CN107548517A - 用于制造氮化物化合物半导体器件的方法 - Google Patents

用于制造氮化物化合物半导体器件的方法 Download PDF

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Abstract

描述一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：‑将第一氮化物化合物半导体层(1)生长到生长衬底(10)上；‑沉积掩模层(11)；‑在掩模层(11)上方生长第二氮化物化合物半导体层(2)；‑生长第三氮化物化合物半导体层(3)，使得所述第三氮化物化合物半导体层具有非平坦的结构(3a)；‑生长第四氮化物化合物半导体层(4)，使得所述第四氮化物化合物半导体层具有基本上平坦的表面；‑生长氮化物化合物半导体器件的功能层序列(8)；‑将功能层序列(8)与载体(13)连接；‑剥离生长衬底(10)，并且‑通过刻蚀工艺产生耦合输出结构(14)，其中至少部分地剥离第一、第二和第三氮化物化合物半导体层(1，2，3)。

Description

用于制造氮化物化合物半导体器件的方法
技术领域
本发明涉及一种用于制造氮化物化合物半导体器件、尤其光电子氮化物化合物半导体器件的方法。
本申请要求德国专利申请10 2015 107 661.6的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
背景技术
为了制造氮化物化合物半导体器件、即例如LED或半导体激光器，通常将器件的功能层外延地沉积在适当的生长衬底上。为了生长氮化物化合物半导体层，尤其适合的是蓝宝石衬底。在蓝宝石上异质外延生长氮化物化合物半导体时，由于所存在的晶格失配，能够在半导体材料中构成缺陷，所述缺陷可能会损害器件的特性。
已经证实为有利的是：在基于氮化物化合物半导体的器件中，将外延的层序列在与生长衬底相对置的一侧上与载体连接并且随后剥离生长衬底。为了从氮化物化合物半导体器件剥离生长衬底，尤其能够使用本身已知的激光剥离方法。以该方式制造的LED也称作为薄膜LED。为了改进辐射耦合输出，能够将与载体相对置的表面设有耦合输出结构或粗化部。
发明内容
要实现的目的在于：提供一种用于制造氮化物化合物半导体器件的改进的方法，借助所述方法尤其实现小的缺陷密度。此外，应简化耦合输出结构的有针对性的构成，所述耦合输出结构影响器件的放射特性。
所述目的通过根据独立权利要求1的方法来实现。方法的有利的设计方案和改进形式是从属权利要求的主题。
在该方法中，根据至少一个设计方案，提供生长衬底，将第一氮化物化合物半导体层生长到所述衬底上。
将一个层或一个元件设置或施加在另一层或另一元件“上”或“上方”在此和在下文中表示：将所述一个层或所述一个元件直接地以直接机械和/或电接触的方式设置在所述另一层或所述另一元件上。此外也能够表示：所述一个层或所述一个元件间接地设置在所述另一层或所述另一元件上或上方。在此，于是能够将其他的层和/或元件设置在所述一个层和所述另一层或者所述一个元件和所述另一元件之间。
在生长第一氮化物化合物半导体层之前优选施加成核层，例如具有氮化铝的层。成核层例如能够通过溅射来施加。第一氮化物化合物半导体层和在随后的另外的方法步骤中施加的另外的氮化物化合物半导体层优选外延地施加，尤其通过金属有机气相外延(MOVPE)施加。
在第一氮化物化合物半导体层上有利地沉积掩模层。掩模层由于其结构和/或其表面特性能够实现第二氮化物化合物半导体层的选择性的生长。掩模层尤其能够具有SiN或SiGaN或者由其构成。掩模层优选是非闭合的层，所述层具有多个随机分布的开口。特别地，掩模层能够是岛状的层，即如下层：所述层的生长在初始阶段中尚在晶粒完全共同生长成闭合的层之前就已经中断。掩模层的厚度优选仅为一个或几个原子子层。例如，掩模层能够具有大约0.2nm至2nm的平均厚度。优选地，掩模层借助于MOVPE沉积。
在另一步骤中，将第二氮化物化合物半导体层在掩模层上生长。在生长第二氮化物化合物半导体层时，由于掩模层的结构和/或表面特性形成由氮化物化合物半导体材料构成的三维的岛。例如，第二氮化物化合物半导体层的氮化物化合物半导体材料的成核在掩模层的开口中开始。三维的岛能够至少部分地生长超过掩模层的材料。第二氮化物化合物半导体层的生长有利地在三维的岛共同生长成闭合的层之前中断。
在随后的步骤中，在第二氮化物化合物半导体层上方生长第三氮化物化合物半导体层。在生长第三氮化物化合物半导体层时，将生长条件、尤其温度和/或气体流设定成，使得进行主要三维的生长。主要三维的生长尤其表示：第三氮化物化合物半导体层的表面基本上通过如下晶面形成，所述晶面不平行于生长衬底伸展。特别地，第三氮化物化合物半导体层的晶面主要不在c平面中取向。c平面尤其对应于氮化物化合物半导体材料的[0001]-结晶表面。第三氮化物化合物半导体层沿[0001]结晶方向的生长优选是可忽略小的。第三氮化物化合物半导体层由于生长条件构成非平坦的三维的结构，尤其棱锥形的结构。
在第三氮化物化合物半导体层的非平坦的结构上方，在该方法中有利地生长第四氮化物化合物半导体层，其中生长条件设定成，使得进行主要二维的生长。主要二维的生长尤其表示：第四氮化物化合物半导体层的表面基本上通过如下晶面形成，所述晶面平行于生长方向伸展。特别地，第四氮化物化合物半导体层的表面主要在c平面中取向，所述c平面尤其对应于氮化物化合物半导体材料的[0001]-结晶表面。优选地，第四氮化物化合物半导体层完全地覆盖第三氮化物化合物半导体层的非平坦的结构并且具有基本上平面的表面。换言之，非平坦的结构由第四氮化物化合物半导体层优选完全地平坦化。
在一个设计方案中，在生长第三氮化物化合物半导体层之后和在生长第四氮化物化合物半导体层之前能够进行中间步骤，在所述中间步骤中生长另一掩模层，优选由SiN构成的另一掩模层，并且随后在主要三维的生长条件下，即在如结合第三氮化物化合物半导体层描述的生长条件下，生长另外的氮化物化合物半导体层。所述中间步骤必要时能够重复一次或多次。由此能够加强棱锥形的结构的构成。随中间步骤之后，在该设计方案中，如之前描述的那样生长第四氮化物化合物半导体层。
在随后的步骤中，将氮化物化合物半导体器件的功能层序列在第四氮化物化合物半导体层的优选完全平坦的表面上生长。功能层序列尤其能够是发光二极管层序列。
根据一个有利的设计方案，在另一步骤中，将功能层序列在与生长衬底相对置的一侧上与载体连接。随后，将生长衬底从以该方式制造的半导体层序列剥离。生长衬底的剥离优选借助于激光剥离工艺进行。但是替选地也可行的是：生长衬底通过湿化学方法、通过应用超声波、通过产生机械剪力、例如通过热处理、或通过机械的力作用来剥离。尤其具有蓝宝石的相对昂贵的生长衬底在剥离之后能够有利地再次应用。
根据一个有利的设计方案，在另一步骤中，通过刻蚀工艺在器件的背离载体的表面上产生耦合输出结构，其中通过刻蚀工艺至少部分地剥离第一氮化物化合物半导体层、第二氮化物化合物半导体层和第三氮化物化合物半导体层。
已经证实的是：第三氮化物化合物半导体层和第四氮化物化合物半导体层之间的边界面在刻蚀工艺中起刻蚀停止层的作用。刻蚀工艺在该边界面处减慢或甚至完全停止。推测这尤其基于：在制造第三氮化物化合物半导体层和制造第四氮化物化合物半导体层之间的生长条件改变的情况下，缺陷在第三氮化物化合物半导体层的非平坦的结构的表面上折弯。因此，在制造耦合输出结构时刻蚀工艺的停止尤其在第三氮化物化合物半导体层和第四氮化物化合物半导体层之间的非平坦的边界面处进行。因此，耦合输出结构至少部分地由第四氮化物化合物半导体层的非平坦的表面形成，所述表面之前构成与第三氮化物化合物半导体层的边界面。第三氮化物化合物半导体层在刻蚀工艺中完全地或部分地被剥离。换言之，耦合输出结构相反于非平坦的结构，所述非平坦的结构在制造第三氮化物化合物半导体层时构成。
耦合输出结构的形状和/或大小在该方法中有利地通过在制造第二和第三氮化物化合物半导体层时产生的非平坦的结构来限定。所述耦合输出结构的大小和分布尤其能够通过掩模层来影响。此外，非平坦的结构的形状能够通过在制造第三氮化物化合物半导体层时的生长条件和生长时间来设定。
优选地，在生长第三氮化物化合物半导体层时非平坦的结构的构成通过适当的方法来监控，尤其通过原位反射计来监控。例如，在垂直入射的情况下能够测量激光束的反射。在垂直入射下的反射随着非平坦的结构的大小增加而减小，因为所述非平坦的结构侧向地偏转或漫散射激光束。以该方式可行的是：当非平坦的结构达到期望的大小时，停止第三氮化物化合物半导体层的生长。
第三氮化物化合物半导体层的非平坦的结构尤其能够是主要棱锥形的结构。棱锥形的结构有利地在第三氮化物化合物半导体层三维生长时自组织地产生。特别地，棱锥形的结构能够具有侧向棱面，所述侧向棱面通过[1-101]晶面或[11-22]晶面形成。相应地，在刻蚀工艺中产生的耦合输出结构也具有侧向棱面，所述侧向棱面通过[1-101]晶面或[11-22]晶面形成。
根据一个有利的设计方案，非平坦的结构平均具有在1μm和5μm之间、优选在2μm和3μm之间的高度。
用于制造耦合输出结构的刻蚀工艺有利地以湿化学的方式进行，其中优选将KOH用作为刻蚀剂。在湿化学刻蚀工艺中，刻蚀剂尤其沿着沿竖直方向伸展的位错部进入到半导体材料中。如下边界面因此减慢或停止刻蚀工艺，其中在所述边界面处，出自竖直方向的位错部折弯，例如折弯到沿横向方向伸展的c平面中。
根据一个有利的设计方案，第二氮化物化合物半导体层和/或第四氮化物化合物半导体层在高于1050℃的生长温度下制造。在该生长温度下，出现基本上二维的生长。
第三氮化物化合物半导体层优选借助如下生长温度制造，所述生长温度比第二和/或第四氮化物化合物半导体层的生长温度小至少40℃、优选小50℃至80℃。通过在生长第三氮化物化合物半导体层时的较小的生长温度，有助于三维的非平坦的结构的构成。
优选地，氮化物化合物半导体层借助于金属有机气相外延(MOVPE)制造，其中NH3用作为用于提供氮成分的反应气体。优选地，NH3气体流在制造第二和第三氮化物化合物半导体层时比在制造第四氮化物化合物半导体层时小至少70％、优选小70％至90％。减小的NH3气体流以及降低的生长温度有助于构成三维的非平坦的结构。
在该方法中使用的掩模层优选是氮化硅层。在氮化硅上氮化物化合物半导体仅能够相对差地生长。由氮化硅构成的掩模层因此引起第二氮化物化合物半导体层在掩模层的凹部中选择性地生长和/或以各个岛的形式选择性地生长，所述岛横向地生长超过掩模层。
在该方法中优选将蓝宝石衬底用作为生长衬底。因为将生长衬底在该方法中有利地在与载体连接之后剥离，所以有利地能够再次应用相对昂贵的生长衬底。
功能层序列优选包含n掺杂的半导体区域、p掺杂的半导体区域和设置在n掺杂的半导体区域和p掺杂的半导体区域之间的有源层。有源层优选是适合于发射电磁辐射的层。特别地，氮化物化合物半导体器件能够是发光二极管。
附图说明
下面，根据实施例结合图1至7详细阐述本发明。
附图示出：
图1至7根据中间步骤示出方法的一个实施例的示意图。
相同的或起相同作用的组成部分在附图中分别设有相同的附图标记。所示出的组成部分以及组成部分相互间的大小关系不可视作为是合乎比例的。
具体实施方式
在方法的在图1中示意示出的第一步骤中，第一氮化物化合物半导体层1生长到生长衬底10上。生长衬底10优选是蓝宝石衬底。
在此示出的第一氮化物化合物半导体层1以及其他在随后的方法步骤中施加的氮化物化合物半导体层包括III族-氮化物化合物半导体材料，优选InxAlyGa1-x-yN，其中0≤x≤1、0≤y≤1并且x+y≤1。在此，所述材料不必强制性地具有根据上式的数学上精确的组分。更确切地说，所述材料能够具有一种或多种掺杂物质以及附加的组成部分，所述掺杂物质和附加的组成部分基本上不改变InxAlyGa1-x-yN材料的表征性的物理特性。然而为了简单性，上式仅包含晶格的主要组成部分(In，Al，Ga，N)，即使所述主要组成部分能够部分地通过少量其他物质取代时也如此。第一氮化物化合物半导体层1尤其能够是GaN层。
第一氮化物化合物半导体层1的生长以及其他的氮化物化合物半导体层的生长优选通过金属有机气相外延(MOVPE)进行。第一氮化物化合物半导体层1优选为10nm至1000nm厚，例如大致300nm厚。
可行的是：在生长第一氮化物化合物半导体层1之前，将薄的成核层(未示出)施加到生长衬底10上，例如通过溅射施加。成核层尤其能够包含AlN。
在图2中示出的中间步骤中，将掩模层11施加到第一氮化物化合物半导体层1上。掩模层11由如下材料形成：氮化物化合物半导体材料不能够容易地在所述材料上生长。掩模层11优选是氮化硅层。掩模层11优选具有多个开口，所述开口平均具有大约100nm至1000nm的横向扩展a。掩模层11的设置在开口之间的区域有利地具有大约10nm至500nm的横向扩展b。
在图3中示出的中间步骤中，第二氮化物化合物半导体层2生长在第一氮化物化合物半导体层1和掩模层11上方。第二氮化物化合物半导体层2主要在掩模层的开口中生长，其中第二氮化物化合物半导体层2的材料能够至少部分横向地生长超过掩模层11。第二氮化物化合物半导体层2例如借助于MOVPE用10slm至50slm的NH3气体流在1μm/h的生长速率下生长。
第二氮化物化合物半导体层2的生长优选在高于1050℃的生长温度下进行。生长温度尤其选择成，使得出现基本上二维的生长。换言之，第二氮化物化合物半导体层1的氮化物化合物半导体材料基本上沿[0001]-结晶方向生长，使得生长的晶粒的表面主要通过[0001]-结晶平面形成，所述[0001]-结晶平面也称作为c平面。第二氮化物化合物半导体层2的生长有利地在生长的晶粒共生之前中断。
在图4中示意示出的另一方法步骤中，第三氮化物化合物半导体层3在第二氮化物化合物半导体层2上方生长。在生长第三氮化物化合物半导体层3时，改变生长条件，使得进行晶粒的基本上三维的生长。这尤其能够通过如下方式进行：生长温度相对于第二氮化物化合物半导体层2的生长温度减小至少40℃、优选减小大约50℃至80℃。
特别地，第三氮化物化合物半导体层3基本上沿如下结晶方向生长，所述结晶方向不对应于[0001]-结晶方向。在生长第三氮化物化合物半导体层3时，形成三维的非平坦的结构，所述三维的非平坦的结构尤其能够是棱锥形的。棱锥形的结构的侧向棱面3a尤其通过[1-101]晶面或[11-22]晶面形成。
当生长的三维结构完整地构成具有期望高度的棱锥形的结构时，优选结束第三氮化物化合物半导体层3的生长。生长例如能够在原位在覆层设备中通过反射计监控。对此，例如将激光束以垂直的入射角、即平行于生长方向定向到生长表面上，并且从借助检测器测量的反射强度中确定表面的反射率。反射率随棱锥形的结构的大小增加而下降。因此，通过校准能够从表面的反射率中推导出棱锥形的结构的大小。有利地，产生高度在1μm和5μm之间、优选在2μm和3μm之间的高度的棱锥形的结构。
在图5中示出的另一方法步骤中，第四氮化物化合物半导体层4在第三氮化物化合物半导体层3的非平坦的结构上方生长。为了生长第四氮化物化合物半导体层4，重新改变生长条件。如在生长第二氮化物化合物半导体层2时那样，将生长条件设定为，使得进行基本上二维的生长。以该方式实现：棱锥形的结构过度生长，使得形成基本上平坦的表面。已证实的是：缺陷在非平坦的结构的边界面上、尤其在倾斜于生长衬底伸展的[1-101]晶面或[11-22]晶面上折弯。因此，第四氮化物化合物半导体层4中的缺陷密度尤其小。特别地，通过从基本上二维的生长到基本上三维的生长并且相反地两次改变生长条件，实现第四氮化物化合物半导体层4的氮化物化合物半导体材料中的尤其小的缺陷密度。
在生长第四氮化物化合物半导体层4时的生长条件尤其能够对应于在生长第二氮化物化合物半导体层2时的生长条件。特别地，在生长第四氮化物化合物半导体层4时，生长温度相对于第三氮化物化合物半导体层3的生长温度提高，优选提高50℃至80℃。例如，生长温度提高大致75℃。在生长第四氮化物化合物半导体层4时，还能够提高NH3气体流。优选地，在生长第二和第三氮化物化合物半导体层2、3时的NH3气体流为在生长第四氮化物化合物半导体层4时的值的大致10％至30％。例如，NH3气体流在生长第二氮化物化合物半导体层2和第三氮化物化合物半导体层3时能够为大致10slm并且在生长第四氮化物化合物半导体层4时为大致50slm。但是也可行的是：将NH3气体流保持恒定，并且在生长第四氮化物化合物半导体层4时仅提高生长温度。
第四氮化物化合物半导体层4的基本上平坦的表面在图6中示出的随后的方法步骤中用于生长功能半导体层序列8。功能半导体层序列8的质量尤其从第四氮化物化合物半导体层4中的小的缺陷密度中获益，在所述第四氮化物化合物半导体层上生长所述功能半导体层序列。特别地，功能半导体层序列8的特征在于非常小的缺陷密度，所述缺陷密度尤其通过两次改变位于其下方的氮化物化合物半导体层2、3、4的生长条件来实现。
功能半导体层序列8尤其能够是光电子器件的发光半导体层序列。例如，氮化物化合物半导体器件是LED，并且功能半导体层序列8是发光二极管层序列。功能半导体层序列8尤其能够具有n型半导体区域5、有源层6和p型半导体区域7。仅简化示出的发光二极管层序列能够由多个单层组成，其中这种层序列本身是已知的进而不详细阐述。
此外，功能半导体层序列8在图6中示出的中间步骤中在与生长衬底10相对置的一侧上与载体13连接。载体13尤其能够为硅晶片。载体13能够借助连接层12、例如焊料层与功能半导体层序列8连接。有利地，将功能半导体层序列8在与载体13连接之前设有镜层9，以便在制成的氮化物化合物半导体器件中将朝载体13的方向发射的辐射反射至相对置的辐射出射面，并且以该方式改进辐射产率。镜层9例如能够具有银或铝。此外，功能半导体层能够设有电接触部(未示出)。电接触部例如能够通过能导电的镜层9构成。此外可行的是：将用于电接触的过孔引导到n型半导体区域7中。用于电接触的这种可行性本身是已知的进而在附图中不详细示出。
在图7中示出的方法步骤中，生长衬底10已从所制造的层序列剥离。生长衬底10尤其能够通过激光剥离工艺从层序列剥离。替选地，生长衬底10例如能够通过应用超声波、通过湿化学方法、通过产生剪力、尤其通过热处理、或通过纯机械的力作用来剥离。
此外，执行刻蚀工艺，借助所述刻蚀工艺至少部分地剥离第一氮化物化合物半导体层1、掩模层11、第二氮化物化合物半导体层2和第三氮化物化合物半导体层3。刻蚀工艺优选湿化学地进行，其中KOH用作为刻蚀剂。刻蚀工艺用于在器件的与载体13相对置的表面上产生耦合输出结构14，所述表面尤其能够是辐射出射面。
已证实的是：刻蚀工艺尤其在边界面处停止，所述边界面之前构成棱锥形的结构的侧向棱面。垂直伸展的位错部在侧向棱面处结束，刻蚀剂在所述位错部中优选进入到半导体材料中，使得刻蚀工艺在侧向棱面处减慢或甚至完全停止。因此，棱锥形的结构的侧向棱面起刻蚀停止层的作用。
耦合输出结构14的侧向棱面14a因此能够至少部分地通过[1-101]晶面或[11-22]晶面形成。耦合输出结构14有利地是三维结构，所述三维结构至少部分相反于非平坦的三维结构，所述非平坦的三维结构在生长第三氮化物化合物半导体层3时产生。
耦合输出结构14的大小和形状因此尤其能够通过在制造第三氮化物化合物半导体层3时的生长时间和生长条件来影响。此外，耦合输出结构关于其空间分布和大小能够通过之前施加的掩模层11的结构来有针对性地影响。根据耦合输出结构14的大小，不仅能够改进辐射耦合输出，而且必要时也能够有针对性地影响空间的放射特性。因此，在外延工艺期间已经存在如下可行性：放射特性经由光电子器件的空间角进而远场来影响。
耦合输出结构14也能够包括在第四氮化物化合物半导体层4中的另外的凹部，所述凹部不对应于第三氮化物化合物半导体层3的相反的棱锥形的结构。所述凹部在图7中通过在较大的棱锥之间和旁边的较小的棱锥来表明，并且在刻蚀工艺中从第四氮化物化合物半导体层4的表面的之前平面的区域开始形成。刻蚀工艺在该情况下尤其在还存在的位错部处停止，所述位错部平行于结晶学的c平面。通常垂直伸展的位错部在该横向伸展的位错部处终止，刻蚀剂在所述垂直伸展的位错部中优选进入到半导体材料中。因此，平行于c平面伸展的位错部也类似地起刻蚀停止层的作用。
本发明不局限于根据实施例进行的描述。更确切地说，本发明包括每个新特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使所述特征或所述组合自身没有明确地在权利要求中或实施例中说明时也如此。

Claims (14)

1.一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：
-将第一氮化物化合物半导体层(1)生长到生长衬底(10)上；
-沉积掩模层(11)；
-在所述掩模层(11)上方生长第二氮化物化合物半导体层(2)；
-在所述第二氮化物化合物半导体层(2)上方生长第三氮化物化合物半导体层(3)，使得所述第三氮化物化合物半导体层(3)具有非平坦的结构(3a)；
-在所述非平坦的结构(3a)上方生长第四氮化物化合物半导体层(4)，使得所述第四氮化物化合物半导体层(4)具有基本上平坦的表面；
-生长所述氮化物化合物半导体器件的功能层序列(8)；
-将所述功能层序列(8)在与所述生长衬底(10)相对置的一侧上与载体(13)连接；
-剥离所述生长衬底(10)，并且
-通过刻蚀工艺在所述氮化物化合物半导体器件的背离所述载体(13)的表面上产生耦合输出结构(14)，其中至少部分地剥离所述第一氮化物化合物半导体层、所述第二氮化物化合物半导体层和所述第三氮化物化合物半导体层(1，2，3)。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述非平坦的结构(3a)是棱锥形的结构。
3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述非平坦的结构(3a)具有侧向棱面(9)，所述侧向棱面通过[1-101]晶面或[11-22]晶面形成。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述耦合输出结构至少部分地通过[1-101]晶面或[11-22]晶面形成。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述非平坦的结构(3a)平均具有在1μm和5μm之间的高度。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述刻蚀工艺是湿化学刻蚀工艺。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在高于1050℃的生长温度下制造所述第二氮化物化合物半导体层(2)和/或所述第四氮化物化合物半导体层(4)。
8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中在比所述第二氮化物化合物半导体层(2)的生长温度小至少40℃的生长温度下制造所述第三氮化物化合物半导体层(3)。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
-其中借助于金属有机气相外延来制造所述氮化物化合物半导体层(1，2，3)；
-将NH3用作为反应气体；
-NH3气体流在制造所述第二氮化物化合物半导体层和所述第三氮化物化合物半导体层(3)时与在制造所述第四氮化物化合物半导体层(4)时比小至少70％。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述掩模层(11)是氮化硅层。
11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述掩模层具有多个开口，所述开口平均具有100nm至1000nm的横向扩展。
12.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述生长衬底(10)是蓝宝石衬底。
13.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述功能层序列(8)具有n型半导体区域(5)、p型半导体区域(7)和设置在所述n型半导体区域(5)和所述p型半导体区域之间的有源层(6)。
14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，
其中所述氮化物化合物半导体器件是发光二极管。
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