JP5376619B2 - 電磁界計測装置 - Google Patents

Description

本発明は、レーザ光と光ファイバと電気光学/磁気光学材料を用いて電磁界を計測することにより電子回路などから生ずる電磁界を計測する電磁界計測装置に関する。

従来からレーザ光、光ファイバ、および電気光学（ＥＯ（Electrooptic））/磁気光学（ＭＯ(Magnetooptic)）材料を用いて電磁界を計測するプローブが存在し、それを活用したマイクロ波回路やアンテナの評価結果が報告されている（例えば、非特許文献１参照）。プローブは光ファイバとその先端に形成されたＥＯ／ＭＯ材料からなる。この種のプローブの利点は、センサ素子であるＥＯ／ＭＯ材料が微小な上、光ファイバが細いために、回路上の高空間分解能計測や微細あるいは狭い領域での計測が可能な点にある。通常、測定は光ファイバプローブを一本だけ用いて、それを測定箇所に固定する、あるいは被測定物上で走査させることにより行われる。

また、最近では１〜２ｃｍ角の平板状のＥＯ材料を被測定物上に配置し、ＥＯ材料の平面サイズと同程度のビーム径のレーザ光を材料に照射することにより照射領域の電界分布を一瞬にして測定する手法（電界カメラ）も報告されている（例えば、非特許文献２参照）。この種のプローブの利点は、プローブを走査させずとも極めて短時間で電界分布計測が可能な点にある。

一方、光通信の領域においては、大容量高速な通信を可能とする方式として波長分割多重（ＷＤＭ）通信が大きな進展を見せており、この利点は光ファイバを用いることにより異なる多数種の波長の光を伝送できることを利用して、一度に多チャンネルの光信号を伝送できる点にある（例えば、非特許文献３参照）。また、このような通信方式に必須の素子として、波長を分離するための光波長フィルタ素子の開発が進められている（例えば、非特許文献４参照）。

また一方で、最近の携帯電話に代表される小型・高機能電子機器の開発においては、その内部で多種類の電子デバイスが高密度に実装されていながら高速動作するために内部での電磁干渉によるデバイスの誤動作を引き起こすことがあるため、機器の設計や動作テストの手法が重要な開発項目の一つとなっている。従来から多用されているデバイスの動作テスト法として、先端に金属探針が設けられた電圧プローブによる電圧波形計測が挙げられる。この種の方法の利点は、原理的には金属探針を測定したい箇所（金属部）に接触させるだけで波形計測が出来るために、短時間で簡単にデバイスの動作状態が判断できる点にある。
S. Wakana, T. Ohara, M. Abe, E. Yamazaki, M. Kishi, and M. Tsuchiya："Fiber-Edge Electrooptic/Magnetooptic Probe for Spectral-Domain Analysis of Electromagnetic Field", IEEE Trans. Microwave Theory Tech., Vol. 48, No. 12, pp. 2611-2616 (Dec. 2000) K. Sasagawa and M. Tsuchiya, "Real-time monitoring system of RF near-field distribution images on the basis of 64-channel parallel electro-optic data acquisition", IEICE Electronics Express, vol. 2, no. 24, pp. 600-606, 2005 H. Takara, "Multiple Optical Carrier Generation from a Supercontinuum Source", Optics & Photonics News, pp. 48-51 (March 2002) 岡山秀彰，"導波路型光波長フィルタ"，沖テクニカルレビュー，第１９２号Ｖｏｌ．６９，Ｎｏ．４，ｐｐ．７２−７５（２００２年１０月）

上に述べたように、従来の光ファイバプローブでは一点での測定、又は時間を掛けて平面測定を行うため、多数のデバイスが実装された領域、例えばプリント基板全体や、そのある領域でのタイムリーな回路動作検出は不可能であった。

また、最近開発された平板状ＥＯ材料と大きな径のレーザ光を用いた電界カメラを使うと、１〜２ｃｍ角の領域でのタイムリーな動作検出が可能であるが、より広い領域での検査は不可能であり、また、例えばデバイス間の狭い隙間での検査は困難である。

また、先端に金属探針が設けられた電圧プローブの場合には、従来の光ファイバプローブ同様、通常はある一点での測定しか出来ない。さらに、金属探針による接触型プロービングの場合、測定箇所で電荷がプローブに誘導されるために起こりうる障害が存在する。例えば、送信ＩＣ−受信ＩＣ間の配線で、この種のプローブを用いた検査を行う場合、電荷のプローブ側への誘導により受信ＩＣへの信号波形になまりが生じ、受信ＩＣが誤動作を起こす可能性がある。すなわち、プロービングに伴うデバイスの誤動作が起こりうる。

本発明の目的は、電子デバイスが高密度に実装された領域で、正確かつタイムリーな回路動作検出が可能な電磁界計測装置を提供することにある。

本発明によれば、レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を直線偏光化する偏波コントローラと、先端部に電気光学材料又は磁気光学材料を有し、前記先端部で反射する前記レーザ光が該先端部の電界強度又は磁界強度に応じて偏光変調を受ける光ファイバプローブと、前記光ファイバプローブで反射された前記レーザ光を強度変調光に変換する検光子と、を備える電磁界計測装置であって、前記レーザ光源は、時分割で複数の相互に異なった波長のレーザ光を出射し、前記偏波コントローラで直線偏光化されたレーザ光を合成／分波器に出力すると共に、前記合成／分波器から入力したレーザ光を検光子に出力する光サーキュレータと、前記光サーキュレータから入力したレーザ光を該レーザ光の各波長毎に別々の光ファイバプローブに出力すると共に、前記光ファイバプローブから入力したレーザ光を前記光サーキュレータに出力する合成／分波器と、を更に備え、前記検光子は、前記光プローブで反射して、前記合成／分波器と前記光サーキュレータを経由してきた前記レーザ光を強度変調光に変換することを特徴とする電磁界計測装置が提供される。

本発明の効果は、プローブを複数用いて多点計測を行うことにより、短時間での回路動作判定が可能となる点にある。

以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。

［第一の実施形態］
図１は本発明の第一の実施形態を示す図である。レーザ光源１、偏波コントローラ３、光サーキュレータ４、合波／分波器５、４本の光ファイバプローブ６（６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ）、検光子９、フォトディテクタ１０、スペクトラムアナライザ１１からなる装置であり、各光学機器は全て光ファイバ２で接続されている。光ファイバプローブ６は、光ファイバとその先端に形成されたＥＯ材料あるいはＭＯ材料１４からなり、予め、例えばプリント回路基板７の上空や、半導体パッケージ８の近傍に設置しておく。尚、ＥＯ材料あるいはＭＯ材料１４は、ＥＯ材料が先端に形成されているプローブは電界プローブ、ＭＯ材料が先端に形成されているプローブは磁界プローブとなる。レーザ光源は波長可変であり、光ファイバプローブの本数に合わせて波長λ１から波長λ４の４種類の波長の光を逐次出射させる。レーザ光は偏波コントローラ３により直線偏光化され光サーキュレータ４を通った後、合波／分波器５により波長ごとに経路が決定され光ファイバプローブ６に入射する。合波／分波器５を用いることにより、例えばλ１の光はプローブ６ａへ、λ２の光はプローブ６ｂへというように光路を決めることができる。その後、光はプローブ先端のＥＯ／ＭＯ材料１４に入射し材料中を伝搬、材料底面で反射し再び光ファイバ６に戻るが、その過程で外部の電界／磁界強度に応じた偏光変調を受ける。ＥＯ材料の場合は電界強度に応じた変調、ＭＯ材料の場合は磁界強度に応じた変調が発生する。偏光変調された光は再び合波／分波器５、光サーキュレータ４を通った後、検光子９にて強度変調光に変換され、フォトディテクタ１０にて光電変換された後、スペクトラムアナライザ１１によって電界強度／磁界強度に応じた信号計測がなされる。本実施形態の場合、波長λ１からλ４の４種類の波長のレーザ光を順々に出射させ、それぞれの波長に対応する光ファイバプローブによる電界あるいは磁界検出を順番に行う。光ファイバプローブを複数用いて多点計測を行うことにより、短時間での回路動作評価が可能となる。尚、本実施形態では４本の光ファイバプローブを用いた場合を示したが、プローブの本数はこれに限定されるものではない。また、必要に応じてレーザ光源１と偏波コントローラ３の間、あるいは検光子９とフォトディテクタ１０の間に光ファイバ増幅器を挿入しても良い。さらにまた、各光学機器を接続する光ファイバ、プローブ用光ファイバに偏波保持型のものを用いることにより、レーザ光を直線偏光状態で安定に伝送させることができ、偏波コントローラ３を用いる必要が無くなる。また、信号計測器はスペクトラムアナライザに限定されるものではなく、例えばオシロスコープやマルチメータであっても良い。

［第二の実施形態］
図２は本発明の第二の実施形態を示す図である。レーザ光源１は単一波長の光を出射し、光スイッチ１２によって光ファイバプローブ６ａから６ｄのいずれかに入射させることが出来る。光スイッチには光路選択用チャネル１３が設けられており、当該チャネルを切り替えることによりレーザ光の入射先を選択できる。電磁界計測原理については前記と同様である。単一波長のレーザ光が各プローブに入射するよう光スイッチの光路選択用チャネルを順々に切り替え、それぞれの光ファイバプローブによる電界あるいは磁界検出を順番に行う。光ファイバプローブを複数用いて多点計測を行うことにより、短時間での回路動作評価が可能となる。尚、本実施形態でも４本の光ファイバプローブを用いた場合を示したが、プローブの本数はこれに限定されるものではない。

［第三の実施形態］
図３は本発明の第三の実施形態を示す図である。レーザ光源１として多波長の光を同時に出射可能な光源を用いる。光ファイバの特徴の一つとして、一本のファイバで多波長の光を干渉無く伝送させることが出来る点が上げられる。本実施形態は、この性質を積極的に利用したものである。光ファイバプローブの本数に合わせて波長λ１から波長λ４の４種類の波長の光を同時出射させる。レーザ光は偏波コントローラ３により直線偏光化され光サーキュレータ４を通った後、合波／分波器５により波長ごとに経路が決定され光ファイバプローブ６に入射する。合波／分波器５を用いることにより、例えばλ１の光はプローブ６ａへ、λ２の光はプローブ６ｂへというように光路を決めることができる。その後、前記のように光は各プローブ先端のＥＯ／ＭＯ材料１４にて変調を受け、再び合波／分波器５を経由したのち一本のファイバにて変調波として伝送される。そして、光サーキュレータ４を再度通った後、別の合波／分波器２１にて各波長λ１からλ４の光に振り分けられ、それぞれ検光子９で強度変調された後、フォトディテクタ１０で光電変換され、スペクトラムアナライザ１１で信号計測がなされる。電磁界計測原理については前記と同様である。本実施形態の場合、波長λ１からλ４の４種類の波長のレーザ光を同時に出射させ、それぞれの波長に対応する光ファイバプローブによる電界あるいは磁界検出を同時に行う。光ファイバプローブと信号計測器のそれぞれを複数用い、プローブ装置にＷＤＭ技術を取り入れて同時多点計測を行うことにより、タイムリーな回路動作検出が可能となる。本実施形態においても、プローブの本数は４本に限定されるものではない。

［第四の実施形態］
図４は本発明の第四の実施形態を示す図である。複数のレーザ光源２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄを用いて、それぞれの光源から異なる波長の光を同時に出射させる。光ファイバプローブの本数に合わせて波長λ１から波長λ４の４種類の波長の光を同時出射させる。レーザ光は合波／分波器２２により合波され、偏波コントローラ３により直線偏光化され光サーキュレータ４を通った後、別の合波／分波器５により波長ごとに経路が決定され各光ファイバプローブ６（６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ）に入射する。その後の光路は前記第三の実施形態と同様である。本実施形態の場合、波長λ１からλ４の４種類の波長のレーザ光を４台の光源２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄを用いて同時に出射させ、それぞれの波長に対応する光ファイバプローブ６（６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ）による電界あるいは磁界検出を同時に行う。光ファイバプローブ６（６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ）と信号計測器１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄのそれぞれを複数用い、プローブ装置にＷＤＭ技術を取り入れて同時多点計測を行うことにより、タイムリーな回路動作検出が可能となる。本実施形態においても、プローブの本数は４本に限定されるものではない。

光ファイバ電磁界プローブ装置に合波／分波器５あるいは光スイッチ１２を組み込み、光ファイバプローブ１４あるいはそれと信号計測器１１の両方を複数用いる装置により、デバイスが高密度実装されている広い領域での多点電磁界計測が可能となる結果、正確かつ短時間での回路動作評価が可能となる。

また、光ファイバ電磁界プローブ装置にＷＤＭ通信技術を組み込み、光ファイバプローブ１４と信号計測器１１の両方を複数用いる装置により、デバイスが高密度実装されている広い領域での多点同時電磁界計測が可能となる結果、正確かつタイムリーな回路動作検出が可能となる。

本実施形態によれば、光ファイバプローブを複数用いて多点計測を行うことにより、短時間での回路動作評価が可能となる。

また、本実施形態によれば、光ファイバプローブと信号計測器のそれぞれを複数用い、プローブ装置にＷＤＭ技術を取り入れて同時多点計測を行うことにより、タイムリーな回路動作検出が可能となる。

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。

本発明の装置の実施例は、例えば図３において光源１としてスーパーコンティニュアム光源（非特許文献３）を用い、合波／分波器５としてアレイ導波路グレーティング素子（非特許文献４）を用いた装置である。光ファイバ通信に用いられる１．５５μｍ付近の波長の光を、プローブの数に合わせて例えば４種類選択し、スーパーコンティニュアム光源を用いて同時出射させて、アレイ導波路グレーティング素子が内蔵された合波／分波器を用いることで４点同時電磁界計測が可能である。

また、前記光源と合波／分波器を用いた上、プローブ６ａ〜６ｄのそれぞれを各波長λ１〜λ４に対して高感度な仕様とすることも出来る。それには、例えば図５に示すようにＥＯ／ＭＯ材料３３の表面と底面のそれぞれに光反射膜３１、３２を形成する。その際、光反射膜３１の反射率は３２のそれよりも小さくなるようにする。例えば、光反射膜３１の反射率は約８０％、３２の反射率は９７％以上とする。このようにプローブ構造を共振器構造とすることにより、特定波長で材料中で共振（定在波３４）が起きる結果、ＥＯ効果あるいはＭＯ効果が増幅され、より高感度なプローブが実現できる。共振波長は
λｒｅｓ＝２ｎｌｃｏｓθ／ｍ （式１）
ここで、
λｒｅｓ：共振波長、
ｎ：ＥＯ／ＭＯ材料の屈折率、
ｌ：ＥＯ／ＭＯ材料厚、
θ：入射光の屈折角、
ｍ：整数
で表されるため、材料の屈折率と厚さが既知であれば高感度となる光源波長を決定できる。また、光源波長が決定されている場合には、式１を用いて高感度プローブとするための材料設計が可能である。

また、前記光源と合波／分波器を用いた上、プローブ６ａ〜６ｄの先端部を超小型とすることも可能である。それには光ファイバの端面にエアロゾルデポジション法を用いて直接ＥＯ膜あるいはＭＯ膜を形成する。エアロゾルデポジション法を用いることにより、ファイバ径と同じ横幅で数μｍ〜数十μｍの厚さの当該膜を形成することができ、超小型プローブが実現できる。ＥＯ膜の組成としてはジルコン酸チタン酸鉛、ランタンが添加されたジルコン酸チタン酸鉛、ＭＯ膜の組成としてはガーネット構造、スピネル構造、ヘキサゴナル構造のいずれかを有するフェライトが望ましい。

図１から図４に記載の装置を用いて、例えばプリント回路基板を対象とした回路動作検出システムが実現できる。その内容は、例えば図６に示すような正常動作か誤動作かを判定するシステムである。予め何本かのプローブを所望の位置に配置し、プローブにより検出された信号の強度が期待値か否かを判定し、正常動作あるいは誤動作を判断する。

図６を参照すると、まず、光ファイバプローブを所望の位置に固定する（ステップＳ２０１）。次に、プローブシステムの動作をオンにする（ステップＳ２０３）。次に、各プローブにより検出された信号の強度を計測する（ステップＳ２０５）。次に、ステップＳ２０５で検出された各信号の強度が各期待値であるかどうかを判断する（ステップＳ２０７）。そうでなければ（ステップＳ２０７でＮｏ）、誤動作であると判定する（ステップＳ２０９）。そうであれば（ステップＳ２０７でＹｅｓ）、正常動作であると判定する（ステップＳ２１１）。ステップＳ２１１の後で、続行しないと判断すれば（ステップＳ２１３でＮｏ）、計測を終了する。ステップＳ２１１の後で、続行すると判断すれば（ステップＳ２１３でＹｅｓ）、プローブ位置を変更するか否かを判断し（ステップＳ２１５）、変更しないと判断したら（ステップＳ２１５でＮｏ）、ステップＳ２０５に移る。変更すると判断したら（ステップＳ２１５）でＹｅｓ、プローブシステムの動作をオフにし（ステップＳ２１７）、ステップＳ２０１に進み、そのステップで別の所望の位置に光ファイバプローブを固定し、ステップＳ２０３に進む。

プローブを複数用いて多点計測を行うことにより、短時間での回路動作判定が可能となる。また、図３や図４に示すような装置を用いることで同時多点計測が行えるため、タイムリーな回路動作判定が可能となるほか、例えば同時に複数個所で生じる誤動作を検知することも出来る。

本発明の活用例として、実装電気設計支援ツールあるいは回路故障診断ツールとしての電磁界測定装置が挙げられる。すなわち、ＬＳＩ上やＬＳＩパッケージ周辺で本発明の装置を用いて電磁界計測を行い、電気設計にフィードバックするための情報を獲得する、あるいは回路の動作検証を行うことが出来る。

本発明の第一の実施形態を示す図である。 本発明の第二の実施形態を示す図である。 本発明の第三の実施形態を示す図である。 本発明の第四の実施形態を示す図である。 本発明による共振器構造を有するプローブの概念図である。 本発明の回路動作検出システムを説明するためのフローチャートである。

符号の説明

１ レーザ光源
２ 光ファイバ
３ 偏波コントローラ
４ 光サーキュレータ
５ 合波／分波器
６、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ 光ファイバプローブ
７ プリント回路基板
８ 半導体パッケージ
９ 検光子
１０ フォトディテクタ
１１ スペクトラムアナライザ
１２ 光スイッチ
１３ 光路選択用チャネル
１４ａ、１４ｂ 光反射膜
１５ ＥＯ／ＭＯ材料
１６ 定在波

Claims (9)

1. 時分割で複数の相互に異なった波長のレーザ光を出射するレーザ光源と、
   前記レーザ光源から出射されたレーザ光を直線偏光化する偏波コントローラと、
   先端部に電気光学材料又は磁気光学材料を有し、前記先端部で反射する前記レーザ光が該先端部の電界強度又は磁界強度に応じて偏光変調を受ける複数の光ファイバプローブと、
   前記複数の光ファイバプローブの各々で反射された前記レーザ光を強度変調光に変換する検光子と、
   前記偏波コントローラで直線偏光化されたレーザ光を合成／分波器に出力すると共に、前記合成／分波器から入力したレーザ光を前記検光子に出力する光サーキュレータと、
   前記光サーキュレータから入力したレーザ光を該レーザ光の各波長毎に分波してから、各波長のレーザ光を前記複数の光ファイバプローブの各々に出力すると共に、前記複数の光ファイバプローブの各々から入力した別々の波長のレーザ光を合波してから、前記光サーキュレータに出力する前記合成／分波器と、
   を備え、
   前記検光子は、前記光プローブで反射して、前記合成／分波器と前記光サーキュレータを経由してきた前記レーザ光を前記強度変調光に変換することを特徴とする電磁界計測装置。
2. レーザ光を出射するレーザ光源と、
   前記レーザ光源から出射されたレーザ光を直線偏光化する偏波コントローラと、
   先端部に電気光学材料又は磁気光学材料を有し、前記先端部で反射する前記レーザ光が該先端部の電界強度又は磁界強度に応じて偏光変調を受ける複数の光ファイバプローブと、
   前記複数の光ファイバプローブの各々で反射された前記レーザ光を強度変調光に変換する検光子と、
   前記偏波コントローラで直線偏光化されたレーザ光を光スイッチに出力すると共に、前記光スイッチから入力したレーザ光を前記検光子に出力する光サーキュレータと、
   前記光サーキュレータから入力したレーザ光を、前記複数の光ファイバプローブのうちの光路選択用チャンネルの位置に応じた光ファイバプローブに出力すると共に、前記複数の光ファイバプローブのうちの、その出力先の光ファイバプローブで反射されてから入力したレーザ光を前記光サーキュレータに出力する光スイッチと、
   を備え、
   前記検光子は、前記光プローブで反射して、前記光スイッチと前記光サーキュレータを経由してきた前記レーザ光を前記強度変調光に変換することを特徴とする電磁界計測装置。
3. 同時に複数の相互に異なった波長のレーザ光を出射するレーザ光源と、
   前記レーザ光源から出射されたレーザ光を直線偏光化する偏波コントローラと、
   先端部に電気光学材料又は磁気光学材料を有し、前記先端部で反射する前記レーザ光が該先端部の電界強度又は磁界強度に応じて偏光変調を受ける複数の光ファイバプローブと、
   その各々が、前記複数の光ファイバプローブのうちの対応する光ファイバプローブで反射された前記レーザ光を強度変調光に変換する複数の検光子と、
   前記偏波コントローラで直線偏光化されたレーザ光を合成／分波器に出力すると共に、前記合成／分波器から入力したレーザ光を前記複数の検光子に、第２の合成／分波器を介して、出力する光サーキュレータと、
   前記光サーキュレータから入力したレーザ光を該レーザ光の各波長毎に分波してから、各波長のレーザ光を前記複数の光ファイバプローブの各々に出力すると共に、前記複数の光ファイバプローブの各々から入力した別々の波長のレーザ光を合波してから、前記光サーキュレータに出力する前記合成／分波器と、
   前記複数の光プローブの各々で反射して、前記合成／分波器で合波され、前記光サーキュレータを経由してきた前記レーザ光を各波長毎に前記複数の検光子の各々に出力する前記第２の合成／分波器と、
   を備え、
   前記複数の検光子の各々は、前記第２の合成／分波器から入力した前記レーザ光を前記強度変調光に変換することを特徴とする電磁界計測装置。
4. 相互に異なった波長のレーザ光を出射する複数のレーザ光源と、
   前記複数のレーザ光源の各々から出射されたレーザ光を直線偏光化する偏波コントローラと、
   先端部に電気光学材料又は磁気光学材料を有し、前記先端部で反射する前記レーザ光が該先端部の電界強度又は磁界強度に応じて偏光変調を受ける複数の光ファイバプローブと、
   その各々が、前記複数の光ファイバプローブのうちの対応する光ファイバプローブで反射された前記レーザ光を強度変調光に変換する複数の検光子と、
   前記偏波コントローラで直線偏光化されたレーザ光を合成／分波器に出力すると共に、前記合成／分波器から入力したレーザ光を前記複数の検光子に、第２の合成／分波器を介して、出力する光サーキュレータと、
   前記光サーキュレータから入力したレーザ光を該レーザ光の各波長毎に分波してから、各波長のレーザ光を複数の光ファイバプローブの各々に出力すると共に、前記複数の光ファイバプローブの各々から入力した別々の波長のレーザ光を合波してから、前記光サーキュレータに出力する前記合成／分波器と、
   前記複数の光プローブで反射して、前記合成／分波器で合波され、前記光サーキュレータを経由してきた前記レーザ光を各波長毎に前記複数の検光子の各々に出力する前記第２の合成／分波器と、
   を備え、
   前記複数の検光子の各々は、前記第２の合成／分波器から入力した前記レーザ光を前記強度変調光に変換することを特徴とする電磁界計測装置。
5. 請求項１乃至４の何れか１項に記載の電磁界計測装置において、
   前記１以上の検光子の各々で強度変調光に変換された前記レーザ光を光電変換する１以上のフォトディテクタを更に備えることを特徴とする電磁界計測装置。
6. 請求項１乃至５の何れか１項に記載の電磁界計測装置において、
   前記複数の光ファイバプローブの各々の先端部は共振器構造を有することを特徴とする電磁界計測装置。
7. 請求項１乃至６の何れか１項に記載の電磁界計測装置において、
   前記電気光学材料又は前記磁気光学材料は、エアロゾルデポジション法により形成されたものであることを特徴とする電磁界計測装置。
8. 請求項１乃至７の何れか１項に記載の電磁界計測装置において、
   前記電気光学材料の組成がジルコン酸チタン酸鉛、ランタンが添加されたジルコン酸チタン酸鉛であることを特徴とする電磁界計測装置。
9. 請求項１乃至８の何れか１項に記載の電磁界計測装置において、
   前記磁気光学材料の組成がガーネット構造、スピネル構造、ヘキサゴナル構造のいずれかを有するフェライトであることを特徴とする電磁界計測装置。

Images