CN107611261A - 一种柔性oled基板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种柔性OLED基板的制作方法，包括如下步骤：S1：提供一支撑板；S2：在所述支撑板的上形成柔性材料层；S3：在所述柔性材料层上形成阻挡层，该阻挡层为多层结构，包括相互交叠的无机层和有机层，其中在所述阻挡层远离所述柔性材料层一侧的表面为无机层，且该无机层的材料为SiN_x或SiO_xN_y，厚度大于2000Å；S4：在所述阻挡层上通过偏压溅射法制作一层无机材料形成的平坦层，去除整个柔性材料层表面的凹凸点，实现等平面结构。本发明在形成阻挡层完成后，再用偏压溅射法制作一无机平坦层，通过刻蚀及再溅射作用消灭柔性材料层表面微小的凹凸点，有利于电极走线的平滑过渡，减小后制程及器件弯折时的电极断线概率。

Description

一种柔性OLED基板的制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及了一种柔性OLED基板的制作方法。

背景技术

柔性显示技术近几年飞速发展，柔性显示面板从屏幕尺寸到显示质量都取得了很大进步。 与传统刚性OLED比较，柔性OLED最大的特点在于可弯折显示，实现方法是使用柔性塑料基底配合薄膜封装技术，具体方法是：先在玻璃上贴覆或生长一层PI或PET等柔性基底，再在柔性基底上做阻挡层及电极层，湿制程形成图案后再完成蒸镀及薄膜封装，整体取下后便能实现弯折。

显然，耐弯折次数是柔性OLED的最重要考量指标之一，而欲获得良好的弯折性能，除了考虑柔性塑料基底、阻挡层、电极层及封装层的搭配外，成膜质量也非常关键。但是PI或PET等柔性基底在固化或成型过程中由于热收缩不均匀造成柔性基底上形成凹凸点，另外，如果是贴覆的柔性基底，该塑料在裁剪、包装、运输时也容易造成在柔性基底上形成凹凸点。柔性基底上形成凹凸点后，在柔性基底上通过PECVD法做阻挡层时是无法填平这些凹凸点，导致电极走线出现急剧拐点，当进行曲率半径较小的弯折测试时，电极容易因为应力不连续发生断裂。

为了解决上述问题，往往会制作平坦层，常用的平坦化材料是丙烯酸类树脂，此类材料玻璃态转化温度低（一般小于150℃）、热膨胀系数高（大于60ppm/K），很难实现柔性OLED的产业化。

发明内容

为了弥补已有技术的缺陷，本发明提供一种柔性OLED基板的制作方法。

本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种柔性OLED基板的制作方法，包括如下步骤：

S1：提供一支撑板；

S2：在所述支撑板的上形成柔性材料层；

S3：在所述柔性材料层上形成阻挡层，该阻挡层为多层结构，包括相互交叠的无机层和有机层，其中在所述阻挡层远离所述柔性材料层一侧的表面为无机层，且该无机层的材料为SiN_x或SiO_xN_y，厚度大于2000Å；

S4：在所述阻挡层上通过偏压溅射法制作一层无机材料形成的平坦层，去除整个柔性材料层表面的凹凸点，实现等平面结构 。

进一步地，所述支撑板为玻璃支撑板。

进一步地，柔性材料层为PI薄膜或PET薄膜。

进一步地，通过PECVD法沉积所述阻挡层。

进一步地，形成所述平坦层的无机材料为SiN_x、Al₂O₃、SiO_x、Nb₂O₅、TiO_x或MgF₂，所述平坦层的厚度小于1000Å。

进一步地，该偏压溅射法包括在所述支撑板上加负偏压，偏压大小为-50V~-300V。

本发明具有如下有益效果：

本发明在形成阻挡层完成后，再用偏压溅射法制作一无机平坦层，通过刻蚀及再溅射作用消灭柔性材料层表面微小的凹凸点，有利于电极走线的平滑过渡，减小后制程及器件弯折时的电极断线概率。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。

一种柔性OLED基板的制作方法，包括如下步骤：

S1：提供一支撑板。

所述支撑板优选为玻璃支撑板，也可以是其他硬质基板。

S2：在所述支撑板的上形成柔性材料层。

所述柔性材料层为PI薄膜或PET薄膜，但不局限于此。通过在所述支撑板的上贴覆或生长柔性材料层。作为举例，可以是在支撑板上涂覆PI溶液，加热所述支撑板以形成PI薄膜；所述涂覆工艺可以是旋涂、喷涂、丝印或滚涂等；通过加热支撑板，促使PI发生聚合反应，形成PI薄膜，PI薄膜的分子与支撑板载体由于弱化学键作用（氢键作用等），粘附在支撑板载体上。所述PI为聚酰亚胺或其改性物，所述加热温度为200~400℃，加热时间1~3h，加热气氛可以是正常大气环境，也可以是纯N₂环境。

S3：在所述柔性材料层上形成阻挡层。

该阻挡层为多层结构，包括相互交叠的无机层和有机层，无机层阻隔水汽氧气、有机层作为缓冲层增加柔韧性。考虑到阻挡层材料会被平坦层原子轰击，所述阻挡层远离所述柔性材料层一侧的表面为无机层，且该无机层的材料为SiN_x或SiO_xN_y，厚度大于2000Å。

通过PECVD法沉积形成所述阻挡层，PECVD法为本领域技术人员所掌握的，本发明在此不再赘述。

S4：在所述阻挡层上通过偏压溅射法制作一层无机材料形成的平坦层，去除整个柔性材料层表面的凹凸点，实现等平面结构 。该偏压溅射法包括在所述支撑板上加负偏压，偏压大小为-50V~-300V，使平坦层表面上由于溅射因素的沉积速率和由于偏压溅射因素的刻蚀速率大致相等，这样就能保证平坦层的厚度保持不变，但是斜面（凹凸点）由于刻蚀速率大于沉积速率会慢慢减退直至消失，而得到平坦表面。

形成所述平坦层的无机材料为SiN_x、Al₂O₃、SiO_x、Nb₂O₅、TiO_x或MgF₂，所述平坦层的厚度小于1000Å。

对于柔性材料层表面凸点的情况，平坦层原子沉积的同时也对阻挡层表层材料产生刻蚀作用，凸点斜面处刻蚀作用更强，从而实现阻挡层表层及平坦层本身的平坦化。

对于柔性材料层表面凹点的情况，平坦层原子沉积的同时也对凹点附近阻挡层表层材料产生轰击，并导致镀层“再溅射”滑动到凹点，从而实现阻挡层表层及平坦层本身的平坦化。

S5：在平坦层上形成电极层。

本发明偏压溅射时，在基板上加负偏压，通过溅射原子对平坦层本身的刻蚀或再溅射作用，逐渐实现平坦化，基板平坦度大大增加，表面粗糙度减小。在此表面制作走线电极，可以大大减少拐点，实现电极的光滑过渡，断线概率大大减小，从而利于柔性OLED弯折。

以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种柔性OLED基板的制作方法，其特征在于，其包括如下步骤：

S1：提供一支撑板；

S2：在所述支撑板的上形成柔性材料层；

S3：在所述柔性材料层上形成阻挡层，该阻挡层为多层结构，包括相互交叠的无机层和有机层，其中在所述阻挡层远离所述柔性材料层一侧的表面为无机层，且该无机层的材料为SiN_x或SiO_xN_y，厚度大于2000Å；

S4：在所述阻挡层上通过偏压溅射法制作一层无机材料形成的平坦层，去除整个柔性材料层表面的凹凸点，实现等平面结构 。

2.如权利要求1所述的柔性OLED基板的制作方法，其特征在于，所述支撑板为玻璃支撑板。

3.如权利要求1所述的柔性OLED基板的制作方法，其特征在于，柔性材料层为PI薄膜或PET薄膜。

4.如权利要求1所述的柔性OLED基板的制作方法，其特征在于，通过PECVD法沉积所述阻挡层。

5.如权利要求1所述的柔性OLED基板的制作方法，其特征在于，形成所述平坦层的无机材料为SiN_x、Al₂O₃、SiO_x、Nb₂O₅、TiO_x或MgF₂，所述平坦层的厚度小于1000Å。

6.如权利要求1所述的柔性OLED基板的制作方法，其特征在于，该偏压溅射法包括在所述支撑板上加负偏压，偏压大小为-50V~-300V。