CN101740336A - 腔室窗及等离子体工艺腔室 - Google Patents

腔室窗及等离子体工艺腔室 Download PDF

Info

Publication number
CN101740336A
CN101740336A CN200810226478A CN200810226478A CN101740336A CN 101740336 A CN101740336 A CN 101740336A CN 200810226478 A CN200810226478 A CN 200810226478A CN 200810226478 A CN200810226478 A CN 200810226478A CN 101740336 A CN101740336 A CN 101740336A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cavity
liner
loam cake
cavity window
wedge shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200810226478A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101740336B (zh
Inventor
李俊杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing North Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority to CN 200810226478 priority Critical patent/CN101740336B/zh
Publication of CN101740336A publication Critical patent/CN101740336A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101740336B publication Critical patent/CN101740336B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明公开了一种腔室窗及等离子体工艺腔室,腔室窗包括上盖,上盖的下表面设有内衬,腔室窗的边缘部位设有楔形支座,上盖和内衬支撑于楔形支座上,上盖与楔形支座之间设有密封圈,楔形支座支撑于工艺腔室的腔体上。工艺过程中,上盖部分主要承受大气压力;内衬部分主要抵抗等离子气体轰击和腐蚀,对上盖起到保护作用,可以通过更换内衬,延长上盖的使用寿命,减小对加工工艺的影响。

Description

腔室窗及等离子体工艺腔室
技术领域
本发明涉及一种等离子体设备,尤其涉及一种腔室窗及等离子体工艺腔室。
背景技术
目前,等离子技术已经广泛应用于半导体制备及加工领域。
如图1所示,现有技术中,等离子体工艺腔室由腔体1、密封环2、腔室窗3等构成一个密闭空间,工艺腔室内设有下电极,腔室窗3上设有喷嘴。在等离子体工艺过程中,工艺气体通过喷嘴进入工艺腔室,对支撑在下电极的支架上的基片进行加工工艺。
如图2所示,现有技术中,腔室窗3的窗体由一层介质材料构成,直接设置在密封环2上,腔室窗3与密封环2之间可以设有柔性密封圈4等。
上述现有技术至少存在以下缺点:
在加工过程中,腔室窗3的内侧暴露在等离子气体中,所以会受到等离子气体的轰击和腐蚀,使用一段时间后,腔室窗3的内侧的粗糙度会增高,并会受到刻蚀,使加工工艺受到影响,并会缩短腔室窗3的使用寿命。
发明内容
本发明的目的是提供一种对加工工艺影响小,且使用寿命长的腔室窗及等离子体工艺腔室。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明的腔室窗,包括上盖,所述上盖的下表面设有内衬。
本发明的等离子体工艺腔室,该工艺腔室的上方设有上述的腔室窗。
由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明所述的腔室窗及等离子体工艺腔室,由于上盖的下表面设有内衬,对上盖起到保护作用,可以通过更换内衬,延长上盖的使用寿命,减小对加工工艺的影响。
附图说明
图1为现有技术中等离子体工艺腔室的结构示意图;
图2为现有技术中腔室窗的结构示意图;
图3为本发明中腔室窗的结构示意图。
具体实施方式
本发明的腔室窗,其较佳的具体实施方式如图3所示,包括上盖5,上盖5的下表面设有内衬6。工艺过程中,内衬6可以对上盖5起到保护作用。
腔室窗的边缘部位可以设有楔形支座7,上盖5和内衬6的边缘分别设有斜面,斜面与楔形支座7的楔形面相吻合。楔形支座7对内衬6起到支撑作用。
上盖5边缘的斜面与楔形支座7的楔形面之间设有密封装置,密封装置可以为“O”形圈8或其它的柔性密封圈等。当上盖5和内衬6支撑于楔形支座7上时,上盖5边缘的斜面与楔形支座7楔形面之间通过密封装置密封,使上盖5与内衬6之间的空隙与大气隔绝,避免工艺过程中内衬6的下方形成负压时,内衬6的上方受到大气的压力。
楔形支座7的楔形面的楔形角可以为30~60°,如45°等,具体可以根据楔形支座7的材料、工艺要求等选择楔形角的角度。
上盖5的厚度可以为30~50mm,内衬6的厚度可以为10~20mm,楔形支座7外缘的高度大于内衬6的厚度,使上盖5与内衬6之间的空隙能够被楔形支座7密封。具体上盖5和内衬6的厚度及楔形支座7外缘的高度等可以根据腔室的大小、工艺要求等选择需要的尺寸。
上盖5与楔形支座7和内衬6的材料可以相同,如均采用石英、SiN或陶瓷材料等,目的是为了让以上三部分膨胀系数完全一致,尽可能减少相互之间的应力。
本发明的等离子体工艺腔室,其较佳的具体实施方式如图3所示,并参见图1,该工艺腔室的上方设有上述的腔室窗。
具体的设置方式可以是,工艺腔室的腔体的上缘设有密封环2,腔室窗的边缘部位的楔形支座7的下表面支撑于密封环2上,腔室窗的上盖5和内衬6分别支撑于楔形支座7的楔形面上。也可以不设楔形支座7,而将腔室窗直接支撑在工艺腔室的腔体上或密封环2上。
本发明的腔室窗及等离子体工艺腔室中,上盖5部分主要承受大气压力;内衬6部分主要抵抗等离子气体轰击和腐蚀;楔形支座7主要起支撑上盖5和内衬6两部分的功能。楔形支座7的楔形面与上盖5的接触面加入密封圈,起到密封作用。
楔形支座7的下表面与密封环2之间可以设置柔性密封圈4等,与上盖5与楔形支座7之间的“O”形圈8联合作用,对工艺腔室进行密封,并使上盖5与内衬6之间的空隙与大气完全隔绝,工艺过程中,当工艺腔室内形成真空时,上盖5与内衬6之间的空隙也为真空状态,大气的压力完全作用于上盖5上,内衬6不承受大气压力,因此,内衬6可以做得较薄,减少更换内衬时的材料损失。
本发明中,因为内衬的薄层部分直接暴露在等离子的轰击和腐蚀下,工艺过程中相对较容易损耗和表面状态恶化(表面不均匀腐蚀造成粗糙度增高等),因此仅需要更换腔室窗的内衬部分,而不需要更换整个腔室窗,可以节约材料、减少耗材的消耗。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种腔室窗,包括上盖,其特征在于,所述上盖的下表面设有内衬。
2.根据权利要求1所述的腔室窗,其特征在于,所述腔室窗的边缘部位设有楔形支座,所述上盖和所述内衬的边缘分别设有斜面,所述斜面与所述楔形支座的楔形面相吻合。
3.根据权利要求2所述的腔室窗,其特征在于,所述上盖边缘的斜面与所述楔形面之间设有密封装置。
4.根据权利要求3所述的腔室窗,其特征在于,所述密封装置为“O”形圈。
5.根据权利要求2所述的腔室窗,其特征在于,所述楔形面的楔形角为30~60°。
6.根据权利要求5所述的腔室窗,其特征在于,所述楔形面的楔形角为45°。
7.根据权利要求2所述的腔室窗,其特征在于,所述上盖的厚度为30~50mm,所述内衬的厚度为10~20mm,所述楔形支座外缘的高度大于所述内衬的厚度。
8.根据权利要求2所述的腔室窗,其特征在于,所述上盖与所述楔形支座和所述内衬的材料相同。
9.一种等离子体工艺腔室,其特征在于,该工艺腔室的上方设有权利要求1至8任一项所述的腔室窗。
10.根据权利要求9所述的等离子体工艺腔室,其特征在于,该工艺腔室的腔体的上缘设有密封环,所述腔室窗的边缘部位的楔形支座的下表面支撑于所述密封环上,所述腔室窗的上盖和内衬分别支撑于所述楔形支座的楔形面上。
CN 200810226478 2008-11-12 2008-11-12 腔室窗及等离子体工艺腔室 Active CN101740336B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200810226478 CN101740336B (zh) 2008-11-12 2008-11-12 腔室窗及等离子体工艺腔室

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200810226478 CN101740336B (zh) 2008-11-12 2008-11-12 腔室窗及等离子体工艺腔室

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101740336A true CN101740336A (zh) 2010-06-16
CN101740336B CN101740336B (zh) 2013-03-27

Family

ID=42463616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200810226478 Active CN101740336B (zh) 2008-11-12 2008-11-12 腔室窗及等离子体工艺腔室

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101740336B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105088334A (zh) * 2014-04-28 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 顶盖装置及工艺设备
CN107326340A (zh) * 2017-08-29 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 成膜设备
CN112735979A (zh) * 2020-12-24 2021-04-30 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3739907B2 (ja) * 1997-10-07 2006-01-25 松下電器産業株式会社 チップ搭載済基板のプラズマクリーニング方法
US6805952B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-19 Lam Research Corporation Low contamination plasma chamber components and methods for making the same
CN100573816C (zh) * 2006-12-06 2009-12-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室
CN101206999B (zh) * 2006-12-18 2010-05-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 内衬及包含该内衬的反应腔室

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105088334A (zh) * 2014-04-28 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 顶盖装置及工艺设备
CN105088334B (zh) * 2014-04-28 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 顶盖装置及工艺设备
CN107326340A (zh) * 2017-08-29 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 成膜设备
CN107326340B (zh) * 2017-08-29 2023-06-13 京东方科技集团股份有限公司 成膜设备
CN112735979A (zh) * 2020-12-24 2021-04-30 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺腔室

Also Published As

Publication number Publication date
CN101740336B (zh) 2013-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101740336B (zh) 腔室窗及等离子体工艺腔室
KR102305539B1 (ko) SiC 엣지 링
KR102521277B1 (ko) 반도체 제조용 부품의 재생 방법 및 재생된 반도체 제조용 부품
CN209708939U (zh) 蚀刻用上部电极
CN101995764A (zh) 防尘薄膜组件收纳容器
CN101767186A (zh) 防止消失模铸造产品塌箱的方法
TW200715403A (en) Plasma processing apparatus
JP6863199B2 (ja) プラズマ処理装置
KR101249247B1 (ko) 플라즈마 에칭 챔버
CN100370592C (zh) 静电卡盘
TW200703760A (en) Solid oxide fuel cell electrolyte and method
KR20090071848A (ko) 정전척(esc) 패드 재생용 마스크
CN101621020A (zh) 晶圆承载装置及蚀刻装置
CN202049341U (zh) 一种计时表
KR101131898B1 (ko) 플라즈마 식각장치용 리드 어셈블리
US20030032294A1 (en) Method for handling a thin silicon wafer
CN204464039U (zh) 一种烧结盒
GB2586679A (en) Sealing mechanism
WO2002056338A3 (de) Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate
JP5233082B2 (ja) プラズマ処理装置
CN203800029U (zh) 刻蚀反应腔
KR20200000994A (ko) 기판 처리장치
JP7042606B2 (ja) 真空バルブ
JP2002164327A (ja) 半導体製造装置用石英チャンバー
JP3115638B2 (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, Wenchang Road, No. 8, No.

Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

Address before: 100016, building 2, block M5, No. 1 East Jiuxianqiao Road, Beijing, Chaoyang District

Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing