CN107240605A - 一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 - Google Patents
一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107240605A CN107240605A CN201710485447.6A CN201710485447A CN107240605A CN 107240605 A CN107240605 A CN 107240605A CN 201710485447 A CN201710485447 A CN 201710485447A CN 107240605 A CN107240605 A CN 107240605A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gan
- aln
- layers
- mis
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 3
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0688—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions characterised by the particular shape of a junction between semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66431—Unipolar field-effect transistors with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法，所述HEMT器件的材料结构包括衬底以及依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。此外，本发明还公开了该HEMT器件的制备方法。本发明在GaN外延过程中在沟道层上插入AlN薄层，既作为势垒层对二维电子气进行限域，又作为后续工艺中的刻蚀缓冲层。通过AlN插入层降低和消除了等离子体刻蚀栅凹槽时对GaN表面的损伤，改善了GaN MIS界面的性能，从而起到减少了沟道电阻和总导通电阻的作用。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法。
背景技术
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表之一，与传统的半导体材料Si、GaAs相比，具有禁带宽度宽、击穿电场大、电子饱和漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点。特别是基于GaN材料的AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)结构具有更高的电子迁移率(高于1800cm2V-1s-1)和二维电子气(2DEG)面密度(约1013cm-2)，使得基于GaN材料器件在射频领域和电力电子领域都具有非常明显的优势。
作为增强型器件的一种，MIS沟道HEMT(MIS-channel HEMT)结合了MISFET的特性和HEMT的优势(当栅介质为SiO2时即为MOS沟道HEMT)，即具有优异的增强型性能，即MIS栅控制性能，又能在大部分区域保持HEMT的二维电子气高电导性能，成为当前的研究热点。但是，通常的MIS沟道HEMT器件，由于凹槽的刻蚀会在GaN表面引入缺陷，带来很大的问题，导致MIS栅界面态密度高和沟道迁移率非常低，使得MIS栅沟道的电阻成为HEMT器件的主要电阻部分。同时刻蚀的均匀性也很难控制，导致器件性能的一致性差。因此，一方面通过设计和工艺减少MIS栅的长度，另一方面改善工艺方法降低凹槽刻蚀对GaN表面的损伤，是改进当前MIS沟道HEMT器件性能和可靠性的重要方法。
发明内容
本发明为一种GaN MIS沟道HEMT器件。在GaN外延过程中在沟道层上插入AlN薄层，既作为势垒层对二维电子气进行限域，又作为后续工艺中的刻蚀缓冲层。通过AlN刻蚀缓冲层降低和消除了等离子体刻蚀栅凹槽时对GaN表面的损伤，改善了GaN MIS界面的性能，从而减少了沟道电阻和总导通电阻。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种GaN MIS沟道HEMT器件，所述HEMT器件的材料结构包括衬底以及依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。
进一步，所述AlN成核层的厚度为20-100nm；所述GaN缓冲层的厚度为1-5μm；所述GaN沟道层的厚度为50-1000nm；所述AlN插入层的厚度小于20nm；所述AlGaN势垒层的厚度为10-50nm；所述GaN帽层的厚度小于10nm。
进一步，所述衬底为SiC衬底、Si衬底、GaN衬底或Al2O3衬底的任一种。
一种制备GaN MIS沟道HEMT器件的方法，所述方法包括如下步骤：
1)在衬底材料上依次通过MOCVD方法原位生长AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；
2)使用传统工艺流程完成器件的隔离、源漏欧姆接触工艺后，进行栅槽的刻蚀；在凹槽的刻蚀过程中，在刻蚀接近AlGaN势垒层的底部时，选择AlN比AlGaN刻蚀选择比高的工艺条件继续刻蚀，确保晶圆上各凹槽中AlGaN已完全刻蚀干净，同时刻蚀掉部分AlN层，剩余部分AlN层；
3)用热磷酸进行腐蚀，以腐蚀掉晶圆上各凹槽中剩余部分的AlN层；
4)用稀释的HF酸和HCl酸进行表面处理，去除表面的氧化物；之后淀积栅介质层；
5)淀积栅金属，栅金属完成后淀积钝化介质层进行钝化保护，然后在每个原胞的源漏极进行一次刻孔，淀积金属在源漏极上，并形成源场板；
6)最后淀积第二钝化介质层，进行二次刻孔，在源、漏、栅电极压块处刻蚀出介质窗口，在介质窗口区域淀积厚的金属，并形成介质桥的互连；淀积第三钝化层或聚酰亚胺，对整个芯片表面进行保护，并刻蚀出电极压块处的窗口。
进一步，步骤3)中热磷酸进行腐蚀的腐蚀温度为160-210℃。
进一步，步骤4)栅介质层为SiO2、SiN或Al2O3。
本发明具有以下有益技术效果：
本发明在GaN外延过程中在沟道层上插入AlN薄层，既作为势垒层对二维电子气进行限域，又作为后续工艺中的刻蚀缓冲层。通过AlN插入层降低和消除了等离子体刻蚀栅凹槽时对GaN表面的损伤，改善了GaN MIS界面的性能，从而起到减少了沟道电阻和总导通电阻的作用。
附图说明
图1为本发明GaN MIS沟道HEMT器件材料结构示意图；
图2为本发明GaN MIS沟道HEMT器件制备过程中栅凹槽刻蚀后剩余部分AlN层的器件结构示意图；
图3为本发明GaN MIS沟道HEMT器件制备过程中完成栅凹槽后的器件结构示意图；
图4为本发明GaN MIS沟道HEMT器件制备过程中淀积栅介质层后的器件结构示意图；
图5为本发明GaN MIS沟道HEMT器件制备过程中完成源场板后的器件结构示意图。
具体实施方式
下面，参考附图，对本发明进行更全面的说明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本发明全面和完整，并将本发明的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
如图1所示，本发明提供了一种GaN MIS沟道HEMT器件，该HEMT器件的材料结构包括衬底1以及依次向上生长的AlN成核层2、GaN缓冲层3、GaN沟道层4、AlN插入层5、AlGaN势垒层6和GaN帽层7。本发明在GaN外延过程中在沟道层上插入AlN薄层，既作为势垒层对二维电子气10进行限域，又作为后续工艺中的刻蚀缓冲层。
AlN成核层2的厚度为20-100nm；GaN缓冲层3的厚度为1-5μm；GaN沟道层4的厚度为50-1000nm；AlN插入层5的厚度小于20nm；AlGaN势垒层6的厚度为10-50nm；GaN帽层7的厚度小于10nm。
衬底1为SiC衬底、Si衬底、GaN衬底或Al2O3衬底的任一种。
本发明还提供了一种制备GaN MIS沟道HEMT器件的方法，该方法包括如下步骤：
步骤1：在衬底材料上依次通过MOCVD方法原位生长AlN成核层2、GaN缓冲层3、GaN沟道层4、AlN插入层5、AlGaN势垒层6和GaN帽层7；
步骤2：如图2所示，与一般的工艺流程一样，在完成器件的隔离、源漏欧姆接触9的工艺后，进行栅槽8的刻蚀；用光刻胶作掩膜采用Cl基气氛直接刻蚀GaN，或者可以用SiO2作为掩膜，先刻蚀SiO2的图形。在凹槽的刻蚀过程中，在刻蚀接近AlGaN势垒层6的底部时，选择AlN比AlGaN刻蚀选择比高的工艺条件继续刻蚀，确保晶圆上各凹槽中AlGaN已完全刻蚀干净，同时刻蚀掉部分AlN层，剩余部分AlN层；由于AlGaN刻蚀一致性差，因此各凹槽中AlN剩余的厚度都是不同的。
步骤3：如图3所示，用热磷酸进行腐蚀腐蚀温度为160-210℃。由于MOCVD方法在GaN上长的AlN层质量不是非常好，同时又被等离子体进行了刻蚀，因此热磷酸能快速腐蚀AlN，但是不腐蚀GaN。AlN刻蚀缓冲层很好的保护了GaN的表面不受等离子体刻蚀的影响。
步骤4：如图4所示，腐蚀干净各凹槽中的AlN剩余薄层后，用稀释的HF酸和HCl酸进行表面处理，去除表面的氧化物。淀积栅介质层11，栅介质层11可以是SiO2、SiN、Al2O3等(当栅介质为SiO2时即为MOS沟道HEMT)，可以用CVD方法或ALD方法。栅介质层11的厚度在10-100nm之间，根据阈值电压和工作电压的要求而设计。
步骤5：如图5所示，淀积栅金属12，进行刻蚀。或者用光刻剥离的方法形成栅金属12。栅金属12可以是TiNiAu、TiPtAu、TiAl、Al等。栅金属12完成后淀积钝化介质层进行钝化保护，钝化介质可以是SiO2、SiN，或者是一层或多层等。然后在每个原胞的源漏极进行一次刻孔，淀积金属在源漏极上，图中13为漏极金属；并形成源场板14。同时金属也做在了芯片的源漏压块(PAD)处。源漏极上加厚的金属可以减少器件中各原胞互连的导通电阻。
步骤6：最后淀积第二钝化介质层，进行二次刻孔，在源、漏、栅电极压块处刻蚀出介质窗口，在介质窗口区域淀积厚的金属，并形成介质桥的互连；淀积第三钝化层或聚酰亚胺，对整个芯片表面进行保护，并刻蚀出电极压块处的窗口。
上面所述只是为了说明本发明，应该理解为本发明并不局限于以上实施例，符合本发明思想的各种变通形式均在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种GaN MIS沟道HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件的材料结构包括衬底以及依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。
2.根据权利要求1所述的GaN MIS沟道HEMT器件，其特征在于，所述AlN成核层的厚度为20-100nm；所述GaN缓冲层的厚度为1-5μm；所述GaN沟道层的厚度为50-1000nm；所述AlN插入层的厚度小于20nm；所述AlGaN势垒层的厚度为10-50nm；所述GaN帽层的厚度小于10nm。
3.根据权利要求1所述的GaN MIS沟道HEMT器件，其特征在于，所述衬底为SiC衬底、Si衬底、GaN衬底或Al2O3衬底的任一种。
4.一种制备权利要求1-3任一所述的GaN MIS沟道HEMT器件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
1)在衬底材料上依次通过MOCVD方法原位生长AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；
2)使用传统工艺流程完成器件的隔离、源漏欧姆接触工艺后，进行栅槽的刻蚀；在凹槽的刻蚀过程中，在刻蚀接近AlGaN势垒层的底部时，选择AlN比AlGaN刻蚀选择比高的工艺条件继续刻蚀，确保晶圆上各凹槽中AlGaN已完全刻蚀干净，同时刻蚀掉部分AlN层，剩余部分AlN层；
3)用热磷酸进行腐蚀，以腐蚀掉晶圆上各凹槽中剩余部分的AlN层；
4)用稀释的HF酸和HCl酸进行表面处理，去除表面的氧化物；之后淀积栅介质层；
5)淀积栅金属，栅金属完成后淀积钝化介质层进行钝化保护，然后在每个原胞的源漏极进行一次刻孔，淀积金属在源漏极上，并形成源场板；
6)最后淀积第二钝化介质层，进行二次刻孔，在源、漏、栅电极压块处刻蚀出介质窗口，在介质窗口区域淀积厚的金属，并形成介质桥的互连；淀积第三钝化层或聚酰亚胺，对整个芯片表面进行保护，并刻蚀出电极压块处的窗口。
5.根据权利权利要求4所述的GaN MIS沟道HEMT器件的制备方法，其特征在于，步骤3)中热磷酸进行腐蚀的腐蚀温度为160-210℃。
6.根据权利权利要求4所述的GaN MIS沟道HEMT器件的制备方法，其特征在于，步骤4)栅介质层为SiO2、SiN或Al2O3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710485447.6A CN107240605A (zh) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710485447.6A CN107240605A (zh) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107240605A true CN107240605A (zh) | 2017-10-10 |
Family
ID=59987834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710485447.6A Withdrawn CN107240605A (zh) | 2017-06-23 | 2017-06-23 | 一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107240605A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110767746A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-02-07 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种在位生长介质层作为帽层的hemt结构及其制作方法 |
| CN110828292A (zh) * | 2018-08-13 | 2020-02-21 | 西安电子科技大学 | 基于复合衬底的半导体器件及其制备方法 |
| CN111048471A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-04-21 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | n沟道和p沟道增强型GaN器件集成结构的制备方法 |
| CN113035938A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-25 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 多栅GaN器件及制备方法 |
| CN113948391A (zh) * | 2021-08-30 | 2022-01-18 | 西安电子科技大学 | 一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法 |
| CN113990950A (zh) * | 2020-12-01 | 2022-01-28 | 深圳市晶相技术有限公司 | 一种半导体器件及其应用与制造方法 |
| CN114975101A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-08-30 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种GaN器件及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102034859A (zh) * | 2009-10-02 | 2011-04-27 | 富士通株式会社 | 化合物半导体装置及其制造方法 |
| US20110121314A1 (en) * | 2007-09-17 | 2011-05-26 | Transphorm Inc. | Enhancement mode gallium nitride power devices |
| CN102473720A (zh) * | 2009-07-13 | 2012-05-23 | 康奈尔大学 | 高性能功率开关 |
| CN105448966A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-03-30 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 场效应功率晶体管的金属化结构 |
| CN106229345A (zh) * | 2016-09-08 | 2016-12-14 | 西安电子科技大学 | 叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管及制作方法 |
| CN207068860U (zh) * | 2017-06-23 | 2018-03-02 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种GaN MIS沟道HEMT器件 |
-
2017
- 2017-06-23 CN CN201710485447.6A patent/CN107240605A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110121314A1 (en) * | 2007-09-17 | 2011-05-26 | Transphorm Inc. | Enhancement mode gallium nitride power devices |
| CN102473720A (zh) * | 2009-07-13 | 2012-05-23 | 康奈尔大学 | 高性能功率开关 |
| CN102034859A (zh) * | 2009-10-02 | 2011-04-27 | 富士通株式会社 | 化合物半导体装置及其制造方法 |
| CN105448966A (zh) * | 2014-09-18 | 2016-03-30 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 场效应功率晶体管的金属化结构 |
| CN106229345A (zh) * | 2016-09-08 | 2016-12-14 | 西安电子科技大学 | 叠层栅介质GaN基绝缘栅高电子迁移率晶体管及制作方法 |
| CN207068860U (zh) * | 2017-06-23 | 2018-03-02 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种GaN MIS沟道HEMT器件 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110828292A (zh) * | 2018-08-13 | 2020-02-21 | 西安电子科技大学 | 基于复合衬底的半导体器件及其制备方法 |
| CN110767746A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-02-07 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种在位生长介质层作为帽层的hemt结构及其制作方法 |
| CN111048471A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-04-21 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | n沟道和p沟道增强型GaN器件集成结构的制备方法 |
| CN113990950A (zh) * | 2020-12-01 | 2022-01-28 | 深圳市晶相技术有限公司 | 一种半导体器件及其应用与制造方法 |
| CN113035938A (zh) * | 2021-03-12 | 2021-06-25 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 多栅GaN器件及制备方法 |
| CN113948391A (zh) * | 2021-08-30 | 2022-01-18 | 西安电子科技大学 | 一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法 |
| CN113948391B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-11-21 | 西安电子科技大学 | 一种硅基AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法 |
| CN114975101A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-08-30 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种GaN器件及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107240605A (zh) | 一种GaN MIS沟道HEMT器件及制备方法 | |
| CN110034186B (zh) | 基于复合势垒层结构的iii族氮化物增强型hemt及其制作方法 | |
| WO2020221222A1 (zh) | 一种高阈值电压常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法 | |
| CN102629624B (zh) | 基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法 | |
| CN103681835B (zh) | 具有多个栅极电介质层的异质结构晶体管 | |
| CN105355555A (zh) | 一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法 | |
| CN102097483B (zh) | GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法 | |
| JP2021526308A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| CN102916046B (zh) | 硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法 | |
| CN102386223A (zh) | GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件及制备方法 | |
| CN108305834A (zh) | 一种增强型氮化镓场效应器件的制备方法 | |
| CN102683406B (zh) | GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 | |
| CN104022151B (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JP2008010526A (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
| CN108417493A (zh) | 基于氧化自停止技术的p型栅增强型晶体管及其制备方法 | |
| CN102637726A (zh) | MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法 | |
| CN108365008A (zh) | 具p型二维材料栅极增强型氮化镓场效应器件的制备方法 | |
| CN108666359A (zh) | 一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法 | |
| CN106711212A (zh) | 基于Si衬底AlGaN/GaN异质结基的增强型HEMT器件及其制造方法 | |
| CN106783945A (zh) | 一种GaN基增强型电子器件的材料结构 | |
| CN207068860U (zh) | 一种GaN MIS沟道HEMT器件 | |
| CN106531789A (zh) | 通过极性控制实现增强型hemt的方法及增强型hemt | |
| JP4869563B2 (ja) | 窒化物半導体装置及びその製造方法 | |
| CN102646705A (zh) | MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法 | |
| CN106298904A (zh) | 带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20210422 Address after: Tonghui trunk road 100176 Beijing city Daxing District economic and Technological Development Zone No. 17 hospital Applicant after: BEIJING CENTURY GOLDRAY SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. Address before: Tonghui trunk road 100176 Beijing city Daxing District economic and Technological Development Zone No. 17 hospital Applicant before: BEIJING HUAJINCHUANGWEI ELECTRONICS Co.,Ltd. |
|
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20171010 |