CN107479271A - 显示面板、阵列基板及其暗点化方法 - Google Patents

显示面板、阵列基板及其暗点化方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种显示面板、阵列基板及其暗点化方法。其中，阵列基板的暗点化方法包括当有像素电极异常时，切断像素电极和数据线的连接；将薄膜晶体管的漏极与遮光电极的重合区域熔断；将遮光电极直接加载至像素电极。本发明方便实现暗点化。

Description

显示面板、阵列基板及其暗点化方法
【技术领域】
本发明涉显示技术领域，特别涉及一种显示面板、阵列基板及其暗点化方法。
【背景技术】
液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TF T-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。具体而言，TFT-LCD可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是彩色滤光片、下层的玻璃基板上设置有薄膜晶体管。当电流通过薄膜晶体管时，产生电场变化，电场的变化引起液晶分子偏转，从而来改变光线的偏极性，而实现预期的显示画面。
随着TFT-LCD的快速发展，像素设计也日益精进，陆续出现了3T技术、DBS(DataLine BM Less)技术。
其中，3T技术具体是三个TFT开关经由同一条栅极线(gate line)控制，在gate打开时，其中两个TFT分别给像素电极(Pixel)的主区(main)与子区(sub)充电，同时第三颗TFT会将一部分已经充入子区的电荷漏至阵列基板的公共电极(Acom)上，拉低子区的电位，即通过保证主区与子区的电位差值来改善大视角。
其中，DBS技术具体是在数据线(Data line)上利用DBS com(DBS电极)的信号线取代传统的BM(Black Matrix，黑矩阵)，从而达到数据线上遮光的效果。DBS技术的应用，可以减小因BM对组不良等因素引起的减小像素开口率的弊端。因此，DBS com的电压成为DBS技术产品暗态品质的关键。
然而，当DBS技术与3T技术结合使用时，一般会将Data line上的DBS com与第三颗TFT漏电的Acom通过过孔连接到一起，即给DBS com与Acom相同电位。在需要进行液晶面板的暗点化时，将像素电极和阵列基板的公共电极熔接，实现暗点化。但是，受第三颗TFT漏电至Acom的影响，Acom无法保持恒定电位，使得Acom与彩膜基板上的CF电极间压差较大，无法顺利完成像素电极的暗点化。
【发明内容】
本发明的一个目的在于提供一种阵列基板，旨在方便实现暗点化。
本发明的另一个目的在于提供一种显示面板，旨在方便实现暗点化。
本发明的又一个目的在于提供一种阵列基板的暗点化方法，旨在方便实现暗点化。
为解决上述问题，本发明的优选实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
多条栅极线；
多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置，限定出多个像素单元；
像素单元，包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管；
遮光电极，与所述像素电极之间设置有绝缘层，所述遮光电极设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述遮光电极延伸至所述薄膜晶体管的源极或漏极的上方，并与所述源极或漏极重叠。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述像素电极包括主像素电极，所述薄膜晶体管包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管，所述遮光电极包括第一连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一源极或第一漏极的上方，并与所述第一源极或第一漏极重叠。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述像素电极还包括子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管，所述遮光电极还包括第二连接线，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二源极或第二漏极的上方，并与所述第二源极或第二漏极重叠。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述第一连接线和第二连接线平行设置。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述阵列基板还包括公共电极线，所述薄膜晶体管还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述像素电极还包括主像素电极和子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管、与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，
所述第一薄膜晶体管的第一栅极与对应的所述栅极线连接，所述第一薄膜晶体管的第一源极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的第一漏极通过过孔与所述主像素电极连接；
所述第二薄膜晶体管的第二栅极与对应的所述栅极线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极与所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的第二漏极通过过孔与所述子像素电极连接；
所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接；
所述遮光电极还包括第一连接线和第二连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一漏极的上方并与所述第一漏极重叠，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二漏极的上方并与所述第二漏极重叠
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述遮光电极由氧化铟锡材料制成。
为解决上述问题，本发明的优选实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板，所述显示面板包括如上所述的阵列基板。
在本发明优选实施例的显示面板中，所述彩膜基板上设置有公共电极，所述遮光电极和所述公共电极的电位相同。
在本发明优选实施例的阵列基板中，所述公共电极的电位和所述阵列基板的公共电极线的电位不同。
为解决上述问题，本发明的优选实施例还提供了一种阵列基板的暗点化方法，所述阵列基板的暗点化方法包括：
当有像素电极异常时，切断所述像素电极和数据线的连接；
将薄膜晶体管的漏极与遮光电极的重合区域熔断；
将所述遮光电极直接加载至所述像素电极。
相对于现有技术，本发明阵列基板在暗点化过程中，首先切断像素电极和数据线的连接，然后将遮光电极和薄膜晶体管的源极或漏极熔断，该薄膜晶体管与像素电极连接，用于控制像素电极，薄膜晶体管的源极或漏极位于像素电极位置，将遮光电极和源极或漏极熔断，实现遮光电极和像素电极的电性连接，从而将遮光电极的电压直接加载至像素电极。遮光电极的电位可以根据实际需要进行控制，比如控制遮光电极与公共电极的电位相同，从而使得像素电极和公共电极之间的电位差几乎为零，实现暗点化。本发明实施例即使公共电极线和公共电极之间的压差较大时，同样可以实现暗点化。同时，遮光电极覆盖到数据线上实现遮光的目的。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：
【附图说明】
图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图3为本发明实施例第一晶薄膜体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管三者相互配合的等效电路图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的暗点化方法的流程示意图。
【具体实施方式】
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
下面参考图1至图4描述本发明实施例的显示面板、阵列基板及其暗点化方法。
本发明实施例公开了一种显示面板，该显示面板包括阵列基板和彩色滤光片，彩色滤光片可以设置在阵列基板上，彩色滤光片也可以和阵列基板相对设置。当彩色滤光片和阵列基板相对设置时，彩色滤光片可以设置在彩膜基板上。
请参阅图1，图1为本发明实施例显示面板的一种结构示意图，图1中仅示出了阵列基板、液晶及彩膜基板的部分结构，需要说明的是，其并不对阵列基板、液晶及彩膜基板构成限制。本发明实施例以彩色滤光片设置在彩膜基板上为例进行说明，需要说明的是，其并构成对显示面板的限制。该显示面板10包括相对设置的彩膜基板200、阵列基板100以及设置在阵列基板100和彩膜基板200之间的液晶300。需要说明的是，本发明实施例的显示面板10可以应用于显示器中，也就是显示器包括该显示面板10和背光模组，背光模组可作为光源，用于供应充足的亮度与分布均匀的光源，本实施例的背光模组可以为前光式，也可以为背光式，需要说明的是，本实施例的背光模组并不限于此。
其中，彩膜基板200包括有彩色光阻和公共电极，其中彩色光阻比如红色光阻、绿色光阻、蓝色光阻，需要说明的是，本发明实施例彩色光阻并不限于此，比如：白色光阻。其中公共电极形成在彩色光阻上方。本发明实施例彩膜基板200可以包括BM(Black Matrix，黑矩阵)，也可以不包括BM。当彩膜基板包括BM时，BM间隔设置在彩色光阻之间，以实现遮光的作用。
下面以阵列基板100及其暗点化方法为例进行详细说明，需要说明的是，以下对阵列基板100及其暗点化方法的描述同样适用于本发明实施例显示面板10和显示器中。
在本发明实施例中，请参阅图2，图2为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图。该阵列基板包括多条栅极线110、多条数据线120、多个像素单元130、遮光电极131和公共电极线132。
其中，遮光电极131设置在数据线120上，并遮住数据线120。遮光电极131的电位设置与公共电极的电位相同，该公共电极可以设置于彩膜基板上，使得遮光电极131和公共电极之间的压差几乎为零，使得位于公共电极和遮光电极131之间的液晶不偏转，从而实现遮光的作用，可以省去BM。
其中，多个显示单元130由多条栅极线110和多条数据线120相互交叉设置所限定出，多条栅极线110以及多条数据线120分别连接于多个像素单元130。每一个像素单元130均包括有像素电极133和与像素电极133连接的薄膜晶体管，与像素电极133连接的薄膜晶体管用于控制像素电极133。
在本发明实施例中，遮光电极131延伸至像素电极133的上方，具体是延伸至与像素电极133连接的薄膜晶体管的漏极的上方，并与该漏极重叠设置。进一步的，为了防止在正常显示下遮光电极131延伸至薄膜晶体管的漏极造成电性连接，则在遮光电极131延伸至薄膜晶体管漏极的重叠部分设置有绝缘层。需要说明的是，本发明实施例也可以在遮光电极131和像素电极133之间直接设置绝缘层。
从而，当公共电极的电位和公共电极线132之间的电位不同，或相差较大时，若采用公共电极线132进行暗点化，将公共电极132直接加载至像素电极133上，由于公共电极线132的电位和公共电极之间的电位相差较大，则像素电极133的电位与公共电极之间的电位也相差较大，导致像素电极133异常，无法实现暗点化。
而本发明实施例在进行暗点化的过程中，首先将数据线120和像素电极133之间隔断，以防止数据线120继续为像素电极133传送信号。然后将遮光电极131延伸至像素电极133，具体是延伸至薄膜晶体管的漏极部分进行熔断，使得遮光电极131和像素电极133连接，将遮光电极131直接加载至像素电极133进行暗点化，由于遮光电极131和公共电极的电位相同，则此时，像素电极133和公共电极之间的电位相同，像素电极133和公共电极之间的压差几乎为零，从而实现暗点化。因此，本发明实施例在公共电极线132的电位与公共电极的电位相差较大时，同样可以实现暗点化。
具体的，本发明实施例像素电极133包括主像素电极1331和子像素电极1332。薄膜晶体管包括有第一薄膜晶体管140和第二薄膜晶体管150。其中，第一薄膜晶体管140和主像素电极1331连接，用于控制主像素电极1331；第二薄膜晶体管150和子像素电极1332连接，用于控制子像素电极1332。
在本发明实施例中，遮光电极131分别与主像素电极1331、子像素电极1332之间设置有绝缘层，以防止在正常显示过程中遮光电极131与主像素电极1331及子像素电极1332连通。遮光电极131延伸至第一薄膜晶体管140的第一漏极的上方，并与第一漏极重叠；以及遮光电极131延伸至第二薄膜晶体管150的第二漏极的上方，并与第二漏极重叠。
具体的，阵列基板100还包括第一连接线1311和第二连接线1312，第一连接线1311和第二连接线1312可以相互平行设置。其中第一连接线1311和遮光电极131电性连接，第一连接线1311从遮光电极131上延伸至第一薄膜晶体管140的第一漏极的上方，并与第一漏极重叠。其中第二连接线1312和遮光电极131电性连接，第二连接线1312从遮光电极131上延伸至第二薄膜晶体管150的第二漏极的商法，并与第二漏极重叠。或者说，遮光电极131包括第一连接线1311和第二连接线1312。
在暗点化的过程中，首先将数据线120与主像素电极1331、子像素电极13332隔断，以防止数据线120继续为主像素电极1331及子像素电极1332传送信号。然后将第一漏极和第一连接线1311的重叠部分熔断，以及将第二漏极和第二连接线1312的重叠部分熔断，使得第一连接线1311和主像素电极1331连接，以及使得第二连接线1312和子像素电极1332连接，进而使得遮光电极133直接加载至主像素电极1331和子像素电极1332进行暗点化，从而主像素电极1331和公共电极之间的压差几乎为零，以及子像素电极1332和公共电极之间的压差几乎为零，从而实现暗点化。因此，本发明实施例在公共电极线132的电位与公共电极的电位相差较大时，同样可以实现暗点化。
在本发明实施例中，薄膜晶体管还包括有第三薄膜晶体管160，请参阅图3，图3为本发明实施例第一晶薄膜体管、第二薄膜晶体管及第三薄膜晶体管三者相互配合的等效电路图。阵列基板100还包括第一电容170、第二电容180以及存储电容190。
其中，第一薄膜晶体管140还包括第一源极和第一栅极；第二晶体管150还包括第二源极和第二栅极；第三晶体管160包括第三源极、第三漏极和第三栅极。
具体的，第一电容170与第一漏极连接，第二电容180与第二漏极连接，存储电容和第二漏极连接。第一栅极、第二栅极、第三栅极分别与栅极线110连接，第一源极、第二源极分别和数据线120连接，第二漏极和第三源极连接，第三漏极和公共电极线132通过过孔134连接。
在本发明实施例中，第三薄膜晶体管160通过其第三漏极和公共电极线132连接，将子像素电极1332的部分电荷漏至公共电极线132，从而拉低子像素电极1332的电位，增加公共电极线的电位。
在本发明实施例中，第一连接线1311和第二连接线1312分别从遮光电极131上延伸形成，第一连接线1311和第二连接线1312可与遮光电极131一体成型。
在本发明实施例中，遮光电极131、第一连接线1311和第二连接线1312由氧化铟锡材料制成，其导电性好，方便取材；氧化铟锡透明设置，其方便铺设于数据线120上。
进一步的，遮光电极131和位于主像素电极1331的第一薄膜晶体管140的第一漏极连接，第一漏极为金属线，比如铜线、铜合金线等。实现遮光电极131和主像素电极1331的连接；具体的是，采用镭射的方式，将遮光电极131和位于主像素电极1331的第一漏极通过第一连接线1311熔接在一起。以及遮光电极131和位于子像素电极1332的第二晶体管150的第二漏极连接，具体的是，采用镭射的方式，将遮光电极131和位于子像素电极1332的第二漏极通过第二连接线1312熔接在一起。
需要说明的是，第一薄膜晶体管140的第一漏极位于主像素电极1331内，第二薄膜晶体管150的第二漏极位于子像素电极1332内。
可以理解的是，在其他实施例中，还可以将遮光电极延伸至薄膜晶体管的源极上方并与源极区域重叠，在暗点化过程中，激光切断薄膜晶体管与数据线的连接，然后采用镭射的方式，将遮光电极与对应薄膜晶体管的源极熔接。在栅极线驱动薄膜晶体管开启时，源极与漏极导通，对应的像素电极也能通过遮光电极与源极的熔接处获得遮光电极上加载的与彩膜基板侧公共电极相同的电压，从而实现暗点化。其他具体的结构和连接方式与前一实施例相同，在此不再赘述。
下面从阵列基板的暗点化方法的角度进行描述，该阵列基板的暗点化方法适用于以上阵列基板。
请参阅图4，图4为本发明实施例提供的阵列基板的暗点化方法的流程示意图，图4仅示出了阵列基板在暗点化时的部分过程，请一并参阅图1至图3。该阵列基板的暗点化方法包括以下步骤：
在步骤S101中，当有像素电极133异常时，切断所述像素电极133和数据线120的连接。
其中，像素电极133异常比如为亮点。当像素电极133出现亮点时，切断像素电极133和数据线120的连接。具体的，是将主像素电极1331、子像素电极1332同时与数据线120切断，以防止数据线120继续为主像素电极1331及子像素电极1332传送信号。
在步骤S102中，将薄膜晶体管的漏极与遮光电极的重合区域熔断。具体请参阅以上内容，在此不再赘述。
具体的，将第一薄膜晶体管140的第一漏极与遮光电极131中延伸出的第一连接线1311进行熔断，使得遮光电极131通过第一漏极与主像素电极1331电性连接。以及将第二薄膜晶体管150的第二漏极与遮光电极131中延伸出的第二连接线1312进行熔断，使得遮光电极131通过第二漏极与子像素电极1332电性连接。
进一步的，采用镭射的方式，将遮光电极131和像素电极133熔接到一起。具体的是采用镭射的方式，通过第一连接线1311将遮光电极131和主像素电极1331熔接在一起，达到主像素电极1331暗点化的目的。以及采用镭射的方式，通过第二连接线1312将遮光电极131和子像素电极1332熔接在一起，达到子像素电极1332暗点化的目的。具体请参阅以上内容，在此不再赘述。
在步骤S103中，将遮光电极131直接加载至像素电极133。
具体的，将遮光电极131的电压直接加载至主像素电极1331，以及将遮光电极131的电压直接加载至子像素电极1332。遮光电极133直接加载至主像素电极1331和子像素电极1332进行暗点化，从而主像素电极1331和公共电极之间的压差几乎为零，以及子像素电极1332和公共电极之间的压差几乎为零，从而实现暗点化。因此，本发明实施例在公共电极线132的电位与公共电极的电位相差较大时，同样可以实现暗点化。具体请参阅以上内容，在此不再赘述。
可以理解的是，在其他实施例中，还可以将遮光电极延伸至薄膜晶体管的源极上方并与源极区域重叠，在暗点化过程中，激光切断薄膜晶体管与数据线的连接，然后采用镭射的方式，将遮光电极与对应薄膜晶体管的源极熔接。在栅极线驱动薄膜晶体管开启时，源极与漏极导通，对应的像素电极也能通过遮光电极与源极的熔接处获得遮光电极上加载的与彩膜基板侧公共电极相同的电压，从而实现暗点化。其他具体的结构、连接方式以及工艺步骤与前一实施例相同，在此不再赘述。
虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
多条栅极线；
多条数据线，与所述多条栅极线交叉设置，限定出多个像素单元；像素单元，包括像素电极和与所述像素电极连接的薄膜晶体管；遮光电极，与所述像素电极之间设置有绝缘层，所述遮光电极设置在所述数据线上、以遮住所述数据线，所述遮光电极延伸至所述薄膜晶体管的源极或漏极的上方，并与所述源极或漏极重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括主像素电极，所述薄膜晶体管包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管，所述遮光电极包括第一连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一源极或第一漏极的上方，并与所述第一源极或第一漏极重叠。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极还包括子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管，所述遮光电极还包括第二连接线，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二源极或第二漏极的上方，并与所述第二源极或第二漏极重叠。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接线和第二连接线平行设置且与所述遮光电极一体成型。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极线，所述薄膜晶体管还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光电极由氧化铟锡材料制成。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极还包括主像素电极和子像素电极，所述薄膜晶体管还包括与所述主像素电连接的第一薄膜晶体管、与所述子像素电极连接的第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，
所述第一薄膜晶体管的第一栅极与对应的所述栅极线连接，所述第一薄膜晶体管的第一源极与所述数据线连接，所述第一薄膜晶体管的第一漏极通过过孔与所述主像素电极连接；
所述第二薄膜晶体管的第二栅极与对应的所述栅极线连接，所述第二薄膜晶体管的第二源极与所述数据线连接，所述第二薄膜晶体管的第二漏极通过过孔与所述子像素电极连接；
所述第三薄膜晶体管的第三栅极与对应的所述栅极线连接，所述第三薄膜晶体管的第三源极通过过孔与所述子像素电极连接，所述第三薄膜晶体管的第三漏极和所述公共电极线通过过孔连接；
所述遮光电极还包括第一连接线和第二连接线，所述第一连接线从所述遮光电极上延伸至所述第一薄膜晶体管的第一漏极的上方并与所述第一漏极重叠，所述第二连接线从所述遮光电极上延伸至所述第二薄膜晶体管的第二漏极的上方并与所述第二漏极重叠。
8.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板，所述显示面板还包括如权利要求1至7任一所述的阵列基板。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板上设置有公共电极，所述遮光电极和所述公共电极的电位相同。
10.一种如权利要求1的阵列基板的暗点化方法，其特征在于，所述阵列基板的暗点化方法包括：
当有像素电极异常时，切断所述像素电极和数据线的连接；
将薄膜晶体管的漏极与遮光电极的重合区域熔断；
将所述遮光电极直接加载至所述像素电极。
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