CN107245222A - 一种led封装材料及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LED封装材料,包括以下重量份的原料:酚醛环氧树脂18‑22份、苯基硅树脂8‑12份、乙酰丙酮铝3‑5份、异辛酸镁3‑5份、抗氧剂2‑6份、紫外光吸收剂0.15‑0.5份、紫外光稳定剂0.1‑0.35份、纳米二氧化钛3‑5份、间苯二甲胺3‑7份、十溴二苯乙烷4‑8份、氢氧化铝4‑6份、白炭黑3‑5份、石墨烯0.5‑1.5份、乙烯基硅油15‑25份、碳化硅微粒5‑7份、γ氧化铝4‑6份、稀土氧化物4‑6份、加工助剂5‑15份和偶联剂4‑6份。本发明的LED封装材料具有优异的粘结性能、耐热性能,其吸水率低、透光率更好、气密性优越,散热性能良好,阻燃效果明显,机械性能和耐冲击性能优良,同时本发明提供的制备方法其材料成本较低、原料易得、工艺简明,具有较高的使用价值和良好的应用前景。

Description

一种LED封装材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及灯具材料技术领域,具体涉及一种LED封装材料及其制备方法。
背景技术
应急灯是消防安全系统不可缺失的一个重要组成;应急灯在公共建筑、高层建筑、旅店、人员密集场合被强制要求安装并需要定期维护。应急灯的功能是当火灾或者其它不可预知的灾难发生,导致建筑内普通照明不能正常工作时,其可在特定的时间内为指定的安全通道提供最低的照明度。应急灯还可在建筑内普通照明不能正常工作时提供帮助安全撤离用的照明信号标志,并清楚指示每个通道的方向变化,帮助受困人员有序安全地撤离。
现今应急灯大部分采用LED作为灯源,LED即发光二极管,是一种固体半导体发光器件,以固体半导体芯片作为发光材料,当在半导体P-N结区域内施加正向电流时,半导体中的载流子发生复合引起光子发射而产生可见光、红外光和紫外光等。与传统的照明设备相比,LED具有环保、节能、寿命长等特点、并且结构简单、发光电压低、功率尤其小、发光效率高、电能消耗仅仅为传统照明光源的20%左右,且使用寿命长达10万小时,是普通灯管的数十倍;同时结构中不含玻璃,灯丝等易损坏的部件,坚固不易破碎,能够减少废弃物对环境的污染,是新一代绿色环保产品。为了保护芯片,防止外部环境的不良因素对芯片造成损害,延长LED 的使用寿命,对其芯片进行封装。目前,用于LED 封装的传统材料为环氧树脂,价格低廉应用广,并且树脂本身具有优异的电绝缘性、密封性、介电性能、粘结性等特点,使其在国内封装市场占了相当大的比例。但由于其本身存在耐湿热性和耐候性较差,且质脆、易疲劳、抗冲击韧性低和散热性能差等问题,在紫外光照和高温条件下易发生黄变,且不易散热,这些问题都导致LED 器件的使用寿命降低。为了使材料具有更良好的应用特性,所以需要对LED封装材料进行改性处理。
发明内容
针对现有技术的缺陷,本发明的目的是提供一种LED封装材料,该封装材料具有优异的粘结性能、耐热性能,其吸水率低,透光率更好、气密性优越,散热性能良好,阻燃效果优越,机械性能和耐冲击性能优良,同时本发明提供的制备方法其材料成本较低、原料易得、工艺简明,具有较高的使用价值和良好的应用前景。
本发明解决技术问题采用如下技术方案:
本发明提供了一种LED封装材料,包括以下重量份的原料:
酚醛环氧树脂18-22份、苯基硅树脂8-12 份、乙酰丙酮铝3-5份、异辛酸镁3-5 份、抗氧剂2-6份、紫外光吸收剂0.15-0.5份、紫外光稳定剂0.1-0.35份、纳米二氧化钛3-5份、间苯二甲胺3-7份、十溴二苯乙烷4-8份、氢氧化铝4-6份、白炭黑3-5份、石墨烯0.5-1.5份、乙烯基硅油15-25份、碳化硅微粒5-7份、γ氧化铝4-6份、稀土氧化物4-6份、加工助剂5-15份、偶联剂4-6份。
优选地,所述LED封装材料包括以下重量份的原料:
酚醛环氧树脂20份、苯基硅树脂10份、乙酰丙酮铝4份、异辛酸镁4份、抗氧剂4份、紫外光吸收剂0.3份、紫外光稳定剂0.25份、纳米二氧化钛4份、间苯二甲胺5份、十溴二苯乙烷6份、氢氧化铝5份、白炭黑4份、石墨烯1份、乙烯基硅油20份、碳化硅微粒6份、γ氧化铝5份、稀土氧化物5份、加工助剂10份、偶联剂5份。
优选地,所述抗氧剂为三(2,4- 二叔丁基苯基) 亚磷酸酯、2,6-三级丁基-4-甲基苯酚中的一种。
优选地,所述紫外光吸收剂为紫外光吸收剂UV-9、紫外光吸收剂UV-531中的一种;所述紫外光稳定剂为光稳定剂744、光稳定剂GW-540中的一种。
优选地,所述稀土氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化铷中的一种或几种。
所述偶联剂为乙烯基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种。
优选地,所述加工助剂为固化剂、分散剂、流平剂、消泡剂、光扩散剂按重量比1.5:1:1:0.5:3组成的混合物;所述固化剂为二乙氨基丙胺;所述分散剂为聚羧酸铵盐、不饱和聚羧酸、改性高分子聚氨酯中的一种;所述流平剂为聚甲基硅氧烷、聚甲基本机硅氧烷中的一种;所述消泡剂为有机硅类消泡剂、丙烯酸类消泡剂中的一种;所述光扩散剂为有机硅微粉。
本发明还提供了一种LED封装材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤一,将紫外光吸收剂、紫外光稳定剂、乙酰丙酮铝、抗氧剂、十溴二苯乙烷、氢氧化铝、石墨烯加入高速搅拌机中,在80-90℃下搅拌15-25分钟,搅拌转速150-250r/min,得到混合物溶液A;
步骤二,将碳化硅微粒、稀土氧化物、白炭黑、γ氧化铝混合加入高速粉碎机中粉碎,将粉碎后的混合物送入球磨机中研磨,过200目筛得到混合物B;
步骤三,将步骤二制得的混合物B加入步骤一制得的混合物溶液A中送入高速搅拌机中搅拌均匀,搅拌转速150-180r/min,搅拌时间3-5分钟,再加入酚醛环氧树脂、乙烯基硅油、苯基硅树脂、间苯二甲胺、异辛酸镁、纳米二氧化钛、偶联剂、加工助剂继续搅拌,搅拌转速400-500r/min,搅拌时间15-25分钟,再将混合物加入真空脱泡机中进行脱泡,脱泡时间为约3h,加入模具中进行固化,固化温度为约140℃-150℃,固化后冷却至室温,自然冷却后再次加热到140℃-150℃保持2h,以去除残余应力和易挥发性组份,自然冷却即得到LED 封装材料。
优选地,所述LED封装材料的制备步骤为:
步骤一,将紫外光吸收剂、紫外光稳定剂、乙酰丙酮铝、抗氧剂、十溴二苯乙烷、氢氧化铝、石墨烯加入高速搅拌机中,在85℃下搅拌20分钟,搅拌转速200r/min,得到混合物溶液A;
步骤二,将碳化硅微粒、稀土氧化物、白炭黑、γ氧化铝混合加入高速粉碎机中粉碎,将粉碎后的混合物送入球磨机中研磨,过200目筛得到混合物B;
步骤三,将步骤二制得的混合物B加入步骤一制得的混合物溶液A中送入高速搅拌机中搅拌均匀,搅拌转速160r/min,搅拌时间4分钟,再加入酚醛环氧树脂、乙烯基硅油、苯基硅树脂、间苯二甲胺、异辛酸镁、纳米二氧化钛、偶联剂、加工助剂继续搅拌,搅拌转速450r/min,搅拌时间20分钟,再将混合物加入真空脱泡机中进行脱泡,脱泡时间为约3h,加入模具中进行固化,固化温度为约145℃,固化后冷却至室温,自然冷却后再次加热到145℃保持2h,以去除残余应力和易挥发性组份,自然冷却即得到LED 封装材料。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
(1)本发明的一种LED封装材料添加了一定量的抗氧剂、紫外光吸收剂、紫外光稳定剂能够有效解决封装胶膜的耐气候性差容易变黄老化的问题,且本发明选用的紫外光吸收剂UV-9、紫外光吸收剂UV-531、紫外光稳定剂为光稳定剂744、光稳定剂GW-540和抗氧剂间有良好的相容性,复合使用具有良好的协同作用;同时还添加了少许石墨烯材料,石墨烯材料分散均匀,透光率较好有效保证了LED的出光率,同时石墨烯材料能够有效提高封装材料的热导率。
(2)本发明的一种LED封装材料添加了具有阻燃功能的十溴联苯醚、氢氧化铝,能够使封装材料具有较好的阻燃防火性能,并可持久经受住电晕、电火花的冲击,能够对可能出现的火灾危险有一定的保护作用,有效延长了封装材料的使用寿命。
(3)本发明的一种LED封装材料采用了酚醛环氧树脂、苯基硅树脂一方面提高了封装材料的粘结性能,还能增强制备的LED封装材料的折射率,同时添加的异辛酸镁能进一步提高封装材料的折射率,一定量的白炭黑作为补强填料,能够大大提高封装材料的拉升强度和撕裂强度,使得封装材料的机械强度更好。
(4)本发明的一种LED封装材料中添加一定量的碳化硅、γ氧化铝,不仅能够使得制备的封装材料具备良好抗热性能,导热系数更高,同时能够还能够增加封装材料的拉伸性能和柔韧性能。
(5)本发明的一种LED封装材料添加了由光扩散剂、分散剂、流平剂、消泡剂加工助剂以及偶联剂,这些加工助剂和环氧树脂的复合使用有效增加封装材料的粘结强度以及耐磨耐老化性能,使得制备的封装材料具有优异的粘结性能和气密性。
(6)本发明的一种LED封装材料的制备方法简单、工艺简明、材料成本较低、原料易得、适合大规模工业生产,具有较高的实用价值和广泛的应用前景。
具体实施方式
下面结合具体实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1.
本实施例的LED封装材料,包括以下重量份的原料:
酚醛环氧树脂18份、苯基硅树脂8份、乙酰丙酮铝3份、异辛酸镁3份、抗氧剂2份、紫外光吸收剂0.15份、紫外光稳定剂0.1份、纳米二氧化钛3份、间苯二甲胺3份、十溴二苯乙烷4份、氢氧化铝4份、白炭黑3份、石墨烯0.5份、乙烯基硅油15份、碳化硅微粒5份、γ氧化铝4份、稀土氧化物4份、加工助剂5份、偶联剂4份。
本实施例中抗氧剂为三(2,4- 二叔丁基苯基) 亚磷酸酯。
本实施例中紫外光吸收剂为紫外光吸收剂UV-9;紫外光稳定剂为光稳定剂744。
本实施例中稀土氧化物为氧化镧。
本实施例中偶联剂为乙烯基三甲氧基硅烷。
本实施例中加工助剂为固化剂、分散剂、流平剂、消泡剂、光扩散剂按重量比1.5:1:1:0.5:3组成的混合物;所述固化剂为二乙氨基丙胺;所述分散剂为聚羧酸铵盐;所述流平剂为聚甲基硅氧烷;所述消泡剂为有机硅类消泡剂;所述光扩散剂为有机硅微粉。
本实施例的LED封装材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤一,将紫外光吸收剂、紫外光稳定剂、乙酰丙酮铝、抗氧剂、十溴二苯乙烷、氢氧化铝、石墨烯加入高速搅拌机中,在80℃下搅拌15分钟,搅拌转速150r/min,得到混合物溶液A;
步骤二,将碳化硅微粒、稀土氧化物、白炭黑、γ氧化铝混合加入高速粉碎机中粉碎,将粉碎后的混合物送入球磨机中研磨,过200目筛得到混合物B;
步骤三,将步骤二制得的混合物B加入步骤一制得的混合物溶液A中送入高速搅拌机中搅拌均匀,搅拌转速150r/min,搅拌时间3分钟,再加入酚醛环氧树脂、乙烯基硅油、苯基硅树脂、间苯二甲胺、异辛酸镁、纳米二氧化钛、偶联剂、加工助剂继续搅拌,搅拌转速400r/min,搅拌时间15分钟,再将混合物加入真空脱泡机中进行脱泡,脱泡时间为约3h,加入模具中进行固化,固化温度为约140℃,固化后冷却至室温,自然冷却后再次加热到140℃保持2h,以去除残余应力和易挥发性组份,自然冷却即得到LED 封装材料。
实施例2.
本实施例的LED封装材料,包括以下重量份的原料:
酚醛环氧树脂22份、苯基硅树脂12 份、乙酰丙酮铝5份、异辛酸镁5 份、抗氧剂6份、紫外光吸收剂0.5份、紫外光稳定剂0.35份、纳米二氧化钛5份、间苯二甲胺7份、十溴二苯乙烷8份、氢氧化铝6份、白炭黑5份、石墨烯1.5份、乙烯基硅油25份、碳化硅微粒7份、γ氧化铝6份、稀土氧化物6份、加工助剂15份、偶联剂6份。
本实施例中抗氧剂为2,6-三级丁基-4-甲基苯酚。
本实施例中紫外光吸收剂UV-531;所述紫外光稳定剂为光稳定剂GW-540。
本实施例中稀土氧化物为氧化铈。
本实施例中偶联剂为γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷。
本实施例中加工助剂为固化剂、分散剂、流平剂、消泡剂、光扩散剂按重量比1.5:1:1:0.5:3组成的混合物;所述固化剂为二乙氨基丙胺;所述分散剂为不饱和聚羧酸;所述流平剂为聚甲基本机硅氧烷;所述消泡剂为丙烯酸类消泡剂;所述光扩散剂为有机硅微粉。
本实施例的LED封装材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤一,将紫外光吸收剂、紫外光稳定剂、乙酰丙酮铝、抗氧剂、十溴二苯乙烷、氢氧化铝、石墨烯加入高速搅拌机中,在90℃下搅拌25分钟,搅拌转速250r/min,得到混合物溶液A;
步骤二,将碳化硅微粒、稀土氧化物、白炭黑、γ氧化铝混合加入高速粉碎机中粉碎,将粉碎后的混合物送入球磨机中研磨,过200目筛得到混合物B;
步骤三,将步骤二制得的混合物B加入步骤一制得的混合物溶液A中送入高速搅拌机中搅拌均匀,搅拌转速180r/min,搅拌时间5分钟,再加入酚醛环氧树脂、乙烯基硅油、苯基硅树脂、间苯二甲胺、异辛酸镁、纳米二氧化钛、偶联剂、加工助剂继续搅拌,搅拌转速500r/min,搅拌时间25分钟,再将混合物加入真空脱泡机中进行脱泡,脱泡时间为约3h,加入模具中进行固化,固化温度为约150℃,固化后冷却至室温,自然冷却后再次加热到150℃保持2h,以去除残余应力和易挥发性组份,自然冷却即得到LED 封装材料。
实施例3.
酚醛环氧树脂20份、苯基硅树脂10份、乙酰丙酮铝4份、异辛酸镁4份、抗氧剂4份、紫外光吸收剂0.3份、紫外光稳定剂0.25份、纳米二氧化钛4份、间苯二甲胺5份、十溴二苯乙烷6份、氢氧化铝5份、白炭黑4份、石墨烯1份、乙烯基硅油20份、碳化硅微粒6份、γ氧化铝5份、稀土氧化物5份、加工助剂10份、偶联剂5份。
本实施例中抗氧剂为三(2,4- 二叔丁基苯基) 亚磷酸酯、2,6-三级丁基-4-甲基苯酚中的一种。
本实施例中紫外光吸收剂为紫外光吸收剂UV-531;所述紫外光稳定剂为光稳定剂GW-540。
本实施例中稀土氧化物为氧化铷。
本实施例中偶联剂为γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
本实施例中加工助剂为固化剂、分散剂、流平剂、消泡剂、光扩散剂按重量比1.5:1:1:0.5:3组成的混合物;所述固化剂为二乙氨基丙胺;所述分散剂为改性高分子聚氨酯;所述流平剂为聚甲基硅氧烷;所述消泡剂为有机硅类消泡剂;述光扩散剂为有机硅微粉。
本实施例的LED封装材料的制备方法,包括以下步骤:
步骤一,将紫外光吸收剂、紫外光稳定剂、乙酰丙酮铝、抗氧剂、十溴二苯乙烷、氢氧化铝、石墨烯加入高速搅拌机中,在85℃下搅拌20分钟,搅拌转速200r/min,得到混合物溶液A;
步骤二,将碳化硅微粒、稀土氧化物、白炭黑、γ氧化铝混合加入高速粉碎机中粉碎,将粉碎后的混合物送入球磨机中研磨,过200目筛得到混合物B;
步骤三,将步骤二制得的混合物B加入步骤一制得的混合物溶液A中送入高速搅拌机中搅拌均匀,搅拌转速160r/min,搅拌时间4分钟,再加入酚醛环氧树脂、乙烯基硅油、苯基硅树脂、间苯二甲胺、异辛酸镁、纳米二氧化钛、偶联剂、加工助剂继续搅拌,搅拌转速450r/min,搅拌时间20分钟,再将混合物加入真空脱泡机中进行脱泡,脱泡时间为约3h,加入模具中进行固化,固化温度为约145℃,固化后冷却至室温,自然冷却后再次加热到145℃保持2h,以去除残余应力和易挥发性组份,自然冷却即得到LED 封装材料。
以上各实施例制得的LED封装材料性能测试结果如下:
实验项目 实施例1 实施例2 实施例3 现有技术
粘结强度kgf/cm2 6.8 7.1 6.9 5.7
折射率 1.68 1.65 1.67 1.42
透光率,% 95 96 93 87
热导率W/(m·k) 732 743 751 681
阻燃性能,UL-94 V-0 V-0 V-0 V-1
本发明的一种LED封装材料具有优异的粘结性能、耐热性能,其吸水率低 透光率更好、气密性优越,散热性能良好,阻燃效果优越,机械性能和耐冲击性能优良,同时本发明提供的LED封装材料制备方法其材料成本较低、原料易得、工艺简明,具有较高的使用价值和良好的应用前景。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而 且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发 明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性 的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要 求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (8)

1.一种LED封装材料,其特征在于,包括以下重量份的原料:
酚醛环氧树脂18-22份、苯基硅树脂8-12 份、乙酰丙酮铝3-5份、异辛酸镁3-5 份、抗氧剂2-6份、紫外光吸收剂0.15-0.5份、紫外光稳定剂0.1-0.35份、纳米二氧化钛3-5份、间苯二甲胺3-7份、十溴二苯乙烷4-8份、氢氧化铝4-6份、白炭黑3-5份、石墨烯0.5-1.5份、乙烯基硅油15-25份、碳化硅微粒5-7份、γ氧化铝4-6份、稀土氧化物4-6份、加工助剂5-15份、偶联剂4-6份。
2.根据权利要求1所述的一种LED封装材料,其特征在于,所述LED封装材料包括以下重量份的原料:
酚醛环氧树脂20份、苯基硅树脂10份、乙酰丙酮铝4份、异辛酸镁4份、抗氧剂4份、紫外光吸收剂0.3份、紫外光稳定剂0.25份、纳米二氧化钛4份、间苯二甲胺5份、十溴二苯乙烷6份、氢氧化铝5份、白炭黑4份、石墨烯1份、乙烯基硅油20份、碳化硅微粒6份、γ氧化铝5份、稀土氧化物5份、加工助剂10份、偶联剂5份。
3.根据权利要求1或2所述的一种LED封装材料,其特征在于,所述抗氧剂为三(2,4- 二叔丁基苯基) 亚磷酸酯、2,6-三级丁基-4-甲基苯酚中的一种。
4.根据权利要求1或2所述的一种LED封装材料,其特征在于,所述紫外光吸收剂为紫外光吸收剂UV-9、紫外光吸收剂UV-531中的一种;所述紫外光稳定剂为光稳定剂744、光稳定剂GW-540中的一种。
5.根据权利要求1或2所述的一种LED封装材料,其特征在于,所述稀土氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化铷中的一种或几种;
所述偶联剂为乙烯基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种。
6.根据权利要求1或2所述的一种LED封装材料,其特征在于,所述加工助剂为固化剂、分散剂、流平剂、消泡剂、光扩散剂按重量比1.5:1:1:0.5:3组成的混合物;所述固化剂为二乙氨基丙胺;所述分散剂为聚羧酸铵盐、不饱和聚羧酸、改性高分子聚氨酯中的一种;所述流平剂为聚甲基硅氧烷、聚甲基本机硅氧烷中的一种;所述消泡剂为有机硅类消泡剂、丙烯酸类消泡剂中的一种;所述光扩散剂为有机硅微粉。
7.一种制备如权利要求1或2所述的LED封装材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一,将紫外光吸收剂、紫外光稳定剂、乙酰丙酮铝、抗氧剂、十溴二苯乙烷、氢氧化铝、石墨烯加入高速搅拌机中,在80-90℃下搅拌15-25分钟,搅拌转速150-250r/min,得到混合物溶液A;
步骤二,将碳化硅微粒、稀土氧化物、白炭黑、γ氧化铝混合加入高速粉碎机中粉碎,将粉碎后的混合物送入球磨机中研磨,过200目筛得到混合物B;
步骤三,将步骤二制得的混合物B加入步骤一制得的混合物溶液A中送入高速搅拌机中搅拌均匀,搅拌转速150-180r/min,搅拌时间3-5分钟,再加入酚醛环氧树脂、乙烯基硅油、苯基硅树脂、间苯二甲胺、异辛酸镁、纳米二氧化钛、偶联剂、加工助剂继续搅拌,搅拌转速400-500r/min,搅拌时间15-25分钟,再将混合物加入真空脱泡机中进行脱泡,脱泡时间为约3h,加入模具中进行固化,固化温度为约140℃-150℃,固化后冷却至室温,自然冷却后再次加热到140℃-150℃保持2h,以去除残余应力和易挥发性组份,自然冷却即得LED 封装材料。
8.根据权利要求7所述的一种LED封装材料的制备方法,其特征在于,所述步骤为:
步骤一,将紫外光吸收剂、紫外光稳定剂、乙酰丙酮铝、抗氧剂、十溴二苯乙烷、氢氧化铝、石墨烯加入高速搅拌机中,在85℃下搅拌20分钟,搅拌转速200r/min,得到混合物溶液A;
步骤二,将碳化硅微粒、稀土氧化物、白炭黑、γ氧化铝混合加入高速粉碎机中粉碎,将粉碎后的混合物送入球磨机中研磨,过200目筛得到混合物B;
步骤三,将步骤二制得的混合物B加入步骤一制得的混合物溶液A中送入高速搅拌机中搅拌均匀,搅拌转速160r/min,搅拌时间4分钟,再加入酚醛环氧树脂、乙烯基硅油、苯基硅树脂、间苯二甲胺、异辛酸镁、纳米二氧化钛、偶联剂、加工助剂继续搅拌,搅拌转速450r/min,搅拌时间20分钟,再将混合物加入真空脱泡机中进行脱泡,脱泡时间为约3h,加入模具中进行固化,固化温度为约145℃,固化后冷却至室温,自然冷却后再次加热到145℃保持2h,以去除残余应力和易挥发性组份,自然冷却即得到LED 封装材料。
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