CN107316902A - 新型的增强注入器件iegt - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种新型的增强注入器件IEGT，包括n‑型漂移区，n‑型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，n+型发射区和基极区上方设有与n+型发射区连接的发射极，栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。本发明的新型的增强注入器件IEGT通态电压低。
Description
技术领域
本发明涉及一种功率半导体器件，尤其涉及一种新型的增强注入器件IEGT。
背景技术
IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是IGBT系列电力电子器件，采用适当的MOS栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入N层的电子电流也相应增加，从而实现了更低通态电压。IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点。IEGT具有高速导通晶闸管同样微细的MOS栅结构，又有IGBT同样的导通能力，IEGT使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。
随着功率电子和半导体技术的快速进步，有些电力电子应用需要更高耐压的半导体开关器件，随着功率器件的耐压越来越高，使得功率器件的通态电压也越来越大。
有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的新型的增强注入器件IEGT。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种通态电压低的新型的增强注入器件IEGT。
本发明的新型的增强注入器件IEGT，包括n-型漂移区，所述n-型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；
所述n-型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，所述基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，所述n+型发射区和基极区上方设有与所述n+型发射区连接的发射极，所述栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。
进一步的，本发明的新型的增强注入器件IEGT，所述基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于所述第一基极区P++下方的第二基极区P-。
借由上述方案，本发明至少具有以下优点：本发明的新型的增强注入器件IEGT是站在功率器件结构创新的角度，采用适当的MOS栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入N层的电子电流也相应增加，从而实现了更低通态电压。在不增加制造成本的情况下，降低了功率器件的通态电压，达到了节约芯片制造成本的目的。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本发明新型的增强注入器件IEGT的结构示意图；
其中，1：n-型漂移区；2：n+型场阻止层；3：p+型集电极区；4：集电极；5：基极区；6：栅极；7：n+型发射区；8：发射极；9：栅绝缘层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
参见图1，本发明一较佳实施例的一种新型的增强注入器件IEGT，包括n-型漂移区1，n-型漂移区的下方设置有n+型场阻止层2，n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区3，p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极4；
n-型漂移区的上方间隔设置有基极区5和栅极6，基极区表面的左右两侧设有n+型发射区7，n+型发射区和基极区上方设有与n+型发射区连接的发射极8，栅极的外侧面上设置有栅绝缘层9。
作为优选，本发明的新型的增强注入器件IEGT，基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于第一基极区P++下方的第二基极区P-(图中未示出)。
本发明的新型的增强注入器件IEGT采用适当的MOS栅结构，在促进电子注入效应增大时，从沟道注入N层的电子电流也相应增加，从而实现了更低通态电压。
本发明的一种增强注入器件IEGT的制造方法，其包括：
第一步 N-区熔单晶片的场氧化。
第二步 分压环的制作(包括光刻、刻饰、注入、推火)
第三步 P-BODY的制作(包括光刻、刻饰、注入、推火)
第四步 Trench的制作(包括TEOS淀积、TEOS光刻、TEOS刻蚀、Trench刻蚀)
第五步 栅极的制作(包括牺牲氧化、牺牲氧化刻蚀、栅养氧化、多晶淀积)
第六步 发射区的制作(包括发射区光刻、发射区注入、发射区退火)
第七步 接触孔的制作(包括接触孔光刻、接触孔刻蚀、接触孔注入、接触孔退火、金属淀积)
第八步 背面减薄(背面减薄120±5um)
第九步 场截止N+层制作(包括N+层高能注入、退火)
第十步 极电极P+层制作(包括极电极P+注入、退火)
第十一步 背面金属化(包括背面金属化前处理、背面多层金属制作)
具体地，1200V/25A新型的增强注入器件IEGT制造工艺及其参数如下表：
以上仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (2)
1.一种新型的增强注入器件IEGT，其特征在于：包括n-型漂移区，所述n-型漂移区的下方设置有n+型场阻止层，所述n+型场阻止层的下方设置有p+型集电极区，所述p+型集电极区的下方设置有与p+型集电极区连接的集电极；
所述n-型漂移区的上方间隔设置有基极区和栅极，所述基极区表面的左右两侧设有n+型发射区，所述n+型发射区和基极区上方设有与所述n+型发射区连接的发射极，所述栅极的外侧面上设置有栅绝缘层。
2.根据权利要求1所述的新型的增强注入器件IEGT，其特征在于：所述基极区包括位于基极区上部的第一基极区P++和位于所述第一基极区P++下方的第二基极区P-。
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| CN105870180A (zh) * | 2016-04-26 | 2016-08-17 | 电子科技大学 | 双分裂沟槽栅电荷存储型rc-igbt及其制造方法 |
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