CN107523797A - 柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法 - Google Patents

柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法 Download PDF

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CN107523797A CN201710629666.7A CN201710629666A CN107523797A CN 107523797 A CN107523797 A CN 107523797A CN 201710629666 A CN201710629666 A CN 201710629666A CN 107523797 A CN107523797 A CN 107523797A
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Abstract

本发明提供柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，包括以下步骤：柔性板间电缆表面用无水酒精清洁；采用等离子体源对电缆基底表面进行轰击；单腔室多靶源同步磁控溅射卷对卷连续制备氧化硅镀层；对沉积的氧化硅镀层进行大气退火处理；对板间电缆的正反两面都制备氧化硅镀层；在柔性电缆折叠处涂覆含有纳米硅氧化合物颗粒的溶液，固化后形成硅氧物涂层。本发明提供的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，采用单腔室多靶源一次性同步磁控溅射的沉积方法制备，镀层均匀性好、缺陷少，并且沉积方式简单、工艺条件稳定。

Description

柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法
技术领域
本发明涉及材料工程技术领域，特别涉及柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的大面积卷对卷连续化制备方法。
背景技术
在低地球轨道环境中，原子氧是大气的主要成份，它具有很强的氧化性，会对航天器表面材料产生剧烈的氧化侵蚀作用。在航天器上配备的柔性太阳能电池阵结构中板间电缆是电池阵的关键部件之一，其上、下表面均使用25-50微米厚的有机聚酰亚胺薄膜材料。聚酰亚胺的原子氧剥蚀率很高，可以达到3.0×10-24cm3/atom，50微米厚的聚酰亚胺材料在1年内将会被原子氧剥蚀掉，而低地球轨道航天器设计寿命一般为10-15年。因此，为满足高效、长寿命低地球轨道航天器发展的需要，急需开发柔性太阳能电池阵板间电缆的原子氧防护技术。
目前，提高聚酰亚胺薄膜材料耐原子氧能力主要有以下两种方式：(1)通过共聚、共混、杂化等技术将某些特定元素，如磷、硅、锆等引入到聚酰亚胺材料中，这些元素受到原子氧侵蚀时可以原位生成惰性保护层，阻止原子氧对聚酰亚胺材料内层的侵蚀。其中掺杂笼形低聚倍半硅氧烷以其优异的抗原子氧侵蚀性能得到了空间飞行试验和地面模拟试验的认可。但是，其昂贵的价格制约了大规模工程化应用。(2)在聚酰亚胺材料表面沉积防护镀层。目前防护镀层的制备方法大致分为两种，其一是涂覆有机镀层，但是有机镀层的防护效果不能令人满意，在空间环境因素作用下易出现老化、裂纹、脱落等现象；其二是沉积无机镀层如SiO2、TiO2、Al2O3等，然而氧化物镀层不易大面积均匀制备且柔韧性较差，在弯曲的表面和复杂结构的部件上不适合使用，同时在加工、储运和使用过程中易发生开裂和脱落。
发明内容
本发明的目的在于提供柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的大面积卷对卷连续化制备方法，以解决现有原子氧防护镀层存在不足的问题。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：提供一种柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，包括以下步骤：步骤1、柔性板间电缆表面用无水酒精清洁；步骤2、采用等离子体源对电缆基底表面进行轰击；步骤3、单腔室多靶源同步磁控溅射卷对卷连续制备氧化硅镀层；步骤4、对沉积的氧化硅镀层进行大气退火处理；步骤5、对板间电缆的正反两面都制备氧化硅镀层；步骤6、在柔性电缆折叠处涂覆含有纳米硅氧化合物颗粒的溶液，固化后形成硅氧物涂层。
进一步地，步骤2中等离子体轰击时电源功率为200-300w，气压为0.5-1Pa。
进一步地，在步骤3中采用射频法制备氧化硅镀层，包括：腔室抽真空至10-4Pa以下，通入氩气和氧气，开启射频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对氧化硅靶材进行轰击，预溅射5min清除靶材表面的污染物后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的氧化硅沉积在基底上，从而在电缆基底上沉积一定厚度的氧化硅镀层，沉积镀层时射频电源功率为300-600W，气压为0.25-0.3Pa，氧气的掺杂比例为2％-10％，镀层厚度为50-100nm。
进一步地，在步骤3中采用中频法制备氧化硅镀层，包括：腔室抽真空至10-4Pa以下，通入氩气和氧气，开启中频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对多晶硅靶材进行轰击，预溅射5min清除靶表面的污染物后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的硅原子在电缆基底表面与氧原子反应，在电缆基底上沉积氧化硅镀层，沉积镀层时中频电源功率为200-500W，气压为0.25-0.3Pa，氧气的掺杂比例为10％-30％，镀层厚度为50-100nm。
进一步地，在步骤4中，大气退火处理的温度为50-120℃，时间为60min。
进一步地，在步骤5中，腔室内电缆基底正面一边沉积氧化硅镀层一边收卷，在靠近收卷转动轴的位置有一卷有PET保护膜的转动轴在同步转动，在镀层上覆盖保护膜后再逐步收卷，基板反面沉积氧化硅镀层时，保护膜始终覆盖在正面镀层上。
进一步地，步骤6中的涂覆方式包括喷涂、旋涂、浸涂、擦涂，固化温度为100-200℃，固化时间为1-3h。
本发明提供的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，采用单腔室多靶源一次性同步磁控溅射的沉积方法制备，镀层均匀性好、缺陷少，并且沉积方式简单、工艺条件稳定，该氧化硅镀层通过控制工艺过程中氧气的掺杂浓度和后期的大气退火热处理，提高了镀层材料的晶化质量和致密性，增强了抗原子氧的侵蚀能力，使得配备柔性板间电缆的柔性太阳能电池阵可以满足低地球轨道航天器的设计寿命；该制备方法获得的氧化硅镀层与电缆基底的结合性能良好，具备一定的抗压和抗弯曲的能力；氧化硅镀层具有优良的柔韧性，对于柔性板间电缆料卷可以采用卷对卷的连续化工艺方式，实现镀层的大面积不间断连续生长。在镀膜过程中通过保护膜的运用，可以在板间电缆的正反两面都沉积均匀、致密、不易开裂的镀层。沉积完氧化硅镀层后，在柔性板间电缆的折叠处可以涂覆含有纳米硅氧化合物颗粒的溶液，固化后形成硅氧化合物镀层，覆盖氧化硅镀层的开裂区域，可以修补板间电缆折叠成人字肩所形成的缺陷。
附图说明
下面结合附图对发明作进一步说明：
图1为本发明实施例提供的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法的步骤流程图；
图2a为本发明实施例一提供的原子氧暴露前氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；
图2b为本发明实施例一提供的原子氧暴露后氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；
图3a为本发明实施例一提供的原子氧暴露前电缆的扫描电镜表面形貌表征图；
图3b为本发明实施例一提供的原子氧暴露后电缆的扫描电镜表面形貌表征图；
图4a为本发明实施例二提供的非折叠处氧原子暴露前氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；
图4b为本发明实施例二提供的非折叠处氧原子暴露后氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；
图5a为本发明实施例二提供的折叠处覆盖有机镀层前的扫描电镜表面形貌表征图；
图5b为本发明实施例二提供的折叠处覆盖有机镀层后的扫描电镜表面形貌表征图；
图5c为本发明实施例二提供的折叠处覆盖有机镀层经原子氧暴露后的扫描电镜表面形貌表征图；
图6a为本发明实施例三提供的原子氧暴露前基底正面氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；
图6b为本发明实施例三提供的原子氧暴露后基底正面氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；
图6c为本发明实施例三提供的原子氧暴露前基底反面氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；
图6d为本发明实施例三提供的原子氧暴露后基底反面氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，本发明提供的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，采用单腔室多靶源一次性同步磁控溅射的沉积方法制备，镀层均匀性好、缺陷少，并且沉积方式简单、工艺条件稳定，该氧化硅镀层通过控制工艺过程中氧气的掺杂浓度和后期的大气退火热处理，提高了镀层材料的晶化质量和致密性，增强了抗原子氧的侵蚀能力，使得配备柔性板间电缆的柔性太阳能电池阵可以满足低地球轨道航天器的设计寿命；该制备方法获得的氧化硅镀层与电缆基底的结合性能良好，具备一定的抗压和抗弯曲的能力；氧化硅镀层具有优良的柔韧性，对于柔性板间电缆料卷可以采用卷对卷的连续化工艺方式，实现镀层的大面积不间断连续生长。在镀膜过程中通过保护膜的运用，可以在板间电缆的正反两面都沉积均匀、致密、不易开裂的镀层。沉积完氧化硅镀层后，在柔性板间电缆的折叠处可以涂覆含有纳米硅氧化合物颗粒的溶液，固化后形成硅氧化合物镀层，覆盖氧化硅镀层的开裂区域，可以修补板间电缆折叠成人字肩所形成的缺陷。
图1为本发明实施例提供的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法的步骤流程图。参照图1，提供一种柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，包括以下步骤：
S11、柔性板间电缆表面用无水酒精清洁；
S12、采用等离子体源对电缆基底表面进行轰击；
S13、单腔室多靶源同步磁控溅射卷对卷连续制备氧化硅镀层；
S14、对沉积的氧化硅镀层进行大气退火处理；
S15、对板间电缆的正反两面都制备氧化硅镀层；
S16、在柔性电缆折叠处涂覆含有纳米硅氧化合物颗粒的溶液，固化后形成硅氧物涂层。
具体地，在S11中，将柔性板间电缆用沾有无水酒精的无尘布轻轻擦拭电缆表面，去除附着在表面的灰尘、油污等物质；在S12中，把电缆料卷通过卷绕的方式装载到卷对卷真空溅射腔室的收/放卷转动轴上，采用等离子体对电缆基底表面进行轰击，去除表面的杂质颗粒，同时提高电缆基底表面的粗糙度，增强基底与镀层的结合力，提高镀层的抗压和抗弯曲能力，其中，等离子体轰击时电源功率为200-300w，气压为0.5-1Pa。
在S13中采用射频法制备氧化硅镀层，包括：腔室抽真空至10-4Pa以下，通入氩气和氧气，开启射频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对氧化硅靶材进行轰击，预溅射5min清除靶材表面的污染物后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的氧化硅沉积在基底上，从而在电缆基底上沉积一定厚度的氧化硅镀层，沉积镀层时射频电源功率为300-600W，气压为0.25-0.3Pa，氧气的掺杂比例为2％-10％，镀层厚度为50-100nm。
在S13中采用中频法制备氧化硅镀层，包括：腔室抽真空至10-4Pa以下，通入氩气和氧气，开启中频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对多晶硅靶材进行轰击，预溅射5min清除靶表面的污染物后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的硅原子在电缆基底表面与氧原子反应，在电缆基底上沉积氧化硅镀层，沉积镀层时中频电源功率为200-500W，气压为0.25-0.3Pa，氧气的掺杂比例为10％-30％，镀层厚度为50-100nm。
在S14中，大气退火处理的温度为50-120℃，时间为60min，以及通过步骤3中控制工艺过程中氧气浓度2％-10％的参杂比例，提高氧化硅防原子氧镀层材料的晶化质量和致密性，增加了抗原子氧的侵蚀能力。
在S15中，腔室内电缆基底正面一边沉积氧化硅镀层一边收卷，在靠近收卷转动轴的位置有一卷有PET保护膜的转动轴在同步转动，在镀层上覆盖保护膜后再逐步收卷，基板反面沉积氧化硅镀层时，保护膜始终覆盖在正面镀层上，起到保护作用。
在S16中，柔性电缆基底沉积完氧化硅镀层后每隔一定的距离需要折叠成人字肩，在折叠处涂覆含有纳米硅氧化合物颗粒的溶液，固化后形成硅氧化合物涂层，覆盖因折叠而在氧化硅镀层表面出现的裂纹，其中，涂覆方式包括喷涂、旋涂、浸涂、擦涂，固化温度为100-200℃，固化时间为1-3h。
实施例一
柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法包括：
(1)、将柔性板间电缆用沾有无水酒精的无尘布轻轻擦拭电缆表面；
(2)、把电缆料卷通过卷绕的方式装载到卷对卷真空溅射腔室的收/放卷转动轴上。腔室抽真空至5×10-4Pa，然后通入氩气，开启射频电源，通过转动轴的运行使得电缆从头至尾不间断地逐步经过等离子体清洗靶面，完成对电缆基底的等离子体轰击。电源功率为200W，气压为0.5Pa。
(3)射频法制备氧化硅镀层，腔室抽真空至5×10-4Pa，然后通入氩气和氧气，开启射频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对氧化硅靶材进行轰击。预溅射5min后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的氧化硅沉积在电缆基体上，得到氧化硅镀层。沉积镀层时射频电源功率为400W，气压为0.25Pa，氧气的掺杂比例为8％，基底移动速度为20mm/min，镀层厚度为70nm。
(4)对沉积的氧化硅镀层进行大气退火处理，温度为90℃，时间为60min。
在镀有氧化硅镀层的板间电缆上随机裁剪5个样品(样品尺寸为8cm×8cm)，将样品在原子氧环境中暴露，经累积通量为1.6×1022atoms/cm2的原子氧实验。
图2a为本发明实施例一提供的原子氧暴露前氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；图2b为本发明实施例一提供的原子氧暴露后氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图。参照图2a以及图2b，用扫描电子显微镜观察暴露于原子氧环境前后的氧化硅镀层表面。原子氧暴露后，镀层表面没有发生明显的变化，镀层颗粒排列致密，镀层表面没有裂纹、孔洞等缺陷。图3a为本发明实施例一提供的原子氧暴露前电缆的扫描电镜表面形貌表征图；图3b为本发明实施例一提供的原子氧暴露后电缆的扫描电镜表面形貌表征图。参照图3a以及图3b，没有镀层保护的电缆表面受到原子氧的侵蚀，呈现地毯状形貌。通过测量暴露于原子氧环境前后样品的质量变化，计算得出沉积氧化硅镀层样品的剥蚀率为(1.82-2.46)×10-26cm3/atom，而电缆基底的剥蚀率为5.84×10-24cm3/atom。由此可见，沉积氧化硅镀层后板间电缆的抗原子氧侵蚀效果比纯电缆提高了两个量级。
实施例二
柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法包括：
(1)将柔性板间电缆用沾有无水酒精的无尘布轻轻擦拭电缆表面。
(2)把电缆料卷通过卷绕的方式装载到卷对卷真空溅射腔室的收/放卷转动轴上。腔室抽真空至5×10-4Pa，然后通入氩气，开启射频电源，通过转动轴的运行使得电缆从头至尾不间断地逐步经过等离子体清洗靶面，完成对电缆基底的等离子体轰击。电源功率为200W，气压为0.5Pa。
(3)中频法制备氧化硅镀层，腔室抽真空至5×10-4Pa，然后通入氩气和氧气，开启中频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对多晶硅靶材进行轰击。预溅射5min后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的硅原子在电缆基底表面与氧原子反应，从而在电缆基底上沉积氧化硅镀层。沉积镀层时中频电源功率为400W，气压为0.25Pa，基底移动速度为20mm/min，镀层厚度为80nm。
(4)对沉积的氧化硅镀层进行大气退火处理，温度为90℃，时间为60min。
(5)对沉积完氧化硅镀层的柔性电缆基底在长度方向上每隔2米折叠成人字肩，在折叠处涂覆含有纳米硅氧化合物颗粒的溶液，固化后形成硅氧化合物涂层。固化温度为100℃，固化时间为2h。
在镀有氧化硅镀层的板间电缆上随机裁剪7个样品(样品尺寸为8cm×8cm)，其中包括2个人字肩折叠处的样品。将样品在原子氧环境中暴露，累积通量为1.6×1022atoms/cm2。
图4a为本发明实施例二提供的非折叠处氧原子暴露前氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；图4b为本发明实施例二提供的非折叠处氧原子暴露后氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图。参照图4a以及4b，用扫描电子显微镜观察暴露于原子氧环境前后的氧化硅镀层表面。在非折叠处，原子氧暴露后，镀层表面没有发生明显的变化。图5a为本发明实施例二提供的折叠处覆盖有机镀层前的扫描电镜表面形貌表征图；图5b为本发明实施例二提供的折叠处覆盖有机镀层后的扫描电镜表面形貌表征图；图5c为本发明实施例二提供的折叠处覆盖有机镀层经原子氧暴露后的扫描电镜表面形貌表征图。参照图5a、5b以及图5c，在折叠处，虽然氧化硅镀层表面致密分布着许多裂纹，但是其上的有机涂层可以把这些裂纹有效地覆盖住，使得原子氧无法通过裂纹对电缆基底产生侵蚀。
从原子氧暴露前后样品的质量变化，计算得出沉积氧化硅镀层样品的剥蚀率为(1.68-2.27)×10-26cm3/atom，人字肩折叠处样品的剥蚀率为(1.94-2.37)×10-26cm3/atom而电缆基底胺的剥蚀率为4.63×10-24cm3/atom。因此，对沉积有氧化硅镀层的样品进行折叠并不影响其抗原子氧侵蚀性能。
实施例三
柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法包括：
(1)将柔性板间电缆用沾有无水酒精的无尘布轻轻擦拭电缆的正反表面。
(2)把电缆料卷通过卷绕的方式装载到卷对卷真空溅射腔室的收/放卷转动轴上。腔室抽真空至5×10-4Pa，然后通入氩气，开启射频电源，通过转动轴的运行使得电缆从头至尾不间断地逐步经过等离子体清洗靶面，完成对电缆基底正面的等离子体轰击。电源功率为200W，气压为0.5Pa。
(3)射频法制备氧化硅镀层，腔室抽真空至5×10-4Pa，然后通入氩气和氧气，开启射频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对氧化硅靶材进行轰击。预溅射5min后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底正面从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的氧化硅沉积在电缆基体上，得到氧化硅镀层。同时，在靠近收卷转动轴的位置有一个卷有PET保护膜的转动轴在同步转动，使得正面镀层上覆盖保护膜后再逐步收卷。沉积镀层时射频电源功率为400W，气压为0.25Pa，氧气的掺杂比例为8％，基底移动速度为20mm/min，镀层厚度为70nm。
(4)重复步骤(2)和(3)，在电缆基底的反面制备氧化硅镀层，保护膜始终覆盖在正面镀层上，起到保护作用。
(5)对沉积的正反两面氧化硅镀层进行大气退火处理，温度为90℃，时间为60min。
在两面都镀有氧化硅镀层的板间电缆上随机裁剪5个样品(样品尺寸为8cm×8cm)，将样品在原子氧环境中暴露，累积通量为1.6×1022atoms/cm2。
图6a为本发明实施例三提供的原子氧暴露前基底正面氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；图6b为本发明实施例三提供的原子氧暴露后基底正面氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；图6c为本发明实施例三提供的原子氧暴露前基底反面氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图；图6d为本发明实施例三提供的原子氧暴露后基底反面氧化硅镀层的扫描电镜表面形貌表征图。参照图6a、6b、6c以及图6d，用扫描电子显微镜观察在电缆基底正反两面沉积的氧化硅镀层。原子氧暴露后，正反两面的镀层表面都没有发生明显的变化，没有裂纹、孔洞等缺陷。
通过测量暴露于原子氧环境前后样品的质量变化，计算得出电缆基底正反两面都沉积氧化硅镀层后其剥蚀率为(1.53-1.97)×10-26cm3/atom，而电缆基底的剥蚀率为5.37×10-24cm3/atom。因此在电缆基底两面分别制备氧化硅镀层后，其正反两面抗原子氧侵蚀性能都会显著提高。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变形而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (7)

1.柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、柔性板间电缆表面用无水酒精清洁；
步骤2、采用等离子体源对电缆基底表面进行轰击；
步骤3、单腔室多靶源同步磁控溅射卷对卷连续制备氧化硅镀层；
步骤4、对沉积的氧化硅镀层进行大气退火处理；
步骤5、对板间电缆的正反两面都制备氧化硅镀层；
步骤6、在柔性电缆折叠处涂覆含有纳米硅氧化合物颗粒的溶液，固化后形成硅氧物涂层。
2.如权利要求1所述的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，其特征在于，步骤2中等离子体轰击时电源功率为200-300w，气压为0.5-1Pa。
3.如权利要求1所述的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，其特征在于，在步骤3中采用射频法制备氧化硅镀层，包括：腔室抽真空至10-4Pa以下，通入氩气和氧气，开启射频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对氧化硅靶材进行轰击，预溅射5min清除靶材表面的污染物后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的氧化硅沉积在基底上，从而在电缆基底上沉积一定厚度的氧化硅镀层，沉积镀层时射频电源功率为300-600W，气压为0.25-0.3Pa，氧气的掺杂比例为2％-10％，镀层厚度为50-100nm。
4.如权利要求1所述的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，其特征在于，在步骤3中采用中频法制备氧化硅镀层，包括：腔室抽真空至10-4Pa以下，通入氩气和氧气，开启中频电源，多个靶面同时产生辉光放电，氩离子流对多晶硅靶材进行轰击，预溅射5min清除靶表面的污染物后，通过多个转动轴的同步转动使电缆基底从头到尾不间断地连续经过多个靶面的辉光区域，使溅射出的硅原子在电缆基底表面与氧原子反应，在电缆基底上沉积氧化硅镀层，沉积镀层时中频电源功率为200-500W，气压为0.25-0.3Pa，氧气的掺杂比例为10％-30％，镀层厚度为50-100nm。
5.如权利要求1所述的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，其特征在于，在步骤4中，大气退火处理的温度为50-120℃，时间为60min。
6.如权利要求1所述的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，在步骤5中，腔室内电缆基底正面一边沉积氧化硅镀层一边收卷，在靠近收卷转动轴的位置有一卷有PET保护膜的转动轴在同步转动，在镀层上覆盖保护膜后再逐步收卷，基板反面沉积氧化硅镀层时，保护膜始终覆盖在正面镀层上。
7.如权利要求1所述的柔性板间电缆原子氧防护氧化硅镀层的卷对卷制备方法，步骤6中的涂覆方式包括喷涂、旋涂、浸涂、擦涂，固化温度为100-200℃，固化时间为1-3h。
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