CN106783720A - 一种显示基板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种显示基板及其制作方法。该显示基板包括：载板、设置于所述载板上的柔性基板、位于所述载板与所述柔性基板之间的黏合层、以及内嵌在所述黏合层接近所述柔性基板的一侧的气体产生层；其中，所述气体产生层用于在预设条件下产生气体以便所述柔性基板与所述载板分离。该方案中，在载板与柔性基板之间设置了气体产生层，在生产工艺中，在一定条件下可以产生气体，使得柔性基板与黏合层之间产生间隙，与外界大气压强平衡，可以协助柔性基板与载板分离，减小了使得柔性基板变形的风险，也提高了生产效率。

Description

一种显示基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法。
背景技术
目前，柔性显示器件，由于独特的功能和优秀的用户体验受到了众多青睐。制作柔性显示器时，通常采用的基板为透明有机材料，较为柔软，在柔性显示器件制作的过程中，需要在柔性基板上附加质地较硬、平坦的载板。制作完成后再将载板从柔性基板上剥离。但是，制作过程中要求柔性基板牢固的粘贴在载板上，而制作完成后要求快速完整的分离载板和基板，实现起来是比较困难的。
传统的分离方式：是在载板上涂布均匀的热分离胶，将胶面与柔性基板压合，将柔性基板和载板通过胶材粘结起来，通常也会加入压敏胶材作为辅助粘贴材料；在完成制作之后，通过加热的方式，使柔性基板从载板上分离。但是，由于外界大气压强的存在，仍然不易将柔性基板取下，而且分离时容易对柔性基板进行拉扯，会对柔性基板和内部构造造成损害；若在真空设备中分离，则成本上升，而且抽真空时间较长，会影响到生产节拍。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种显示基板及其制作方法，用于解决柔性基板与载板不易分离的问题。
本发明实施例的目的是通过以下技术方案实现的：
一种显示基板，包括：载板、设置于所述载板上的柔性基板、位于所述载板与所述柔性基板之间的黏合层、以及内嵌在所述黏合层接近所述柔性基板的一侧的气体产生层；其中，所述气体产生层用于在预设条件下产生气体以便所述柔性基板与所述载板分离。
较佳地，所述气体产生层的材料为热分解产生气体材料。
较佳地，所述热分解产生气体材料包括AgNO3、NaHCO3、有机发泡剂其中一种或者任意组合。
较佳地，所述气体产生层的材料具有光分解性能；所述柔性基板具有遮光性能；并且，所述载板和所述黏合层具有遮光性能。
较佳地，所述气体产生层由多个各自独立的气体产生结构组成。
较佳地，各所述气体产生结构在所述载板的正投影的形状为圆形、矩形、菱形。
较佳地，所述气体产生结构的厚度为1μm～500μm；所述气体产生结构在所述载板上的正投影为圆形时，直径为1mm～5mm。
一种显示基板的制作方法，包括：
在载板上形成黏合层；
在所述黏合层的表面按压气体产生层；其中，所述气体产生层用于在预设条件下产生气体以便柔性基板与所述载板分离；
在按压有所述气体产生层的所述载板上形成柔性基板。
较佳地，该方法还包括：
按照所述预设条件对所述显示基板进行处理，使得所述气体产生层产生气体；
将所述载板与所述柔性基板分离。
较佳地，按照预设条件对所述显示基板进行处理，包括：
对所述显示基板进行加热处理。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的显示基板及其制作方法中，在载板与柔性基板之间设置了气体产生层，在生产工艺中，在一定条件下可以产生气体，增加了载板与柔性基板之间的压强，与外界大气压强平衡，可以协助柔性基板与载板分离，减小了使得柔性基板变形的风险，也提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示基板中气体产生层的俯视结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法流程图；
图4a～图4c为本发明实施例提供的一种显示基板的制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为了解决以上技术问题，本发明实施例提供一种显示基板及其制作方法。其中，本发明实施例提供的显示基板，包括：载板、设置于载板上的柔性基板、位于载板与柔性基板之间的黏合层、以及内嵌在黏合层接近柔性基板的一侧的气体产生层；其中，气体产生层用于在预设条件下产生气体以便柔性基板与载板分离。
本发明实施例中，在载板与柔性基板之间设置了气体产生层，在生产工艺中，在一定条件下可以产生气体，使得柔性基板与黏合层之间产生间隙，与外界大气压强平衡，可以协助柔性基板与载板分离，减小了使得柔性基板变形的风险，也提高了生产效率。
下面结合附图和实施例对本发明提供的方案进行更详细地说明。
本发明实施例提供一种显示基板，如图1所示，包括：载板11、设置于载板11上的柔性基板12、位于载板11与柔性基板12之间的黏合层13、以及内嵌在黏合层13接近柔性基板12的一侧的气体产生层14；其中，气体产生层14用于在预设条件下产生气体以便柔性基板12与载板11分离。
具体实施时，气体产生层的材料有多种，较佳地，气体产生层的材料为热分解产生气体材料。实施中，当达到一定温度时，气体产生层就可以受热分解，产生气体，使得柔性基板与黏合层之间产生间隙，内部压强增大，减小与外部压强的差距，尽量与外部压强平衡，利于柔性基板脱离。
具体实施时，热分解产生气体材料的种类有多种，最好是能够分解产生环境友好气体的材料，较佳地，热分解产生气体材料可以但不限于包括AgNO3、NaHCO3、有机发泡剂其中一种或者任意组合。
其中，AgNO3受热分解可以产生NO2和O2。NaHCO3受热分解产生CO2。其中，有机发泡剂有多种，例如，可以是偶氮二甲酰胺(ADC)，二偶氮氨基苯(DAB)，对甲苯磺酰肼(TSH)，等等。ADC、DAB、TSH受热后分解产生N2。
实施中，有些热分解气体材料在受到一定的光照后也可能会发生分解产生气体，为了避免热分解气体材料在未到分离工艺时就因光照影响而提早分解产生气体，需要对气体产生层进行遮光设置。因此，如果气体产生层的材料具有光分解性能；柔性基板具有遮光性能；并且，载板和黏合层具有遮光性能。
其中，柔性基板可以设置为深褐色，也可以由柔性基板背离载板一侧设置的器件结构作为遮挡，可以遮挡从柔性基板一侧入射的光。
其中，载板的表面可以设置有遮光材料，例如，可以设置深褐色涂料，遮挡从载板一侧入射的光。
其中，黏合层的侧边缘设置遮光材料，例如，可以设置深褐色涂料，遮挡从黏合层的侧边缘入射的光。黏合层的表面也可以设置遮光材料，进一步遮挡从载板一侧入射的光，遮光性能更好。
具体实施时，气体产生层的具体结构有多种，如果将气体产生层设置为大面积的连续的膜层，会影响柔性基板与黏合层的粘性，为了避免这一情况，较佳地，如图1和图2所示，气体产生层14由多个各自独立的气体产生结构组成。其中，图2为气体产生层14的俯视结构示意图。
其中，气体产生结构是将粉末状的材料通过按压的方式制成的，其中可以添加有机粘合剂辅助成型。
具体实施时，各气体产生结构的形状也有多种，较佳地，各气体产生结构在载板的正投影的形状为圆形、矩形、菱形。
为了达到较佳的分离效果，较佳地，气体产生结构的厚度为1μm～500μm。较佳地，气体产生结构在载板上的正投影为圆形时，直径为1mm～5mm。进一步，较佳地，各气体产生结构之间的间距等于气体产生结构在载板上的正投影的直径。
基于以上任意实施例，较佳地，柔性基板的材料可以为聚亚酰胺(Polyimide，PI)，聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)，柔性玻璃等等。
基于以上任意实施例，较佳地，载板的材料可以为玻璃，石英，金属，硬质塑料等等。
基于以上任意实施例，为了进一步方便柔性基板从载板分离，较佳地，黏合层的材料为热分离胶。热分离胶为具有粘着性的树脂材料，并具有在加热至一定温度(加热温度一般不超过100℃)后，粘着性失效的性质。这样，通过加热处理，既可以使得气体产生层产生气体，又可以使得黏合层失效，提高了分离效果。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供一种显示基板的制作方法，如图3所示，该方法至少包括如下步骤：
步骤310、在载板上形成黏合层；
步骤320、在黏合层的表面按压气体产生层；其中，气体产生层用于在预设条件下产生气体以便柔性基板与载板分离；
步骤330、在按压有气体产生层的载板上形成柔性基板。具体的，将柔性基板与表面按压有气体产生层的黏合层压合。
本发明实施例中，在载板与柔性基板之间设置了气体产生层，在生产工艺中，在一定条件下可以产生气体，使得柔性基板与黏合层之间产生间隙，与外界大气压强平衡，可以协助柔性基板与载板分离，减小了使得柔性基板变形的风险，也提高了生产效率。
本发明实施例中的方案可以但不限于应用到有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示基板的制作工艺中。较佳地，应用到盖板的制作工艺中。
基于以上实施例，本发明实施提供的方法还包括：
按照预设条件对显示基板进行处理，使得气体产生层产生气体；
将载板与柔性基板分离。
具体的，如果气体产生层的材料为热分解产生气体材料，按照上述预设条件对显示基板进行处理，其中一种实现方式可以是：对显示基板进行加热处理。
下面以OLED工艺场景为例，对本发明实施例提供的一种显示基板及其制作方法进行更加详细地描述。
步骤一、如图4a所示，在深褐色硬塑载板11上涂布热分离胶(即上述黏合层13)。
其中，深褐色硬质塑料载板具有遮光性能，热分离胶的边缘设置有深褐色涂料，也具有遮光性能。
步骤二、如图4b所示，通过按压的方式将AgNO3在热分离胶的表面形成直径1mm，厚度10μm的多个形成气体产生结构组成的气体产生层14。
其中，气体产生结构的具体结构可参见以上相关实施例。
步骤三、将柔性基板12与载板11上按压有气体产生结构的热分离胶表面压合，如图1所示的结构。
其中，柔性基板12面向黏合层的一侧涂覆有遮光材料。
步骤四、在完成OLED工艺制程后，加热OLED器件至80℃，使热分离胶与柔性基板分离，同时气体产生结构的材料AgNO3受热释放出NO2和O2气体，如图4c所示，由于该气体的存在，产生了一定的间隙，协助柔性基板的分离，可以使其自动脱落，达到分离目的。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：载板、设置于所述载板上的柔性基板、位于所述载板与所述柔性基板之间的黏合层、以及内嵌在所述黏合层接近所述柔性基板的一侧的气体产生层；其中，所述气体产生层用于在预设条件下产生气体以便所述柔性基板与所述载板分离。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述气体产生层的材料为热分解产生气体材料。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述热分解产生气体材料包括AgNO3、NaHCO3、有机发泡剂其中一种或者任意组合。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述气体产生层的材料具有光分解性能；所述柔性基板具有遮光性能；并且，所述载板和所述黏合层具有遮光性能。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述气体产生层由多个各自独立的气体产生结构组成。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，各所述气体产生结构在所述载板的正投影的形状为圆形、矩形、菱形。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述气体产生结构的厚度为1μm～500μm；所述气体产生结构在所述载板上的正投影为圆形时，直径为1mm～5mm。
8.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在载板上形成黏合层；
在所述黏合层的表面按压气体产生层；其中，所述气体产生层用于在预设条件下产生气体以便柔性基板与所述载板分离；
在按压有所述气体产生层的所述载板上形成柔性基板。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该方法还包括：
按照所述预设条件对所述显示基板进行处理，使得所述气体产生层产生气体；
将所述载板与所述柔性基板分离。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，按照预设条件对所述显示基板进行处理，包括：
对所述显示基板进行加热处理。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195642A (zh) * 2017-07-05 2017-09-22 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制备方法、显示装置
CN109283802A (zh) * 2018-09-29 2019-01-29 张家港奇点光电科技有限公司 一种多功能的曝光机基台装置
CN109786308A (zh) * 2017-11-13 2019-05-21 三星电子株式会社 从器件基板剥离载体基板的方法和设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102636898A (zh) * 2012-03-14 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置的制备方法
CN103531442A (zh) * 2013-10-25 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板制备方法
CN103700662A (zh) * 2013-12-09 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种承载基板和柔性显示器件制作方法
CN104465479A (zh) * 2014-12-19 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法
US20150188097A1 (en) * 2013-12-30 2015-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing flexible substrate and method of manufacturing display device using the same
US9390908B2 (en) * 2011-06-16 2016-07-12 Fujifilm Manufacturing Europe Bv Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9390908B2 (en) * 2011-06-16 2016-07-12 Fujifilm Manufacturing Europe Bv Method and device for manufacturing a barrier layer on a flexible substrate
CN102636898A (zh) * 2012-03-14 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置的制备方法
CN103531442A (zh) * 2013-10-25 2014-01-22 京东方科技集团股份有限公司 柔性基板制备方法
CN103700662A (zh) * 2013-12-09 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种承载基板和柔性显示器件制作方法
US20150188097A1 (en) * 2013-12-30 2015-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing flexible substrate and method of manufacturing display device using the same
CN104465479A (zh) * 2014-12-19 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板母板及柔性显示基板的制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107195642A (zh) * 2017-07-05 2017-09-22 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制备方法、显示装置
CN109786308A (zh) * 2017-11-13 2019-05-21 三星电子株式会社 从器件基板剥离载体基板的方法和设备
CN109283802A (zh) * 2018-09-29 2019-01-29 张家港奇点光电科技有限公司 一种多功能的曝光机基台装置

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