CN107326340B - 成膜设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示器制备技术领域，公开了一种成膜设备，减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。本发明提供了一种成膜设备，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合第一腔室的开口的上盖，位于上盖和底座之间的第一密封圈，其中，上盖具有倾斜的斜面，斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且斜面在底座的底面所在平面上的正投影位于第一腔室在底座的底面所在平面上的正投影的外侧，斜面上靠近第一腔室的部分相对于斜面上远离第一腔室的部分远离底座的底面。

Description

成膜设备
技术领域
本发明涉及显示器制备技术领域，特别涉及一种成膜设备。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)即等离子增强化学气相沉积，基本原理是在保持一定压力的原料气体中，输入直流、高频或微波功率，产生气体放电，形成等离子体，从而大大增强反应气体的化学活性，达到沉积薄膜的目的，可在更低的温度下成膜。
如图1所示，现有的成膜设备，主要包括：具有第一腔室的上盖01和具有第二腔室的底座02，上盖01盖合底座02时，第一腔室和第二腔室便形成一反应腔。成膜设备，在进行一段时间薄膜沉积后，需要定时打开上盖进行清洁维护。而每次盖合时，需要上盖和底座反复对位才能保证上盖精确盖合底座，反复对位会使得上盖的边缘和底座的边缘发生摩擦产生磨损(如图2所示)，进而会产生碎屑，碎屑会对反应腔造成污染，降低成膜品质。
发明内容
本发明提供了一种成膜设备，用以减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种成膜设备，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖，位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈，其中，所述上盖具有倾斜的斜面，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧，所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面。
本发明提供的成膜设备，通过设置的第一密封圈，可以对上盖和底座起到密封连接的作用，对于外界的杂质或上盖和底座位于第一密封圈外周的部分发生磨损而产生的碎屑可以起到较好的阻隔作用，此外由于上盖上设有斜面，斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，斜面靠近第一腔室的一端相对斜面靠近所述密封圈的一端远离底座的底面，即使第一密封圈磨损或发生形变，上盖和底座位于第一密封圈内的部分也不容易发生磨损，产生碎屑。
故，本发明提供的成膜设备，可以减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。
在一些可选的实施方式中，所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域的外侧，所述成膜设备还包括：位于所述上盖和所述底座之间的第二密封圈，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影完全覆盖所述第二密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影。
在一些可选的实施方式中，所述第一密封圈和所述第二密封圈均为O型密封圈。
在一些可选的实施方式中，所述上盖的边缘上设有至少一块第一电磁铁；所述底座的边缘上设有与所述第一电磁铁一一对应的第二电磁铁，其中所述第一电磁铁和所述第二电磁铁通电后相互吸引用于将所述上盖和所述底座连接。通过上盖上设置的第一电磁铁和底座上设置的第二电磁铁可以方便上盖和底座对位连接，第一电磁铁和第二电磁铁通电后产生相互吸引力，会辅助上盖和底座对位，减少现有技术中，上盖和底座对位时重复摩擦产生磨损现象的发生，减少碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。
在一些可选的实施方式中，所述第二密封圈的横截面直径大于所述第一密封圈的横截面直径。由于存在斜面，故将与斜面对应的第二密封圈设置的较粗一些，可以提高密封效果。
在一些可选的实施方式中，所述斜面与所述底座的底面所在平面的夹角大于等于1度且小于等于5度。
在一些可选的实施方式中，所述第一密封圈和所述第二密封圈均位于所述底座上。
在一些可选的实施方式中，成膜设备，还包括：
真空吸附装置；
所述底座上设有吸尘槽，所述吸尘槽位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间；
所述底座上还设有一端与所述吸尘槽的槽底连通、另一端与所述真空吸附装置连通的传输通道。真空吸附装置可以吸走由于密封圈老化等原因产生的杂质，提高反应腔的清洁度。
在一些可选的实施方式中，成膜设备，还包括：
为所述第一电磁铁提供电流的第一供电装置；
为所述第二电磁铁提供电流的第二供电装置。单独设置的供电装置，便于连接，结构简单。
在一些可选的实施方式中，所述第二电磁铁位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间。
附图说明
图1为现有技术中的成膜设备的部分结构示意图；
图2为现有技术中的成膜设备磨损示意图；
图3为本发明实施例提供的成膜设备的部分结构示意图；
图4为本发明实施例提供的底座的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的成膜设备的立体结构示意图；
图6为本发明实施例提供的上盖的结构示意图。
附图标记：
01-上盖 02-底座
1-上盖 11-第二腔室
12-斜面 2-底座
21-第一腔室 22-吸尘槽
23-传输通道 31-第一电磁铁
32-第二电磁铁 41-第一密封圈
42-第二密封圈 a-夹角
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明专利保护的范围。
如图3所示，本发明提供了一种成膜设备，包括：具有第一腔室21的底座2，用于至少盖合第一腔室21的开口的上盖1，位于上盖1和底座2之间的第一密封圈41，其中，上盖1具有倾斜的斜面12，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影与第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影位于第一腔室21在底座2的底面所在平面上的正投影的外侧，斜面12上靠近第一腔室21的一端相对斜面12上远离第一腔室21的部分远离底座2的底面。
本发明提供的成膜设备，通过设置的第一密封圈41，可以对上盖1和底座2起到密封连接的作用，对于外界的杂质或上盖1和底座2位于第一密封圈41外周的部分发生磨损而产生的碎屑可以起到较好的阻隔作用，此外由于上盖1上设有斜面12，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影与第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影所围成的区域内有交叠，斜面12靠近第一腔室21的一端相对斜面12靠近密封圈41的一端远离底座2的底面，即使第一密封圈41磨损或发生形变，上盖1和底座2位于第一密封圈41内的部分也不容易发生磨损，产生碎屑。
故，本发明提供的成膜设备，可以减少摩擦碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。
上述斜面在底座的底面所在平面上的正投影与第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，具体结构包括：第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影位于斜面在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域的外侧，也或者，斜面在底座的底面所在平面上的正投影围成的区域完全覆盖第一密封圈在底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域，在立体图中，第一密封圈位于斜面的下方。
一种可选的实施方式中，如图4所示，第一密封圈41在底座2的底面所在平面上的正投影位于斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影围成的区域的外侧，上述成膜设备还包括：位于上盖1和底座2之间的第二密封圈42，斜面12在底座2的底面所在平面上的正投影完全覆盖第二密封圈42在底座2的底面所在平面上的正投影。将密封圈设置为两层结构，可以提高密封效果。
上述第一密封圈41和第二密封圈42的具体形状可以有多种，可选的，第一密封圈41和第二密封圈42均为O型密封圈。
如图5和图6所示，上盖1的边缘上设有至少一块第一电磁铁31；底座2的边缘上设有与第一电磁铁31一一对应的第二电磁铁32，其中第一电磁铁31和第二电磁铁32通电后相互吸引，上盖1至少盖合底座2上具有的第二腔室21的开口。当上盖1盖合底座2时，第一腔室11和第二腔室21形成反应腔。通过上盖1上设置的第一电磁铁31和底座2上设置的第二电磁铁32可以方便上盖1和底座2对位连接，第一电磁铁31和第二电磁铁32通电后产生相互吸引力，会辅助上盖1和底座2对位，减少现有技术中，上盖1和底座2对位时重复摩擦产生磨损现象的发生，减少碎屑的产生，进而减少碎屑对反应腔造成的污染，提高成膜品质。
当进行关腔时，上盖1下降至一定位置，预先粗对准后，第一电磁铁31和第二电磁铁32通电后产生磁性，产生吸引以辅助上盖1和底座2对位，可以有效防止现有技术中的接触后再移动造成的相互间磨损现象的发生。
上述第一电磁铁31可以嵌入上盖1中，也可以贴附在上盖1的表面，相应的，上述第二电磁铁32也可以嵌入底座2中，也可以贴附在底座2的表面。
如图5所示，上盖1也可以具有一第二腔室11，第一腔室和第二腔室盖合后形成反应腔。
一种可选的实施方式中，第二密封圈42的横截面直径大于第一密封圈41的横截面直径。由于存在斜面12，故将与斜面12对应的第二密封圈42设置的较粗一些，可以提高密封效果。
如图3所示，本发明提供的成膜设备中，斜面12与底座2的底面所在平面的夹角a大于等于1度且小于等于5度。可选的，倾斜的角度可以为1度、1.2度、2度、2.5度、3度、3.5度、4度、5度等，这里就不再一一赘述。
上述第一密封圈41和第二密封圈42的设置位置可以有多种，可选的第一密封圈41和第二密封圈42均位于底座2上。
为了进一步提高反应腔内的清洁度，成膜设备，还包括：
真空吸附装置；
底座2上设有吸尘槽22，吸尘槽22位于第一密封圈41和第二密封圈42之间；
底座2上还设有一端与吸尘槽22的槽底连通、另一端与真空吸附装置连通的传输通道23。真空吸附装置可以吸走由于密封圈老化等原因产生的杂质，提高反应腔的清洁度。
上述真空吸附装置的具体结构可以有多种，可选的，真空吸附装置为抽气筒。
上述吸尘槽22的具体设置位置以及大小、形状等，本领域技术人员可以根据实际需要设置，可选的，吸尘槽22围绕第一密封圈41的外周设置。
上述第二电磁铁32在底座2上的具体位置也可以有多种，可选的，如图4所示，第二电磁铁32位于第一密封圈41和第二密封圈42之间，当然第二电磁铁32和第一电磁31的具体个数也不限制，可以为两个，三个等。
本发明提供的一种实施方式中，成膜设备，还包括：
为第一电磁铁31提供电流的第一供电装置；
为第二电磁铁32提供电流的第二供电装置。单独设置的供电装置，便于连接，结构简单。
上述第一电磁铁31和第二电磁铁32的具体形状可以有多种，可选的，可以均为圆柱形或均为长方体，也可以部分为圆柱形，部分为长方体，这里就不再一一赘述。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种成膜设备，其特征在于，包括：具有第一腔室的底座，用于至少盖合所述第一腔室的开口的上盖，位于所述上盖和所述底座之间的第一密封圈，其中，所述上盖具有倾斜的斜面，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影与所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域有交叠，且所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述第一腔室在所述底座的底面所在平面上的正投影的外侧，所述斜面上靠近所述第一腔室的部分相对于所述斜面上远离所述第一腔室的部分远离所述底座的底面；
所述第一密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影位于所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影所围成的区域的外侧，所述成膜设备还包括：位于所述上盖和所述底座之间的第二密封圈，所述斜面在所述底座的底面所在平面上的正投影完全覆盖所述第二密封圈在所述底座的底面所在平面上的正投影；
所述上盖的边缘上设有至少一块第一电磁铁；所述底座的边缘上设有与所述第一电磁铁一一对应的第二电磁铁，其中所述第一电磁铁和所述第二电磁铁通电后相互吸引用于将所述上盖和所述底座连接。
2.根据权利要求1所述的成膜设备，其特征在于，所述第一密封圈和所述第二密封圈均为O型密封圈。
3.根据权利要求2所述的成膜设备，其特征在于，所述第二密封圈的横截面直径大于所述第一密封圈的横截面直径。
4.根据权利要求1所述的成膜设备，其特征在于，所述斜面与所述底座的底面所在平面的夹角大于等于1度且小于等于5度。
5.根据权利要求1～4任一项所述的成膜设备，其特征在于，所述第一密封圈和所述第二密封圈均位于所述底座上。
6.根据权利要求5所述的成膜设备，其特征在于，还包括：
真空吸附装置；
所述底座上设有吸尘槽，所述吸尘槽位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间；
所述底座上还设有一端与所述吸尘槽的槽底连通、另一端与所述真空吸附装置连通的传输通道。
7.根据权利要求5所述的成膜设备，其特征在于，还包括：
为所述第一电磁铁提供电流的第一供电装置；
为所述第二电磁铁提供电流的第二供电装置。
8.根据权利要求5所述的成膜设备，其特征在于，所述第二电磁铁位于所述第一密封圈和所述第二密封圈之间。
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