1t有时还在主表面的磨削/研磨工序中受到由于与载置部等的接触而引起的损伤。

并且，更优选玻璃基板的侧壁面1t和倒角面1c具有满足要件2的表面形状。由此，可抑制在玻璃基板的侧壁面1t和倒角面1c上产生腐蚀。通常，在磁性膜等的成膜工序或主表面的磨削/研磨工序中，倒角面1c不与爪状的保持夹具或载置部等接触，所以比侧壁面1t更难以受到损伤，但由于相比侧壁面1t更接近主表面，因此在产生了腐蚀的情况下容易移动到主表面。因此，通过利用侧壁面1t和倒角面1c双方来满足要件1、2，能够更好地抑制主表面上的腐蚀的产生。

玻璃基板的侧壁面1t与倒角面1c的连接部分有时通过形状加工处理或者端面研磨处理而成为圆形。在该情况下，以玻璃基板的中心为基准在圆周方向上每30度设置测量点，在求出侧壁面1t与倒角面1c之间的连接部分的截面形状的测量点处的曲率半径时，相邻的测量点之间的曲率半径之差优选为0.01mm以下。由此，能够抑制端面形状的圆周上的偏差。另外，在该值大于0.01mm时，有时在组装到HDD中后产生颤震的问题。

另外，侧壁面1t与倒角面1c的连接部分的曲率半径R能够如下所述求出。

图6是说明求出侧壁面1t与倒角面1c之间的连接部分的截面形状的曲率半径的方法的图。在图6中，R是圆C2的半径，该圆形成侧壁面1t与倒角面1c之间的连接部分的截面形状的曲率，且R是该连接部分的形状的曲率半径。首先，设将倒角面1c的直线部延伸后的假想线L1与将侧壁面1t的直线部延伸后的假想线L2的交点为P1。接着，设定通过交点P1且与倒角面1c的直线部垂直地延伸的假想线L3。接下来，设侧壁面1t和倒角面1c之间的连接部分与假想线L3的交点为P2。接下来，在玻璃基板的截面中，设定以交点P2为中心具有规定半径(例如50μm)的圆C1。接下来，分别设侧壁面1t与倒角面1c之间的连接部分与圆C1的外周的2个交点为P3、P4。并且，设定分别通过3个交点P2、P3、P4的圆C2。这样，通过求出圆C2的半径，求出侧壁面1t与倒角面1c之间的连接部分的截面形状的曲率半径R。

此外，用于形成本实施方式的玻璃基板的侧壁面1t和倒角面1c的形状加工处理优选通过对玻璃基板的端面进行以下说明的磨削而形成侧壁面1t和倒角面1c。图7是说明在本实施方式中进行的磨削的一例(下面，将该磨削称作螺旋形磨削)的图。

如图7所示，玻璃基板G的端面的磨削加工中使用的磨削磨具40整体上形成为圆筒状，并且具有槽50。槽50形成为能够通过磨削加工同时形成玻璃基板G的侧壁面1t和倒角面1c的双方的面。具体而言，槽50具有由侧壁部50a和存在于其两侧的倒角部50b、50b构成的槽形状。上述槽50的侧壁部50a和倒角部50b、50b考虑玻璃基板G的磨削加工面的精加工目标的尺寸形状而形成为规定的尺寸形状。

在形成玻璃基板的端面的形状加工中，在使玻璃基板G相对于在磨削磨具40中形成的槽50的槽延伸的圆周方向倾斜的状态，即，使玻璃基板G的旋转轴L1相对于磨削磨具40的旋转轴L₄₀倾斜了角度α(在图7中，α设逆时针的角度为正。)的状态下，使磨削磨具40与玻璃基板G的端面接触，同时使玻璃基板G和磨削磨具40双方旋转而进行磨削加工。

玻璃基板G相对于上述磨削磨具40的槽方向的倾斜角度α能够任意设定，但为了更好地发挥上述的作用效果，例如优选设为1～15度的范围内。磨削加工中使用的磨削磨具40优选利用树脂(resin)固定了金刚石磨粒而成的磨具(树脂粘结磨具)或利用电镀镀层固定了金刚石磨粒而成的电镀镀层磨具。金刚石磨具的编号例如为#800～#3000。

磨削磨具40的周速的优选例为500～3000m/分钟，玻璃基板G的周速为1～30m/分钟左右。此外，磨削磨具40的周速与玻璃基板G的周速之比(周速比)优选处于50～300的范围内。

另外，可以将上述磨削工序分为2次，如上所述在玻璃基板G的旋转轴倾斜了角度α(α>0)的状态下进行第1次的磨削，在使玻璃基板G的旋转轴倾斜了-α的角度的状态下使用其他磨具进行第2次的磨削，将第2次的磨削的份额(取代)调整为少于第1次的磨削的份额。另外，在形状加工处理中，更优选在螺旋形磨削之前进行利用成型磨具的磨削。

(磁盘用玻璃基板的制造方法)

接着，说明本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法。首先，通过冲压成型制作具有一对主表面的作为板状的磁盘用玻璃基板的原材的玻璃坯料(冲压成型处理)。另外，在本实施方式中，通过冲压成型制作玻璃坯料，但也可以通过公知的浮式法、再曳引法(redraw)法或者熔融法(fusion)形成玻璃板，从玻璃板切出与上述玻璃坯料相同的形状的玻璃坯料。

接着，在制作成的玻璃坯料的中心部分形成圆形的内孔，成为环形状(圆环状)的玻璃基板(圆孔形成处理)。接着，对形成有内孔的玻璃基板的内周端部和外周端部进行形成倒角面的形状加工(形状加工处理)。由此，可获得能够在端面上形成有倒角面和侧壁面的玻璃基板。接着，对形状加工后的玻璃基板进行端面研磨(端面研磨处理)。在进行了端面研磨的玻璃基板上进行利用固定磨粒的磨削(磨削处理)。接着，在玻璃基板的主表面上进行第1研磨(第1研磨处理)。接着，根据需要对玻璃基板进行化学强化(化学强化处理)。接着，对玻璃基板进行第2研磨(第2研磨处理)。然后，对第2研磨处理后的玻璃基板进行超声波清洗(超声波清洗处理)。经过以上的处理，可获得磁盘用玻璃基板。下面，对各处理详细地进行说明。

另外，本实施方式的满足要件1、2的磁盘用玻璃基板除了包含通过磁盘用玻璃基板的制造方法制造出的上述第2研磨(最终研磨)处理后的作为最终产品的磁盘用玻璃基板以外，还包含作为上述端面研磨处理后且第2研磨(最终研磨)处理之前的作为最终产品的磁盘用玻璃基板的坯板的玻璃基板中间体(下面，简称作玻璃基板中间体)。玻璃基板中间体是进行了端面研磨处理的玻璃基板，例如包括进行上述磨削处理之前的玻璃基板、虽然进行了上述磨削处理但进行上述第1研磨处理之前的玻璃基板、或者虽然进行了上述磨削处理和上述第1研磨处理但进行上述第2研磨处理之前的玻璃基板在内。

(a)冲压成型处理

利用切断器切断熔融玻璃流的前端部，将切断后的熔融玻璃块夹入到一对模具的冲压成型面之间，进行冲压而成型圆板形状的玻璃坯料。在进行了规定时间的冲压之后，打开模具而取出玻璃坯料。

(b)圆孔形成处理

使用钻头等对玻璃坯料形成圆形的内孔，由此还能够获得开设有圆形的孔的盘状的玻璃基板。

(c)形状加工处理

在形状加工处理中，进行针对圆孔形成处理后的玻璃基板的端面的倒角加工。倒角加工使用磨削磨具等进行。通过倒角加工，在玻璃基板的端面上形成具有与玻璃基板的主表面垂直地延伸的基板的侧壁面、以及设置于该侧壁面与主表面之间并相对于侧壁面倾斜地延伸的倒角面的端面。

形状加工处理可以通过上述的螺旋形磨削，形成侧壁面和倒角面。并且，也可以在螺旋形磨削之前进行利用成型磨具的磨削。

(d)端面研磨处理

在端面研磨处理中，通过端面研磨处理对玻璃基板的外周侧端面和内周侧端面进行镜面精加工，该端面研磨处理使用了如下所述的磁功能性流体。在磁功能性流体中，除了磁性粒子以外还包含研磨磨粒。由此，能够获得满足要件1和要件2的玻璃基板。即，进行端面的研磨以使得玻璃基板的端面具有如下的表面形状：在测量了对玻璃基板的端面进行2.5μm湿蚀刻之后的端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上。特别从抑制腐蚀的方面来说，优选对玻璃基板的外周侧端面进行使用了磁功能性流体的端面研磨处理。外周侧端面的面积大于内周侧端面，此外，外周侧端面在例如作为磁盘而组装的HDD(硬盘驱动器装置)内部中露出，因此在外周侧端面上产生腐蚀时该腐蚀给磁头带来的影响容易变大。

使用了磁性浆料的端面研磨处理例如通过如下所述的方法进行。图8～11是说明本实施方式中的端面研磨处理的一例的图。

进行端面研磨的装置10使用产生磁的单元、以及包含磁性粒子和研磨磨粒的磁功能性流体，来进行玻璃基板的端面的研磨。在说明进行端面研磨的装置10的概要时，如图8所示，装置10包含作为永久磁铁的一对磁铁12、14、以及隔件16。在装置10中，在磁铁12、14之间夹着隔件16，装置10形成为在一个方向上较长的旋转体形状。进行端面研磨的玻璃基板被未图示的保持器械把持。在由保持器械所把持的玻璃基板的外周侧端面的附近配置装置10，使磁功能性流体的块20(参照图10、图11)与玻璃基板的外周侧端面接触。保持装置10和玻璃基板的未图示的保持器械与未图示的驱动电机机械连接。如图11所示，借助驱动电机的驱动，装置10和保持器械旋转而使玻璃基板的外周侧端面和块20相对移动。由此，进行玻璃基板的外周侧端面的研磨。通过使装置10和保持器械例如以500～2000rpm相对旋转，能够研磨玻璃基板的外周侧端面。另外，可以通过不进行装置10的旋转而仅使玻璃基板旋转，使玻璃基板的外周侧端面和块20相对移动。图8所示的装置10是在磁铁12、14之间夹着隔件16的构造，但是也可以具有覆盖该构造的外装部件18(参照图11)。

并且，还能够使装置10贯穿于设置于玻璃基板的中心的圆形状的孔，使用设置于装置10的外周的块20来研磨玻璃基板的内周侧端面。此外，也可以配置2个具有一对磁铁和隔件的装置，使得同时对内周侧端面和外周侧端面进行研磨。

在更具体地说明使用了磁功能性流体的端面研磨处理时，磁铁12和磁铁14相互接近，作为磁产生单元发挥功能，形成如图9所示的磁力线19。该磁力线19从磁铁12、14的中心朝向外侧前进，并且朝向玻璃基板的厚度方向前进。在磁铁12、14之间，在装置10的外周生成如图10所示的磁性浆料的块20。另外，在图10中，磁功能性流体的块20以从磁铁12、14的外周面朝外侧隆起的方式突出，但磁功能性流体的块20也可以不从磁铁12、14的外周面朝外侧突出。

磁产生单元中的磁通密度设定为形成磁性浆料的块20的程度即可，但从有效地进行端面研磨、端面具有上述表面形状的方面而言，优选为0.3～2[特斯拉]。

另外，在图8～图11所示的例子中，使用了永久磁铁作为磁产生单元，但还可以使用电磁铁。此外，还能够不使用隔件16而将磁铁12、14固定于未图示的外装部件，将磁铁12的N极的端面与磁铁14的S极的端面之间的相隔距离确保为恒定。

为了使端面满足上述的要件1、2，端面研磨中使用的磁功能性流体中例如使用了包含3～5g/cm³的由Fe构成的磁性粒子的非极性油、以及包含界面活性剂的磁粘性流体。非极性油或者极性油例如在室温(20℃)下具有100～1000(mPa·秒)的粘度。磁性粒子的平均粒径d50(直径)例如优选为2～7μm。

关于由磁功能性流体形成的块20，在包含磁性粒子的磁功能性流体作为块20而形成在磁力线上时，研磨磨粒也与磁性粒子同样被包含在块20中。磁功能性流体中的研磨磨粒由于磁悬浮效果而被挤出至磁力梯度低的部分，因此偏向于玻璃基板的想要研磨的端面附近而存在。而且，由于利用磁力线而成为具有比较高的弹性特性的块(较硬的块)，因此通过将玻璃基板的端面按压至块20，能够有效地进行研磨。即，能够提高研磨速率，能够高效地进行研磨。

作为磁功能性流体中包含的研磨磨粒，能够使用氧化铈、胶体硅、氧化锆、氧化铝磨粒、金刚石磨粒、二氧化硅磨粒、SiC磨粒等公知的玻璃基板的研磨磨粒。研磨磨粒的粒径例如为2～7μm。通过使用该范围的研磨磨粒，能够高效地进行上述端面研磨，能够良好地研磨玻璃基板的内周侧端面。研磨磨粒在磁性浆料中例如包含3～15vol％。

磁功能性流体例如是使磁粘性流体中包含研磨磨粒的浆料。在该情况下，磁功能性流体的粘度通过上述磁粘性流体的浓度调整，在室温(20℃)下为1000～2000(mPa/秒)这一点对于形成块20、高效地进行上述端面研磨是优选的。在粘度较低(磁粘性流体的浓度较低)时难以形成块20，难以在按压至玻璃基板11的端面的状态下相对运动而进行研磨。另一方面，在磁功能性流体的粘度过度高的情况下，块20在研磨中成为沿着玻璃基板11的端部形状凹陷的形状，难以从该形状恢复，块20中强烈地残留有玻璃基板11的形状，因此难以形成均匀的按压状态。此外，对于形成块20、高效地进行端面研磨而言，磁产生单元中的磁通密度优选为0.3～2[特斯拉]。

在进行上述端面研磨时，通过适当设定处理条件，玻璃基板的侧壁面和/或者倒角面能够满足要件1和要件2。处理条件例如至少包含磁功能性流体的粘度、磁性粒子和研磨磨粒的种类、研磨磨粒的粒子尺寸、磁磁性粒子和研磨磨粒的含有量、磁铁12、14的磁通密度、磁铁12、14与玻璃基板G在研磨位置处的相对速度、玻璃基板G向块20的按压力。

另外，从玻璃基板G的端面满足要件1、2而言，优选使用上述的螺旋形磨削和使用了磁功能性流体的研磨。

此外，端面研磨的研磨量(份额)优选距表面的深度设为10～50μm(用玻璃基板的直径换算为20～100μm)。在小于10μm的情况下，有可能无法充分去除由于形状加工而引起的磨削损伤。此外，如果大于50μm，则过于花费加工时间，有可能导致生产性的恶化。另外，在设距表面的深度为20μm(用玻璃基板的直径换算为40μm)以上时，能够通过磨削加工去除至在基板内部产生的损伤(潜伤)的深度，因此优选。但是，此时，需要注意新产生由于研磨处理而引起的损伤。

(e)磨削处理

在磨削处理中，使用具有行星齿轮机构的双面磨削装置，对玻璃基板的主表面进行磨削加工。具体而言，一边将玻璃基板的外周侧端面保持在设置于双面磨削装置的保持部件中的保持孔内，一边进行玻璃基板的两侧的主表面的磨削。双面磨削装置具有上下一对平台(上平台和下平台)，在上平台和下平台之间夹持着玻璃基板。而且，对上平台或者下平台的任意一方或者双方进行移动操作，一边供给冷却剂一边使玻璃基板和各平台相对移动，由此能够对玻璃基板的两个主表面进行磨削。例如，能够将磨削部件安装于平台而进行磨削处理，该磨削部件将利用树脂固定了金刚石的固定磨粒形成为了片状。另外，磨削处理和上述端面研磨处理也可以调换处理的顺序。

(f)第1研磨处理

接着，在磨削的玻璃基板的主表面上实施第1研磨。具体而言，一边将玻璃基板的外周侧端面保持在设置于双面研磨装置的研磨用载置部中的保持孔内，一边进行玻璃基板的两侧的主表面的研磨。第1研磨的目的在于残留在磨削处理后的主表面上的损伤或变形的去除或者微小的表面凹凸(微小波纹、粗糙度)的调整。

在第1研磨处理中，使用具有与利用固定磨粒的上述磨削处理中使用的双面磨削装置相同的结构的双面研磨装置，一边施加研磨浆料一边对玻璃基板进行研磨。在第1研磨处理中，使用包含游离磨粒的研磨浆料。作为在第1研磨中使用的游离磨粒，例如使用氧化铈或者氧化锆等磨粒。双面研磨装置也与双面磨削装置同样在上下一对平台之间夹持玻璃基板。在下平台的上表面和上平台的底面安装有整体为圆环形状的平板的研磨垫(例如，树脂抛光器)。而且，通过对上平台或者下平台的任意一方或者双方进行移动操作，使玻璃基板和各平台相对移动，由此对玻璃基板的两个主表面进行研磨。研磨磨粒的大小优选平均粒径(D50)处于0.5～3μm的范围内。

(g)化学强化处理

在对玻璃基板进行化学强化的情况下，例如使用硝酸钾和硫酸钠的混合熔化液等作为化学强化液，将玻璃基板浸渍于化学强化液中。由此，能够通过离子交换在玻璃基板的表面形成压缩应力层。

(h)第2研磨(最终研磨)处理

接着，对玻璃基板实施第2研磨。第2研磨处理的目的在于主表面的镜面研磨。在第2研磨中，也使用了具有与第1研磨中使用的双面研磨装置相同结构的双面研磨装置。具体而言，一边使玻璃基板的外周侧端面保持在设置于双面研磨装置的研磨用载置部中的保持孔内，一边进行玻璃基板的两侧的主表面的研磨。第2研磨处理与第1研磨处理的不同之处在于，游离磨粒的种类和粒子尺寸不同、以及树脂抛光器的硬度不同。树脂抛光器的硬度优选比第一研磨处理时小。对双面研磨装置的研磨垫和玻璃基板的主表面之间供给例如包含胶体硅作为游离磨粒的研磨液，对玻璃基板的主表面进行研磨。第2研磨中使用的研磨磨粒的大小优选平均粒径(d50)处于5～50nm的范围内。

在本实施方式中，关于是否需要化学强化处理，考虑玻璃组分和必要性而适当选择即可。除了第1研磨处理和第2研磨处理以外还可以施加其他研磨处理，也可以通过1个研磨处理完成2个主表面的研磨处理。此外，上述各处理的顺序也可以适当变更。

这样，在本实施方式中，在比以往减小了悬浮距离的悬浮条件下，也能够通过抑制腐蚀来抑制再现信号的SN比的降低。即，能够适应作为与DFH磁头(具有DFH功能的磁头)一起搭载于硬盘驱动器的磁盘用玻璃基板的品质要求。特别作为与搭载HDI传感器而能够根据来自HDI传感器的信号来控制记录再现元件的突出量的DFH磁头一起搭载于硬盘驱动器的磁盘用玻璃基板是优选的。

另外，作为上述玻璃基板，在制造玻璃基板中间体的情况下，不进行上述(e)磨削处理以后的处理中的至少(h)第2研磨(最终研磨)处理。在该情况下，制造玻璃基板中间体的方法包含对包含碱土金属成分作为玻璃组分的玻璃基板的端面进行研磨而制作玻璃基板中间体的处理。此时，在端面研磨处理中，以使得玻璃基板中间体的处理后的处理端面具有如下的面的方式，来对玻璃基板的端面进行研磨：在测量了对处理端面进行2.5μm蚀刻后的处理端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，该面中粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上。

然后，例如进行(e)主表面磨削处理、根据需要进行(f)第1研磨处理或者(g)化学强化处理。

这样，将在端面研磨处理之后且至少进行(h)第2研磨(最终研磨)处理之前的状态的玻璃基板称作玻璃基板中间体。

因此，在制作了玻璃基板中间体之后，例如在将玻璃基板中间体搬运到其他场所而制造磁盘用玻璃基板的情况下，在玻璃基板中间体的主表面上至少进行研磨处理(第2研磨处理)，由此能够获得作为最终产品的磁盘用玻璃基板。在该情况下，在第2研磨处理之前，根据需要进行主表面的磨削处理、第1研磨处理或者化学强化处理即可。

[实验例1]

为了调查本实施方式的玻璃基板的效果，对进行了形状加工处理的玻璃组分1的玻璃基板的侧壁面和倒角面实施了各种端面研磨处理。另外，调整了玻璃组分以使得不包含碱金属成分、使Tg成为700℃以上。

具体而言，对利用冲压法获得的圆盘状的玻璃坯料实施圆孔形成处理，获得了在中央部具有圆孔的圆盘状玻璃基板。所使用的玻璃组分为上述的玻璃组分1。使用具有一对磨削平台的双面磨削装置进行该圆盘状玻璃板的上下主表面的磨削处理，形成了板厚0.7mm。然后，在以倒角宽度为0.15mm、倒角角度为45°的方式对圆盘状玻璃板的端面进行形状加工处理而获得了内周侧端面和外周侧端面之后，实施了端面研磨处理。在形状加工处理中，使用成型磨具，首先进行基于不使磨具倾斜的磨削处理的粗加工，接着改变磨具而进行了基于斜率为3°的螺旋形磨削处理的精加工。

然后，对进行了形状加工处理的玻璃基板的侧壁面和倒角面实施了各种端面研磨处理(后述)。另外，按照沿着上述实施方式的内容，进行除端面研磨处理以外的处理，制造了每1个条件各200张的磁盘用玻璃基板。但是，不进行化学强化处理。

作为端面研磨处理以后的处理，具体而言，依次进行

·基于固定磨粒的主表面的磨削处理、

·第1研磨(使用氧化铈(d50：1μm)和硬质的聚氨酯研磨垫进行)、

·第2研磨(使用胶体硅(d50：30nm)和软质的聚氨酯研磨垫进行)、

·清洗处理，

制造了磁盘用玻璃基板。制造出的磁盘用玻璃基板为外径大约65mm、内径大约20mm、板厚大约0.635mm的标称2.5英寸尺寸的磁盘用玻璃基板。

另外，在端面研磨处理中使用的磁功能性流体为使包含磁性粒子的磁粘性流体中包含研磨磨粒的磁性浆料，在室温(20℃)下具有1000(mPa·秒)的粘度。

使用平均粒径d50为2.0μm的Fe粒子作为磁性粒子，使用平均粒径d50为0.5μm的氧化锆粒子作为研磨磨粒。

在实施例1～8和比较例的端面研磨处理(磁性浆料研磨1～9)中，使用相同组分的磁功能性流体，通过图11所示的方法对玻璃基板的侧壁面和倒角面进行了研磨。

在该研磨中，以使将玻璃基板G按压至磁功能性流体的块20的力进行微小振动或者微小摆动的方式，使玻璃基板或者磁铁的旋转轴在相互面对的方向或者远离的方向上振动或者摆动。此时，在振动或者摆动的频率为1～50Hz、振幅(变动的宽度的一半)为0.2～2mm的范围内适当选择频率和振幅来进行了组合。由此，能够在使玻璃基板和块20接触对玻璃基板进行研磨的加工点处产生振动或者摆动。另外，也可以使玻璃基板和磁铁的双方的旋转轴振动或者摆动。各条件根据以下的倾向而适当进行了设定。即，在提高了振动或者摆动的频率时，粗糙度截面积的负荷率50％时的粗糙度百分率处于变大的倾向。此外，在提高了振幅时，粗糙度百分率处于变大的倾向。通过振幅或者摆动改善研磨面的品质被推测是由于形成为圆形的磁场的强度沿着圆周方向在微观上观察时未必是均匀的。

由于该磁功能性流体，侧壁面和倒角面的研磨的状态稍微发生变化，这对玻璃基板G的端面的潜在裂纹的形成造成影响。

另一方面，作为现有例1，用包含上述磁功能性流体中使用的相同种类、相同平均粒径d50的研磨磨粒、即平均粒径d50为0.5μm的氧化锆粒子的研磨浆料，使用研磨刷对玻璃基板的侧壁面和倒角面进行了研磨。

并且，作为现有例2，用包含平均粒径d50为1.0μm的氧化铈粒子的研磨磨粒的研磨浆料，使用研磨刷对玻璃基板的侧壁面和倒角面进行了研磨。另外，现有例1、2的制造条件除了端面研磨以外都与实施例1相同。

端面研磨的研磨量(份额)设成为距表面的深度为20μm(用玻璃基板的直径换算为40μm)，以使得磁功能性流体研磨和刷研磨一起能够充分去除由于形状加工而引起的磨削损伤。

在通过该端研磨处理而获得的实施例1～8、比较例和现有例1、2的玻璃基板的端面(侧壁面和倒角面)上，在浸渍于包含氢氟酸的蚀刻液而对端面的表面进行2.5μm蚀刻之后，计测了玻璃基板的端面(侧壁面)的表面形状。并且，根据该计测结果，求出了粗糙度截面积的负荷率曲线的、粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率的值。表1示出结果。

但是，在本实验例1中获得的磁盘用玻璃基板的蚀刻处理之前的端面还包含后述的端面，外周侧的侧壁面和倒角面均为镜面。此外，内周侧的侧壁面和倒角面也同样为镜面。此外，关于端面的粗糙度均为算术平均粗糙度Ra为0.015μm以下、Rz为0.15μm以下。此外，针对玻璃基板的主平面，利用原子间力显微镜测量了算术平均粗糙度Ra、利用扫描型白色干涉仪测量了微小波纹(μWa)时，算术平均粗糙度Ra在全部的玻璃基板中为0.15nm以下，微小波纹(μWa)在全部的磁记录介质用玻璃基板中为0.15nm以下。

并且，在温度80℃、湿度85％的氛围气中将实施例1～8、比较例和现有例1、2的磁盘用玻璃基板(未进行上述的蚀刻处理的未使用品)放置48小时以后，针对腐蚀的产生的有无，进行了基于SEM(扫描型电子显微镜)的表面观察和基于EDS(Energy Dispersive X-raySpectrometry：能量色散X射线光谱法)的成分分析。由于附着于玻璃基板的端面的腐蚀而引起的物质能够通过上述观察和分析，根据其形状或成分而进行识别，因此，通过对识别出的物质的附着区域进行基于上述SEM的表面观察来评价腐蚀的产生，并且，进行了表面损伤的评价。

使用SEM以5000倍的观察倍率对玻璃基板的侧壁面进行10视野观察，对在视野中观测到包含Mg、Ca、Sr的碱土金属元素的异物(腐蚀)的部位进行计数，而对腐蚀的产生进行了评价。根据计数，如下所述进行了等级划分。等级1～3为合格，等级4、5为不合格。

等级1：观测到腐蚀的部位为0个部位

等级2：观测到腐蚀的部位为1、2个部位

等级3：观测到腐蚀的部位为3、4个部位

等级4：观测到腐蚀的部位为5、6个部位

等级5：观测到腐蚀的部位为7个部位以上

下述表1示出其结果。

【表1】

	端面研磨处理	粗糙度百分比(％)	腐蚀产生的评价
				实施例1	磁性浆料研磨1	40	等级2
实施例2	磁性浆料研磨2	43	等级2
				实施例3	磁性浆料研磨3	47	等级2
实施例4	磁性浆料研磨4	50	等级1
				实施例5	磁性浆料研磨5	55	等级1
实施例6	磁性浆料研磨6	60	等级1
				实施例7	磁性浆料研磨7	63	等级1
实施例8	磁性浆料研磨8	68	等级1
				比较例	磁性浆料研磨9	33	等级4
现有例1	研磨刷	37	等级5
				现有例2	研磨刷	28	等级5

根据表1的评价结果可知，端面具有如下的表面形状：在湿蚀刻后的端面的粗糙度截面积的负荷率曲线中，粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上，由此可知抑制了腐蚀的产生。此外，可知在粗糙度百分率为50％以上的情况下，可进一步抑制腐蚀的产生。由此，本实施方式的效果较明显。

此外，在实施例中，在粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率大于60％时，在外周侧端面处观察到极其薄的伤痕。该薄的伤痕被推测为是在端面研磨后的主表面的研磨时由于与研磨载置部的摩擦而产生的。即，被推测为在端面研磨处理时增大了加工点处的振动，其结果，玻璃基板与基板端面的抵接的强弱之差变大，表面的柔软的部分的比率变大。

此外，在实施例1～8、比较例和现有例1、2中，针对不进行端面研磨处理后的利用固定磨粒的磨削处理、第1研磨和第2研磨的玻璃基板中间体，也求出使用了激光显微镜的蚀刻处理后的端面的粗糙度百分率的值，进行了腐蚀的产生的评价。在该情况下，能够获得与实施例1～8、比较例和现有例1、2相同的评价结果。

[实验例2]

对在实验例1中制造出的各种磁盘用玻璃基板(未使用品)以600°进行了退火处理以后，实施了与实验例1相同的腐蚀和表面伤痕的评价。其结果，在腐蚀评价中，虽然进行了退火处理，但与表1同样，在具有粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上的端面的表面形状的实施例中，发现了良好的腐蚀的抑制。此外，在表面的伤痕的评价中，也发现了在粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为60％以下的条件下抑制了极其薄的损伤的产生。

[实验例3]

以除了上述的磁性膜以外还设置附着层、软磁层、非磁性基底层、垂直磁记录层、保护层和润滑层等的方式，对在实验例1中制造出的各种磁盘用玻璃基板(未使用品)实施成膜处理，制造了磁盘。另外，在形成磁性膜之后，还以600°实施了退火处理。使用获得的磁盘，在设DFH磁头的记录再现元件部的悬浮距离为1nm的条件下进行了长期可靠性测试(信号的记录/再现的连续执行测试)时，在使用了进行过实施例的端面研磨处理的磁盘用玻璃基板的磁盘中，没有确认到再现信号的SN比降低的现象。

[实验例4]

根据实验例1的制造条件，适当调整形状加工处理和使用了磁功能性流体的端面研磨处理的处理条件(参考例1～8)，由此制造了8种对蚀刻处理之前的端面的表面形状进行各种变更后的磁盘用玻璃基板。另外，端面研磨处理的处理条件的调整通过变更磁功能性流体中包含的研磨磨粒的平均粒径d50和种类、以及使用了磁功能性流体的端面研磨中的旋转轴的振动或者摆动的条件等而进行。

分别针对获得的8种磁盘用玻璃基板(未蚀刻处理)执行了：

·使用激光显微镜在上述测量条件下计测侧壁面的表面形状，求出粗糙度百分率为60％时的粗糙度截面积的负荷率；

·使用各种的多张玻璃基板中的剩余基板(未使用)，实施与实验例1相同的腐蚀的产生的评价

这2点。下述表2示出结果。根据表2可知，蚀刻处理之前的玻璃基板的侧壁面的粗糙度百分率为60％时的粗糙度截面积的负荷率与腐蚀的产生之间未有任何相关。

【表2】

以上，对本发明的磁盘用玻璃基板、磁盘、玻璃基板中间体和磁盘用玻璃基板的制造方法详细地进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式和实施例等，在不脱离本发明宗旨的范围内，当然也可以进行各种改良或变更。

标号说明

1c：倒角面；1p：主表面；1t：侧壁面；2：内孔；10：装置；12、14：磁铁；16：隔件；20：块；40：磨削磨具；50：槽；50a：侧壁部；50b：倒角部。

Claims (14)

1.一种磁盘用玻璃基板，其包含碱土金属成分作为玻璃组分，其特征在于，

所述玻璃基板的端面是镜面，

所述端面具有如下的面：在测量了对所述端面进行2.5μm蚀刻以后的所述端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，该面中粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率为40％以上。

2.根据权利要求1所述的磁盘用玻璃基板，其中，

所述粗糙度百分率为50％以上。

3.根据权利要求1或2所述的磁盘用玻璃基板，其中，

所述粗糙度百分率为60％以下。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板，其中，

所述镜面的算术平均表面粗糙度为0.015μm以下。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板，其中，

构成所述磁盘用玻璃基板的玻璃的玻璃化温度为700℃以上。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板，其中，

构成所述磁盘用玻璃基板的玻璃为无碱玻璃。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板，其中，

所述玻璃基板是与具有DFH功能即动态飞行高度功能的磁头一起搭载于硬盘驱动器的磁盘用的玻璃基板。

8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板，其中，

所述玻璃基板是能量辅助磁记录方式用的磁盘所使用的玻璃基板。

9.一种磁盘，其中，

该磁盘在权利要求1～8中的任意一项所述的磁盘用玻璃基板的表面至少具有磁性膜。

10.一种玻璃基板中间体，其作为磁盘用玻璃基板的坯板，该玻璃基板中间体包含碱土金属成分作为玻璃组分，其特征在于，

所述玻璃基板中间体的端面是镜面，

所述端面具有如下的面：在测量了对所述端面进行2.5μm蚀刻以后的所述端面的表面粗糙度时获得的粗糙度截面积的负荷率曲线中，该面中粗糙度截面积的负荷率为50％时的粗糙度百分率在40％以上。

11.根据权利要求10所述的玻璃基板中间体，其中，

所述粗糙度百分率为50％以上。

12.根据权利要求10或11所述的玻璃基板中间体，其中，

所述粗糙度百分率为60％以下。

13.根据权利要求10～12中的任意一项所述的玻璃基板中间体，其中，

构成所述玻璃基板中间体的玻璃是无碱玻璃。

14.一种磁盘用玻璃基板的制造方法，其特征在于，

对权利要求10～13中的任意一项所述的玻璃基板中间体的主表面至少进行研磨处理。