CN107546162A - 自含计量晶片载具系统 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及自含计量晶片载具系统，所提供的是一种自含计量晶片载具系统、及半导体晶片的一或多种特性的测量方法。晶片载具系统举例来说，包括：外壳，经组配用于在该自动化材料搬运系统内进行输送，该外壳具有组配成用来在该外壳中支撑半导体晶片的支撑件；以及计量系统，布置于该外壳内，该计量系统可操作成用以测量该晶片的至少一种特性，该计量系统包含感测单元及采可操作方式连接至该感测单元的运算单元。还提供的是本揭露的晶片载具系统内半导体晶片的一或多种特性的测量方法。

Description

自含计量晶片载具系统
技术领域
本揭露关于半导体晶片载具系统，并且更尤指自含计量晶片载具系统。
背景技术
在自动化制造厂环境(通常称为“晶片厂”)中，经由自动化材料搬运系统(AMHS)在站与站之间输送的晶片载具中含有晶片。一站可以是用以沉积或用以蚀刻膜件的处理工具，或用以测量该膜件的特性的计量工具。自动化晶片厂中的晶片载具亦已知为前开式晶片传送盒(front opening unified pod)，而且通常称为FOUP。FOUP典型是由专用塑料外壳所构成，其经设计成在保护环境中牢固且安全地持固半导体晶片。FOUP包括前开段，其容许晶片插入及移出以供进行处理。
在站间输送FOUP会耗费大量时间，大型自动化制造厂尤其如此，多道用以完成制造处理的步骤也是如此。一般而言，于一站处理晶片之后，包括受处理晶片的FOUP便输送至计量站以供进行测量。于各后续站进一步输送及处理晶片之后，FOUP被输送至计量站以供进一步进行测量。另外，计量设备不仅昂贵，还占用无尘室安装面积。
发明内容
透过提供内有整合计量系统的FOUP，不仅克服先前技术的缺点，还提供附加优点。在本揭露的一项具体实施例中，用于自动化材料搬运系统的半导体晶片载具系统举例来说，包括：外壳，经组配用于在该自动化材料搬运系统内进行输送；及计量系统，布置于该外壳内。计量系统举例而言，具有感测单元及采可操作方式连接至该感测单元的运算单元。外壳举例而言，具有用于支撑外壳中的晶片的支撑件。计量系统可操作成用以在晶片处于外壳中时测量晶片的至少一种特性。
在另一具体实施例中，所提供的是一种用于测量半导体晶片的一或多种特性的方法。该方法举例来说，包括在用于自动化材料搬运系统的晶片载具系统中提供晶片，在该晶片载具系统中测定该晶片的至少一种特性的测量结果，以及将该晶片的该至少一种特性的所测定测量结果自该晶片载具系统传送至远程位置。判定测量结果可在下列情形发生：于处理站时、站与站之间进行输送期间、一站与一储存单元之间进行输送期间、及/或处于储存单元中时。该晶片的至少一种特性的测量结果可采无线方式传送至远程位置。
该系统可包括用于供电给该外壳内的感测单元及该运算单元的电力源。该电力源可包括电池。该系统亦可包括采可操作方式连接至该外壳内该运算单元的网络配接器。该系统亦可包括用于传送该感测单元所测量的晶片的至少一种特性的无线传送器传送此类信息至通讯网络。该计量系统可位于整合型工具或包体里的外壳内。该感测单元可有能力测量膜厚、膜温、该晶片上的热分布、膜组成、导电率、膜光学常数、光学影像、表面粗糙度、晶片形貌、晶片翘曲、该晶片表面上的缺陷、该晶片表面上的粒子数、及/或该晶片的表面的反射率。该感测单元可以是椭圆偏振光计、光学相机、反射仪及/或高温计。该感测单元可包括采可操作方式连接至该运算单元的至少一个探针，其可用于测量该晶片之前述特性的至少一者、或多种此类特性。该感测单元可包括采可操作方式连接至该运算单元的多任务器，而多个探针可采可操作方式连接至该多任务器。该探针可操作用于测量该晶片的前述特性的至少一或多种或全部。
该感测单元可包括发射部分、或发射体。该发射体举例而言，可包括连接至该激光的偏光器、及采可操作方式连接至该偏光器的聚焦器。该感测单元举例而言，亦可包括收集部分，其可更包括侦测器、采可操作方式连接至该侦测器的分析器、及采可操作方式连接至该分析器的透镜连接器。该聚焦器与透镜连接器用于测量该晶片的一部分。
该感测单元可包括发射体或发射部分、收集器或收集部分、及采可操作方式连接至该发射体与收集器的多任务器，可用于在该晶片的特定位置或部分测量该晶片之前述特性的至少一者。
该系统可包括传送器，其传送该晶片的所测量前述特性其中的一或多者至远程计算机。该传送器可以是无线传送器。信息传输可采无线方式自该晶片载具系统传送至远程位置。此系统可在晶片搬运或输送系统期间于不同时间进行测量。该测量可在下列情形发生：用于该晶片的特定处理站时、于处理站之间进行输送期间、或一站与一储存单元之间进行输送期间、及/或处于储存单元中时。
附加特征及优点是透过本揭露的原理来实现。本揭露的其它具体实施例于本文中详述，并且视为所要求揭露的部分。
附图说明
本揭露的一或多项具体实施例予以特别指出并且清楚地主张作为本说明书结论处权利要求书中的实施例。本揭露的前述及其它目的、特征、以及优点经由下文的详细说明配合附图将显而易知，其中：
图1根据本揭露的一具体实施例，是晶片载具系统的一示意图；
图2A是图1的晶片载具系统的一放大截面正视图；
图2B是图1的晶片载具系统的一正交视图；
图3是图2A的计量系统的一示意图；
图4根据本揭露的一具体实施例，是用于图1的晶片载具系统中的计量系统的一示意图；
图5是图4的计量系统覆于晶片上的一俯视图的示意表征，其绘示该晶片上的各种测量点；
图6根据本揭露的一具体实施例，是用于图1的晶片载具系统中的计量系统的一示意图；
图7根据本揭露的一具体实施例，是运算单元的一示意图；
图8根据本揭露的一具体实施例，是自动化晶片厂中使用的晶片载具系统的一示意图；
图9根据本揭露的一具体实施例，是半导体的一或多种特性的测量方法的一流程图；以及
图10根据本揭露的一具体实施例，是半导体的一或多种特性的测量方法的一流程图。
具体实施方式
本揭露及某些特征、优点、及其细节引用附图所示非限制性具体实施例于下文更完整阐释。省略众所周知的材料、制作工具、处理技术等的说明以避免非必要地混淆本揭露的实施方式。然而，应该了解的是，实施方式及特定实施例虽然指出本揭露的具体实施例，仍仅举例来提供，并且非是作为限制。本概念的精神及/或范畴内的各种取代、修改、添加及/或配置经由本揭露对所属技术领域中具有通常知识者将显而易见。要注意的是，这些图式为了有助于理解本揭露并未按照比例绘示，而且所有不同图式使用的相同附图标记表示相同或类似的组件。
本揭露的晶片载具系统可包括自含计量系统，用于举例而言，在一站进行处理之后、及在下一站进行处理前，测量载具或FOUP中含有的一晶片或诸晶片的一或多种特性。举例而言，本揭露的晶片载具系统可配合例如自动化输送系统使用、及通过该自动化输送系统来输送，诸如通常称为晶片厂的自动化制造厂中位于适当位置的自动化材料搬运系统(AMHS)。如将会领会的是，本揭露的晶片载具系统可具有自含计量仪器，并且可以无需输送晶片至不同计量站。
图1至10举例来说，根据本揭露的一或多项具体实施例绘示晶片载具系统及方法的具体实施例。大体上以80(图2A、2B及3)、180(图4及5)及280(图6)表示的半导体晶片可以是经受处理步骤的中间装置。
图1根据本揭露的一项具体实施例，绘示晶片载具系统10，其举例来说，可经由通讯网络300采无线方式进行通讯，以将数据及控制命令传送至远程计算机400。晶片载具系统10大体上可包括外壳20，其具有顶壁21、侧壁22、23、底壁24、后壁(图未示)、及前壁25，该前壁亦可称为前门。外壳20亦可包括可与例如AMHS或机器人的自动化输送系统配合使用或接合的转接器27及握把26。外壳20可包括容许其在自动化晶片厂中作用的附加特征。
举例而言，外壳20可包括转接器27，该转接器27采可操作方式连接至机器人、或可与AMHS接合用于将晶片载具系统10自一个站输送至下一站。举例而言，可将晶片载具系统10自第一站输送至第二站、至第三站、至第四站，以此类推。晶片载具系统10可配合自动化晶片厂环境中的现有AMHS操作。
请参阅图2A，晶片载具系统10大体上可包括外壳20、布置于外壳20内的计量系统30、以及用于支撑外壳20中的半导体晶片80的支撑件40。外壳20可包括内腔室28。计量系统30可包括布置于外壳20内的计量工具或包体60。包体60并不受限于盒形组态，并且可以是容许让计量系统30的一或多个组件固定于其上以用于测量晶片80的一或多种特性的任何结构。举例来说，计量工具或包体60可以是完全围蔽的结构，或可以是支撑框，诸如底盘。支撑件40可以是在外壳20内以适当位置持固晶片以供进行测量的任何结构。举例而言，支撑件40举例而言，可包括平台41及底座42。亦如图2B所示，底座42可采可操作方式连接至平台41的底端。底座42亦可采可操作方式连接至平台41的侧边(图未示)。平台41举例而言，可称为卡盘，而底座42举例而言，可称为承台。平台41即卡盘，可提供用于置放所测量晶片80的表面。底座42即承台，可置于平台下面，并且可包括微型z运动马达43，用以顺着双头箭号方向(图2A)对平台及对所测量晶片提供z方向运动。在一项具体实施例中，该平台顺着Z方向朝计量系统30平移，朝计量系统30移动晶片80，用以容许测量晶片80。该马达可连接至容许平台41及底座42彼此相对移动的机构，以便晶片80朝向及远离计量系统30移动。合适的机构可包括线性螺丝或任何其它合适的机构。底座42可包括其它微型运动马达，例如微型x运动马达、微型y运动马达、及/或微型θ运动马达，用以分别提供顺着如双圆(即圆圈内有实心圆)X(图2A)所示的顺向及逆向的x运动、顺着双头箭号Y(图2A)的方向的y运动、及/或顺着双头箭号θ(图2A)的方向的θ运动。平台及底座可由任何合适的材料所制成，例如用于外壳的相同材料。用于支撑一或多个晶片的其它支撑件可包括托架、或附接至外壳的内侧壁的其它支撑件。外壳20可称为晶片载具或FOUP，并且外壳20可以是任何可接受的FOUP，即符合适当标准的任何FOUP。以上详细组件可嵌装或按另一种方式固定至外壳20。
布置于晶片载具系统10中的计量系统30可以是用于测量晶片的一或多种特性的任何计量仪器或测量工具。所测量的晶片的一或多项特性可包括膜厚、膜温、晶片上的热分布、膜组成、导电率、该晶片的表面的反射率、膜光学常数、表面粗糙度、晶片形貌、晶片翘曲、该晶片表面上的缺陷、该晶片表面上的粒子数、其它特性、及类似者。
仍请参阅图2A，计量系统30可包括位在外壳20内的包体60，并且可在本具体实施例中，包括感测单元31，下面有更详细的描述。
如图3所示，计量系统30举例而言，可包括计量工具或设备，例如椭圆偏振光计。计量系统30可包括诸如光学系统的传感器或感测单元31、连接至感测单元31的计算机或运算单元32、以及供电给运算单元32与感测单元31的电力源33。运算单元32可以是运算系统或其它运算装置，其包括能够实施功能的任何适当的(多个)硬件组件，下面有更详细的描述。计量系统30亦可包括网络配接器35，用于跨通讯链路在运算单元32与诸如另一运算单元或运算系统的另一组件之间进行数据通讯。网络配接器35举例来说，可以是传送器，并且可有能力发送及接收数据与控制命令。举例来说，测量晶片的一或多项特性之后，举例而言，可采无线方式传送测量数据至远程计算机400(图1)。测量数据的传输并不受限于无线传输，而是可按照任何习知方式来传送。举例来说，晶片载具系统10(图1)举例而言，可停驻于一站以供进行数据移送。网络配接器35可以是运算单元32的一部分，举例而言，作为运算单元32的整合型组件，诸如网络适配器(NIC)或无线NIC，或可采可操作方式连接至运算单元32。
计量系统30亦可包括附加组件，诸如用于计量系统30的操作及功能的接线及标准连接器与配件，其对于所属技术领域中具有通常知识者将会显而易见。计量系统30举例而言，可使用适当的连接器、转接器及/或接线，按照任何可操作方式来装配，举例来说，不需要任何特定对准或布局。尽管电力源33及网络配接器35描述并说明为位在包体60内，仍将会领会的是，电力源33及网络配接器35可独立地布置于包体60外侧，但在晶片载具系统10的外壳20内，并且采可操作方式连接至或可连接至运算单元32。电力源33举例而言，可以是电池，其举例来说，可以是可充电的。
如图3所示，感测单元31的一项具体实施例举例而言，可包括发射部分51及收集部分55。发射部分51可包括发射体52，诸如连接至偏光器53的激光，偏光器53连接至聚焦器54。收集部分55可包括连接至分析器57的侦测器56，分析器57连接至透镜收集器58。如所属技术领域中具有通常知识者将领会且理解的是，激光光可通过偏光器来偏振，使得激光光是在发射到样本上时，按照特定且已知的偏振状态来发射。换句话说，该偏光器设定光的极性，使得当光撞击样本时，光的极性为已知。聚焦器可将光聚焦。收集器可视为聚焦器的对应体，从样本反射出的光是通过收集器来收集。换句话说，收集器可与聚焦器具有等同形式，但收集器将反射的光收集，而不是将光发射。收集的光通过另一偏光器，其在收集的光通过时称为分析器。分析器可转动以判定并映射所反射(即收集)的光的偏振状态。侦测器可侦测所反射光的强度，强度可随着分析器的角度而变化。感测单元31的以上组件举例而言，可使用光纤70来连接。计量系统30举例来说，可在晶片80上的一或多点、区域或位置测量晶片80的一或多种特性。举例来说，单一计量系统30可被包括于晶片载具系统10中，例如，被固定至外壳20，并且可测量晶片80上的一点、一区域或一位置。在其它具体实施例中，举例来说，多个计量系统30可被包括于晶片载具系统10中，并且测量晶片80上对应数目的点、区域或位置。举例来说，可视需要或所期望，通过在晶片80中将会进行测量的部分(即该晶片上的点、区域或位置)上方定位聚焦器54及透镜收集器58，而对晶片80上的任何点、区域或位置处进行测量。晶片80与聚焦器54及透镜收集器58的尖部对应的部分可称为测量点81。
请参阅图4，在一些具体实施例中，晶片载具系统10(图1)可包括可操作成用以测量晶片180上多个测量点181的计量系统130。测量点181可包括如上述测量点81相同或类似的特性。举例来说，测量点181可指晶片180上将会进行测量的任何点、区域或位置。计量系统130可包括布置于外壳20(图1)内的包体160。包体160可以是完全围蔽的结构，或可以是支撑框，诸如底盘，并且可包括与上述包体60(图3)相同或类似的特征。
如图4所示，计量系统130包括感测单元131，其举例而言，具有发射部分151、收集部分155及多任务器134。发射部分151举例而言，可包括发射体，诸如连接至偏光器153的激光152，其连接至多任务器134。收集部分155举例而言，可包括连接至分析器157的侦测器156，该分析器连接至多任务器134。该多任务器可以是一种装置，其举例来说，选择用以自发射部分转送输入信号至晶片的一或多条路径。该多任务器还可以是一种装置，其举例来说，从出自晶片的输出信号选择一或多条路径，并且将该输出信号转发至收集部分。多任务器134举例而言，可容许多条路径(例如诸对聚焦器与透镜收集器)共享一组发射部分151及一组收集部分155。一或多对聚焦器154与透镜收集器158可操作用于测量晶片180位于测量点181处的一或多种特性。
请参阅图4，计量系统130亦可包括采可操作方式连接至感测单元131的运算单元132、及供电给运算单元132与感测单元131的电力源133。运算单元132可包括与运算单元32(图3)相同或类似的特性。计量系统130亦可包括能够发送及接收数据与控制命令的网络配接器135。举例来说，测量晶片180的一或多种特性之后，举例而言，可采无线方式将测量数据传送至远程计算机400(图1)。如以上所述，测量数据的传输并不受限于无线传输，而是可按照任何习知方式来传送。网络配接器135可以是运算单元132的一部分，举例而言，作为运算单元132的整合型组件，或可采可操作方式连接至运算单元132。电力源133举例而言，可以是电池，其举例来说，可以是可充电的。
图5绘示所测量晶片180的俯视图，并且绘示计量系统130在晶片180上方的位置。可在晶片180上一或多个测量点181处测量晶片180的一或多种特性。举例来说，可在晶片180的各个部分上进行多项测量。测量点181可位在晶片180的任何部分上，端视欲获得的测量型样或数目而定，并且不受限于任何特定的测量型样或数目。
请参阅图6，在一些具体实施例中，晶片载具系统10(图1)可包括计量系统230，其举例来说，可包括诸如高温计的计量仪器。计量系统230可布置于包体260内，其可以是完全围蔽的结构，或可以是支撑框，诸如底盘。包体260可包括与上述包体60(图4)相同或类似的特征。计量系统230可包括感测单元231、连接至感测单元231的运算单元232、以及供电给运算单元232与感测单元231的电力源233。运算单元232可包括与运算单元32(图3)相同或类似的特性。计量系统230亦可包括能够发送及接收数据与控制命令的网络配接器235。举例来说，测量晶片的一或多项特性之后，举例而言，可采无线方式传送测量数据至远程计算机400(图1)。如以上所述，测量数据的传输并不受限于无线传输，而是可按照任何习知方式来传送。亦如以上所述，网络配接器235可以是运算单元232的一部分，举例而言，作为运算单元232的整合型组件，或可采可操作方式连接至运算单元232。电力源233举例而言，可以是电池，其举例来说，可以是可充电的。计量系统230亦可包括附加电子组件，其对于所属技术领域中具有通常知识者将会显而易见。感测单元231举例而言，可包括多任务器234、以及举例来说，通过电线270连接至多任务器234的一或多个探针259。在其它具体实施例中，感测单元231(图未示)可包括单一探针，例如具有用以涵盖整个晶片的广角透镜的红外线相机。在其它具体实施例中，该计量系统可包括一椭圆偏振光计及/或反射仪。在有使用计量系统230中高温计、椭圆偏振光计及/或反射仪的情况下，可测量晶片上的膜温度分布、膜组成、晶片表面的导电率与反射率、膜光学常数、表面粗糙度、晶片形貌、晶片翘曲、晶片表面上的缺陷、及晶片表面上的粒子数。
图7绘示运算单元500的一实施例，例如运算单元32(图3)、运算单元132(图4)、或运算单元232(图6)，其可在晶片载具系统10(图1)的一具体实施例中使用。运算单元500可包括一或多个处理器501、内存502、及一或多个输入/输出(I/O)装置503，其可通过总线及其它电气硬件组件(图未示)彼此耦接。运算单元500举例而言，可以是精巧型、无风扇装置。(多个)处理器501可包括能够实施功能的任何适当的(多个)硬件组件，举例来说，能够执行撷取自内存502的(多个)指令(有时或是称为符码、固件及/或软件)。内存502可包括硬件组件或其它储存装置，用以储存诸如执行用指令程序的数据、及其它数据。I/O装置503可包括支持输入及输出数据至/自运算单元500的硬件及/或软件组件。I/O装置503可包括实体或无线附接至运算单元、及/或整合到运算单元500内的实体组件，例如显示设备、陀螺仪、光传感器、近接传感器、及加速度计。I/O装置503举例而言，亦可包括用于跨诸如因特网或内部网络的一或多个网络在运算单元与其它系统(例如远程计算机400(图1))之间传递数据封包的通讯链路。其它例示性I/O装置503可包括通用串行总线(USB)、外围组件互连(PCI)、及串行转接器/接口，其组配成用来耦合至其各别种类的装置。
图8根据本揭露的一项具体实施例，绘示具有AMHS 600的自动化晶片厂中使用的晶片载具系统10的一示意图。晶片载具系统10可嵌装于第一处理站620的加载埠621上。标准FOUP 610(亦即不包括计量系统的晶片载具)可嵌装于晶片载具系统10旁边的加载埠621上。于第一处理站620进行处理之后，举例而言，可通过自动化工具或机器人将(多片)晶片移动到晶片载具系统10内，用以测量(多片)晶片80的一或多种特性，而晶片载具系统10仍维持嵌装于加载埠621上。受测量之后，举例而言，可通过自动化工具或机器人，将(多片)晶片移回到标准FOUP 610内，举例而言，以供输送至诸如第二处理站630的另一处理站、或亦称为贮藏库的存放单元650。
在一些具体实施例中，(多片)晶片在输送至诸如第二处理站630、第三处理站640或存放单元650的另一位置时，或在等待动作时，例如在第二处理站630进行处理前位于第二处理站630的加载埠631上时，或位于存放单元650中时，可留在晶片载具系统10中并且接受测量。
因此，根据本揭露，测量晶片的一或多种特性的晶片载具系统10可位于自动化材料搬运系统600及/或晶片厂内的不同位置。举例而言，晶片载具系统10可相邻第一处理站620而置，其对半导体晶片进行第一处理。晶片载具系统10亦可布置于第一处理站620的加载埠621上，或位于第一处理站620邻近处。在此处理之后，可将晶片移动到晶片载具系统10内，于其中测量晶片的一或多种特性。所测量的特性可以是膜厚、膜温、晶片上的热分布、膜组成、导电率、膜光学常数、表面粗糙度、晶片形貌、晶片翘曲、晶片表面上的缺陷、晶片表面上的粒子数、及/或该晶片的表面上的反射率。这些测量各可通过内有计量系统30的各别晶片载具系统10来进行。因此，取决于所测量的特性，一个或多个晶片载具系统可相邻第一处理站620而置。类似的是，可相邻第二处理站630使用另一晶片载具系统10。第二处理站630附近的晶片载具系统亦可有能力测量前述特性其中的一或多者。各晶片载具系统可有能力测量前述特性其中的一或多者。类似的是，晶片载具系统10可位于半导体晶片自动化材料搬运系统内的其它处理站。
因此，在本揭露的态样中，用于自动化半导体制造设施的AMHS可包括如先前在本文中所述的晶片载具系统10。此类晶片载具系统可沿着相邻个别处理站(即处理站中、处理站前或处理站后)的半导体晶片AMHS、以及沿着介于诸处理站之间、及位于半导体晶片的存放位置处的输送线的各个位置而置。
请参阅图9，在一项具体实施例中，所揭示的是一种用于测量半导体晶片的一或多种特性的方法700。方法700包括，于步骤710，提供根据本揭露的晶片载具系统，于步骤720，在晶片载具系统置放晶片，以及于步骤730，测量晶片的一或多种特性。
请参阅图10，在至少一项具体实施例中，所揭示的是用于测量半导体晶片的一或多种特性的方法800，方法800包括，于步骤810，在晶片载具系统中提供晶片，于步骤820，输送该晶片载具系统中的该晶片至半导体制造厂的多个站，于步骤830，判定该晶片载具系统中该晶片的至少一种特性的测量结果，以及于步骤840，将该所测量的至少一种特性自该晶片载具系统传送至远程位置。
如将会领会的是，本揭露的晶片载具系统不仅不会对任何现有晶片厂环境中实施的AMHS造成破坏，还可改善制造半导体装置的总体效率。举例来说，通过排除自一个处理站直接移动晶片至下一个处理站的输送时间，而不是通过在处理步骤之后输送晶片至计量站，可有利地缩减周期时间。另一效益可通过在处理及匹配处理成熟度不久后对晶片进行计量来实现。举例来说，由于可不需要多个、昂贵的计量工具，因此也可降低成本，结果是，此类工具不需要占据任何无尘室空间。另外，晶片载具系统的组件不仅较不昂贵，还极大化自动化系统的使用以缩减人工成本。本揭露的晶片载具系统亦跨许多工具来共享，进一步促进成本及处理方面的效率。
本文所用术语的目的仅在于说明特殊具体实施例并且意图不在于限制本揭露。如本文中所用，单数形式“一”、“一种”、“一个”、以及“该”的用意在于同时包括复数形式，上下文另有所指除外。将再理解术语“包含”(以及包含的任何形式，如单数的“包含”和动名词的“包含”)、“具有”(以及具有的任何形式，如单数的“具有”和动名词的“具有”)、“包括”(以及包含的任何形式，如单数的“包括”和动名词的“包括”)、“含有”(以及包含的任何形式，如单数的“含有”和动名词的“含有”)为开放式连接动词。因此，“包含”、“具有”、“包括”或“含有”一或多个步骤或组件的方法或装置处理那些一或多个步骤或组件，但不受限于仅处理那些一或多个步骤或组件。同样地，“包含”、“具有”、“包括”或“含有”一或多个特征的方法的步骤或装置的组件处理那些一或多个特征，但不受限于仅处理那些一或多个特征。此外，以特定方式予以配置的装置或结构以至少那方式予以配置，但也可用未列示的方式予以配置。
下文权利要求书中所有手段或步骤加上功能组件的相应结构、材料、动作、及均等意，若存在，有意于包括以明确主张专利权的其它所主张专利权组件共同用于进行功能的任何结构、材料、或动作。已为了描述及说明而呈现本揭露的说明，但无意于具有彻底性或局限于所揭示形式的揭露。许多修改及变化对于所属技术领域中具有通常知识者将显而易知而不脱离本揭露的范畴及精神。具体实施例经选用及说明是为了解释本揭露一或多项态样的原理及实际应用，并且令具有所属技术领域中具有通常知识者凭借适于所思的特定使用，能够就具有各种修改的各项具体实施例理解本揭露的一或多项态样。

Claims (20)

1.一种用于自动化材料搬运系统的半导体晶片载具系统，该半导体晶片载具系统包含：
外壳，经组配用于在该自动化材料搬运系统内进行输送，该外壳具有组配成用来在该外壳中支撑半导体晶片的支撑件；以及
计量系统，布置于该外壳内，该计量系统可操作成用以测量该晶片的至少一种特性，该计量系统包含：
感测单元；以及
运算单元，采可操作方式连接至该感测单元。
2.如权利要求1所述的系统，还包含：
电力源，用于供电给该感测单元及该运算单元。
3.如权利要求2所述的系统，其中，该电力源包含电池。
4.如权利要求1所述的系统，还包含网络配接器，采可操作方式连接至该外壳内的该运算单元。
5.如权利要求1所述的系统，还包含无线传送器，用于传送该晶片的该至少一种特性至通讯网络。
6.如权利要求1所述的系统，还包含包体，布置于该外壳内，其中，该计量系统的至少一部分固定至该包体。
7.如权利要求1所述的系统，其中，所测量的该至少一种特性是下列一或多者：膜厚、膜温、该晶片上的热分布、膜组成、导电率、膜光学常数、表面粗糙度、晶片形貌、晶片翘曲、该晶片表面上的缺陷、该晶片表面上的粒子数、及该晶片的该表面的反射率。
8.如权利要求1所述的系统，其中，该感测单元是椭圆偏振光计、反射仪、及高温计其中的一或多者。
9.如权利要求1所述的系统，其中，该感测单元包含采可操作方式连接至该运算单元的至少一个探针，以及其中，该至少一个探针用于测量该晶片的至少一种特性。
10.如权利要求1所述的系统，其中，该感测单元包含：
多任务器，采可操作方式连接至该运算单元；以及
多个探针，采可操作方式连接至该多任务器，以及
其中，该多个探针可操作用于测量该晶片的至少一种特性。
11.如权利要求1所述的系统，其中，该感测单元包含：
发射部分，其包含：
激光；
偏光器，采可操作方式连接至该激光；以及
聚焦器，采可操作方式连接至该偏光器；以及
收集部分，其包含：
侦测器；
分析器，采可操作方式连接至该侦测器；以及
透镜收集器，采可操作方式连接至该分析器；以及
其中，该聚焦器及该透镜收集器可操作用于测量该晶片的一部分。
12.如权利要求1所述的系统，其中，该感测单元包含：
发射部分；
收集部分；以及
多任务器，采可操作方式连接至该发射部分及该收集部分，用于测量该晶片的一部分上的该晶片的至少一种特性。
13.如权利要求12所述的系统，其中，该发射部分包含：
激光；以及
偏光器，采可操作方式连接至该激光；以及
该收集部分包含：
侦测器；以及
分析器，采可操作方式连接至该侦测器；以及
其中，该多任务器采可操作方式连接至该偏光器及该分析器，该多任务器具有多个聚焦器及透镜收集器，以及
其中，各聚焦器及透镜收集器可操作用于测量该晶片的至少一种特性。
14.如权利要求1所述的系统，其中，该外壳可与自动化输送系统接合。
15.一种方法，包含：
提供如权利要求1所述的晶片载具系统；
将晶片置放于该晶片载具系统中；以及
测量该晶片的一或多种特性。
16.如权利要求15所述的方法，还包含：
传送该晶片的该所测量的一或多种特性至远程计算机。
17.如权利要求16所述的方法，其中，该晶片的该所测量的一或多种特性采无线方式传送。
18.一种方法，包含：
在晶片载具系统中提供晶片；
在该晶片载具系统中判定该晶片的至少一种特性的测量结果；以及
将该晶片的该至少一种特性的所判定测量结果自该晶片载具系统传送至远程位置。
19.如权利要求18所述的方法，其中，判定测量结果是在下列情形发生：于处理站时、站与站之间进行输送期间、一站与一储存单元之间进行输送期间、及/或处于储存单元中时。
20.如权利要求18所述的方法，其中，该晶片的该所测量的至少一种特性采无线方式传送至远程位置。
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