CN109860069B - 晶圆的测试方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶圆测试方法，在测试仪中根据晶圆上所有要测试的区域设置全区域品种参数,先设置好需要抽样测试芯片的位置及走向,再设置其余所有芯片的位置及走向,并保存好品种参数,对每枚晶圆均根据品种参数进行测试；连接好测试仪、探针台，以及将探针卡装入探针台，建立测试系统，将待测晶圆放入探针台；测试时，先按照预先设置好的抽样测试的芯片的位置及走向进行测试，即抽样测试；再按照抽样测试的结果，决定是否进行按照预设的其余所有芯片的位置及走向的测试，即全局测试。本发明所述的晶圆的测试方法，整合晶圆的测试步骤，优化测试流程，在一个流程上完成两步的测试，充分提高了测试效率，也降低了测试成本。

Description

晶圆的测试方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制造及测试领域，特别是指一种晶圆的测试方法。
背景技术
在半导体器件制造工艺中，测试是保证器件出厂品质的重要环节，通过测试，能将制造过程中产生的一些残次品，或者性能不合格产品挑选出来，或者是通过测试，获知器件的性能参数，能对产品进行等级的区分。
在半导体芯片测试行业，在对晶圆级IGBT类分立器件测试中，由于IGBT类的器件是高压大功率器件，在产品的测试中因存在高压大电流项目的测试，有可能在测试过程中把芯片烧毁，故往往在晶圆级测试中分为两个步骤，如图1所示，包含CP1及CP2的两部分测试，其中CP1是先设置一定测试数量(比如百十个晶粒die)sample map图，设置一些比较初级的测试参数，使用测试仪进行初步的测试，收集数据，如果测试结果显示良率偏低，或者是某个测试项目的失效率特别高，产线马上停止后续测试或者后续晶圆的测试，转入工程介入调查阶段；如果初步的测试显示结果通过，没有发现异常，则转入CP2的测试。CP2的测试是使用测试仪进行晶圆上所有芯片(die)的测试，其测试参数比初步的测试中采用的参数更加完整，具有更丰富的测试项目、更严格的测试参数。也是标准的测试，其测试结果才能反映器件真实的性能表现，是否符合出厂条件。
在现有情况下，尽管测试程序是相同的，但在流程上分成两个步骤来实现，从管理上，测试时间上都会花费时间，提高产品的成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种晶圆的测试方法。
为解决上述问题，本发明所述的一种晶圆的测试方法，针对晶圆上的芯片进行测试，在测试仪中，根据晶圆上所有要测试的区域设置全区域品种参数，在全区域品种参数中，先设置好需要抽样测试芯片的位置及走向，再设置其余所有芯片的位置及走向，并保存好品种参数，对每枚晶圆均根据品种参数进行测试；
连接好测试仪、探针台，以及将探针卡装入探针台，建立测试系统，将待测晶圆放入探针台；
测试时，先按照预先设置好的抽样测试的芯片的位置及走向进行测试，即抽样测试；再按照抽样测试的结果，决定是否进行按照预设的其余所有芯片的位置及走向的测试，即全局测试。
进一步的改进是，测试仪依照品种参数进行测试，当完成抽样测试后，测试仪根据判定内容分析计算抽样测试的结果，如果抽样测试结果符合预定的要求，测试仪依照全区域品种参数继续测试其余的所有芯片，进行全局测试，最终得到晶圆的测试良率和各项目测试数据。
进一步的改进是，如果抽样测试结果不符合预定的要求，则测试仪向探针台发送晶圆测试完成的命令，测试结束探针台卸下此晶圆放回晶圆盒中，测试仪保存此晶圆的抽样测试步骤测试结果，供后续工程人员介入调查。
进一步的改进是，所述的晶圆测试，对于同类产品的晶圆，均采用相同的品种参数进行测试，晶圆上所有芯片使用相同的测试程序进行测试。
进一步的改进是，所述的探针台，通过探针卡与晶圆上芯片的触点接触，输入电讯号，执行测试程序对晶圆上芯片进行测试。
进一步的改进是，对同一晶圆盒中的晶圆，重复执行所述的抽样测试及全局测试，直至将晶圆盒中的晶圆全部测试完毕。
进一步的改进是，当更换包含有不同类型产品的晶圆进行测试时，重新设置全区域品种参数，重新设定抽样测试芯片的位置及走向，以及全局测试芯片的位置及走向，重复进行抽样测试及全局测试。
本发明所述的晶圆的测试方法，整合晶圆的测试步骤，优化测试流程，在一个流程上完成两步的测试，充分提高了测试效率，也降低了测试成本。
附图说明
图1 是现有的晶圆测试的流程示意图。
图2 是本发明晶圆测试方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明所述的晶圆的测试方法，针对晶圆上的芯片进行测试，在测试仪中，根据晶圆上所有要测试的区域设置全区域品种参数，在全区域品种参数中，先设置好需要抽样测试芯片的位置及走向，再设置其余所有芯片的位置及走向，并保存好品种参数，对每枚晶圆均根据品种参数进行测试。
连接好测试仪、探针台，以及将探针卡装入探针台，建立测试系统，将待测晶圆放入探针台；
测试时，先按照预先设置好的抽样测试的芯片的位置及走向进行测试，即抽样测试；再按照抽样测试的结果，决定是否进行按照预设的其余所有芯片的位置及走向的测试，即全局测试。测试仪依照品种参数进行测试，当完成抽样测试后，测试仪根据判定内容分析计算抽样测试的结果，如果抽样测试结果符合预定的要求，测试仪依照全区域品种参数继续测试其余的所有芯片，进行全局测试，最终得到晶圆的测试良率和各项目测试数据。如果抽样测试结果不符合预定的要求，则测试仪向探针台发送晶圆测试完成的命令，测试结束探针台卸下此晶圆放回晶圆盒中，测试仪保存此晶圆的抽样测试步骤测试结果，供后续工程人员介入调查。
对于同类产品的晶圆，均采用相同的品种参数进行测试，晶圆上所有芯片使用相同的测试程序进行测试。
具体来说，本发明所述的晶圆测试方法，其流程如图2所示，首先针对某一种晶圆，该晶圆上包含一种芯片产品A，根据产品所要测试区域设置该芯片产品A的全区域品种参数(full map)，在全区域品种参数full map中，先设置好需要抽样测试芯片的位置及走向，例如，根据晶圆上芯片的坐标，挑选一些比较具有测试代表性的位置的芯片，将这些芯片位置的坐标进行规划，形成一条抽样测试的路线；再设置其余所有芯片的位置及走向，并保存好品种参数A，进行全局测试。包含该种芯片产品A的每枚晶圆均根据品种参数A进行测试。
连接好测试仪、探针台，并将对应该产品A的测试探针卡安装在探针台上，把放置在晶圆盒中的具有产品A的待测试的晶圆放入探针台。
探针台调用全区域品种参数A进行探针卡同晶圆的对准操作，准备进行测试。
测试仪依照品种参数A对包含有产品A的待测晶圆进行测试，当需抽样测试的芯片测试完成后（即按照抽样测试的路线进行测试），测试程序自动计算测试结果，如果第一步骤测试结果符合预定的要求，测试仪依照全区域品种参数A继续测试其余的所有芯片，即进行全局测试，最终得到晶圆的测试良率和各项目测试数据。
测试完成后，测试仪向探针台发送此晶圆测试完成的命令，探针台卸下此晶圆放回晶圆盒中，该晶圆测试完毕。
如果第一步的抽样测试的测试结果不符合要求，则不再进行后续的全局测试，测试仪向探针台发送此晶圆测试完成的命令，探针台卸下此晶圆放回晶圆盒中，测试仪保存此晶圆的第一步骤测试结果，供后续工程人员介入调查。
载入晶圆盒中下一片晶圆，继续规划抽样测试的芯片位置及走向，以及全局测试的晶圆的走向，重复进行前述测试，直至把晶圆盒中晶圆测试完毕。
如果晶圆上的产品换成了另外一种芯片B，则针对芯片B，继续进行针对芯片B的全区域品种参数(full map)的设定，形成芯片B的全区域品种参数B，选定抽样测试的芯片B的位置及走向，利用上述方法进行芯片B的测试。
以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种晶圆的测试方法，针对晶圆上的芯片进行测试，其特征在于：在测试仪中，根据晶圆上所有要测试的区域设置全区域品种参数；在全区域品种参数中，先设置好需要抽样测试芯片的位置及走向，再设置其余所有芯片的位置及走向，并保存好品种参数，对每枚晶圆均根据品种参数进行测试；
连接好测试仪、探针台，以及将探针卡装入探针台，建立测试系统，将待测晶圆放入探针台；
测试时，先按照预先设置好的抽样测试的芯片的位置及走向进行测试，即抽样测试；再按照抽样测试的结果，决定是否进行按照预设的其余所有芯片的位置及走向的测试，即全局测试；
所述的晶圆测试，对于同类产品的晶圆，均采用相同的品种参数进行测试，晶圆上所有芯片使用相同的测试程序进行测试。
2.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：测试仪依照品种参数进行测试，当完成抽样测试后，测试仪根据判定内容分析计算抽样测试的结果；如果抽样测试结果符合预定的要求，测试仪依照全区域品种参数继续测试其余的所有芯片，进行全局测试，最终得到晶圆的测试良率和各项目测试数据。
3.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：如果抽样测试结果不符合预定的要求，则测试仪向探针台发送晶圆测试完成的命令，测试结束探针台卸下此晶圆放回晶圆盒中，测试仪保存此晶圆的抽样测试步骤测试结果，供后续工程人员介入调查。
4.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：所述的探针台，通过探针卡与晶圆上芯片的触点接触，输入电讯号，执行测试程序对晶圆上芯片进行测试。
5.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：对同一晶圆盒中的晶圆，重复执行所述的抽样测试及全局测试，直至将晶圆盒中的晶圆全部测试完毕。
6.如权利要求1所述的晶圆的测试方法，其特征在于：当更换包含有不同类型产品的晶圆进行测试时，重新设置全区域品种参数，重新设定抽样测试芯片的位置及走向，以及全局测试芯片的位置及走向，重复进行抽样测试及全局测试。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110470975B (zh) * 2019-08-29 2022-05-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆特性测试系统和方法
CN112670196B (zh) * 2019-10-16 2022-08-26 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 晶圆检测方法
CN111398785B (zh) * 2020-05-26 2022-08-16 上海华虹宏力半导体制造有限公司 芯片的测试方法、设备和存储介质
CN113030701A (zh) * 2021-03-09 2021-06-25 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种射频器件的功率承载力的测量方法
CN114896238B (zh) * 2022-07-14 2022-09-13 江西兆驰半导体有限公司 一种多晶圆跳测赋值方法、系统、电子设备及存储介质
CN115032493B (zh) * 2022-07-15 2023-10-13 扬州晶新微电子有限公司 一种基于管芯参数显示的晶圆测试方法及系统
CN115877186B (zh) * 2023-02-02 2023-07-04 北京紫光芯能科技有限公司 一种晶圆测试芯片的方法及装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201654081U (zh) * 2010-04-07 2010-11-24 江苏华创光电科技有限公司 一种晶圆测试探针卡
CN101943709A (zh) * 2009-07-07 2011-01-12 瑞萨电子株式会社 探针卡、测试装置和测试方法
CN102044462A (zh) * 2009-10-23 2011-05-04 无锡华润上华半导体有限公司 晶圆测试方法
CN102565653A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆测试方法
CN106370932A (zh) * 2016-11-17 2017-02-01 河北工业大学 基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法及系统
CN108535621A (zh) * 2018-04-11 2018-09-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 分立器件芯片的晶圆测试方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101561474B (zh) * 2008-04-14 2011-09-21 京元电子股份有限公司 可动态变更测试流程的测试方法
US9874526B2 (en) * 2016-03-28 2018-01-23 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for polarized wafer inspection

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101943709A (zh) * 2009-07-07 2011-01-12 瑞萨电子株式会社 探针卡、测试装置和测试方法
CN102044462A (zh) * 2009-10-23 2011-05-04 无锡华润上华半导体有限公司 晶圆测试方法
CN201654081U (zh) * 2010-04-07 2010-11-24 江苏华创光电科技有限公司 一种晶圆测试探针卡
CN102565653A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种晶圆测试方法
CN106370932A (zh) * 2016-11-17 2017-02-01 河北工业大学 基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法及系统
CN108535621A (zh) * 2018-04-11 2018-09-14 上海华虹宏力半导体制造有限公司 分立器件芯片的晶圆测试方法

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