CN107507916B - 一种pi基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种PI基板及其制备方法、显示装置，包括：在基板的边缘区域形成第一离型膜；在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层聚酰胺酸PAA膜；剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述第一层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板，从而解决了现有涂布PI时存在PI膜边缘厚度不均匀的问题。

Description

一种PI基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种PI基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
近年来随着柔性显示技术迅猛发展，各显示面板厂商纷纷展出自己的样机，同时也积极的布局自己的柔性显示生产线和量产线，柔性显示技术逐渐从研发走向量产，使柔性显示技术得到了快速发展。
目前柔性基板分为两种，一种是三明治结构聚酰亚胺(Polyimide，PI)基板，另一种是单层PI基板，上述两种PI基板均存在涂覆聚酰亚胺PI时，由于PI扩散不均匀，从而在PI基板边缘会产生膜厚度不均匀区域。由于PI边缘的厚度不均，干燥固化时会产生残留溶剂、固化不完全和产生孔洞等肉眼不可见的缺陷，从而影响了PI基板的良率。
发明内容
本发明提供了一种PI基板及其制备方法、显示装置，以解决现有涂布PI时存在PI膜边缘厚度不均匀的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种PI基板的制备方法，包括：
在基板的边缘区域形成第一离型膜；
在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层聚酰胺酸PAA膜；
剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述第一层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；
对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板。
优选的，对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理之后，还包括：
在所述基板的边缘区域及所述基板的第一层PAA膜上形成无机层；
在所述边缘区域形成第二离型膜；
在所述第二离型膜以及所述无机层上形成第二层PAA膜；
剥离所述边缘区域的第二离型膜以及覆盖在所述第二离型膜上的所述第二层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；
对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第二层PAA膜进行亚胺化处理，形成所述PI基板。
优选的，所述第二离型膜的厚度以及所述无机层的厚度均为所述第一层PAA膜厚度的一半。
优选的，在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层PAA膜的步骤包括：
在所述第一离型膜以及所述基板上涂布PAA膜；
将所述PAA膜进行高温干燥处理，形成硬化的第一层PAA膜。
优选的，所述第一离型膜宽度为10毫米。
优选的，所述第一离型膜材料包括聚酰亚胺、聚丙烯中的至少一种。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种PI基板，包括：
基板，所述基板包括中心区域和边缘区域；
第一层PAA膜，所述第一层PAA膜形成在所述基板的中心区域，其中，所述第一层PAA膜的平坦度满足预设条件。
优选的，还包括：无机层，所述无机层覆盖在所述基板的边缘区域及所述第一层PAA膜上；
第二层PAA膜，所述第二层PAA膜形成在所述基板的中心区域的所述无机层上。
优选的，所述无机层的厚度为所述第一层PAA膜厚度的一半。
为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包括权利要求7-9中任一项所述的PI基板。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
本发明在基板的边缘区域形成第一离型膜；在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层PAA膜；剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述第一层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板，由于去除位于所述边缘区域的第一离型膜及第一层PAA膜，即将PI基板的边缘区域厚度不均匀的区域剥离，从而使形成的PI基板不存在边缘厚度不均匀的区域，从而消除了涂布PI时存在PI膜边缘厚度不均匀的问题，同时提高了PI基板的良率。
附图说明
图1是本发明实施例一所述一种PI基板制备方法的流程图；
图2是本发明形成第一离型膜的结构示意图；
图3是本发明形成第一层PAA膜的结构示意图；
图4是本发明切割第一层PAA膜和第一离型膜的结构示意图；
图5是本发明一种PI基板的结构示意图；
图6本发明实施例二所述一种PI基板制备方法的流程图；
图7是本发明形成无机层的结构示意图；
图8是本发明形成第二离型膜的结构示意图；
图9是本发明形成第二层PAA膜的结构示意图；
图10是本发明切割位于所述边缘区域的第二层PAA膜及第二离型膜的结构示意图；
图11是本发明另一种PI基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
实施例一
参照图1，其示出了本发明实施例一所述一种PI基板制备方法的流程图。
步骤101：在基板的边缘区域形成第一离型膜，如图2所示。
在基板1的边缘区域形成第一离型膜2，该第一离型膜2采用低粘附力的胶材，该胶材能耐N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)溶剂的侵蚀，并具有100℃以上的耐热稳定性。
基板可以采用主成分为二氧化硅的透明玻璃材料形成，形成基板的材料不限于透明玻璃材料，也可以为透明塑料材料，该基板优选的为玻璃基板或刚性基板。
步骤102：在所述第一离型膜2以及所述基板1上形成第一层聚酰胺酸PAA膜3，如图3所示。
步骤103：剥离所述边缘区域的第一离型膜2以及覆盖在所述第一离型膜2上的所述第一层PAA膜3，暴露所述边缘区域的基板，如图4所示。
使用线状的刀具沿着第一离型膜的内边缘向下移动进行切割，然后将第一离型膜和第一层PAA膜去除，就能够将PI边缘厚度不均匀的区域剥离，露出边缘区域的基板。
具体的，如图4所示，在完成上述步骤102上，进行切割去除操作。例如：图4中线状的刀具a,b分别表示了沿着第一离型膜的内边缘向下移动进行切割。然后将第一离型膜和第一层PAA膜去除，就能够将PI边缘厚度不均匀的区域剥离，露出边缘区域的基板，即成功的将第一离型膜和第一层PAA膜与基板进行了分离。
步骤104：对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板，如图5所示。
需要说明的是，在实际应用中，也可以在所述第一离型膜以及所述基板上形成聚酰亚胺PI膜，然后剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述聚酰亚胺PI膜，暴露所述边缘区域的基板，对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的PI膜进行高温加热处理，形成PI基板。本实施例，通过在基板的边缘区域形成第一离型膜；在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层PAA膜；剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述第一层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板，由于切割去除位于所述边缘区域的第一离型膜及第一层PAA膜，即将PI基板的边缘区域厚度不均匀的区域切除，从而使形成的PI基板不存在边缘厚度不均匀的区域，从而消除了涂布PI时存在PI膜边缘厚度不均匀的问题，同时提高了PI基板的良率。
实施例二
参照图6，其示出了本发明实施例二所述一种PI基板制备方法的流程图。
步骤601：在基板的边缘区域形成第一离型膜。
该第一离型膜采用低粘附力的胶材，该胶材能耐N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)溶剂的侵蚀，并具有100℃以上的耐热稳定性，由于聚酰亚胺可以耐侵蚀和耐反应等特性，因此所述第一离型膜材料包括聚酰亚胺、聚丙烯中的至少一种。
第一离型膜的宽度可以根据实际需要进行设置，对此本发明不做具体限制，第一离型膜宽度优选为10毫米。
步骤602：在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层PAA膜。
在所述第一离型膜以及所述基板上涂布PAA膜；将所述PAA膜进行高温干燥处理，形成硬化的第一层PAA膜。
在实际应用中，可以使用PI涂布机对第一离型膜以及所述基板进行涂布PAA膜，并使用真空干燥设备或者热板对涂布PAA膜进行处理，使得PAA膜中的溶液被处理掉，形成第一层PAA膜。
步骤603：剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述第一层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板。
步骤604：对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板。
由于暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜的表面粗糙，因此进行亚胺化处理，对暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜加热至200-500度实现亚胺化处理，使PAA转化为PI，形成PI基板。
步骤605：在所述PI基板的边缘区域及所述基板的第一层PAA膜上形成无机层4，如图7所示。
无机层材料一般采用聚酯树脂的复合材料，对此本发明不做具体限制。
步骤606：在所述边缘区域形成第二离型膜5，如图8所示。
该第二离型膜采用低粘附力的胶材，该胶材能耐N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-2-pyrrolidone，NMP)溶剂的侵蚀，并具有100℃以上的耐热稳定性，优选的，所述第二离型膜材料包括聚酰亚胺、聚丙烯中的至少一种。
第二离型膜的宽度可以根据实际需要进行设置，对此本发明不做具体限制，第二离型膜宽度优选为10毫米，即基板的边缘区域宽度也为10毫米。
所述第二离型膜的厚度以及所述无机层的厚度分别为所述第一层PAA膜厚度的一半，实际应用中所述第二离型膜的厚度以及所述无机层的厚度越薄越好。
第二离型膜的表面与基板中心区域的第一层PI膜的表面位于同一水平面上。
步骤607：在所述第二离型膜5以及所述无机层上形成第二层PAA膜6，如图9所示。
在所述第二离型膜以及无机层涂布PAA膜；将所述PAA膜进行高温干燥处理，形成硬化的第二层PAA膜。
在实际应用中，可以使用PI涂布机对第二离型膜以及无机层进行涂布PAA膜，并使用真空干燥设备或者热板对涂布PAA膜进行处理，使得PAA膜中的溶液被处理掉，形成硬化的第二层PAA膜。
步骤608：剥离所述边缘区域的第二离型膜5以及覆盖在所述第二离型膜5上的所述第二层PAA膜6，暴露所述边缘区域的基板，如图10所示。
使用线状的刀具沿着第二离型膜的内边缘向下移动进行切割，然后将第二离型膜和第二层PAA膜去除，就能够将PI边缘厚度不均匀的区域剥离，露出边缘区域的基板。
具体的，如图10所示，在完成上述步骤207上，进行切割去除操作。例如：图10中线状的刀具c,d分别表示了沿着第二离型膜的内边缘向下移动进行切割。然后将第二离型膜和第二层PAA膜去除，就能够将PI边缘厚度不均匀的区域剥离，露出边缘区域的基板，即成功的第二离型膜和第二层PI膜与基板进行了分离。
步骤609：对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第二层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板，如图11所示。
由于暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第二层PAA膜的表面粗糙，因此进行亚胺化处理，对暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第二层PAA膜的表面加热至200-500度实现亚胺化处理，使PAA转化为PI，形成PI基板。
本实施例，通过在基板的边缘区域形成第一离型膜；在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层PAA膜；剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述第一层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板，由于切割去除位于所述边缘区域的第一离型膜及第一层PAA膜，即将PI基板的边缘区域厚度不均匀的区域切除，从而使形成的PI基板不存在边缘厚度不均匀的区域，从而消除了涂布PI时存在PI膜边缘厚度不均匀的问题，同时提高了PI基板的良率。
实施例三
参照图2，其示出了本发明实施例三所述一种PI基板的结构框图。
基板，所述基板包括中心区域和边缘区域；
第一层PAA膜，所述第一层PAA膜形成在所述基板的中心区域，其中，所述第一层PAA膜的平坦度满足预设条件。
预设条件是指第一PAA膜的平坦度的厚度均匀一致。
优选的，所述PI基板还包括：无机层，所述无机层覆盖所述基板边缘区域及第一层PAA膜。
第二层PAA膜，所述第二层PAA膜形成在所述基板的中心区域的所述无机层上。
本实施例，通过在基板的边缘区域形成第一离型膜；在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层PAA膜；剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述第一层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板，由于切割去除位于所述边缘区域的第一离型膜及第一层PAA膜，即将PI基板的边缘区域厚度不均匀的区域切除，从而使形成的PI基板不存在边缘厚度不均匀的区域，从而消除了涂布PI时存在PI膜边缘厚度不均匀的问题，同时提高了PI基板的良率。
实施例四
本发明还公开了一种显示装置，包括实施例三中的所述PI基板。
需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
所述显示装置具有上述实施例三中显示基板的所有优点，在此不再赘述。
需要说明的是，对于前述的方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明所必需的。
对于上述装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见所示方法实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域技术人员易于想到的是：上述各个实施例的任意组合应用都是可行的，故上述各个实施例之间的任意组合都是本发明的实施方案，但是由于篇幅限制，本说明书在此就不一一详述了。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”，不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
而且，上文中的“和/或”表示本文既包含了“和”的关系，也包含了“或”的关系，其中：如果方案A与方案B是“和”的关系，则表示某实施例中可以同时包括方案A和方案B；如果方案A与方案B是“或”的关系，则表示某实施例中可以单独包括方案A，或者单独包括方案B。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
以上对本发明所提供的一种PI基板及其制作方法、显示装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (9)

1.一种PI基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基板的边缘区域形成第一离型膜；
在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层聚酰胺酸PAA膜；
剥离所述边缘区域的第一离型膜以及覆盖在所述第一离型膜上的所述第一层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；
对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理，形成PI基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第一层PAA膜进行亚胺化处理之后，还包括：
在所述基板的边缘区域及所述基板的第一层PAA膜上形成无机层；
在所述边缘区域形成第二离型膜；
在所述第二离型膜以及所述无机层上形成第二层PAA膜；
剥离所述边缘区域的第二离型膜以及覆盖在所述第二离型膜上的所述第二层PAA膜，暴露所述边缘区域的基板；
对所述暴露所述边缘区域的基板及所述基板上的第二层PAA膜进行亚胺化处理，形成所述PI基板。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二离型膜的厚度以及所述无机层的厚度均为所述第一层PAA膜厚度的一半。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一离型膜以及所述基板上形成第一层PAA膜的步骤包括：
在所述第一离型膜以及所述基板上涂布PAA膜；
将所述PAA膜进行高温干燥处理，形成硬化的第一层PAA膜。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一离型膜宽度为10毫米。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一离型膜材料包括聚酰亚胺、聚丙烯中的至少一种。
7.一种PI基板，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括中心区域和边缘区域；
第一层PAA膜，所述第一层PAA膜形成在所述基板的中心区域，其中，所述第一层PAA膜的平坦度满足预设条件；
无机层，所述无机层覆盖在所述基板的边缘区域及所述第一层PAA膜上；
第二层PAA膜，所述第二层PAA膜形成在所述基板的中心区域的所述无机层上。
8.根据权利要求7所述的PI基板，其特征在于，所述无机层的厚度为所述第一层PAA膜厚度的一半。
9.一种显示装置，包括权利要求7-8中任一项所述的PI基板。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102089858A (zh) * 2008-02-20 2011-06-08 夏普株式会社 柔性半导体基板的制造方法
CN104362077A (zh) * 2014-10-31 2015-02-18 华南理工大学 一种衬底与基板分离工艺、柔性显示器件及其制备工艺
CN104875462A (zh) * 2014-02-28 2015-09-02 新日铁住金化学株式会社 显示装置的制造方法、树脂溶液及剥离装置
CN105552247A (zh) * 2015-12-08 2016-05-04 上海天马微电子有限公司 复合基板、柔性显示装置及其制备方法
CN106098940A (zh) * 2016-08-26 2016-11-09 武汉华星光电技术有限公司 无损剥离柔性基板的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102223760A (zh) * 2011-06-03 2011-10-19 深圳丹邦投资集团有限公司 一种柔性基板、柔性amoled以及柔性pmoled
US20130115426A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Au Optronics Corporation Method of manufacturing flexible electronic device
KR101580015B1 (ko) * 2013-08-30 2015-12-24 주식회사 엔씰텍 임시 점착/탈착층을 사용하는 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판, 이의 제조 방법, 그를 이용한 플렉시블 정보 표시 소자 및 그의 제조 방법
US9373817B2 (en) * 2014-07-11 2016-06-21 Industrial Technology Research Institute Substrate structure and device employing the same
CN106328810B (zh) * 2016-10-17 2019-03-12 武汉华星光电技术有限公司 柔性oled基板结构和设计方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102089858A (zh) * 2008-02-20 2011-06-08 夏普株式会社 柔性半导体基板的制造方法
CN104875462A (zh) * 2014-02-28 2015-09-02 新日铁住金化学株式会社 显示装置的制造方法、树脂溶液及剥离装置
CN104362077A (zh) * 2014-10-31 2015-02-18 华南理工大学 一种衬底与基板分离工艺、柔性显示器件及其制备工艺
CN105552247A (zh) * 2015-12-08 2016-05-04 上海天马微电子有限公司 复合基板、柔性显示装置及其制备方法
CN106098940A (zh) * 2016-08-26 2016-11-09 武汉华星光电技术有限公司 无损剥离柔性基板的方法

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