CN107505558A - 一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法 - Google Patents

一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法 Download PDF

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顾春华
汤雪飞
季海英
顾良波
王锦
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]

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Abstract

本发明公开了一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法，包括如下步骤：以若干颗的DIE的数据为样本；在ATE中进行相关设置；进行DIE样本的测试；判断测试结果；S20中的包括设置DIE测试fail时的BIN号以及设置需要修改的测试参数初始值，S50中的具体的判定方式为：若设置DIE在fail时的BIN号的失效率满足要求，则不需要进行参数的更改，整个测试结束；若设置DIE在fail时的BIN号的失效率不满足要求，则更改参数并重新返回执行S30‑S50的步骤，直到测试结果符合，整个测试结束，通过动态的修改参数以达到提高良率的方法，降低了对专业技术人员的依赖性，减少了不必要的人力成本和物力成本，极大的提高了产能、节省了时间。

Description

一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法
技术领域
本发明涉及晶圆测试技术领域，具体为一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法。
背景技术
晶圆测试流程一般是通过ATE(一种半导体集成电路自动测试设备机)与ProberCard(晶圆测试中被测芯片和测试机之间的接口)连接，而ProberCard与晶圆上的DIE(晶圆上面的管芯)连接以达到ATE测试晶圆上的DIE的目的，并对其做pass或fail区分(即BIN号处理)，1片晶圆上有成百或成千或上万颗DIE，通过测试，就可以得到这片晶圆的TestMap(晶圆测试时测试结果显示的格式)，通过TestMap就可以得到相关的统计信息，如良率、失效率等。
在测试过程中，测试程序一旦发布后是固定不变得，但是FAB(用于制造晶圆的流片厂)在制造和流片的过程中不可避免的会受到一些不可控因素的影响，导致晶圆的工艺会有一定程度的偏差，这样的话，如果再用固定不变得程序去测试，势必会导致良率也会有一定程度的偏差，如果工艺差的比较大的话，那良率就可能掉的比较大(如图3所示)。
目前在晶圆测试前需要专业测试人员在现场进行调整，在测试过程中尤其是首片，需专业测试人员在现场进行监测以查看当前的测试结果是否符合预期，如符合预期那程序就不需做任何改动，如不符合预期，则有必要实时的对程序的某些参数做必要的改动，已达到满足预期的效果；另一种是先测试，等测试完后，看反馈的良率是否满足要求，如果满足要求，就不必更改，如不满足则需通要知专业测试人员介入解决问题；以上两种现有技术都有共同的弊端：1、都需要专业测试人员介入其中，无法转交给生产部人员完成；2、严重影响产量 和测试效率；3、程序做了必要的修改后，还需上传验证等环节，这中间涉及的流程比较多，消耗了不必要的人力物力。
发明内容
针对背景技术中存在的问题，本发明提供了一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法，旨在动态修改程序中的参数达到提高良率同时能够提高效率，节约人力物力。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法，包括如下步骤：
S10：以若干颗的DIE的数据为样本；
S20：在ATE中进行相关设置；
S30：进行DIE样本的测试；
S40：判断测试结果；
S50：根据对S40的判断确定是否需要对ATE中的程序进行修改；
作为本发明一种优选的技术方案，S20中的包括设置DIE测试fail时的BIN号以及设置需要修改的测试参数初始值。
作为本发明一种优选的技术方案，S50中的具体的判定方式为：若设置DIE在fail时的BIN号的失效率满足要求，则不需要进行参数的更改，整个测试结束；若设置DIE在fail时的BIN号的失效率不满足要求，则更改参数并重新返回执行S30-S50的步骤，直到测试结果符合，整个测试结束。
作为本发明一种优选的技术方案，设置的参数可以为测试时的电压、电流或是其他能涉及到提高良率的参数。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过动态的修改参数以达到提高良率的方法，降低了对专业技术人员的依赖性，减少了不必要的人 力成本和物力成本，极大的提高了产能、节省了时间。
附图说明
图1为本发明步骤流程图；
图2为工艺没有偏差是的良率图；
图3为工艺有所偏差时的良率图；
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例：
请参图1，本发明提供一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法，包括如下步骤：
S10：以若干颗的DIE的数据为样本；
S20：在ATE中进行相关设置；
S30：进行DIE样本的测试；
S40：判断测试结果；
S50：根据对S40的判断确定是否需要对ATE中的程序进行修改；
具体的，S20中的包括设置DIE测试fail时的BIN号以及设置需要修改的测试参数初始值，设置的参数可以为测试时的电压、电流或是其他能涉及到提高良率的参数；进一步的S50中的具体的判定方式为：若设置DIE在fail时的BIN号的失效率满足要求，则不需要进行参数的更改，整个测试结束；若设置 DIE在fail时的BIN号的失效率不满足要求，则更改参数并重新返回执行S30-S50的步骤，直到测试结果符合，整个测试结束。
具体举例说明：如先用初始参数测试1000颗DIE，其中BIN1＝840颗、BIN2＝50颗、BIN3＝10颗、BIN4＝100颗，其中BIN1号设置为DIE在pass时的BIN号；BIN4号设置为DIE在fail时的BIN号，则BIN4是需要动态修改参数的指标，因此良率为840/1000＝84％，其失效率为100/1000＝10％，假设失效率在5％以内的话，不需要修改当前的标准系数，但是目前失效率10％远远超过5％，因此程序会自动修改当前的参数再去测试1000颗DIE，如果测试的BIN1＝975、BIN2＝5、BIN3＝10、BIN4＝10，当前良率为97.5％，BIN4的失效率为1％，当前系数满足要求，可以用当前系数继续测试，每测试完1000颗，都去这样的分析，就能实现动态的改变程序中的某些参数以达到提高良品率的需求，并可有效避免专业测试人员的介入，以及由于程序的变动涉及到的诸多环节的弊端。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法，其特征在于：包括如下步骤：
S10：以若干颗的DIE的数据为样本；
S20：在ATE中进行相关设置；
S30：进行DIE样本的测试；
S40：判断测试结果；
S50：根据对S40的判断确定是否需要对ATE中的程序进行修改。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法，其特征在于：S20中的包括设置DIE测试fail时的BIN号以及设置需要修改的测试参数初始值。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法，其特征在于：S50中的具体的判定方式为：若设置DIE在fail时的BIN号的失效率满足要求，则不需要进行参数的更改，整个测试结束；若设置DIE在fail时的BIN号的失效率不满足要求，则更改参数并重新返回执行S30-S50的步骤，直到测试结果符合，整个测试结束。
4.根据权利要求2所述的一种晶圆测试中动态修改参数达到提高良率的方法，其特征在于：设置的参数可以为测试时的电压、电流或是其他能涉及到提高良率的参数。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109741779A (zh) * 2018-12-29 2019-05-10 西安紫光国芯半导体有限公司 一种在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法
CN111751702A (zh) * 2020-05-28 2020-10-09 杭州芯讯科技有限公司 集成电路测试方法与系统
CN112462233A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 北京确安科技股份有限公司 一种集成电路测试中site的管控方法及系统
CN113488401A (zh) * 2021-06-30 2021-10-08 海光信息技术股份有限公司 一种芯片测试方法及装置
CN114397552A (zh) * 2022-03-25 2022-04-26 杭州广立微电子股份有限公司 基于半导体测试参数阈值调整的数据展示方法及装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2161033A (en) * 1984-06-21 1986-01-02 Gen Electric Co Plc Programmable bed-of-nails test access jigs with electro-rheological fluid actuation
CN101305288A (zh) * 2006-01-18 2008-11-12 伊智科技公司 用于动态探针调节的方法和装置
CN104614658A (zh) * 2015-01-28 2015-05-13 山东华翼微电子技术股份有限公司 利用多通道探针卡对高频芯片晶圆测试的方法
CN105161439A (zh) * 2015-07-22 2015-12-16 上海华力微电子有限公司 晶圆测试管理系统及方法
US20160139180A1 (en) * 2014-11-14 2016-05-19 Cavium, Inc. Testing semiconductor devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2161033A (en) * 1984-06-21 1986-01-02 Gen Electric Co Plc Programmable bed-of-nails test access jigs with electro-rheological fluid actuation
CN101305288A (zh) * 2006-01-18 2008-11-12 伊智科技公司 用于动态探针调节的方法和装置
US20160139180A1 (en) * 2014-11-14 2016-05-19 Cavium, Inc. Testing semiconductor devices
CN104614658A (zh) * 2015-01-28 2015-05-13 山东华翼微电子技术股份有限公司 利用多通道探针卡对高频芯片晶圆测试的方法
CN105161439A (zh) * 2015-07-22 2015-12-16 上海华力微电子有限公司 晶圆测试管理系统及方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109741779A (zh) * 2018-12-29 2019-05-10 西安紫光国芯半导体有限公司 一种在晶圆测试过程中动态调整测试条件的方法
CN111751702A (zh) * 2020-05-28 2020-10-09 杭州芯讯科技有限公司 集成电路测试方法与系统
CN111751702B (zh) * 2020-05-28 2021-10-15 杭州芯讯科技有限公司 集成电路测试方法与系统
CN112462233A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 北京确安科技股份有限公司 一种集成电路测试中site的管控方法及系统
CN112462233B (zh) * 2020-11-25 2023-11-17 北京确安科技股份有限公司 一种集成电路测试中site的管控方法及系统
CN113488401A (zh) * 2021-06-30 2021-10-08 海光信息技术股份有限公司 一种芯片测试方法及装置
CN114397552A (zh) * 2022-03-25 2022-04-26 杭州广立微电子股份有限公司 基于半导体测试参数阈值调整的数据展示方法及装置

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