CN107263936A - 近场电磁波吸收膜 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种近场电磁波吸收膜，具有：塑料膜、和设置于该塑料膜的一面的单层或者多层的穿孔金属薄膜，上述穿孔金属薄膜在整个面以50μm以下的间隔具有直径200μm以下的激光束穿孔洞，上述穿孔金属薄膜进一步部分地具有能得到透视识别性的程度的大小的多个开口部。
Description
技术领域
本发明涉及具有出色的电磁波吸收能力以及透视识别性的近场电磁波吸收膜。
背景技术
在便携式电话、智能手机、无线LAN等通信设备、计算机等电子设备中，使用防止电磁波的泄露以及进入的电磁波吸收片。当前广泛使用的电磁波吸收片由金属片或者网构成，但最近也提出了在塑料片形成金属蒸镀膜的电磁波吸收片。例如JP 9-148782 A提出了以下电磁波吸收片，该电磁波吸收片由塑料膜和在其两面形成的第一以及第二铝蒸镀膜构成，第一铝蒸镀膜被蚀刻成非导通的线状图案，第二铝蒸镀膜被蚀刻成网眼状的导通图案。
此外，WO 2010/093027公开了以下复合膜，该复合膜在设置于塑料膜的至少一个面的单层或者多层的金属薄膜中以不规则的宽度以及间隔在多个方向上形成很多实质上平行且断续的线状痕迹，由此使电磁波吸收能力的各向异性减轻。
在JP 9-148782 A的电磁波吸收片以及WO 2010/093027的带有线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜中，利用线状图案或者线状痕迹来得到电磁波吸收能力，但也期望通过将激光束穿孔洞形成为图案状从而高效地得到具有出色的电磁波吸收能力的电磁波吸收膜。
进一步地，也存在针对透明的电磁波吸收膜的需求，提出了具有ITO薄膜或者CNT薄膜的电磁波吸收膜，并使用于ETC等中。但是，ETC中使用的电磁波吸收膜是远场电磁波吸收膜，不作为近场电磁波吸收膜来使用。这是因为适于近场的阻抗控制很难的缘故。因此，期望具有有电磁波吸收能力的不透明的层并且具有能够通过该不透明的层以视觉来识别所面向的一侧的物体的性质(称作“透视识别性”)的近场电磁波吸收膜。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种具有出色的电磁波吸收能力以及透视识别性的近场电磁波吸收膜。
用于解决课题的手段
针对上述目的专心研究的结果，本发明者发现通过(a)在形成于塑料膜的金属薄膜的整个面以50μm以下的间隔形成直径200μm以下的激光束穿孔洞，并且(b)部分地形成能得到透视识别性的程度的大小的多个开口部，从而能够得到具有出色的电磁波吸收能力以及透视识别性的近场电磁波吸收膜，并想到了本发明。
即，本发明的近场电磁波吸收膜具有塑料膜和设置于该塑料膜的一面的单层或者多层的金属薄膜，该近场电磁波吸收膜的特征在于，上述金属薄膜在整个面以50μm以下的间隔具有直径200μm以下的激光束穿孔洞，并且部分地具有能得到透视识别性的程度的大小的多个开口部。
上述激光束穿孔洞的直径优选为100μn以下，更优选为20～100μm。
优选上述激光束穿孔洞的间隔为20μm以下。
优选形成于上述金属薄膜的上述开口部排列在至少两个方向上。
优选上述金属薄膜中的开口部的面积率为15～60％。
优选上述金属薄膜的厚度为10～300nm。
优选上述金属薄膜由从铝、铜、银、锡、镍、钴、铬以及它们的合金所构成的组中选择出的至少一种金属构成。
附图说明
图1(a)是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的微细的激光束穿孔洞的排列的一例的部分放大俯视图。
图1(b)是图1的A-A截面图。
图1(c)是图1的部分放大图。
图2是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的微细的激光束穿孔洞的排列的其他例子的部分放大俯视图。
图3是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的开口部的排列的一例的俯视图。
图4是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的开口部的排列的其他例子的俯视图。
图5是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的开口部的排列的另外其他例子的俯视图。
图6是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的开口部的排列的另外其他例子的俯视图。
图7是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的开口部的排列的另外其他例子的俯视图。
图8是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的开口部的排列的另外其他例子的俯视图。
图9是表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的开口部的排列的另外其他例子的俯视图。
图10(a)是表示测定近场电磁波吸收膜的电阻值的装置的立体图。
图10(b)是表示使用图10(a)的装置来测定近场电磁波吸收膜的电阻值的情形的俯视图。
图10(c)是图10(b)的B-B截面图。
图11(a)是表示对近场电磁波吸收膜的电磁波吸收能力进行评价的系统的俯视图。
图11(b)是表示对近场电磁波吸收膜的电磁波吸收能力进行评价的系统的部分截面主视图。
图12是表示参考例1的穿孔复合膜的显微镜照片。
图13是表示比较例1的穿孔复合膜的显微镜照片。
图14是表示比较例2的穿孔复合膜的显微镜照片。
图15是针对参考例1以及比较例1和2的穿孔复合膜表示S11和入射电波的频率的关系的曲线图。
图16是针对参考例1以及比较例1和2的穿孔复合膜表示传输衰减率Rtp和入射电波的频率的关系的曲线图。
图17是表示参考例1的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的Ploss/Pin的曲线图。
图18是表示参考例2的穿孔复合膜的显微镜照片。
图19是表示参考例2的穿孔复合膜的0.1～6GHz下的Ploss/Pin的曲线图。
图20是表示实施例1的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的S11、S21以及Rtp的曲线图。
图21是表示实施例1的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的Ploss/Pin的曲线图。
图22是表示实施例2的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的S11、S21以及Rtp的曲线图。
图23是表示实施例2的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的Ploss/Pin的曲线图。
图24是表示实施例3的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的S11、S21以及Rtp的曲线图。
图25是表示实施例3的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的Ploss/Pin的曲线图。
图26是表示实施例4的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的S11、S21以及Rtp的曲线图。
图27是表示实施例4的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的Ploss/Pin的曲线图。
图28是表示实施例5的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的S11、S21以及Rtp的曲线图。
图29是表示实施例5的近场电磁波吸收膜的0.1～6GHz下的Ploss/Pin的曲线图。
符号说明
1…穿孔金属薄膜
10…塑料膜
11…金属薄膜
11a…残留金属薄膜部
12…激光束穿孔洞
12a、12b…激光束穿孔洞列
13…主要残留部
14…桥部
20…近场电磁波吸收膜
21…开口部
22…开口后残留部
120…电极
121…电极主体部
122…电极延长部
130…透明丙烯酸板
140…圆柱状重物
220…绝缘基板
221…接地电极
222…导电性销
223…同轴电缆
D…激光束穿孔洞的直径
W…桥部的宽度
T…相邻激光束穿孔洞列的中心线间距离
TP1、TP2…近场电磁波吸收膜的试验片
MSL…微波传输带线
NA…网络分析仪
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明，如果没有特别事先告知则与一个实施方式相关的说明也能适用于其他实施方式。此外，下述说明并不是限定性的，也可在本发明的技术思想的范围内进行各种变更。
[1]穿孔金属薄膜
图1(a)～图1(c)表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的微细的激光束穿孔洞的排列的一例。以下，将形成了很多微细的激光束穿孔洞的金属薄膜称作“穿孔金属薄膜”。该穿孔金属薄膜1通过在形成于塑料膜10的一面的单层或者多层的金属薄膜11以激光束将洞12形成为交叉的两列而得到。
(1)塑料膜
形成塑料膜10的树脂只要具有绝缘性并且具有足够的强度、挠性以及加工性就没有特别限制，可举出例如聚酯(聚对苯二甲酸乙二酯等)、聚亚芳基硫醚(聚苯硫醚等)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚烯烃(聚乙烯、聚丙烯等)等。从强度以及成本的观点来看，优选聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。塑料膜10的厚度为10～100μm程度即可。
(2)金属薄膜
形成金属薄膜11的金属只要具有导电性就没有特别限定，但从耐蚀性以及成本的观点出发，优选铝、铜、银、锡、镍、钴、铬以及它们的合金，特别优选铝、铜、镍以及它们的合金。金属薄膜的厚度优选10～300nm，更优选20～200nm，最优选30～150nm。金属薄膜11能通过蒸镀法(真空蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理蒸镀法、或者等离子CVD法、热CVD法、光CVD法等化学气相蒸镀法)、镀敷法或者箔接合法来形成。
在金属薄膜11为单层的情况下，从导电性、耐蚀性以及成本的观点出发，优选金属薄膜11由铝或者镍构成。此外，在金属薄膜11为多层的情况下，也可由非磁性金属形成一方，由磁性金属形成另一方。作为非磁性金属，可举出铝、铜、银、锡或者它们的合金，作为磁性金属，可举出镍、钴、铬或者它们的合金。只要总计的厚度在上述范围内，非磁性金属层的厚度以及磁性金属层的厚度就不特别是限定性的。
(3)激光束穿孔洞
如图1(a)～图1(c)所示，各激光束穿孔洞12是通过对金属薄膜11照射激光束从而使金属蒸发而形成的大致圆形的开口部，但塑料膜10不开口。各激光束穿孔洞12的直径D为200μm以下。如果直径D超过200μm，则按每单位面积形成的激光束穿孔洞12的数量会过少，激光束穿孔洞12之间的金属薄膜11的残留部分就会过大，因此那些残留部分作为反射膜起作用，无法得到足够的电磁波吸收能力。各激光束穿孔洞12的直径D优选为100μm以下，更优选为20～100μm。
在图示的例子中，在金属薄膜11，激光束穿孔洞12排列成相交叉的两列。借助相交叉的激光束穿孔洞列12a、12b而被隔开的金属薄膜11成为各个主要残留部13。激光束穿孔洞12至少部分地空开间隔，因此间隔部分的金属薄膜11作为宽度窄的桥部14而残留。因而，在激光束穿孔洞12形成后残留的金属薄膜部分(残留金属薄膜部)11a由主要残留部13以及宽度窄的桥部14构成。
激光束穿孔洞12的间隙优选在两列12a、12b存在。激光束穿孔洞12的间隔(桥部14的宽度)W为50μm以下。如果间隔W超过50μm，则穿孔金属薄膜1不具有期望的电阻值。激光束穿孔洞12的间隔(桥部14的宽度)W优选为20μm以下，更优选在1～15μm的范围内。因此，桥部14的最大宽度Wmax为50μm，优选为20μm。此外，桥部14的平均宽度Wav为3～30μm，优选为5～20μm。
激光束点本身为圆形，但因激光束而蒸发的金属薄膜1的区域并不会成为完全的圆形，由于与相邻的激光束穿孔洞12之间的干扰而存在具有稍微不规则的轮廓的倾向。例如，在与相邻的激光束穿孔洞12之间不存在间隙的情况下，有时两激光束穿孔洞12、12并不会接合，而是形成极小宽度的桥部14。这种情况被认为是由于在相邻的激光束点之间蒸发的金属凝固，成为宽度窄的桥部14的缘故。这样，即使以相同的间隔来排列激光束点，因金属薄膜11的蒸发而实际所形成的激光束穿孔洞12的间隔并不会相同，因此桥部14在50μm以下的范围内具有不同的宽度W。因此，本发明的近场电磁波吸收膜相对于大范围的频率具有出色的电磁波吸收能力。
激光束穿孔洞列12a、12b以45～90°的交叉角θ交叉。由此，不仅得到高的电磁波吸收能力，而且电磁波吸收能力的各向异性也降低。如果交叉角θ小于45°，则电磁波吸收能力得不到充分发挥。在交叉角θ为90°时，电磁波吸收能力成为最大。交叉角θ的优选范围为60～90°。
相邻激光束穿孔洞列12a、12b的中心线间距离T对主要残留部13的大小有影响。主要残留部13的大小对近场电磁波吸收膜20的电阻值(因而对电磁波吸收能力)有影响，因此为了得到期望的电阻值，需要对相邻激光束穿孔洞列12a、12b的中心线间距离T进行设定。具体来说，相邻激光束穿孔洞列12a、12b的中心线间距离T优选为100～400μm，更优选为150～300μm。
图2表示用于形成本发明的近场电磁波吸收膜的微细的激光束穿孔洞的排列的其他例子。该穿孔金属薄膜1’以上下左右大致相同的间隔W排列有多个激光束穿孔洞12。与上述的例子相同，间隔W为50μm以下，优选为20μm以下，更优选为1～15μm的范围内。
(4)开口部
在穿孔金属薄膜部分地形成能得到透视识别性的程度的大小的多个开口部，成为近场电磁波吸收膜。开口部的形状以及排列只要确保足够的电磁波吸收能力并能得到必要的透视识别性就不被特别限定。开口部的大小也只要确保足够的电磁波吸收能力并能得到必要的透视识别性就不被特别限定，但例如图2所示那样在圆形的情况下优选具有数mm～数十mm的直径。一般，优选开口部的大小是直径或者宽度为2～20mm。图3～图9表示开口部的形状、大小以及排列的例子。开口部也可在1个方向上排列，但优选至少在2个方向上排列。
在图3所示的近场电磁波吸收膜20中，在穿孔金属薄膜1形成平行的多个狭缝状开口部21。形成了狭缝状开口部21后的金属薄膜残留部(开口后残留部)22为带状。
在图4所示的近场电磁波吸收膜20中，在穿孔金属薄膜1纵横平行地形成多个长方形状开口部21。形成了长方形状开口部21后的金属薄膜残留部(开口后残留部)22为格子状。
在图5所示的近场电磁波吸收膜20中，在穿孔金属薄膜1纵横平行地形成多个正方形状开口部21。形成了正方形状开口部21后的金属薄膜残留部(开口后残留部)22为格子状。
在图6所示的近场电磁波吸收膜20中，在穿孔金属薄膜1纵横平行地形成多个圆形状开口部21。形成了圆形状开口部21后的金属薄膜残留部(开口后残留部)22为发生了变形的格子状。
在图7所示的近场电磁波吸收膜20中，在穿孔金属薄膜1纵横平行地形成多个三角形状开口部21。形成了三角形状开口部21后的金属薄膜残留部(开口后残留部)22为发生了变形的格子状。
在图8所示的近场电磁波吸收膜20中，在穿孔金属薄膜1纵横平行地形成多个菱形状开口部21。形成了菱形状开口部21后的金属薄膜残留部(开口后残留部)22为发生了变形的格子状。
在图9所示的近场电磁波吸收膜20中，在穿孔金属薄膜1纵横平行地形成多对三角形状开口部21。形成了三角形状开口部21后的金属薄膜残留部(开口后残留部)22为发生了变形的格子状。
如图3～图9所示，开口后残留部22需要至少在一个方向上连结，优选至少在两个方向上连结。此外，开口部21相对于穿孔金属薄膜1的面积率[100×开口部21的总面积/(开口部21的总面积+开口后残留部22的总面积)]优选为15～60％，更优选为20～50％。如果开口部21的面积率小于15％，则无法得到充分的透视识别性。另一方面，如果开口部21的面积率超过60％，则不能确保足够的电磁波吸收能力。
(4)电阻值
近场电磁波吸收膜20的电磁波吸收能力基本上由穿孔金属薄膜1的电磁波吸收能力决定。专心研究的结果，可知穿孔金属薄膜1的电磁波吸收能力依赖于在激光束穿孔洞12形成后残留的穿孔金属薄膜部11a(残留穿孔金属薄膜部11a＝穿孔主要残留部13+穿孔桥部14)的大小以及电阻。在穿孔金属薄膜1的电阻值为50～300Ω/100cm2的情况下，相对于大范围的频率的电磁波具有出色的吸收能力。
将在塑料膜10的一面具有穿孔金属薄膜1的复合膜的试验片TP1设置于图10(a)～图10(c)所示的装置，通过加压下的直流二端子法(简称为“加压二端子法”)来测定穿孔金属薄膜1的电阻值。具体来说，在按照将穿孔金属薄膜1置于上方的方式载置在硬质的绝缘性平坦面上的10cm×10cm的正方形试验片TP1的对置边部，载置由长度10cm×宽度1cm×厚度0.5mm的电极主体部121和从电极主体部121的中央侧部延伸的宽度1cm×厚度0.5mm的电极延长部122构成的一对电极120、120，在试验片TP1和两电极120、120之上以完全覆盖试验片TP1和两电极120、120的方式放置10cm×10cm×厚度5mm的透明丙烯酸板130，在透明丙烯酸板130之上放置直径10cm的圆柱状重物140(3.85kg)，之后，根据在两电极延长部222、222间流动的电流来求取电阻值。采用“Ω/100cm2”的单位表示在上述条件下测定的电阻值。
穿孔金属薄膜1(近场电磁波吸收膜20)的电阻值需要处于50～300Ω/100cm2的范围内。如果电阻值小于50Ω/100cm2或者超过300Ω/100cm2，则近场电磁波吸收膜20不具有足够的电磁波吸收能力。近场电磁波吸收膜20的电阻值优选为60～250Ω/100cm2，更优选为80～200Ω/100cm2。
(5)保护层
为了保护穿孔金属薄膜1，优选在其表面形成塑料保护层(未图示)。塑料保护层用的塑料膜也可与塑料膜10相同。塑料保护层的厚度优选为10～100μm程度。为了防止脱离，优选通过将塑料膜热层压到近场电磁波吸收膜20来形成塑料保护层。在保护塑料膜为PET膜的情况下，热层压温度为110～150℃即可。
保护层用塑料膜通常在将激光束穿孔洞以及开口部形成于塑料膜10的金属薄膜11之后粘贴到近场电磁波吸收膜20，但如果在保护塑料膜预先形成很多微细孔，则能在将保护塑料膜粘贴到金属薄膜11之后，形成激光束穿孔洞以及开口部。对保护塑料膜形成微细孔能够通过JP专利第2063411号中记载的方法来进行。
[2]近场电磁波吸收膜的电磁波吸收能力
(1)传输衰减率
如图11(a)以及图11(b)所示，使用由50Ω的微波传输带线MSL(64.4mm×4.4mm)、支撑微波传输带线MSL的绝缘基板220、与绝缘基板220的下表面接合的接地电极221、与微波传输带线MSL的两端连接的导电性销222、222、网络分析仪NA、和将网络分析仪NA与导电性销222、222连接的同轴电缆223、223构成的系统，利用粘合剂将近场电磁波吸收膜20的试验片TP2粘贴到微波传输带线MSL，相对于0.1～6GHz的入射波，测定反射波功率S11以及透射波功率S21，并通过下述式(1)来求取传输衰减率Rtp：
Rtp＝-10×log[10S21/10/(1-10S11/10)]…(1)
(2)噪声吸收率
在图11(a)以及图11(b)所示的系统中，入射的功率Pin＝反射波功率S11+透射波功率S21+被吸收的功率(功率损耗)Ploss成立。因此，通过从入射的功率Pin减去反射波功率S11以及透射波功率S21，从而求取功率损耗Ploss，通过以入射功率Pin除Ploss来求取噪声吸收率Ploss/Pin。
[3]近场电磁波吸收膜的制造方法
在通过蒸镀法等形成于塑料膜10的一个面的金属薄膜11的整个面，首先以50μm以下的间隔形成直径200μm以下的激光束穿孔洞12。对于所得到的穿孔金属薄膜1，部分地形成能得到透视识别性的程度的大小的多个开口部21。开口部21也能通过激光束的照射来形成。在该情况下，能够以一次激光束照射工序来形成激光束穿孔洞12和开口部21，但以两个阶段来进行激光束穿孔洞12的形成工序和开口部21的形成工序能高效地制造近场电磁波吸收膜20。此外，也可采用光刻法来形成开口部21。
通过以下的实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些情况。
参考例1、比较例1以及2
对于通过真空蒸镀法在厚度16μm的PET膜10形成的厚度50nm的Ni薄膜11，利用3-Axis混合激光标记器(株式会社奇恩斯(キ一エンス)制的MD-X1000)将直径60μm的激光束穿孔洞12形成为相交叉的两列，制作具有图12～图14所示的穿孔Ni薄膜1的复合膜。对于从各复合膜切取的正方形的试验片TP1(10cm×10cm)，通过段落[1]的(4)中记载的方法测定电阻值。将结果示于表1。
【表1】
| 项目 | 参考例1 | 比较例1 | 比较例2 |
| 对应图 | 图12 | 图13 | 图14 |
| 交叉角θ(1)(°) | 90 | 90 | 90 |
| 最大宽度Wmax(μm) | 15 | 60 | 0 |
| 平均宽度Wav(μm) | 7 | 50 | 0 |
| 电阻值(Ω/100cm2) | 60 | 6 | ∞ |
注：(1)激光束穿孔洞列的交叉角θ。
(2)桥部的宽度W。
利用粘合剂将从各复合膜切取的试验片TP2(55.2mm×4.7mm)粘贴到图11(a)以及图11(b)所示的系统的微波传输带线MSL，通过段落[2]的(1)以及(2)记载的方法，测定相对于0.1～6GHz的频率范围的入射功率Pin的反射波功率S11以及透射波功率S21，求取到0.1～6GHz的频率范围下的传输衰减率Rtp以及噪声吸收率Ploss/Pin。图15示出0.1～6GHz的频率范围下的S11，图16示出传输衰减率Rtp，图17示出噪声吸收率Ploss/Pin。根据图15可以明确：激光束穿孔洞12过少(电阻值过小)的比较例1的反射波S11多。此外，根据图16可以明确：激光束穿孔洞12过剩(电阻值过大)的比较例2的传输衰减率Rtp低。进一步地，根据图17可以明确：参考例1的复合膜表现出出色的噪声吸收率Ploss/Pin。
参考例2
对于通过真空蒸镀法在厚度16μm的PET膜10形成的厚度80nm的Al薄膜11，利用3-Axis混合激光器标记器(株式会社奇恩斯(キ一エンス)制的MD-X1000)将直径80μm的激光束穿孔洞12形成为相交叉的两列，制作具有图18所示的穿孔Al薄膜1的复合膜。激光束穿孔洞12的间隔W为约20μm。通过与参考例1相同的方法，测定各复合膜的电阻值，为60～80Ω/100cm2。
与参考例1同样地测定复合膜的0.1～6GHz的频率范围下的反射波功率S11以及透射波功率S21，求取到噪声吸收率Ploss/Pin。图19示出0.1～6GHz的频率范围下的噪声吸收率Ploss/Pin。根据图19可以明确：激光束穿孔洞12以及电阻值满足本发明的必要条件的参考例2的复合膜表现出高的噪声吸收率Ploss/Pin。
实施例1～5
如下述表2所示，对于参考例1以及2的复合膜，形成图3～6以及9的任一个的开口部21，制作近场电磁波吸收膜。针对各近场电磁波吸收膜的试验片TP2，与参考例1同样地测定相对于0.1～6GHz的频率范围的入射功率Pin的反射波功率S11以及透射波功率S21，求取到0.1～6GHz的频率范围下的传输衰减率Rtp以及噪声吸收率Ploss/Pin。针对实施例1～5的每一个，图20、图22、图24、图26以及图28示出0.1～6GHz的频率范围下的S11、S21以及Rtp，图21、图23、图25、图27以及图29示出0.1～6GHz的频率范围下的Ploss/Pin。
【表2】
根据图20～图29可明确：对于实施例1～5的近场电磁波吸收膜来说，反射波S11都少，传输衰减率Rtp以及噪声吸收率Ploss/Pin都高。此外，实施例1～5的近场电磁波吸收膜具有15～60％的开口部面积率，具有良好的透视识别性。
发明的效果
本发明的近场电磁波吸收膜具有整体地形成的很多微细的激光束穿孔洞和能得到透视识别性的程度的大小的多个开口部，因此具有出色的电磁波吸收能力以及良好的透视识别性。具有这种特征的本发明的近场电磁波吸收膜适于能透视内部的所谓骨架(Skeleton)结构的电子设备，例如便携式电话、智能手机、机器人、游戏设备等。
Claims (8)
1.一种近场电磁波吸收膜，具有：塑料膜、和设置于该塑料膜的一面的单层或者多层的金属薄膜，该近场电磁波吸收膜的特征在于，
上述金属薄膜在整个面以50μm以下的间隔具有直径200μm以下的激光束穿孔洞，并且还部分地具有能得到透视识别性的程度的大小的多个开口部。
2.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜，其特征在于，
上述激光束穿孔洞的直径为100μm以下。
3.根据权利要求2所述的近场电磁波吸收膜，其特征在于，
上述激光束穿孔洞的直径为20～100μm。
4.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜，其特征在于，
上述激光束穿孔洞的间隔为20μm以下。
5.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜，其特征在于，
形成于上述金属薄膜的上述开口部排列在至少两个方向上。
6.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜，其特征在于，
上述开口部的面积率为15～60％。
7.根据权利要求1所述的近场电磁波吸收膜，其特征在于，
上述金属薄膜的厚度为10～300nm。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的近场电磁波吸收膜，其特征在于，
上述金属薄膜由从铝、铜、银、锡、镍、钴、铬以及它们的合金所构成的组中选择出的至少一种金属构成。
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Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016101756A1 (de) * | 2016-02-01 | 2017-08-03 | Vega Grieshaber Kg | Verfahren zur Bestimmung und Anzeige der optimalen Materialstärke bei der Füllstandmessung mit Radarsensoren |
| JP6461414B1 (ja) * | 2018-08-02 | 2019-01-30 | 加川 清二 | 電磁波吸収複合シート |
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| WO2023027305A1 (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 삼성전자주식회사 | 조리기기용 외장재 및 그 제조방법 |
| WO2024185241A1 (ja) * | 2023-03-07 | 2024-09-12 | リンテック株式会社 | 電磁波吸収部材 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040140516A1 (en) * | 2001-05-16 | 2004-07-22 | Masato Yoshikawa | Electromagnetic-wave shielding and light transmitting plate, manufacturing method thereof and display panel |
| CN101560283A (zh) * | 2008-04-14 | 2009-10-21 | 株式会社东进世美肯 | 黑色导电膏组合物及包含该组合物的防电磁波过滤器和显示器 |
| CN102046370A (zh) * | 2009-02-13 | 2011-05-04 | 加川清二 | 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT214086Z2 (it) | 1988-03-03 | 1990-04-02 | Salvarani Ind Spa | Modulo di cucina componibile |
| US5855988A (en) | 1995-11-27 | 1999-01-05 | Nippon Paint Co., Ltd. | Electromagnetic wave absorbing shielding material |
| JPH09148782A (ja) | 1995-11-27 | 1997-06-06 | Nippon Paint Co Ltd | 透明電磁波吸収シールド材 |
| JP2002313140A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Mitsui Chemicals Inc | 透明導電性フィルム及び光学フィルター並びにその製造方法 |
| JP2002317280A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-31 | Toyo Metallizing Co Ltd | 金属化プラスチックフィルム |
| EP1993338A4 (en) * | 2006-03-09 | 2011-05-25 | Bridgestone Corp | PROCESS FOR MANUFACTURING TRANSLUCENT ELECTROMAGNETIC WAVE PROTECTION MATERIALS, TRANSLUCENT ELECTROMAGNETIC WAVE PROTECTIVE MATERIALS, AND DISPLAY FILTER |
| SG178225A1 (en) * | 2009-08-03 | 2012-03-29 | 3M Innovative Properties Co | Process for forming optically clear conductive metal or metal alloy thin films and films made therefrom |
| JP2011142198A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 電波吸収体 |
| TWI435205B (zh) * | 2011-05-12 | 2014-04-21 | Subtron Technology Co Ltd | 蓋板結構及其製作方法 |
| JP5069365B1 (ja) * | 2011-06-30 | 2012-11-07 | 清二 加川 | 近傍界ノイズ抑制フィルム |
| CN103959927B (zh) * | 2011-11-30 | 2017-07-18 | 加川清二 | 复合电磁波吸收片 |
| WO2014126394A1 (ko) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | 주식회사 아모텍 | 전자파 흡수시트 및 이를 구비하는 안테나 모듈 |
| JP6077643B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-02-08 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 電磁波シールド板 |
-
2016
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-
2017
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040140516A1 (en) * | 2001-05-16 | 2004-07-22 | Masato Yoshikawa | Electromagnetic-wave shielding and light transmitting plate, manufacturing method thereof and display panel |
| CN101560283A (zh) * | 2008-04-14 | 2009-10-21 | 株式会社东进世美肯 | 黑色导电膏组合物及包含该组合物的防电磁波过滤器和显示器 |
| CN102046370A (zh) * | 2009-02-13 | 2011-05-04 | 加川清二 | 带线状痕迹的金属薄膜-塑料复合膜及其制造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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