CN1074854C - 高频装置 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种在滤波器罩(23)内具有防电波泄漏滤波器装置(24)的高频装置，上述防电波泄漏滤波器装置(24)在线圈状导电体(27a、27b)的至少一部分表面上，顺次形成绝缘层(26a、26b)及导电层(28a、28b)，导电体(27a、27b)的线圈状的一端连接管座(19)侧，其另一端连接高频电源(25)侧；导电层(28a、28b)连接滤波器罩(23)。该高频装置具有小型化及LC滤波器回路构成简单因而廉价的优点。

Description

高频装置
本发明涉及电子灶等使用的高频装置。
以往的高频装置，如图10所示，为了不使基本噪声及高频噪声泄漏，它备有：导电的滤波器罩3及设置在滤波器罩3的导出部4的高压贯穿电容器5，该滤波器罩3包围具有管座端子1a的管座1、扼流圈线圈2；扼流圈线圈2的一端与管座端子1a相联，另一端通过等离子体弧焊接联接至高压贯穿电容器5。
高压贯穿电容器5在绝缘罩6内设置对向配置且瓷介质7夹在其中的电极8a、8b和一端连接扼流圈线圈2，另一端连接电极8a及紧固组合件9的中央导体10，电极8b连接至通过绝缘树脂11模压而固定在滤波器罩3上的接地板12。
但是，由于具有扼流圈线圈2及部件数多的高压贯穿电容器5，这种现有的高频装置因大型化及LC滤波器回路构成复杂而存在成本高的问题。
本发明的目的在于通过高频装置的小型化及简化LC滤波回路构成，提供一种廉价的高频装置。
本发明的高频装置在滤波器罩内备有防电波泄漏滤波器装置，该装置是在线圈状的导电体表面的至少一部分上顺次形成绝缘层和导电层而构成的。
通过上述构成，由于不要以往的高压贯穿电容器能构成LC滤波回路，使高频装置小型化及LC滤波回路构成简化，能得到廉价的高频装置。
图1是本发明第1实施例的高频装置的正面剖视图。
图2是图1的仰视图。
图3是图1的防电波泄漏滤波装置的主要部分构成图。
图4是本发明产品及以往产品的泄漏噪声特性图。
图5是本发明产品及以往产品的线圈圈数和灯丝温度的关系曲线。
图6是本发明产品及以往产品的线圈圈数和电感关系图。
图7是本发明第2实施例的防电波泄漏滤波装置的主要部分构成剖视图。
图8是本发明第3实施例的防电波泄漏滤波装置的主要部分构成剖视图。
图9是本发明第4实施例的防电波泄漏滤波装置主要部分构成图。
图10是以往高频装置的仰视图。
下面，参照附图说明本发明的第1实施例。
如图1至图3所示，本发明第1实施例的高频装置由下列部分组成：磁控管部；由永久磁铁20、21及磁轭22构成的励磁用外部磁回路部；由导电的滤波器罩23及罩内的防电波泄漏滤波装置24组成的基本噪声及高频噪声防泄漏部；磁控管驱动用的高频电源部25。其中磁控管部由镀钍钨构成的螺旋状阴极13、铜构成的圆筒状阳极14、铁等磁性材料构成的一对磁极片15，16、陶瓷支撑体17、电磁波发射用天线18及具有管座端子19a、19b的管座19组成。
防电波泄漏滤波器装置24具有：由线径1、2mm、外径5-10mm、长度15-25mm的形成线圈状的软铜线、铝等构成的导电体27a、27b；被覆导电体27a、27b的线表面的、厚度为30-500μm的聚酰胺-酰亚胺、硅等耐热性树脂构成的绝缘层26a、26b；被覆已由绝缘层26a、26b覆盖的导电体27a、27b的线圈状的外周面的、由银胶、镍、铜等构成的导电层28a、28b。导电体27a、27b的线圈状的一端连接管座端子19a、19b，另一端连接至高频电源部25侧的紧固组合件29a、29b。导电层28a、28b由筒状的铝、锌及铁等材料构成的导电构件30包围固定，使其与导电构件30电气连接，进而，经设置在导电构件30上、由铝、锌和铁等材料构成的接地板31连接到滤波器罩23。又，如图2所示，绝缘树脂32的模压部只模压绝缘层26a、26b被覆的导电体27a、27b和紧固组合件29a、29b的一部分，导电层28a、28b没有被模压。由此，在滤波器罩23和紧固组合件29a、29b间形成静电电容。
然后，说明上述高频装置的动作。
在本发明的第1实施例中，在绝缘层26a、26b被覆的导电体27a、27b的线圈状的外周面上，被覆银胶的导电层28a、28b，因而在导电体27a、27b的线圈状部和中间间隔绝缘层26a、26b的导电体27a、27b与导电层28a、28b之间分别产生电感和静电电容成分，从而构成LC滤波回路。结果，用一个线圈状部就可构成LC滤波回路，不需要以往的高压贯穿电容器且能谋求高频装置的小型化及LC滤波电路的简化，可得到廉价的高频装置。
导电层28a、28b由导电构件30包围固定，经接地板31连至滤波器罩23，因而散热效果优良。且，由于导电层28a、28b没有被绝缘树脂32模压，不会产生热容量和热膨胀率各不相同的导电层28a、28b与绝缘树脂32的界面上的剥离。其结果是可得到不产生耐压不良的、可靠性高的高频装置。
导电体27a、27b的端部的管座端子19a、19b侧的周围空白，因此通过例如铆接或焊接等，容易把管座端子19a、19b与导电体27a、27b固定。
导电体27a、27b为软铜线，没有电气损耗，绝缘层26a、26b为聚酰胺-酰亚胺，介电常数高且与导电体27a、27b的密合性好，再者，导电层28a、28b为银胶，该银胶柔软地紧固在绝缘层26a、26b上，具有不会从绝缘层26a、26b剥离的效果。
下面，对确认本发明效果的第1实验例子加以说明。
本发明第1实施例的高频装置(本发明产品)，具有如图2所示构成的防电波泄漏滤波器装置24，该防电波泄漏滤波器装置24的导电体27a、27b把被厚度30μm的聚酰胺-酰亚胺被覆的线径1.4mm的软铜线形成为外径6.4mm、长度21mm的线圈形状，在该线圈状的外周面上被覆银胶的导电层28a、28b，形成约500Pf的静电电容。
为了比较，制作了一个具有图10所示构成的扼流圈2及约500Pf高压贯穿电容5的现有技术的高频装置，该扼流圈是把用厚度为30μm的聚酰胺-酰亚胺被复的线径1.4mm的软铜线制成外径为6.4mm、长度为21mm的线圈状而构成的。
对来自磁控管的冷状态下的噪声衰减进行研究，得到图4所示的结果。图4中曲线A为本发明产品，曲线B表示现有技术的产品。
由图4显见，本发明的产品在30KHZ至3GHZ的宽阔频带内的冷状态中，对噪声的衰减与以往产品相同或更好。显然，由一个线圈状部就能构成实用上没有问题的LC滤波器回路，能使高频装置小型化及LC滤波器回路构成简化。
图5表示本发明第1实施例的第2实验例子，本实验例与上述第1实验例的不同点在于：本实验例是变动导电体27a、27b的软铜线的线圈长度(线圈匝数)且用25KHZ的逆变器电源驱动磁控管。
根据本实验例，由图5显见，本发明产品(曲线C)具有在使磁控管稳定工作的阴极13的灯丝温度范围内(1900-2100°K)线圈圈数影响少的显著效果。即，磁控管稳定工作的圈数本发明产品(曲线C)约10-23匝，与现有技术产品(曲线D)的5-6匝比较，匝数影响能减少至约(23-10)/(6-5)＝13倍。其理由是由于(参见图6)本发明产品(曲线E)相对于线圈匝数其电感(μH)上升率约为现有技术产品(曲线F)的1/3。
图7表示本发明的第2实施例。本实施例与上述第1实施例的不同点在于：在导电体27a、27b的线圈状的内径部设置高频吸收构件(例如棒状的铁氧体磁心33)。
本实施例，由于设置铁氧体磁心33，能进一步抑制来自阴极13侧的高频噪声泄漏。
图8表示本发明的第3实施例，本实施例与上述第1实施例的不同处在于：在防电磁波泄漏滤波器装置24的导电体27a、27b的线圈状的一端部与管座端子19a、19b之间，设置具有铁氧体磁心33的扼流圈线圈34。
本实施例由于设置具有铁氧体磁心33的扼流圈线圈34，能进一步抑制来自阴极13侧的高频噪声泄漏。
图9表示本发明的第4实施例，本实施例与上述第1实施例不同处在于：在被绝缘层26a、26b被覆的导电体27a、27b的线圈状的外周面上，在线圈长度方向顺次被覆条纹状导电层28a、28b。
本实施例由于在被绝缘层26a、26b被覆的导电体，27a、27b的线圈状的外周面上，在线圈的长度方向反复形成导电层28a、28b的覆盖部35及非形成部36，使在非形成部36部分形成电感成分，在覆盖部35部分产生电感成分和静电电容成分，从而构成LC滤波器回路，能缩短导电体27a、27b的线圈长度。且，为了缩短，覆盖部35与非形成部36的关系为覆盖部35的宽度X比非形成部36的宽度Y大，最好覆盖部35的宽度为非形成部36宽度的约2倍。
又，在上述实施例中，在绝缘层26a、26b被覆的导电体27a、27b的线圈状的外周面上设置导电层28a、28b，但也可以把它设置在导电体27a、27b的线圈状的内周面上。导电体27a、27b的线圈形状以圆形加以说明，但也可以是椭圆形、多边形、螺旋形。
如上所述，在本发明的滤波器罩内具有防电波泄漏滤波装置的高频装置中，上述防电波泄漏滤波器装置是在线圈状的导电体的至少一部分表面上，顺次形成绝缘层和导电层加以构成的，由于能构成不需要以往的高压贯穿电容器的LC滤波器回路，使高频装置的小型化及LC滤波器回路构成简化，能得到廉价的高频装置。

Claims (8)

1.一种在滤波器罩内具有防电波泄漏滤波器装置的高频装置，其特征在于，所述防电波泄漏滤波器装置在线圈状导电体的至少一部分表面上依次形成绝缘层和导电层。
2.如权利要求1所述的高频装置，其特征在于，形成成线圈状的导电体的一端连接管座侧，另一端连接高频电源侧；导电层连接至滤波器罩。
3.如权利要求1或2所述的高频装置，其特征在于，所述导电层被筒状的导电构件包围固定，通过设置在所述导电构件上的接地板与滤波器罩相连结。
4.如权利要求1至3中任一项所述的高频装置，其特征在于，在所述导电体形成的线圈状的内径部设置高频吸收构件。
5.如权利要求1至4中任一项所述的高频装置，其特征在于，在所述绝缘层被覆的导电体形成的线圈状的外周面上，向线圈纵向条纹状依次被覆导电层。
6.如权利要求5所述的高频装置，其特征在于，向形成成线圈状的导电体的纵向，条纹状依次形成导电层，所述导电层覆盖的形成部与非形成部的关系为覆盖部分宽度比非形成部分宽度宽。
7.如权利要求1至6中任一项所述的高频装置，其特征在于导电体由软铜线构成，导电层由银胶构成，绝缘层由聚酰胺-酰亚胺构成。
8.如权利要求7所述的高频装置，其特征在于，聚酰胺-酰亚胺的厚度为30-500μm。
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