CN116973828A - 验证晶圆允收测试机台测试性能的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，提供用于晶圆允收测试的待验证机台与参照机台，所述待验证机台与所述参照机台的污染等级相同；提供分别在所述待验证机台与所述参照机台进行晶圆允收测试的lot以及用于测试所述lot的探针卡，每组所述lot包括多个晶圆；根据所述参照机台的测试程式设置所述待验证机台的测试程式，所述参照机台的所述测试程式符合生产标准；将所述lot分别放置在所述待验证机台与所述参照机台，利用所述探针卡分别对所每个所述晶圆进行晶圆允收测试，之后获取所述待验证机台与所述参照机台的第一、二测量数据。本发明能够减少待测试机台机台闲置的时间，使之尽快投入生产，稳定运行。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种验证晶圆允收测试机台测试性能的方法。
背景技术
在半导体测试领域中，晶圆接受测试是对器件性能进行评估的重要手段，用于检测每片晶圆产品的工艺情况，评估半导体制造过程的质量和稳定性。晶圆接受测试的机台就在晶圆接受测试中起到了至关重要的作用，机台正常良好的运行才可保证测试情况的准确稳定，因此新机台进厂后需进行验证之后才可投入生产。但目前现有技术缺少快速验证晶圆允收测试机台测试性能的方法。
为解决上述问题，需要提出一种新型的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，用于解决现有技术中新机台进厂后需进行验证之后才可投入生产，但目前缺少快速验证晶圆允收测试机台测试性能的方法的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，包括：
步骤一、提供用于晶圆允收测试的待验证机台与参照机台，所述待验证机台与所述参照机台的污染等级相同；
步骤二、提供分别在所述待验证机台与所述参照机台进行晶圆允收测试的lot以及用于测试所述lot的探针卡，每组所述lot包括多个晶圆；
步骤三、根据所述参照机台的测试程式设置所述待验证机台的测试程式，所述参照机台的所述测试程式符合生产标准；
步骤四、将所述lot分别放置在所述待验证机台与所述参照机台，利用所述探针卡分别对所每个所述晶圆进行晶圆允收测试，之后获取所述待验证机台与所述参照机台的第一、二测量数据；
步骤五、对所述第一、二测量数据进行对比，判断所述第一、二测量数据的差异度是否在预设范围内；
若是，则所述待验证机台符合生产标准；
若否，则所述待验证机台不符合生产标准。
优选地，步骤一中的所述待验证机台与所述参照机台的污染等级均为CU。
优选地，步骤二中所述探针卡的管脚的数量与所述晶圆测试键上的焊垫的数量一致。
优选地，步骤二中的所述lot在进行晶圆允收测试之前未进行破坏性的参数测试。
优选地，步骤二中选取进行九点测试或五点测试的所述lot进行晶圆允收测试。
优选地，步骤三中根据所述参照机台的测试程式设置所述待验证机台的测试程式的方法包括：所述lot中的每个晶圆所述待验证机台与所述参照机台的所述测试程式的文件相同，两者测量点的数量和位置均相同。
优选地，步骤二中的所述lot在进行晶圆允收测试前进行破坏性的参数测试。
优选地，步骤三中根据所述参照机台的测试程式设置所述待验证机台的测试程式的方法包括：所述lot中的晶圆中，所述待验证机台与所述参照机台未进行破坏性的参数测试的量测点的所述测试程式相同，两者测量点的数量和位置均相同；所述待验证机台与所述参照机台进行破坏性的参数测试的量测点的所述测试程式不相同，两者测量点的数量相同，位置不同。
优选地，步骤四中获取所述待验证机台与所述参照机台的第一、二测量数据的方法包括：利用所述晶圆允收测试中所述待验证机台与所述参照机台每个量测点的测试结果获取所述第一、二测量数据。
优选地，步骤五中对所述第一、二测量数据进行对比，判断所述第一、二测量数据的差异度是否在预设范围内的方法包括：获取所述待验证机台中每个所述测量点对应于所述第一测试数据的数学平均数meanQUAL以及标准偏差STDQUAL，获取所述参照机台中每个所述测量点对应于所述第二测试数据的数学平均数meanBL以及标准偏差STDBL，定义所述待验证机台符合生产标准为：(meanQUAL-meanBL)/STDBL≤1，STDQUAL/STDBL≤1.5。
优选地，步骤五中若所述待验证机台不符合生产标准，还包括根据所述第一、二测量数据判断所述待验证机台的，调整所述待验证机台硬件的参数至其符合生产标准。
如上所述，本发明的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，具有以下有益效果：
本发明的方法能够验证待测试机台是否可投入生产，确定影响待测试机台性能的因素，确定影响测试结果的可变性因素；采用固定可变性因素采用控制单一变量法，使测试结果更可靠；能够减少待测试机台机台闲置的时间，使之尽快投入生产，稳定运行。
附图说明
图1显示为本发明的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1，本发明提供一种验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，包括：
步骤一、提供用于晶圆允收测试(WAT)的待验证机台与参照机台，待验证机台与参照机台的污染等级相同；WAT是在晶圆产品流片结束之后和品质检验之前，测量特定测试结构的电性参数。WAT的目的是通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数，检测每片晶圆产品的工艺情况，评估半导体制造过程的质量和稳定性，判断晶圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求。WAT数据可以作为晶圆产品交货的质量凭证，另外WAT数据还可以反映生产线的实际生产情况，通过收集和分析WAT数据可以监测生产线的情况，也可以判断生产线变化的趋势，对可能发生的情况进行预警。
在一种可选的实施方式中，步骤一中的待验证机台与参照机台的污染等级均为CU，此处也可为其他的污染等级。在工艺流程中会定义每个站点所属FOUP(晶圆盒)类型以及该站点作业完以后附给Lot的污染等级；机台属性中定义允许在该机台上作业的Lot污染等级，作业时对污染等级会进行验证；CU指cooper制程段，在设备上允许作业的污染等级；
步骤二、提供分别在待验证机台与参照机台进行晶圆允收测试的lot以及用于测试lot的探针卡，每组lot包括多个晶圆；
在一种可选的实施方式中，步骤二中探针卡的管脚的数量与晶圆测试键上的焊垫的数量一致。例如测试键上有12个焊垫就用12pin的探针卡，22个焊垫就用22pin的探针卡。
在一种可选的实施方式中，步骤二中的lot在进行晶圆允收测试之前未进行破坏性的参数测试，破坏性的参数测试为测试例如阈值电压、饱和电流等会损伤器件测试，lot中的晶圆在待验证机台进行破坏性的参数测试会影响之后在验证机台的测试。
在一种可选的实施方式中，步骤二中选取进行九点测试或五点测试的lot进行晶圆允收测试，需要说明的是，此处测量点的数量以及位置可根据具体工艺改变，此处不作具体限定。
在一种可选的实施方式中，步骤二中的lot在进行晶圆允收测试前进行破坏性的参数测试。
步骤三、根据参照机台的测试程式设置待验证机台的测试程式，参照机台的测试程式符合生产标准，即经过参照机台测试的晶圆符合出货标准；
在一种可选的实施方式中，步骤三中根据参照机台的测试程式设置待验证机台的测试程式的方法包括：lot中的每个晶圆待验证机台与参照机台的测试程式的文件相同，两者测量点的数量和位置均相同。
在一种可选的实施方式中，步骤三中根据参照机台的测试程式设置待验证机台的测试程式的方法包括：lot中的晶圆中，待验证机台与参照机台未进行破坏性的参数测试的量测点的测试程式相同，两者测量点的数量和位置均相同；待验证机台与参照机台进行破坏性的参数测试的量测点的测试程式不相同，两者测量点的数量相同，位置不同，即重新建立一个换点测试的文件，只测试破坏性参数，破坏性参数可采取换正常九点左边的点进行测试。
步骤四、将lot分别放置在待验证机台与参照机台，利用探针卡分别对所每个晶圆进行晶圆允收测试，之后获取待验证机台与参照机台的第一、二测量数据；即采用同一探针卡进行晶圆允收测试，避免了不同探针卡对于测试结果的影响，起到了控制变量的作用。
在一种可选的实施方式中，步骤四中获取待验证机台与参照机台的第一、二测量数据的方法包括：利用晶圆允收测试中待验证机台与参照机台每个量测点的测试结果获取第一、二测量数据。
步骤五、对第一、二测量数据进行对比，判断第一、二测量数据的差异度是否在预设范围内；
若是，则待验证机台符合生产标准；
若否，则待验证机台不符合生产标准。
在一种可选的实施方式中，步骤五中对第一、二测量数据进行对比，判断第一、二测量数据的差异度是否在预设范围内的方法包括：获取待验证机台中每个测量点对应于第一测试数据的数学平均数meanQUAL以及标准偏差STDQUAL，获取参照机台中每个测量点对应于第二测试数据的数学平均数meanBL以及标准偏差STDBL，定义待验证机台符合生产标准为：(meanQUAL-meanBL)/STDBL≤1，STDQUAL/STDBL≤1.5。需要说明的是，定义待验证机台符合生产标准也可根据实际工艺调节参数类型及范围。
在一种可选的实施方式中，步骤五中若待验证机台不符合生产标准，还包括根据第一、二测量数据判断待验证机台的，调整待验证机台硬件的参数至其符合生产标准。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
综上所述，本发明的方法能够验证待测试机台是否可投入生产，确定影响待测试机台性能的因素，确定影响测试结果的可变性因素；采用固定可变性因素采用控制单一变量法，使测试结果更可靠；能够减少机台闲置的时间，使之尽快投入生产，稳定运行。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (11)
1.一种验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供用于晶圆允收测试的待验证机台与参照机台，所述待验证机台与所述参照机台的污染等级相同；
步骤二、提供分别在所述待验证机台与所述参照机台进行晶圆允收测试的lot以及用于测试所述lot的探针卡，每组所述lot包括多个晶圆；
步骤三、根据所述参照机台的测试程式设置所述待验证机台的测试程式，所述参照机台的所述测试程式符合生产标准；
步骤四、将所述lot分别放置在所述待验证机台与所述参照机台，利用所述探针卡分别对所每个所述晶圆进行晶圆允收测试，之后获取所述待验证机台与所述参照机台的第一、二测量数据；
步骤五、对所述第一、二测量数据进行对比，判断所述第一、二测量数据的差异度是否在预设范围内；
若是，则所述待验证机台符合生产标准；
若否，则所述待验证机台不符合生产标准。
2.根据权利要求1所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤一中的所述待验证机台与所述参照机台的污染等级均为CU。
3.根据权利要求1所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤二中所述探针卡的管脚的数量与所述晶圆测试键上的焊垫的数量一致。
4.根据权利要求1所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤二中的所述lot在进行晶圆允收测试之前未进行破坏性的参数测试。
5.根据权利要求4所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤二中选取进行九点测试或五点测试的所述lot进行晶圆允收测试。
6.根据权利要求4或5所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤三中根据所述参照机台的测试程式设置所述待验证机台的测试程式的方法包括：所述lot中的每个晶圆所述待验证机台与所述参照机台的所述测试程式的文件相同，两者测量点的数量和位置均相同。
7.根据权利要求1所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤二中的所述lot在进行晶圆允收测试前进行破坏性的参数测试。
8.根据权利要求1所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤三中根据所述参照机台的测试程式设置所述待验证机台的测试程式的方法包括：所述lot中的晶圆中，所述待验证机台与所述参照机台未进行破坏性的参数测试的量测点的所述测试程式相同，两者测量点的数量和位置均相同；所述待验证机台与所述参照机台进行破坏性的参数测试的量测点的所述测试程式不相同，两者测量点的数量相同，位置不同。
9.根据权利要求1所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤四中获取所述待验证机台与所述参照机台的第一、二测量数据的方法包括：利用所述晶圆允收测试中所述待验证机台与所述参照机台每个量测点的测试结果获取所述第一、二测量数据。
10.根据权利要求9所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤五中对所述第一、二测量数据进行对比，判断所述第一、二测量数据的差异度是否在预设范围内的方法包括：获取所述待验证机台中每个所述测量点对应于所述第一测试数据的数学平均数meanQUAL以及标准偏差STDQUAL，获取所述参照机台中每个所述测量点对应于所述第二测试数据的数学平均数meanBL以及标准偏差STDBL，定义所述待验证机台符合生产标准为：(meanQUAL-meanBL)/STDBL≤1，STDQUAL/STDBL≤1.5。
11.根据权利要求1所述的验证晶圆允收测试机台测试性能的方法，其特征在于：步骤五中若所述待验证机台不符合生产标准，还包括根据所述第一、二测量数据判断所述待验证机台的，调整所述待验证机台硬件的参数至其符合生产标准。
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