CN107404303B - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

提供既能提高散热性又具有通频带外的衰减特性被最优化的滤波器特性的弹性波装置。声表面波滤波器(1)具备信号端子(15及25)、在X轴方向上相邻的IDT电极(10及20)，IDT电极(10及20)具有由X轴方向上延伸的汇流条电极及Y轴方向上延伸的多个电极指构成的一对梳形电极，IDT电极(10)的梳形电极(12a)与信号端子(15)连接，IDT电极(20)的梳形电极(22a)与信号端子(25)连接，声表面波滤波器(1)还具备配置在电极指的交叉区域以外的区域的由一对梳齿状电极(61L及61R)构成的桥接电容(61)，梳齿状电极(61L)与梳形电极(12a)连接，梳齿状电极(61R)与梳形电极(22a)连接。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及弹性波装置。
背景技术
以往，移动电话机等通信设备使用的是纵耦合谐振器型SAW(Surface AcousticWave)滤波器或梯子型SAW滤波器等的弹性波滤波器装置。伴随于近年来的通信设备的多频带化的进展，对于弹性波滤波器装置而言，通信频带中的插入损耗的降低毋庸置疑，还强烈地谋求通信频带外的衰减量的提高。
图9是表征专利文献1所记载的弹性波装置200的电极构成的俯视图。该图所记载的弹性波装置200是纵耦合谐振器型的弹性波滤波器，具有在弹性波传播方向上相邻的IDT电极221～225、和反射器226及227。IDT电极222及224被连接于第1信号端子211，IDT电极221、223及225被连接于第2信号端子212。IDT电极221的最靠近IDT电极222侧的电极指221a包含在与弹性波传播方向垂直的方向上与IDT电极222对置的电极指221a1。再有，IDT电极222的最靠近IDT电极221侧的电极指222a包含在与弹性波传播方向垂直的方向上与IDT电极221对置的电极指222a1。对于其他IDT电极223～225而言也具有同样的构造。也就是说，IDT电极221～225各自将IDT电极指的一部分延长，在相邻的谐振器的汇流条电极之间构成桥接电容(bridging capacitance)。由此，实现纵耦合谐振器型弹性波滤波器中的高次谐波的衰减量的改善。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/160730号
然而，在专利文献1的弹性波装置200中，由于不能充分确保包含桥接电容在内的IDT电极的电极面积，故存在不能获得充分的散热性的课题。例如，在将纵耦合谐振器型弹性波滤波器应用于接收滤波器的情况下，若散热性不充分，则耐电力性劣化。为此，通过发送滤波器后抵达天线端子的发送信号的一部分成为漏电力，若抵达接收滤波器，则有可能引发接收信号的检测灵敏度下降、或滤波器的破坏。
发明内容
因此，本发明是为了解决上述课题而进行的，其目的在于，提供一种既能使散热性提高、又具有使通频带外的衰减特性最优化的滤波器特性的弹性波装置。
为了达成上述目的，本发明的一形态涉及的弹性波装置具备第1信号端子、第2信号端子、和在弹性波传播方向上相邻的第1IDT电极及第2IDT电极，其中，所述第1IDT电极及所述第2IDT电极各自具有一对梳形电极，所述梳形电极由在所述弹性波传播方向上延伸的汇流条电极及与该汇流条电极连接且在与所述弹性波传播方向交叉的方向上延伸的多个电极指构成，作为所述第1IDT电极所具有的所述一对梳形电极之一的第1梳形电极与所述第1信号端子连接，作为所述第2IDT电极所具有的所述一对梳形电极之一的第2梳形电极与所述第2信号端子连接，所述弹性波装置还具备：桥接电容，其配置于被在弹性波传播方向上相邻的电极指夹着的区域以外的区域，且由隔着给定间隔而相互对置的一对梳齿状电极构成，构成所述桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与所述第1梳形电极连接，所述一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与所述第2IDT电极所具有的所述一对梳形电极的任一个连接。
由此，无需变更决定弹性波的传播特性的IDT电极的电极指交叉区域的布局就能配置与第1IDT电极及第2IDT电极连接的桥接电容，因此不会使弹性波装置的频带内通过特性劣化，能够提高频带外衰减特性。再有，通过附加梳齿状电极所构成的桥接电容，从而电极整体的面积扩大，能实现散热性及耐热电性(耐ESD性)的提高。
再有，也可以构成所述桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与构成所述第1梳形电极的汇流条电极连接，构成所述桥接电容的一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与构成所述第2梳形电极的所述多个电极指之中最接近所述第1IDT电极的电极指连接。
由此，桥接电容连接于输入输出端子间，因此通过调整构成桥接电容的一对梳齿状电极的梳齿根数及梳齿间隔等，从而能够使频带外高频侧的衰减极灵活地移动，衰减特性的最优化变得容易起来。由此，不会使频带内通过特性劣化，能够提高频带外高频侧的衰减特性。
还有，所述弹性波装置也可以是纵耦合谐振器型的声表面波滤波器。
在为纵耦合谐振器型的声表面波滤波器的情况下，难以确保频带外高频侧的衰减量。与此相对，利用上述桥接电容，能够使频带外高频侧的衰减极灵活地移动，频带外高频侧的衰减特性的最优化变得容易起来。由此，本构成尤其适合于纵耦合谐振器型的声表面波滤波器。
进而，所述弹性波装置也可以具备多个所述桥接电容。
由此，成为多个桥接电容并联配置在第1IDT电极与第2IDT电极之间的构成。根据该构成，与在第1IDT电极与第2IDT电极之间配置1个桥接电容的构成相比较，既能维持电容成分又能提高电导成分(降低电阻成分)。由此能够提高IDT电极所构成的谐振器的Q值，使频带内的插入损耗降低。
另外，作为多个所述桥接电容，所述弹性波装置也可以具备被配置成夹着所述第1IDT电极及所述第2IDT电极而对置的第1桥接电容及第2桥接电容，构成所述第1桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与构成所述第1梳形电极的汇流条电极连接，构成所述第1桥接电容的一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与构成所述第2梳形电极的所述多个电极指之中最接近所述第1IDT电极的电极指连接，构成所述第2桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与构成所述第2梳形电极的汇流条电极连接，构成所述第2桥接电容的一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与构成所述第1梳形电极的所述多个电极指之中最接近所述第2IDT电极的电极指连接。
由此，成为多个桥接电容并联配置在第1IDT电极与第2IDT电极之间即输入输出端子之间的构成。根据该构成，与在输入输出端子之间配置1个桥接电容的构成相比较，既能维持电容成分又能提高电导成分(降低电阻成分)。由此能够提高IDT电极所构成的谐振器的Q值，使频带内的插入损耗降低。还有，由于2个桥接电容分散配置成夹着IDT电极而对置，故可使电极配置节省面积。
根据本发明涉及的弹性波装置，既能提高散热性又能使通频带外的衰减特性最优化。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的声表面波滤波器的电极构成的俯视图。
图2是示意性地表示实施方式1涉及的声表面波滤波器的谐振器的俯视图及剖面图。
图3是实施方式1涉及的声表面波滤波器的等效电路图。
图4是表征实施方式1涉及的声表面波滤波器的通过特性的曲线图。
图5是表示实施方式1的变形例涉及的声表面波滤波器的电极构成的俯视图。
图6是表示实施方式2涉及的声表面波滤波器的电极构成的俯视图。
图7是对实施方式1及2涉及的声表面波滤波器的通过特性进行比较的曲线图。
图8是表示实施方式2的变形例涉及的声表面波滤波器的电极构成的俯视图。
图9是表征专利文献1所记载的弹性波装置的电极构成的俯视图。
-符号说明-
1、1A、2、2A 声表面波滤波器
1a 纵耦合型弹性波滤波器部
10、20、30、221、222、223、224、225 IDT电极
10a、10b、20a、20b、30a、30b 汇流条电极
11a、11b、21a、21b、31a、31b、221a、221a1、222a、222a1 电极指
12a、12b、22a、22b、32a、32b 梳形电极
15、25、35 信号端子
40、50、226、227 反射器
61、62、63、64、65、66 桥接电容
6IL、61R、62L、62R、63L、63R、64L、64R、65L、65R、66L、66R 梳齿状电极
100 压电基板
111 密接层
112 主电极层
113 保护层
200 弹性波装置
211 第1信号端子
212 第2信号端子
具体实施方式
以下，利用附图详细地说明本发明的实施方式。其中，以下所说明的实施方式均表示概括性的或具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置及连接方式等只是一例，并非对本发明进行限定的主旨。对于以下的实施方式中的构成要素之中独立权利要求未记载的构成要素而言，作为任意的构成要素来说明。再有，附图所示的构成要素的大小或大小之比并非一定要严格。
(实施方式1)
[1-1.声表面波滤波器1的基本构成]
图1是表示实施方式1涉及的声表面波滤波器1的电极构成的俯视图，是表征俯视压电基板的情况下的、形成在该压电基板上的电极的配置布局的图。声表面波滤波器1是所谓的纵耦合谐振器型的弹性波滤波器，例如被应用于配置在移动电话的前端部的发送用滤波器或接收用滤波器中。纵耦合谐振器型的弹性波滤波器在其电极构成上也能适用于需要平衡输入(2输入)型、平衡输出(2输出)型、及平衡输入平衡输出(2输入2输出)型的输入输出构成的情况。
如图1所示，声表面波滤波器1是具备在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的IDT(Interdigital Transducer)电极10、20及30、反射器40及50、信号端子15、25及35、桥接电容61及62的弹性波装置。
IDT电极10、20及30在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻地配置。反射器40及50分别与IDT电极20及30在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻地配置。
IDT电极10具有：由在弹性波传播方向(X轴方向)延伸的汇流条电极10a及与汇流条电极10a连接其在与该弹性波传播方向交叉的方向(Y轴方向)延伸的多个电极指11a构成的梳形电极12a；由在弹性波传播方向(X轴方向)延伸的汇流条电极10b及与汇流条电极10b连接且在与该弹性波传播方向交叉的方向(Y轴方向)延伸的多个电极指11b构成的梳形电极12b。梳形电极12a与梳形电极12b隔着给定的间隔组入并构成对置的一对梳形电极。
IDT电极20具有：由在弹性波传播方向(X轴方向)延伸的汇流条电极20a及与汇流条电极20a连接且在与该弹性波传播方向交叉的方向(Y轴方向)延伸的多个电极指21a构成的梳形电极22a；由在弹性波传播方向(X轴方向)延伸的汇流条电极20b及与汇流条电极20b连接且在与该弹性波传播方向交叉的方向(Y轴方向)延伸的多个电极指21b构成的梳形电极22b。梳形电极22a与梳形电极22b隔着给定的间隔组入并构成对置的一对梳形电极。
IDT电极30具有：由在弹性波传播方向(X轴方向)延伸的汇流条电极30a及与汇流条电极30a连接且在与该弹性波传播方向交叉的方向(Y轴方向)延伸的多个电极指31a构成的梳形电极32a；由在弹性波传播方向(X轴方向)延伸的汇流条电极30b及与汇流条电极30b连接且在与该弹性波传播方向交叉的方向(Y轴方向)延伸的多个电极指31b构成的梳形电极32b。梳形电极32a与梳形电极32b隔着给定的间隔组入并构成对置的一对梳形电极。
IDT电极10(第1IDT电极)所具有的梳形电极12a(第1梳形电极)与信号端子15(第1信号端子)连接。再有，IDT电极10所具有的梳形电极12b与接地端子连接。还有，IDT电极20(第2IDT电极)所具有的梳形电极22a(第2梳形电极)与信号端子25(第2信号端子)连接，IDT电极30所具有的梳形电极32a与信号端子35连接。再者，IDT电极20所具有的梳形电极22b及IDT电极30所具有的梳形电极32b与接地端子连接。
根据上述构成，声表面波滤波器1将信号端子15作为高频输入端子、将信号端子25及35作为高频输出端子，由此能够具有使给定频带内的高频信号以低损耗通过且使该给定频带外的高频信号衰减的非平衡输入(1输入)-非平衡输出(1输出)型的滤波器特性。
另外，声表面波滤波器1中，也可以将信号端子25及35作为高频输入端子、将信号端子15作为高频输出端子。
再有，也可以通过将IDT电极10的梳形电极12b作为高频输入端子而不是连接于接地端子，从而利用梳形电极12a与梳形电极12b来实现平衡输入型的构成。还有，也可以通过将IDT电极20及30的梳形电极22b及32b设为高频输入端子而不是连接与接地端子，从而利用梳形电极22a及22b以及梳形电极32a及32b来实现平衡输出型的构成。
对于本发明的主要部分构成、即桥接电容61及62而言，在后述的桥接电容的构成中详细地进行说明。
接下来，对构成声表面波滤波器1的声表面波谐振器的构造进行说明。
[1-2.声表面波谐振器的构造]
图2是示意性地表示实施方式1涉及的声表面波滤波器1的谐振器的俯视图及剖面图。该图中例示有：表征构成声表面波滤波器1的多个谐振器之中由IDT电极10构成的谐振器的构造的俯视示意图及剖面示意图。其中，图2所示出的谐振器用于说明构成声表面波滤波器1的多个谐振器的代表性构造，构成电极的电极指的根数或长度等并未被限定于此。
图2所示出的谐振器由压电基板100和IDT电极10构成。如图2的俯视图所示，压电基板100之上形成有相互对置的一对梳形电极12a及12b。梳形电极12a由相互平行的多个电极指11a和对多个电极指11a进行连接的汇流条电极10a构成。再有，梳形电极12b由相互平行的多个电极指11b、和对多个电极指11b进行连接的汇流条电极10b构成。
再有，如图2的剖面图所示，IDT电极10成为密接层111与主电极层112的层叠构造。
密接层111是用于使压电基板100与主电极层112的密接性提高的层，作为材料，例如可使用Ti。密接层111的膜厚例如为12nm。
作为主电极层112的材料，例如可使用含有1％的Cu的Al。主电极层112的膜厚例如为162nm。
保护层113形成为覆盖IDT电极10。保护层113是以保护主电极层112不受外部环境影响、调整频率温度特性、及提高耐湿性等为目的的层，例如是以二氧化硅为主成分的膜。
另外，构成密接层111、主电极层112及保护层113的材料并未被限定为上述材料。再者，IDT电极10也可以不是上述层叠构造。IDT电极10例如既可以由Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pd等的金属或合金构成，也可以由上述金属或合金所构成的多个层叠体来构成。再有，也可以不形成保护层113。
压电基板100例如由以给定的切角被切断的钽酸锂单晶体、或陶瓷构成，即由在给定方向上传播声表面波的单晶体或陶瓷。
在此，对IDT电极的设计参数进行说明。声表面波谐振器的波长是由图2的中段所示的多个电极指11a及11b的重复间距λ来规定的。再有，如图2的上段所示，IDT电极的交叉宽度L是电极指11a与电极指11b重复的电极指长度。还有，对数是多个电极指11a或11b的根数。
另外，本发明涉及的声表面波滤波器1的构造并未被限定为图2所记载的构造。例如，IDT电极10也可以不是金属膜的层叠构造，而是金属膜的单层。
接着，详细地说明本实施方式涉及的声表面波滤波器1的特征性构成、即桥接电容61及62。
[1-3.桥接电容的构成]
桥接电容61由一对梳齿状电极61L及61R形成，这一对梳齿状电极配置于被在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的电极指11a及11b以及21a及21b夹着的区域以外的区域内且隔着给定的间隔而相互对置。
梳齿状电极61L与IDT电极10所具有的梳形电极12a(第1梳形电极)连接，梳齿状电极61R与IDT电极20所具有的梳形电极22a(第2梳形电极)连接。更详细的是，梳齿状电极61L与构成梳形电极12a(第1梳形电极)的汇流条电极10a连接，梳齿状电极61R与构成梳形电极22a(第2梳形电极)的多个电极指21a之中最接近IDT电极10的电极指21a连接。
桥接电容62由一对梳齿状电极62L及62R形成，这一对梳齿状电极配置于被在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的电极指11a及11b以及31a及31b夹着的区域以外的区域内且隔着给定的间隔而相互对置。
梳齿状电极62R与IDT电极10所具有的梳形电极12a(第1梳形电极)连接，梳齿状电极62L与IDT电极30所具有的梳形电极32a连接。更详细的是，梳齿状电极62R与构成梳形电极12a(第1梳形电极)的汇流条电极10a连接，梳齿状电极62L与构成梳形电极32a的多个电极指31a之中最接近IDT电极10的电极指31a连接。
图3是实施方式1涉及的声表面波滤波器1的等效电路图。如图3所示，声表面波滤波器1能够通过IDT电极10、20及30、以及、反射器40及50所构成的纵耦合型弹性波滤波器部1a、和桥接电容61及62所构成的桥接电容部C60被并联连接在信号端子15与信号端子25及35之间的等效电路来表征。
图4是表征实施方式1涉及的声表面波滤波器1的通过特性的曲线图。该图的曲线图表征将信号端子15设为高频输入端子且将信号端子25及35所连接的端子设为高频输出端子时的高频信号的通过特性。
如图4所示，在使桥接电容部C60的电容值在0.01pF～0.1pF的范围内变化的情况下，虽然不能看到通频带内的插入损耗发生变化，但在通频带外的高频侧，衰减极移位。具体是，越使桥接电容部C60的电容值从0.01pF增大为0.1pF，则上述衰减极越向低频侧移位。通过利用该特性变化，从而使桥接电容部C60的电容值变化，由此能够将通频带外的高频侧的衰减特性最优化。
根据上述构成，桥接电容61及62被配置为不会变更决定弹性波的传播特性的IDT电极10～30的电极指交叉区域(纵耦合型弹性波滤波器部1a)的布局，因此不会使声表面波滤波器1的频带内通过特性劣化就能够提高频带外衰减特性。再有，通过附加梳齿状电极所构成的桥接电容61及62，从而能扩大电极整体的面积，能实现散热性及耐热电性(耐ESD性)的提高。
也就是说，根据本实施方式涉及的声表面波滤波器1，既能提高散热性，又能够最优化通频带外的衰减特性。
再有，桥接电容61及62被连接在高频信号的输入输出端子间，因此通过调整梳齿状电极61L、61R、62L及62R的梳齿根数及梳齿间隔等，从而能够使频带外高频侧的衰减极灵活地移动。由此，与桥接电容由2根直线状电极构成的情况相比较，不会扩大电极布局面积，就能调整桥接电容部C60的电容值而达成衰减特性的最优化。
再有，一般而言，纵耦合谐振器型的声表面波滤波器具有难以确保频带外高频侧的衰减量的滤波器特性。与此相对，如本实施方式涉及的声表面波滤波器1那样，通过配置桥接电容61及62，从而能够使频带外高频侧的衰减极灵活地移动，衰减特性的最优化变得容易起来。由此，本构成尤其适合于纵耦合谐振器型的声表面波滤波器。
另外，本发明涉及的声表面波滤波器也可以不配置上述的桥接电容61及62双方。
图5是表示实施方式1的变形例涉及的声表面波滤波器1的电极构成的俯视图。如图5所示，本变形例涉及的声表面波滤波器1A具备在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的IDT电极10、20及30、反射器40及50、信号端子15、25及35、桥接电容61。声表面波滤波器1A与实施方式1涉及的声表面波滤波器1相比较，不同之处仅在于：构成为未配置桥接电容62。也就是说，在相邻的IDT电极10与IDT电极20之间配置有桥接电容61而在相邻的IDT电极10与IDT电极30之间并未配置桥接电容62。
本变形例涉及的声表面波滤波器1A中，虽然与声表面波滤波器1相比较，通频带外的高频侧的衰减极的移位量也不同，但不会使声表面波滤波器1A的频带内通过特性劣化，能够提高频带外衰减特性。由此，既能提高散热性、又能够使通频带外的衰减特性最优化。
(实施方式2)
本实施方式涉及的声表面波滤波器2具有使实施方式1涉及的桥接电容61及62夹着IDT电极而分割配置的构成。以下的说明中，对于本实施方式涉及的声表面波滤波器2而言，针对与实施方式1涉及的声表面波滤波器1相同的构成省略说明，以与声表面波滤波器1不同的构成为中心进行说明。
[2-1.声表面波滤波器2的基本构成]
图6是表示实施方式2涉及的声表面波滤波器2的电极构成的俯视图。图6是表示实施方式2涉及的声表面波滤波器2的电极构成的俯视图，是表征俯视压电基板的情况下的形成在该压电基板上的电极的配置布局的图。声表面波滤波器2是所谓的纵耦合谐振器型的弹性波滤波器，例如被应用于配置在移动电话的前端部的发送用滤波器或接收用滤波器。
如图6所示，声表面波滤波器2是具备在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的IDT电极10、20及30、反射器40及50、信号端子15、25及35、桥接电容63、64、65及66的弹性波装置。
接着，详细地说明本实施方式涉及的声表面波滤波器2的特征性构成、即桥接电容63～66。
[2-2.桥接电容的构成]
桥接电容63由一对梳齿状电极63L(第1桥接电容)及63R(第2桥接电容)形成，这一对梳齿状电极配置于被在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的电极指11a及11b以及21a及21b夹着的区域以外的区域内，且隔着给定的间隔而相互对置。
梳齿状电极63L与IDT电极10所具有的梳形电极12a(第1梳形电极)连接，梳齿状电极63R与IDT电极20所具有的梳形电极22a连接。更详细的是，梳齿状电极63L与构成梳形电极12a(第1梳形电极)的汇流条电极10a连接，梳齿状电极63R与构成梳形电极22a(第2梳形电极)的多个电极指21a之中最接近IDT电极10的电极指21a连接。
桥接电容65由隔着给定间隔相互对置的一对梳齿状电极65L及65R形成，这一对梳齿状电极在被弹性波传播方向(X轴方向)上相邻する电极指11a及11b以及21a及21b夹着的区域以外的区域内，被配置为夹着IDT电极10及20而与桥接电容63对置。
梳齿状电极65L与IDT电极10所具有的梳形电极12a(第1梳形电极)连接，梳齿状电极65R与IDT电极20所具有的梳形电极22a连接。更详细的是，梳齿状电极65L与构成梳形电极12a(第1梳形电极)的多个电极指11a之中最接近IDT电极20的电极指11a连接，梳齿状电极65R与构成梳形电极22a(第2梳形电极)的汇流条电极20a连接。
桥接电容64配置于被在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的电极指11a及11b以及31a及31b夹着的区域以外的区域，且由隔着给定间隔而相互对置的一对梳齿状电极64L及64R形成。
梳齿状电极64R与IDT电极10所具有的梳形电极12a(第1梳形电极)连接，梳齿状电极64L与IDT电极30所具有的梳形电极32a连接。更详细的是，梳齿状电极64R与构成梳形电极12a(第1梳形电极)的汇流条电极10a连接，梳齿状电极64L与构成梳形电极32a的多个电极指31a之中最接近IDT电极10的电极指31a连接。
桥接电容66由隔着给定间隔而相互对置的一对梳齿状电极66L及66R形成，这一对梳齿状电极在被弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的电极指11a及11b以及31a及31b夹着的区域以外的区域内被配置为夹着IDT电极10及30而与桥接电容64对置。
梳齿状电极66R与IDT电极10所具有的梳形电极12a(第1梳形电极)连接，梳齿状电极66L与IDT电极30所具有的梳形电极32a连接。更详细的是，梳齿状电极66R与构成梳形电极12a(第1梳形电极)的多个电极指11a之中最接近IDT电极30的电极指11a连接，梳齿状电极66L与构成梳形电极32a的汇流条电极30a连接。
根据上述构成，在本实施方式中也与图3所示出的等效电路同样，声表面波滤波器2能够通过IDT电极10、20及30、以及反射器40及50所构成的纵耦合型弹性波滤波器部1a和桥接电容63～66所构成的桥接电容部C60被并联连接在信号端子15与信号端子25及35之间的等效电路来表征。其中，实施方式1涉及的桥接电容61在实施方式2中被2分割为桥接电容63及65，桥接电容63及65并联连接于IDT电极10(第1IDT电极)与IDT电极20(第2IDT电极)之间。通过桥接电容63及65这2个，能够确保桥接电容61的电容值，而且与桥接电容61相比较，电阻成分有所减少。也就是说，通过将桥接电容61夹着IDT电极10及20而进行2分割，从而既能确保桥接电容61的电容值又能提高电导。再有，桥接电容62在实施方式2中被2分割为桥接电容64及66，桥接电容64及66并联连接于IDT电极10(第1IDT电极)与IDT电极30之间。通过桥接电容64及66这2个，能够确保桥接电容62的电容值，而且与桥接电容62相比较，电阻成分有所减少。也就是说，通过将桥接电容62夹着IDT电极10及30而进行2分割，从而既能确保桥接电容62的电容值又能提高电导。
图7是对实施方式1涉及的声表面波滤波器1与实施方式2涉及的声表面波滤波器2的通过特性进行比较的曲线图。该图的曲线图表征将信号端子15设为高频输入端子、并将信号端子25及35所连接的端子设为高频输出端子时的声表面波滤波器1及2中的高频信号的通过特性。
如图7所示，具有将桥接电容61及62分别进行了2分割的构成的声表面波滤波器2，在通频带内的全域(低频带：1805MHz、中央频带：1842.5MHz、高频带：1880MHz)中，插入损耗降低。另外，在声表面波滤波器1与声表面波滤波器2中，对于通频带外的衰减特性而言不能看到显著的差。
根据图6所示出的电极配置构成及图7所示出的通过特性，本实施方式涉及的声表面波滤波器2，与在相邻的IDT电极之间配置有1个桥接电容的声表面波滤波器1相比较，既能维持电容成分又能提高输入输出端子间的电导成分(降低电阻成分)。由此，能够提高IDT电极所构成的谐振器的Q值、并降低通频带内的插入损耗。
IDT电极所构成的声表面波滤波器中，传播高频信号之际的电导具有非线性的频率依存性，例如可设想为根据高频信号的频率而正中低电导的峰值。与此相对，通过对实施方式1及2涉及的桥接电容中的梳齿状电极的梳齿根数及梳齿间隔等进行微调整，从而能够回避通频带内的高频信号的传播特性相当于电导低的区域。也就是说，能够最优化通频带内的传播特性。
再有，配置在相邻的IDT电极10与20之间的2个桥接电容63及65被配置成夹着IDT电极10及20而对置，且配置在相邻的IDT电极10与30之间的2个桥接电容64及66被配置成夹着IDT电极10及30而对置。也就是说，与在IDT电极的单侧配置了1个具有大电容值的桥接电容的声表面波滤波器1相比，在IDT电极的两侧配置了具有被分割的电容值的桥接电容的声表面波滤波器2可使电极配置布局有效，可使电极节省面积。
根据上述构成，桥接电容63～66配置为不会变更决定弹性波的传播特性的IDT电极10～30的电极指交叉区域(纵耦合型弹性波滤波器部1a)的布局，因此能够提高频带外衰减特性。再有，通过附加梳齿状电极所构成的桥接电容63～66，从而电极整体的面积扩大，能实现散热性及耐热电性(耐ESD性)的提高。进而，与在相邻的IDT电极之间配置1个桥接电容的声表面波滤波器1相比较，既能维持电容成分又能提高输入输出端子间的电导成分(降低电阻成分)。由此，能够提高IDT电极所构成的谐振器的Q值，使通频带内的插入损耗降低。
也就是说，根据本实施方式涉及的声表面波滤波器2，能够使散热性提高并且使通频带外的衰减特性最优化，且能够使通频带内的插入损耗降低。
另外，本发明涉及的声表面波滤波器电可以不配置上述的桥接电容63与桥接电容65的组合、及、桥接电容64与桥接电容66的组合双方。
图8是表示实施方式2的变形例涉及的声表面波滤波器2A的电极构成的俯视图。如图8所示，本变形例涉及的声表面波滤波器2A具备在弹性波传播方向(X轴方向)上相邻的IDT电极10、20及30、反射器40及50、信号端子15、25及35、桥接电容63及65。声表面波滤波器2A与实施方式2涉及的声表面波滤波器2相比较，构成不同之处仅在于：未配置桥接电容64及66。也就是说，在相邻的IDT电极10与IDT电极20之间配置有桥接电容63及65，而在相邻的IDT电极10与IDT电极30之间并未配置桥接电容64及66。
根据本变形例涉及的声表面波滤波器2A，与声表面波滤波器2相比，虽然通频带外的高频侧的衰减极的移位量及通频带内的插入损耗的降低量有所不同，但能够提高频带外衰减特性及频带内通过特性。由此，能够提高散热性，还能达成通频带外衰减特性的最优化及通频带内插入损耗的降低。
(其他实施方式等)
以上，关于本发明涉及的弹性波装置，列举实施方式1、2及其变形例而进行了说明，但本发明的弹性波装置并未被限定为上述实施方式及变形例。组合上述实施方式及变形例中的任意的构成要素来实现的别的实施方式、或在不脱离本发明主旨的范围内针对上述实施方式及变形例实施本领域的技术人员想到的各种变形而得到的变形例、或内置了本公开的弹性波装置的各种设备也被包含于本发明。
例如，构成桥接电容的一对梳齿状电极的对置方向能够根据电极配置布局而任意地决定，例如如既可以是实施方式1及2那样与构成IDT电极的一对梳形电极的对置方向正交的方向，也可以是同方向。
再有，在实施方式1、2及其变形例中，桥接电容虽然被连接于高频输入端子所连接的梳形电极和高频输出端子所连接的梳形电极之间，但连接桥接电容的梳形电极的一方也可以是被连接至接地的梳形电极。
还有，本发明涉及的弹性波装置未被限定于纵耦合谐振器型的声表面波滤波器，例如既可以是梯子型的声表面波滤波器，还可以是由串联谐振器及并联谐振器构成的利用了声界面波或BAW(Bulk Acoustic Wave)的弹性波滤波器。
另外，构成声表面波滤波器的压电基板100也可以是高声速支承基板、低声速膜和压电膜以该顺序被层叠而成的层叠构造。压电膜例如由LiTaO3压电单晶体或压电陶瓷构成。压电膜例如厚度为600nm。高声速支承基板是对低声速膜、压电膜以及IDT电极进行支承的基板。高声速支承基板还是与在压电膜中传播的表面波或界面波的弹性波相比高声速支承基板中的体波的声速为高速的基板，该高声速支承基板起作用，以便将声表面波限制在压电膜及低声速膜被层叠的部分，不会自高声速支承基板向下方泄漏。高声速支承基板例如为硅基板，厚度例如为200μm。低声速膜是与在压电膜中传播的体波相比低声速膜中的体波的声速为低速的膜，配置于压电膜与高声速支承基板之间。根据该构造、和弹性波在本质上能量集中于低声速的介质的性质，可抑制声表面波能量向IDT电极外的泄漏。低声速膜例如是以二氧化硅为主成分的膜，厚度例如为670nm。根据该层叠构造，与单层使用压电基板100的构造相比较，能够大幅地提高谐振频率及反谐振频率中的Q值。即，由于能构成Q值高的声表面波谐振器，故利用该声表面波谐振器能够构成插入损耗小的滤波器。
此外，高声速支承基板也可以具有层叠了支承基板和高声速膜的构造，高声速膜与在压电膜中传播的表面波或界面波的弹性波相比，所传播的体波的声速为高速。该情况下，支承基板能够利用蓝宝石、钽酸锂晶体、铌酸锂、水晶等的压电体、氧化铝、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等的各种陶瓷、玻璃等的电介质或硅、氮化镓等的半导体及树脂基板等。再有，高声速膜能够利用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氧氮化硅、DLC膜或金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等各种各样的高声速材料。
本发明可广泛使用于要求通频带内的低损耗及通频带外的高衰减的无线通信终端的前端所使用的收发滤波器及多路转换器中。

Claims (4)

1.一种弹性波装置，其具备第1信号端子、第2信号端子、和在弹性波传播方向上相邻的第1IDT电极及第2IDT电极，其中，
所述第1IDT电极及所述第2IDT电极各自具有一对梳形电极，所述梳形电极由在所述弹性波传播方向上延伸的汇流条电极及与该汇流条电极连接且在与所述弹性波传播方向交叉的方向上延伸的多个电极指构成，
作为所述第1IDT电极所具有的所述一对梳形电极之一的第1梳形电极与所述第1信号端子连接，作为所述第2IDT电极所具有的所述一对梳形电极之一的第2梳形电极与所述第2信号端子连接，
所述弹性波装置还具备：桥接电容，其配置于被在弹性波传播方向上相邻的电极指夹着的区域以外的区域，且由隔着给定间隔而相互对置的一对梳齿状电极构成，
构成所述桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与所述第1梳形电极连接，所述一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与所述第2IDT电极所具有的所述一对梳形电极的任一个连接，
构成所述桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与构成所述第1梳形电极的汇流条电极连接，
构成所述桥接电容的一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与构成所述第2梳形电极的所述多个电极指之中最接近所述第1IDT电极的电极指连接。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置是纵耦合谐振器型的声表面波滤波器。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置具备多个所述桥接电容。
4.一种弹性波装置，其具备第1信号端子、第2信号端子、和在弹性波传播方向上相邻的第1IDT电极及第2IDT电极，其中，
所述第1IDT电极及所述第2IDT电极各自具有一对梳形电极，所述梳形电极由在所述弹性波传播方向上延伸的汇流条电极及与该汇流条电极连接且在与所述弹性波传播方向交叉的方向上延伸的多个电极指构成，
作为所述第1IDT电极所具有的所述一对梳形电极之一的第1梳形电极与所述第1信号端子连接，作为所述第2IDT电极所具有的所述一对梳形电极之一的第2梳形电极与所述第2信号端子连接，
所述弹性波装置还具备：桥接电容，其配置于被在弹性波传播方向上相邻的电极指夹着的区域以外的区域，且由隔着给定间隔而相互对置的一对梳齿状电极构成，
构成所述桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与所述第1梳形电极连接，所述一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与所述第2IDT电极所具有的所述一对梳形电极的任一个连接，
所述弹性波装置具备多个所述桥接电容，
作为多个所述桥接电容，所述弹性波装置具备被配置成夹着所述第1IDT电极及所述第2IDT电极而对置的第1桥接电容及第2桥接电容，
构成所述第1桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与构成所述第1梳形电极的汇流条电极连接，
构成所述第1桥接电容的一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与构成所述第2梳形电极的所述多个电极指之中最接近所述第1IDT电极的电极指连接，
构成所述第2桥接电容的一对梳齿状电极的一个梳齿状电极与构成所述第2梳形电极的汇流条电极连接，
构成所述第2桥接电容的一对梳齿状电极的另一梳齿状电极与构成所述第1梳形电极的所述多个电极指之中最接近所述第2IDT电极的电极指连接。
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