CN107425033A - 一种显示面板和显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板和显示设备。其中，显示设备包括阵列基板；有机发光层，有机发光层包括依次设置的第一电极、有机功能层和第二电极；薄膜封装层，包覆有机发光层；触控电极；第二电极的部分边缘在阵列基板上的投影和薄膜封装层的部分边缘在阵列基板上的投影均具有凹凸状轮廓，凹凸状轮廓包括凸部和凹部，第二电极的凸部通过第一过孔与位于阵列基板内的第一金属走线电连接；第二过孔在阵列基板上的垂直投影与薄膜封装层在阵列基板上的垂直投影不交叠，且至少部分第二过孔在阵列基板上的垂直投影位于薄膜封装层的凹部在阵列基板上的垂直投影内。本发明实施例提供的技术方案，可以确保薄膜封装层可靠封装，并且实现了显示面板窄边框。

Description

一种显示面板和显示设备
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示设备。
背景技术
有机发光显示器(OLED，Organic Light Emitting Display)具有自发光、较高的对比度、较低耗电、极高的反应速度等优点，得到了广泛的关注，被认为是下一代显示技术的发展方向。
图1A是现有技术中一种有机发光显示器的俯视示意图，图1B是沿图1A中A-A方向的剖面示意图。参见图1A和图1B，该显示器包括阵列基板100、阳极层、有机功能层200、阴极层300、薄膜封装层400和触控电极层500，阴极层300通过过孔700与阵列基板100内的金属走线电连接，触控电极层500通过过孔600与阵列基板100内的金属走线电连接。为了不破坏薄膜封装层400，触控电极层500接触电连接的过孔600需要设置在薄膜封装层400的外侧，如图中设置在薄膜封装层400的两侧，将占用较多的边框，有机发光显示器的边框比较大。
发明内容
本发明提供一种显示面板和显示设备，以在对显示面板可靠封装的同时，实现显示面板的窄边框。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：
阵列基板；
有机发光层，位于所述阵列基板的一侧，所述有机发光层包括第二电极；
薄膜封装层，位于所述有机发光层背离所述阵列基板的一侧，且包覆所述有机发光层；
触控电极，位于所述薄膜封装层背离所述阵列基板的一侧；
所述第二电极的边缘和所述薄膜封装层的边缘具有凹凸状轮廓，所述凹凸状轮廓包括凸部和凹部，所述第二电极的凸部通过第一过孔与位于所述阵列基板内的第一金属走线电连接；
所述触控电极通过第二过孔与位于所述阵列基板内的第二金属走线电连接，并通过所述第二金属走线接收和/或发送触控信号；
所述第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影与所述薄膜封装层在所述阵列基板上的垂直投影不交叠，且至少部分所述第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影位于所述薄膜封装层的所述凹部在所述阵列基板上的垂直投影内。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示设备，该显示设备包括本发明任意实施提供的显示面板。
本发明提供的技术方案，第二电极的部分边缘在阵列基板上的投影和薄膜封装层的部分边缘在阵列基板上的投影均具有凹凸状轮廓，凹凸状轮廓包括凸部和凹部，第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影与所述薄膜封装层在所述阵列基板上的垂直投影不交叠，且至少部分第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影位于所述薄膜封装层的所述凹部在所述阵列基板上的垂直投影内。第二电极通过过孔与阵列基板内的第一金属走线电连接时，第二过孔的位置区域对应在薄膜封装层的凹部，第二过孔避开薄膜封装层的凸部，第二过孔不会穿过薄膜封装层，第二过孔不会穿透薄膜封装层，即薄膜封装层上不做过孔，保证薄膜封装层可靠封装。而且由于第二过孔的位置对应薄膜封装层的凹部区域，第二过孔占用的边框区域与薄膜封装层占用的边框区域部分重合，相当于缩窄了边框，实现了显示面板的窄边框。
附图说明
图1A是现有技术中的一种有机发光显示器的俯视示意图；
图1B是图1A中沿A-A方向的剖面示意图；
图2A是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图；
图2B是图2A中D处的局部放大图；
图2C是沿图2A中A-A方向的剖面示意图；
图2D是沿图2A中B-B方向的剖面示意图；
图3A是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图3B是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图3C是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图4A是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图4B是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；
图5是本发明实施例提供的一种显示设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图2A是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视示意图。图2B是图2A中D处的局部放大图，图2C是沿图2A中A-A方向的剖面示意图，图2D是沿图2A中B-B方向的剖面示意图。参见图2A、图2B、图2C和图2D，该显示面板包括：
阵列基板10；
有机发光层11，位于阵列基板10的一侧，有机发光层11包括第二电极13；
薄膜封装层14，位于有机发光层11背离阵列基板10的一侧，且包覆有机发光层11；
触控电极15(图2A中未示出触控电极)，位于薄膜封装层14背离阵列基板10的一侧。
第二电极13的边缘和薄膜封装层14的边缘具有凹凸状轮廓，凹凸状轮廓包括凸部和凹部，例如，第二电极13在阵列基板10上的投影具有凹凸状轮廓，该凹凸状轮廓包括第一凸部131和第一凹部132。薄膜封装层14的部分边缘在阵列基板10上的投影具有凹凸状轮廓，该凹凸状轮廓包括第二凸部141和第二凹部142。第二电极13的凸部通过第一过孔133与位于阵列基板10内的第一金属走线134电连接，并通过第一金属走线134接收显示信号；
触控电极15通过第二过孔151与位于阵列基板10内的第二金属走线152电连接，并通过第二金属走线152接收和/或发送触控信号；
第二过孔151在阵列基板上的垂直投影与薄膜封装层14在阵列基板10上的垂直投影不交叠，且至少部分第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10上的垂直投影内。
本发明实施例中，阵列基板可以包括衬底基板，以及位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和存储电容。衬底基板可以由具有柔性的任意合适的绝缘材料形成。例如，柔性基底可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)或玻璃纤维增强塑料(FRP)等聚合物材料形成。衬底基板可以是透明的、半透明的或不透明的。当然，衬底基板还可以是玻璃基板，此时显示面板是刚性的不能自由弯折的显示面板。
缓冲层位于衬底基板上，缓冲层覆盖衬底基板的整个上表面。缓冲层包括无机层或有机层。例如，缓冲层可以由从诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlNx)等的无机材料或者诸如压克力(acryl)、聚酰亚胺(PI)或聚酯等的有机材料中选择的材料形成。缓冲层可以包括单层或多个层。缓冲层阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过柔性基底扩散，并且在柔性基底的上表面上提供平坦的表面。
薄膜晶体管阵列位于缓冲层上。以顶栅型的薄膜晶体管为例，薄膜晶体管包括位于缓冲层上的半导体有源层，半导体有源层包括通过掺杂N型杂质离子或P型杂质离子而形成的源极区域和漏极区域。在源极区域和漏极区域之间的区域是其中不掺杂杂质的沟道区域。
半导体有源层可以通过非晶硅的结晶使非晶硅改变为多晶硅而形成。
为了使非晶硅结晶，可以利用诸如快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法或连续横向固化(SLS)法等各种方法。
栅绝缘层覆盖半导体有源层，包括诸如氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机层，并且可以包括单层或多个层。
栅电极位于栅绝缘层上的特定区域中。栅电极可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铂(Pt)、钯(Pd)、铝(Al)、钼(Mo)或铬(Cr)的单层或多层，或者诸如铝(Al):钕(Nd)合金、钼(Mo):钨(W)合金的合金。
层间绝缘层位于栅电极上。层间绝缘层可以由氧化硅或氮化硅等的绝缘无机层形成。可选择地，层间绝缘层可以由绝缘有机层形成。
源电极和漏电极位于层间绝缘层上。源电极和漏电极分别通过接触孔电连接(或结合)到源极区域和漏极区域，接触孔是通过选择性地去除栅绝缘层和层间绝缘层而形成的。
钝化层位于源电极和漏电极上。钝化层可以由氧化硅或氮化硅等的无机层形成或者由有机层形成。
平坦化层位于钝化层上。平坦化层包括压克力、聚酰亚胺(PI)或苯并环丁烯(BCB)等的有机层。
在本发明实施例中，有机发光层11还可以包括第一电极和有机功能层12，,第一电极可以是阳极或者阴极，第二电极13也可以是阳极或者阴极。当第一电极为阳极时，第二电极13为阴极；第一电极为阴极时，第二电极13为阳极。
阳极可以由各种导电材料形成。例如，阳极可以根据它的用途形成为透明电极或反射电极。
当阳极形成为透明电极时，阳极可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等，当阳极形成为反射电极时，反射层可以由Ag、镁(Mg)、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、铱(Ir)、Cr或者它们的混合物形成，并且ITO、IZO、ZnO或In2O3等可以形成在该反射层上。
像素限定层(PDL)覆盖阳极的边缘。围绕阳极的边缘的PDL限定每个子像素的发射区域。PDL可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚酰胺、苯并环丁烯(BCB)、压克力树脂或酚醛树脂等的有机材料形成。
有机功能层位于第一电极上，第一电极的其上设置有有机功能层的这部分没有被PDL覆盖并暴露出来。有机功能层可以通过气相沉积工艺形成，有机功能层被图案化为与每个子像素对应，即，与图案化的第一电极对应。
有机发光层11可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成，有机发光层包括的有机功能层作为发射层，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。然而除了发射层以外，有机发光层可以包括其它各种功能层。
阴极位于有机发光层11上。与阳极相似，阴极可以形成为透明电极或反射电极。
阳极和阴极通过有机发光层彼此绝缘。如果在阳极和第阴极之间施加电压，则有机发光层发射可见光，从而实现能被使用者识别的图像。阴极可以形成为透明电极或反射电极。
当阴极形成为透明电极时，具有诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)或它们的组合的功函数小的化合物可以通过蒸发初始沉积在有机发光层上，并且诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3等的透明电极形成材料可以沉积在该化合物上。
当阴极形成为反射电极时，可以通过在柔性基底的整个表面上使Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的混合物蒸发来形成。
本实施例中的第二电极13可以是整面设置的，可选的，整面的第二电极可以是阴极，所有像素的阴极可以具有共同的电位。
包覆有机发光层11的薄膜封装层14可防止外界的水分和氧气流动或者扩散至有机发光层11内而损害有机发光层11，提高显示面板的寿命，薄膜封装层14可以包括无机层和有机层，无机层和有机层交错堆叠。
继续参见图2A，该显示面板在实现触控功能过程中，可以通过第二金属走线152向触控电极15发送触控驱动信号，并通过第二金属走线152检测触控电极15上的触控感测信号，确定是否有触摸发生以及触摸位置。
本发明实施例提供的技术方案，由于第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影与薄膜封装层14在阵列基板上的投影不交叠，第二过孔151不会穿透薄膜封装层14，保证薄膜封装层14可靠封装，可以有效阻挡水分和氧气进入有机发光层内，提供显示面板的寿命。同时，至少部分第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10上的垂直投影内，由于第二过孔151的位置对应薄膜封装层14的凹部区域，第二过孔151占用的边框区域与薄膜封装层14占用的边框区域至少部分重合，第二过孔151和薄膜封装层14在显示面板上占用的宽度有所减小，相当于缩窄了边框，实现了显示面板的窄边框。
需要说明的是，触控电极15通过第二过孔151与位于阵列基板10内的第二金属走线152电连接，上述图2A中，只在图示的左侧示出了第二金属走线152，图示的右侧未示出第二金属走线152。第二电极13可通过第一金属走线134与驱动芯片或柔性电路板电连接，由驱动芯片或柔性电路板提供显示信号。触控电极15可通过第二金属走线152与驱动芯片或柔性电路板电连接，由驱动芯片或柔性电路板提供或者接收触控信号。
可选的，在本发明实施例中，第二电极13和薄膜封装层14上的凹凸状轮廓为方波状、圆弧状或锯齿波状。示例性的，参见图3A，图3A是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图。可以看到凹凸状轮廓为圆弧状。其中，第一金属走线134和第二金属走线152可与位于非显示区的驱动芯片16电连接，由驱动芯片16提供显示信号和/或触控信号。
在图3A所示的显示面板中，只有部分第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10上的垂直投影内。在本发明的其他实施方式中，各第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影可均位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10上的垂直投影内。例如，参见图3B，图3B是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图。可以看到，各第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影均位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10上的垂直投影内。如此，第二过孔151和薄膜封装层14在显示面板上占用的宽度将进一步较小，可以更大限度的降低显示面板的宽度，实现显示面板的窄边框，可以理解的是，当第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影全部位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10上的垂直投影内，与触控电极15连接的第二金属走线152将不会占据任何显示面板的边框，又不影响显示面板在显示区域的触控范围。
图3C是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图。参见图3C，该显示面板还还包括显示区和非显示区，有机功能层12所在的区域为显示区，有机功能层12之外的区域为非显示区，第一金属走线134环绕显示区设置。第一金属走线134围绕显示区设置，第一金属走线134和第二电极13的接触面积增大，减小二者之间的接触电阻，降低了信号传输的损耗。
进一步的，第一金属走线134和第二金属走线152可同层设置，第一金属走线134和第二金属走线152同层设置，显示面板易于做薄，而且第一金属走线134和第二金属走线152可以在同一道工艺形成，节省工艺步骤。
在本发明实施例中，第二电极13为阴极时，一般通过第一金属走线134向第二电极13传输低电平信号，第一金属走线134与显示面板的数据信号走线可同层设置；第二金属走线152为触控信号走线，第二金属走线152与第一金属走线134异层设置，一般显示面板中数据信号走线的数目和触控信号走线的数目均比较多，在第一金属走线134和数据信号走线同层设置的同时，第一金属走线134和第二金属走线152异层设置，同一膜层不用设置较多的走线，减小走线和走线之间的短路情况的出现。而且不同金属走线之间也需要一定的间距，将第一金属走线134和第二金属走线152异层设置，同一层膜层的金属走线占用的显示面板的宽度不会很大，显示面板易于实现窄边框。
在本发明实施例中，薄膜封装层14的形状和第二电极13的形状可以相同，可以理解的是，薄膜封装层覆盖有机发光层，薄膜封装层边缘的形状与第二电极边缘的形状相关，这样，沿第二电极13的凸部向显示面板边框的延伸方向，薄膜封装层14的凹部对应第二电极13的凹部，薄膜封装层14的凸部对应第二电极13的凸部。由于薄膜封装层14包覆第二电极13，沿垂直于阵列基板10的方向，薄膜封装层14的凸部和第二电极13的凸部会有交叠，而且薄膜封装层14的凹部和第二电极13的凹部也会有交叠，薄膜封装层14的凹部对应第二过孔151，薄膜封装层14和第二过孔151将占用显示面板较小的边框。图4A是本发明实施例提供的又一种显示面板的俯视示意图。参见图4A，在该显示显示面板中，第二电极13以及薄膜封装层14均包括两个第一边缘101和两个第二边缘102，且两个第一边缘101相对设置，两个第二边缘102相对设置；第二边缘102的延伸方向与显示面板的栅极线平行，如图中的X方向为与栅极线平行的方向；第一边缘101具有凹凸状轮廓。触控电极15通过第二金属走线152与柔性电路板或者驱动芯片电连接，而柔性电路板或者驱动芯片一般设置于第二边缘102所在的非显示区内，沿X方向延伸的触控电极15一般会在显示面板的左右边框走线(可参见图3A中第二金属走线152的设置)，在第一边缘101具有凹凸状轮廓，触控电极15可通过薄膜封装层14的第一边缘的凹部与第二金属走线152电连接，以降低薄膜封装层14和第二金属走线152占据的显示面板边框的宽度。
为了尽可能减小显示面板的边框，薄膜封装层14的凹陷部的深度需要满足一定的条件，以保证第二过孔151在阵列基板10的垂直投影位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10的垂直投影内。进一步的，沿与显示面板的栅极线平行的方向，薄膜封装层14的凹部的深度大于等于32um。第二过孔151的直径也有一定宽度，薄膜封装层14的凹部的深度需要大于第二过孔151的直径，可确保第二过孔151在阵列基板10的垂直投影位位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10的垂直投影内，实现显示面板的窄边框。而且在第二过孔151在阵列基板10的垂直投影均位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10的垂直投影内时，与第二过孔151电连接的第二金属走线152一般沿Y方向，从第二过孔151向柔性电路板或者驱动芯片所在区域延伸，第二金属走线152之间需要一定的布线间距。当薄膜封装层14的凹部的深度小于32um时，无法在缩减边框的基础上，布置第二金属走线152。
继续参见图4A，可以看到，多个第一过孔133呈一字排列，例如沿图中的Y方向，多个第一过孔133成一字排列，其排列方向与显示面板的栅极线垂直。该显示面板还可包括第三过孔135，第二电极13的第二边缘102通过第三过孔135与位于阵列基板10内的第一金属走线134电连接，第三过孔135可以增大第二电极13和第一金属走线134的接触面积，减小阻抗。
继续参见图4A，可以看到，在沿与显示面板栅极线垂直的方向，也即图中的Y方向，第二过孔151与薄膜封装层14的凹部的距离d1依次递增或递减。每一第二过孔151一般与一条第二金属走线152电连接，第二金属走线152可沿Y方向延伸，沿X方向排布。第二过孔151与薄膜封装层14的凹部的距离d1依次递增或递减，也就是说，第二过孔151沿Y方向错开排布，利于第二金属走线152布线设计。
图4B是本发明实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图。参见图4B，在该显示面板中，沿与显示面板栅极线垂直的方向Y，薄膜封装层14的凹部在显示面板的栅极线方向的最大深度d2依次递增或递减。
在本发明实施例中，第二电极可以为阴极，显示面板为顶发射形式的显示面板。
在本发明实施例中，触控电极15与薄膜封装层14接触，在形成薄膜封装层15之后，紧接着在薄膜封装层14背离阵列基板10的一侧形成触控电极15。此时，形成的触控电极15需要通过第二过孔151与阵列基板10内的第二金属走线152电连接，由第二金属走线152传输触控信号。为了保证薄膜封装层14可靠封装，触控电极15电连接的第二过孔151需要避开薄膜封装层14，触控电极15需要从薄膜封装层14靠近显示面板边框的两侧电连接第二过孔151。薄膜封装层14上设置有凸部和凹部，第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影与薄膜封装层14在阵列基板上的垂直投影不交叠，且至少部分第二过孔151在阵列基板10上的垂直投影位于薄膜封装层14的凹部在阵列基板10上的垂直投影内，触控电极15电连接的第二过孔151对应薄膜封装层14的凹部区域，第二过孔151占用的边框区域和薄膜封装层14占用的显示面板的边框区域至少部分重合，第二过孔151和薄膜封装层14在显示面板上占用的边框宽度有所减小，相当于缩窄了边框，实现了显示面板的窄边框。
本发明实施例还提供了一种显示设备。示例性的，参见图5，图5是本发明实施例提供的一种显示设备的结构示意图。该显示设备51包括本发明任意实施例提供的显示面板52。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
有机发光层，位于所述阵列基板的一侧，所述有机发光层包括第二电极；
薄膜封装层，位于所述有机发光层背离所述阵列基板的一侧，且包覆所述有机发光层；
触控电极，位于所述薄膜封装层背离所述阵列基板的一侧；
所述第二电极的边缘和所述薄膜封装层的边缘具有凹凸状轮廓，所述凹凸状轮廓包括凸部和凹部，所述第二电极的凸部通过第一过孔与位于所述阵列基板内的第一金属走线电连接；
所述触控电极通过第二过孔与位于所述阵列基板内的第二金属走线电连接，并通过所述第二金属走线接收和/或发送触控信号；
所述第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影与所述薄膜封装层在所述阵列基板上的垂直投影不交叠，且至少部分所述第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影位于所述薄膜封装层的所述凹部在所述阵列基板上的垂直投影内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹凸状轮廓为方波状、圆弧状或锯齿波状。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，各所述第二过孔在所述阵列基板上的垂直投影均位于所述薄膜封装层的所述凹部在所述阵列基板上的垂直投影内。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括显示区和非显示区，所述第一金属走线环绕所述显示区设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属走线和所述第二金属走线同层设置。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属走线与所述显示面板的数据信号走线同层设置；所述第二金属走线与所述第一金属走线异层设置。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所示薄膜封装层边缘的形状和所述第二电极边缘的形状相同。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极以及所述薄膜封装层均包括两个第一边缘和两个第二边缘，且两个所述第一边缘相对设置，两个所述第二边缘相对设置；所述第二边缘的延伸方向与所述显示面板的栅极线平行；所述第一边缘具有凹凸状轮廓。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，沿与所述显示面板的栅极线平行的方向，所述薄膜封装层的凹部的深度大于等于32um。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，多个所述第一过孔呈一字排列，其排列方向与所述显示面板的栅极线垂直。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极的第二边缘通过第三过孔与位于所述阵列基板内的第一金属走线电连接。
12.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，沿与所述显示面板栅极线垂直的方向，所述薄膜封装层的所述凹部在所述显示面板的栅极线方向的最大深度依次递增或递减。
13.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，沿与所述显示面板栅极线垂直的方向，所述第二过孔与所述薄膜封装层的所述凹部的距离依次递增或递减。
14.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述有机发光层还包括第一电极和有机功能层，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所示触控电极与所述薄膜封装层直接接触。
16.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求1-15任一项所述的显示面板。
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