CN107486141B - 一种高吸附容量的氧化镁化学修饰硅藻土的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高吸附容量的氧化镁化学修饰硅藻土的制备方法,包括如下步骤:1)将硅藻土溶于氨水中,通过搅拌使氨水充分浸渍硅藻土,形成硅藻土悬液;2)将氯化镁溶液缓慢滴加到所述硅藻土悬液中,使氯化镁与氨水充分反应后充分搅拌,得混合液;3)将上述混合液在160~200℃水热反应陈化处理2~6h,冷却后洗涤,过滤得到氢氧化镁负载的硅藻土前驱体;4)将所述氢氧化镁负载的硅藻土前驱体经干燥后进行锻烧,得氧化镁改性硅藻土。本发明制备得到的硅藻土的表面积和吸附容量大,而且氧化镁以“生长”的方式负载于硅藻土的表面,与直接负载的方式相比,氧化镁在硅藻土表面的稳定性更高,有利于延长复合材料的使用寿命。

Description

一种高吸附容量的氧化镁化学修饰硅藻土的制备方法
技术领域
本发明涉及材料领域,是一种硅藻土表面原位生长花状纳米结构氧化镁,即高吸附容量或高比表面积氧化镁化学修饰硅藻土的制备方法。
背景技术
治理重金属离子污染一直受到社会的高度关注,相关的新材料、新技术、新技术成为研究热点。目前,重金属污染废水治理方法有十几种,但真正能规模化应用的只有药剂法、电絮凝法、二次膜法和吸附法。相比较而言,吸附法简便、实用,应用最多,但吸附法在应用中主要受限于材料(吸附剂)的吸附效能。具有多孔、大比表面和丰富表面官能团,是优异的重金属离子吸附材料,其中材料有序孔道结构和合理孔径分布尤为重要。目前适合吸附重金属离子的多孔材料主要是活性碳、分子筛、多孔纤维等。由于分子筛、多孔纤维成本非常高,限制其工业应用;只有活性碳在商业应用,而活性碳孔道结构不规则,且呈开孔状结构,容易解吸,无法达到深度处理重金属离子的要求。因此高效、低成本吸附剂的制备与应用成为制约吸附法处理重金属离子的技术关键。
硅藻土是具有天然有序微孔结构的非金属矿物材料,小孔孔径为20~50nm、大孔孔径为100~300nm,其孔径分布合理、孔道结构有序具有制备重金属离子优异吸附剂的特征。主要化学成份为非晶态SiO2,由硅氧四面体相互桥连而成网状结构,由于硅原子数目的不确定性,导致网络中存在配位缺陷和氧桥缺陷等[11]。因此在其表面存在大量Si-O-悬空键,容易结合H而形成Si-OH,即表面硅羟基。表面硅羟基在水中易解离成Si-O-和H+,使得硅藻土表面呈现负电性。因此,硅藻土吸附重金属阳离子具有天然的结构优势。由于硅藻土微孔结构的天然性,使得大幅度降低处理重金属离子吸附材料制备费用成为可能。然而硅藻土原矿也存在比表面积较低的问题(25~30m2/g),导致其吸附容量受限。因此,需对硅藻土进行表面处理或改性,以便大幅提高重金属离子的吸附能力。
纳米结构材料是表面活性官能团最为丰富的材料,尤其是有序纳米结构材料,可显著提高材料的比表面积和吸附容量(能力)。但纯粹的纳米结构材料作为重金属离子吸附剂,存在颗粒团聚严重(影响吸附效能)和吸附剂难于后续处理(固液分离困难),且易以造成流失(浪费)和二次污染等问题。因此,在硅藻土的藻盘上,制备纳米结构有序铁或镁等金属氧化物,可在增加材料表面活性官能团同时,提高复合材料的比表面积,显著增加其吸附容量;进而改善该复合材料吸附重金属离子效能,非常有实际意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种在硅藻土表面生长花状纳米氧化镁的方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将硅藻土溶于氨水,通过搅拌使氨水充分浸渍硅藻土,形成硅藻土悬液;
2)将十六烷基三甲基溴化铵加入上述硅藻土悬液中,得初步改性硅藻土悬液
3)将氯化镁溶液缓慢滴加到所述初步改性硅藻土悬液中,得混合液;
4)将上述混合液在160~200℃的水热条件中陈化处理2~6h,冷却后洗涤,过滤得到氢氧化镁负载的硅藻土前驱体;
5)将所述氢氧化镁负载的硅藻土前驱体经干燥后进行锻烧,得氧化镁化学修饰硅藻土。
本发明所述的方法通过将氯化镁滴加到硅藻土悬液中,同时控制陈化处理的条件,可使氧化镁以较为规则的形状“生长”于硅藻土表面,形成有序的纳米结构。与其他方法相比,可大大地提高硅藻土的表面积和吸附容量,而且以“生长”的方式负载于硅藻土的表面与直接负载的方式相比,氧化镁在硅藻土表面的稳定性更高,有利于延长复合材料的使用寿命。
本发明所述的硅藻土可用于吸附低浓度的重金属溶液,所述重金属溶液为浓度20mg/L~100mg/L的Cr(VI)溶液
优选的,所述步骤1)中氨水的浓度为22~28%。
优选的,所述步骤1)中,所述硅藻土在氨水中的质量浓度为0.07~0.09g/ml。
优选的,搅拌的具体操作为温度22~28℃的条件下,以70~80r/min磁力搅拌25~35min。
优选的,所述步骤2)中十六烷基三甲基溴化铵的添加量与硅藻土的质量比为0.025~0.05:1。
优选的,所述步骤3)中添加氯化镁后,硅藻土的质量与氯化镁的质量之比为1:0.4~0.6。由于纳米金属氧化物和硅藻土对重金属离子都具有吸附效果,因此,从理论上来讲,硅藻土负载的纳米氧化镁越多吸附效果越好,但是或负载太多,氧化镁会把硅藻土表面的孔堵住,反而会影响最终的吸附效果。上述的相对用量可达到最佳的吸附效果。
优选的,所述步骤3)中氯化镁溶液的质量浓度为0.03~0.05g/ml。
优选的,所述步骤3)中滴加的速度为50滴/min。将氯化镁以滴加的方式加入到硅藻土悬浮液中,与其他添加方式相比,可使氯化镁与氨水的反应更缓慢,得到的Mg(OH)2以更为均匀的方式分散于硅藻土的表面,有利于后续在硅藻土表面进行均匀负载和生长。
优选的,所述步骤3)中滴加的过程中对硅藻土悬液以70~80r/min的速度进行磁力搅拌。
优选的,所述步骤4)中陈化处理的具体操作为,在180℃的水热条件下处理2h。在陈化处理的过程中,反应生成的Mg(OH)2沉积于硅藻土的表面,这个过程的条件控制会直接影响硅藻土表面的Mg(OH)2的形成状态,因此需严格控制,申请人发现,在180℃的条件下处理2h,其效果最佳。
优选的,所述步骤4)中煅烧的温度为400~600℃。
优选的,本发明所述的方法包括如下步骤:
1)将硅藻土溶于浓度为22~28%的氨水,通过磁力搅拌使氨水充分浸渍硅藻土,形成浓度为0.07~0.09g/ml的硅藻土悬液;
2)将十六烷基三甲基溴化铵加入上述硅藻土悬液中,所述十六烷基三甲基溴化铵与硅藻土的质量比为0.025~0.05:1,得初步改性的硅藻土悬液;
3)将质量浓度为0.03~0.05g/ml的氯化镁溶液以50滴/min的速度,滴加到所述初步改性硅藻土悬液中,得混合液,滴加的过程中,对所述初步改性的硅藻土悬液进行磁力搅拌,滴加完毕后,所述硅藻土与所述氯化镁的质量之比为1:0.4~0.6;
4)将上述混合液在180℃的水热条件中陈化处理2h,冷却后洗涤,过滤得到氢氧化镁负载的硅藻土前驱体;
5)将所述氢氧化镁负载的硅藻土前驱体经干燥后在进行450~550℃的条件下进行锻烧,得氧化镁化学修饰硅藻土。
更优选的,本发明所述的方法包括如下步骤:
1)将硅藻土溶于浓度为25%的氨水,通过磁力搅拌使氨水充分浸渍硅藻土,形成浓度为0.08~0.085g/ml的硅藻土悬液;
2)将十六烷基三甲基溴化铵加入上述硅藻土悬液中,所述十六烷基三甲基溴化铵与硅藻土的质量比为0.04~0.05:1,得初步改性的硅藻土悬液;
3)将质量浓度为0.03~0.05g/ml的氯化镁溶液以50滴/min的速度,滴加到所述初步改性硅藻土悬液中,得混合液,滴加的过程中,对所述初步改性的硅藻土悬液进行磁力搅拌,滴加完毕后,所述硅藻土与所述氯化镁的质量之比为1:0.4~0.5;
4)将上述混合液在180℃的水热条件中陈化处理2h,冷却后洗涤,过滤得到氢氧化镁负载的硅藻土前驱体;
5)将所述氢氧化镁负载的硅藻土前驱体经干燥后在进行450~550℃的条件下进行锻烧,得氧化镁化学修饰硅藻土。
本发明的另一目的是保护利用本发明所述的方法制备得到的氧化镁改性硅藻土。
本发明具有如下有益效果:
本发明所述的方法通过选择滴加的方式并严格控制陈化处理的条件,在硅藻土表面原位生长花状纳米结构氧化镁,制备出稳定性更高,具有大比表面积和高吸附容量的复合微孔吸附剂。通过采用本工艺方法所得负载型复合微孔吸附剂,比表面积最高可达350m2/g,在吸附低浓度铬酸溶液的过程中,铬离子去除率最高可达99%。
附图说明
图1为图1为实施例1产物的X射线衍射曲线;
图2为实施例1产物的扫描电镜照片。其中a为硅藻土原土的扫面电镜图像,b、c、d为实施例2产物的扫描电镜图像;
图3为实施例3产物的TEM图片;
图4为实施例2的产物进行N2吸脱附测试所得曲线,图4a为实例2所得产物的N2吸脱附曲线,图4b为孔径分布曲线;
图5a为实施例5的产物N2吸脱附曲线,图5b为实施例5产物的孔径分布曲线;
图6为对比例1产物的扫描电镜照片;
图7为对比例2所得产物的扫描电镜照片;
图8为对比例3所得产物的扫描电镜照片;
图9为对比例4产物的扫描电镜照片。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
实施例1
本实施例涉及一种氧化镁改性硅藻土的制备方法,包括如下步骤:
1)将2.5g硅藻土添加到浓度为25%的30mL的氨水中,在温度25℃下磁力搅拌30min,得硅藻土悬液;
2)将0.1gCTAB(十六烷基三甲基溴化铵)加入所述硅藻土悬液中,形成初步改性的硅藻土悬液;
3)将2.5g MgCl2溶于30mL的水中,将所述氯化镁溶液以50滴/min的速度滴加到所述初步改性的硅藻土悬液中,边滴加边对硅藻土悬液进行磁力搅拌,得混合液;
4)将所述混合液置于反应釜中,在180℃水热反应2h进行陈化,冷却至室温,然后用去离子水和无水乙醇洗涤3~4次,过滤后得硅藻土负载氢氧化镁;
5)将上述洗涤完成的氢氧化镁负载的硅藻土前驱体在80℃的烘箱中烘干后在温度500℃的马弗炉中锻烧3h,得氧化镁改性硅藻土。
图1为实施例1产物的X射线衍射曲线。硅藻土为非晶态物质,其中晶体衍射峰(100)、(101)为硅藻土中石英杂质。(200)、(220)及(222)为氧化镁的晶面。反应2h样品XRD衍射峰与立方晶系的MgO(JCPDS45-0946)特征衍射峰非常吻合,表明硅藻土存在有较纯正MgO晶体,且在2θ值为42.9o,62.3o,78.6o,出现的峰,对应晶面分别为(200),(220),(222)。从图中可以看出氧化镁结晶性较好。
图2为实施例1产物的扫描电镜照片。其中a为硅藻土原土的扫面电镜图像,b、c、d为实施例2产物的扫描电镜图像。由图2a可知硅藻土为具有多孔结构的圆盘藻,孔道均匀、分布有序,中间大孔孔径为100nm~300nm,小孔孔径为20nm~50nm,边缘孔径为30nm~80nm,整个藻盘表面光滑。由图b、c、d可以看出MgO晶体均匀分布在硅藻土表面,其中MgO晶体呈现出花状形貌。由图2c可以看出花状MgO并没有堵住硅藻土表面原来的孔,这有利于重金属离子的吸附。
实施例2
与实施例1相比,其区别在于,所述步骤4)中的陈化时间为3h,其他条件与实施例1相同。
实施例3
与实施例1相比,其区别在于,所述步骤4)中的陈化时间为4h,其他条件与实施例1相同。
图3为实施例3产物的TEM图片。由图3a、b可清晰看到硅藻土边缘部位分布有纳米花状结构氧化镁。图3c、d的HRTEM可清晰看到晶格间距不等的衍射条纹,其衍射晶面间距为2.105nm,与Nb2O5标准卡片(JCPDS 15-0946)的(200)晶面间距相符合。实施例4
与实施例1相比,其区别在于,所述步骤4)中的陈化时间为5h,其他条件与实施例1相同。
图4为实施例2的产物进行N2吸脱附测试所得曲线,图4a为实例2所得产物的N2吸脱附曲线,由图可知该曲线介于III型和V型N2吸脱附曲线之间,并且存在H3迟滞环,H3型迟滞回线由组成花状形貌的片状MgO形成的。图4b为孔径分布曲线。由图可知产物孔径集中分布在0-20nm之间。
实施例5
与实施例1相比,其区别在于,所述步骤4)中的陈化时间为6h,其他条件与实施例1相同。
图5a为实施例5的产物N2吸脱附曲线,图5b为实施例5产物的孔径分布曲线。
对比例1
与实施例1相比,其区别在于,所述步骤4)中水热温度为60℃,其他条件与实施例1相同。图6为对比例1产物的扫描电镜照片(a、b图代表不同的放大倍数)。从图中可以看出纳米氧化镁生长并不充分。
对比例2
与实施例1相比,其区别在于,所述步骤4)中水热过程略去,即水浴反应后直接煅烧。其他条件与实施例1相同。图7为对比例2所得产物的扫描电镜照片(a、b图代表不同的放大倍数)。从图中可以看出氧化镁晶体结构粗大,并没有生长完全。
对比例3
与实施例1相比,其区别在于,所述步骤2)中所加入表面活性剂为SDBS(十二烷基苯磺酸钠),其他条件与实施例1相同。图8为对比例3所得产物的扫描电镜照片。由图中可以看出虽然氧化镁晶体并未表现出完整形貌,硅藻土表面负载的氧化镁也相对较少。
对比例4
与实施例1相比,其区别在于,所述步骤3)不采用滴加的方式,直接将氯化镁的溶液添加到硅藻土的悬浮液中。
图9a、b为对比例4产物的扫描电镜照片。从图9a中可以看出,硅藻土表面沉积了一层没有形貌的氧化镁,硅藻土表面的孔大部分被氧化镁堵住,这将不利于硅藻土的吸附性能。图9b中氧化镁团聚在硅藻土的表面,同样不利于吸附性能。
实验例
用实施例1~8和对比例中制备得到的硅藻土对含铬离子的溶液进行吸附,
其具体操作为:取浓度为60mg/L的六价铬溶液100mL置于烧杯中,然后加入0.1g氧化镁改性硅藻土样品。混合后进行磁力搅拌一定时间。过滤。即完成对溶液中六价铬的吸附。
其吸附结果如下表:
表1
Figure BDA0001389042640000091
虽然,上文中已经用一般性说明、具体实施方式及试验,对本发明作了详尽的描述,但在本发明基础上,可以对之作一些修改或改进,这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此,在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进,均属于本发明要求保护的范围。

Claims (9)

1.一种高吸附容量的氧化镁化学修饰硅藻土的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将硅藻土溶于氨水,通过搅拌使氨水充分浸渍硅藻土,形成硅藻土悬液;所述氨水的浓度为22~28%,所述硅藻土和所述氨水的质量体积比为0.07~0.09g/mL;
2)将十六烷基三甲基溴化铵加入上述硅藻土悬液中,得初步改性硅藻土悬液;所述十六烷基三甲基溴化铵的添加量与硅藻土的质量比为0.025~0.05:1;
3)将氯化镁溶液缓慢滴加到所述初步改性硅藻土悬液中,得混合液;所述硅藻土与氯化镁的质量之比为1:0.4~0.6;所述氯化镁溶液的质量浓度为0.03~0.05g/mL;
4)将上述混合液在160~200℃的水热条件中陈化处理2~6h,冷却后洗涤,过滤得到氢氧化镁负载的硅藻土前驱体;
5)将所述氢氧化镁负载的硅藻土前驱体经干燥后进行煅烧,得氧化镁化学修饰硅藻土。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤1)中,搅拌的具体操作为将溶有硅藻土的氨水在温度22~28℃的条件下,以70~80r/min磁力搅拌25~35min。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤3)中氯化镁的滴加的速度为50滴/min;
和/或所述步骤3)中滴加的过程中对硅藻土悬液以70~80r/min的速度进行磁力搅拌。
4.根据权利要求1或3所述的方法,其特征在于,所述步骤4)中陈化处理的具体操作为在180℃的水浴条件下处理2h。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤5)中煅烧的温度为400~600℃。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述步骤5)中煅烧的温度为400~600℃。
7.根据权利要求1-3、5、6任一项所述的方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将硅藻土溶于浓度为25%的氨水,通过磁力搅拌使氨水充分浸渍硅藻土,形成浓度为0.08~0.085g/mL的硅藻土悬液;
2)将十六烷基三甲基溴化铵加入上述硅藻土悬液中,所述十六烷基三甲基溴化铵与硅藻土的质量比为0.04~0.05:1,得初步改性的硅藻土悬液;
3)将质量浓度为0.03~0.05g/mL的氯化镁溶液以50滴/min的速度,滴加到所述初步改性硅藻土悬液中,得混合液,滴加的过程中,对所述初步改性的硅藻土悬液进行磁力搅拌,滴加完毕后,所述硅藻土与所述氯化镁的质量之比为1:0.4~0.5;
4)将上述混合液在180℃的水热条件中陈化处理2h,冷却后洗涤,过滤得到氢氧化镁负载的硅藻土前驱体;
5)将所述氢氧化镁负载的硅藻土前驱体经干燥后在450~550℃的条件下进行煅烧,得氧化镁化学修饰硅藻土。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)将硅藻土溶于浓度为25%的氨水,通过磁力搅拌使氨水充分浸渍硅藻土,形成浓度为0.08~0.085g/mL的硅藻土悬液;
2)将十六烷基三甲基溴化铵加入上述硅藻土悬液中,所述十六烷基三甲基溴化铵与硅藻土的质量比为0.04~0.05:1,得初步改性的硅藻土悬液;
3)将质量浓度为0.03~0.05g/mL的氯化镁溶液以50滴/min的速度,滴加到所述初步改性硅藻土悬液中,得混合液,滴加的过程中,对所述初步改性的硅藻土悬液进行磁力搅拌,滴加完毕后,所述硅藻土与所述氯化镁的质量之比为1:0.4~0.5;
4)将上述混合液在180℃的水热条件中陈化处理2h,冷却后洗涤,过滤得到氢氧化镁负载的硅藻土前驱体;
5)将所述氢氧化镁负载的硅藻土前驱体经干燥后在450~550℃的条件下进行煅烧,得氧化镁化学修饰硅藻土。
9.权利要求1~8任一项所述方法制备得到的氧化镁改性硅藻土。
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