CN107196023A - 框架结构方式的同轴滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种框架结构方式的同轴滤波器(1)，其具有至少一个由能导电的介质制成的滤波器框架(2)和容纳空间(3)。盖装置从所有的侧封闭所述容纳空间(3)。至少一个第一内谐振导体(7a)设置在所述容纳空间(3)中。所述至少一个第一内谐振导体(7a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的一侧电连接并且从该侧朝向能导电的滤波器框架(2)的尤其是对置的另一侧延伸并且间隔开距离地在该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧前结束和/或与该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧电分离。

Description

框架结构方式的同轴滤波器

技术领域

本发明涉及一种框架结构方式的同轴滤波器。

背景技术

滤波器在通信技术和高频技术中总在仅应该进一步处理信号的确定频率部分时使用。除高通滤波器或低通滤波器外还有带通滤波器或带阻滤波器。滤波器不仅可以数字地实现，而且可以借助离散的结构元件构造。所述滤波器在此构造在电路板上或构造为铣削或浇铸的空腔结构形式的同轴滤波器。同轴结构方式的滤波器通常用压铸方法制成，其中，可以借助附加的可旋入的调谐元件进行精调。

这种滤波器例如从DE 10 2004 010 683 B3中已知。然而，这样的滤波器具有如下缺点，即结构体积、尤其是高度较大。这在一些应用领域中导致问题。

发明内容

因此，本发明的任务在于，提供一种框架结构方式的同轴滤波器，其功率与结构体积的比例得到改进。所述滤波器也应该可以尽可能简单地且低成本地构造。

该任务根据独立权利要求1来解决。有利地，在从属权利要求中包含进一步改进方案。

按照本发明的框架结构方式的同轴滤波器包括至少一个滤波器框架，所述滤波器框架由能导电的介质制成并且具有容纳空间，其中，所述容纳空间设置在所述至少一个能导电的滤波器框架内。此外设有盖装置，所述盖装置设置在所述至少一个滤波器框架的两个对置的侧上，使得该容纳空间从所有的侧至少主要是封闭的。例如在连接衬套的区域中可能产生例外情况。至少一个第一内谐振导体设置在该容纳空间中。所述至少一个第一内谐振导体与所述至少一个能导电的滤波器框架的一侧电连接(电流连接)并且从该侧朝向该能导电的滤波器框架的尤其是对置的另一侧延伸并且间隔开距离地在该能导电的滤波器框架的对置的侧前结束和/或与该能导电的滤波器框架的对置的侧电分离。

特别有利的是，同轴滤波器以框架结构方式构造，从而实现非常小的结构高度。这意味着，当取出盖装置时，人们可以在高频滤波器的俯视图中穿过该高频滤波器观察。所述同轴滤波器在此可以用铸造方法、尤其是用(铝或锌)(压)铸造方法制造。这样的同轴滤波器可以尤其用于5至20瓦特的功率。功率也可以更低或更高。滤波器框架连同分离接片以及内谐振导体优选一体式构造。多件式的构型也可以是可能的。滤波器框架也可以连同其内谐振导体由塑料生产，其中，然后必须给内谐振导体设置能导电的层。

在按照本发明的同轴滤波器的一种进一步改进方案中，所述同轴滤波器具有至少一个能导电的分离接片，所述分离接片在所述至少一个滤波器框架的第一侧上伸出并且与该滤波器框架导电地连接并且伸到容纳空间中并且朝向所述至少一个滤波器框架的第二侧延伸并且在那里在与所述第二侧构成开口的情况下结束，从而容纳空间被分为至少一个第一容纳腔室和至少一个第二容纳腔室以及连接这两容纳腔室的所述开口。所述至少一个第一内谐振导体设置在容纳空间的所述至少一个第一容纳腔室中。在此，所述至少一个第一内谐振导体或者与所述至少一个能导电的滤波器框架的第三侧电连接或者与所述能导电的分离接片的第一侧电连接并且从那里或朝向分离接片或朝向滤波器框架延伸并且间隔开距离地在分离接片或滤波器框架前结束并且与所述分离接片或滤波器框架电分离。相同的内容也适用于第二内谐振导体，所述第二内谐振导体设置在容纳空间的第二容纳腔室中。

所述同轴滤波器尤其是具有第一耦合输入和/或耦合输出装置和/或至少一个第二耦合输入和/或耦合输出装置，所述耦合输入和/或耦合输出装置从外部优选经由所述至少一个滤波器框架的第一侧分别进入到第一容纳腔室和第二容纳腔室中并且在那里分别对相应的第一内谐振导体和第二内谐振导体产生主要电容性的或主要电感性的耦合。也可能的是，相对于所述第一耦合输入和/或耦合输出装置或第二耦合输入和/或耦合输出装置设有第三耦合输入和/或耦合输出装置，其中，所述第三耦合输入和/或耦合输出装置优选设置在与第一侧对置的第二侧上。该第三耦合输入和/或耦合输出装置便可以在第一容纳腔室或第二容纳腔室中对第一内谐振导体和/或第二内谐振导体产生主要电容性的或主要电感性的耦合，其中，在相应容纳腔室中的所述内谐振导体设置成最靠近所述第三耦合输入和/或耦合输出装置。第三耦合输入和/或耦合输出装置在此优选穿过开口。各所述耦合输入和/或耦合输出装置也可以设置在第三侧或第四侧上。

在按照本发明的同轴滤波器的一种进一步改进方案中，所述至少一个第一内谐振导体的不与滤波器框架或所述至少一个分离接片电连接的端部具有朝向滤波器框架的第一侧和/或第二侧的延长区段，从而所述至少一个第一内谐振导体在俯视图中构造成L形或T形的。所述延长区段优选仅平行于滤波器框架的第三侧或第四侧或平行于分离接片延伸。所述延长区段也可以相对于所述滤波器框架的第三侧或第四侧倾斜地延伸。相同的内容也适用于所述至少一个第二内谐振导体。所述第二内谐振导体也可以具有这样的延长区段。由此，相应的内谐振导体的电有效长度增大。同时，电容性的耦合也在内谐振导体经由延长区段直至滤波器框架或分离接片之间增大。

所有第一内谐振导体或所有第二内谐振导体的延长区段可以在此均指向相同的方向。所有第一内谐振导体或所有第二内谐振导体也可以彼此不同地定向。

为了提高两个相邻的内谐振导体之间的电感性耦合，所述两个相邻的内谐振导体可以通过耦合接片电连接。所述耦合接片可以一方面与滤波器框架以及另一方面与分离接片间隔开距离地设置。不过，所述耦合接片应该设置在内谐振导体的端部上，在该端部上所述内谐振导体与滤波器框架或分离接片电连接。所述耦合接片也可以在其朝向滤波器框架或分离接片的侧上与所述滤波器框架或分离接片电连接。优选地，两个相邻的第一内谐振导体通过第一耦合接片互相电连接，其中，所述第一耦合接片设置成与滤波器框架间隔开距离并且与所述至少一个分离接片间隔开距离，或在其朝向滤波器框架或所述至少一个分离接片的侧上与滤波器框架或与所述至少一个分离接片电连接；和/或两个相邻的第二内谐振导体通过第二耦合接片互相电连接，其中，所述第二耦合接片设置成与滤波器框架间隔开距离并且与所述至少一个分离接片间隔开距离，或在其朝向滤波器框架或所述至少一个分离接片的侧上与滤波器框架或与所述至少一个分离接片电连接。

此外，在按照本发明的同轴滤波器的一种进一步改进方案中，在两个不相邻的或在信号传输路径上不相继的内谐振导体之间设有至少一个电容性的和/或电感性的过耦合装置。这样的过耦合装置优选设置在内谐振导体与盖装置之间的间距范围中。所述两个内谐振导体之间的电感性过耦合装置与其他(位于其下面的)内谐振导体及与盖装置间隔开距离。电容性的过耦合装置与所有的内谐振导体以及与盖装置间隔开距离。电容性的过耦合装置优选在要耦合的内谐振导体上具有比在其他内谐振导体中的情况更大的面积。

在按照本发明的同轴滤波器的另一种进一步改进方案中，所述同轴滤波器具有多个彼此相叠设置的滤波器框架。盖装置在此向外关闭外部的滤波器框架并且具有至少一个中间盖。分别至少一个中间盖分别设置在两个滤波器框架之间并且将所述两个滤波器框架彼此隔开。然而，中间盖具有至少一个耦合开口，从而在不同滤波器框架的至少两个内谐振导体之间进行耦合。由此可以进行串联或可以延长各个滤波路径。

附图说明

接下来参考附图示例性地描述本发明的不同实施例。相同的主题具有相同的附图标记。附图的对应的图详细示出：

图1A至15B示出：按照本发明的框架结构方式的同轴滤波器的不同实施例或按照本发明的同轴滤波器的不同纵剖视图；

图16示出：按照本发明的同轴滤波器的一种实施例，该实施例示出多个彼此相叠设置并且通过盖装置的中间盖互相分隔开的滤波器框架；以及

图17至18B示出：按照本发明的框架结构方式的同轴滤波器的其他实施例。

具体实施方式

图1A示出按照本发明的框架结构方式的同轴滤波器1的空间示图，其中，盖装置已取下。图1B示出图1A中的按照本发明的同轴滤波器1沿纵向方向的平行于取下的盖装置延伸的剖视图。所述同轴滤波器1的主要组成部分是至少一个滤波器框架2，所述滤波器框架由能导电的材料制成并且具有容纳空间3，其中，容纳空间3设置在所述至少一个能导电的滤波器框架2内，从而所述至少一个能导电的滤波器框架2构成容纳空间3的边缘。所述滤波器框架2在俯视图中优选是矩形的或正方形的或至少接近该造型。

未示出的盖装置封闭敞开的端部，即封闭所述至少一个滤波器框架2的彼此对置的宽侧。在图1A中，所述盖装置在上方以及在下方封闭所述滤波器框架2。所述盖装置可以由一个或多个盖组成。优选地，所述盖装置具有至少两个外部盖22、23。这样的第一外部盖22和第二外部盖23在图13中示出。此外，所述盖装置可以具有至少一个中间盖20，如尤其是在图14中可见该中间盖。

第一外部盖22放置在滤波器框架2的向上指向或在向前指向的侧2a上。所述第一外部盖与滤波器框架2电连接。所述第二外部盖23放置在滤波器框架2的向下指向或向后指向的侧2b上并且与所述滤波器框架电连接。所述两个侧2a和2b彼此平行地延伸。

在图1A和1B中示出至少一个能导电的分离接片4，所述分离接片在所述至少一个滤波器框架2的第一侧5a上伸出并且与该滤波器框架导电地连接。所述至少一个分离接片4与滤波器框架2一体式地构造并且伸到容纳空间3中。所述至少一个分离接片4朝向与第一侧5a对置的第二侧5b延伸并且在那里在构成开口6的情况下结束。由此，所述容纳空间3被分为至少一个第一容纳腔室3a和至少一个第二容纳腔室3b以及连接所述两容纳腔室3a、3b的开口6。至少一个第一内谐振导体7a设置在容纳空间3的所述至少一个第一容纳腔室3a中。所述至少一个第一内谐振导体7a在图1A内与能导电的分离接片4的第一侧4a电连接并且从该分离接片朝向能导电的滤波器框架2的第三侧5c延伸并且间隔开距离地在能导电的滤波器框架2前结束。也可能的是，所述至少一个第一内谐振导体7a具有电绝缘的涂层，从而所述内谐振导体与能导电的滤波器框架2电分离。经由所述至少一个第一内谐振导体7a与滤波器框架2的第三侧5c之间的距离大小可以调节从第一内谐振导体7a直至滤波器框架2的电容性耦合。然而，该距离小于、尤其是以多倍小于第一内谐振导体7a的长度(从分离接片4朝向滤波器框架2的延伸尺寸)。

分离接片4优选具有与滤波器框架2相同的高度H。这意味着，不仅第一外部盖22、而且第二外部盖23放置在滤波器框架2上以及在分离接片4上并且与二者电连接。所述第一和第二外部盖在此优选放置在滤波器框架2的整个第一侧2a和第二侧2b上或在分离接片4的整个长度上。相同的内容也适用于如在图16中示出的中间盖20。

在图14A和14B中示出，分离接片4在俯视图中构造成U形的并且具有外部空间30，所述外部空间与容纳空间3或者说第一容纳腔室3a和第二容纳腔室3b分隔开并且从同轴滤波器1外部是可接近的。这意味着，分离接片4具有两个较长的彼此间隔开距离的侧壁，所述侧壁通过一较短的侧壁互相连接。也可能的是，所述至少一个分离接片4具有中间空间。在该情况下，滤波器框架2的侧周壁始终是封闭的并且构造成矩形的。分离接片4因此实施成至少部分空心的。

图15A和15B示出没有使用分离接片4的一种实施例。同样构造有不同的第一内谐振导体7a。所述至少一个第一内谐振导体7a与所述至少一个能导电的滤波器框架2的一侧电连接并且从该侧朝向该能导电的滤波器框架2的尤其是对置的另一侧延伸并且间隔开距离地在该能导电的滤波器框架2的对置的侧前结束和/或与该能导电的滤波器框架2的对置的侧电分离。按照本发明的同轴滤波器1具有第三耦合输入和/或耦合输出装置8c，所述第三耦合输入和/或耦合输出装置设置在所述至少一个滤波器框架2的第二侧5b上并且具有主要电容性的或主要电感性的耦合。在图15A中，对在第一容纳腔室3a中的设置成最靠近第二侧5b的那个第一内谐振导体7a进行主要电感性的耦合。

在图1A中有三个第一内谐振导体7a。然而也可以构造有更少或明显更多的第一内谐振导体7a。

此外，图1A和1B中的同轴滤波器1具有至少一个第二内谐振导体7b。所述第二内谐振导体7b在图1A中与能导电的分离接片4的第二侧4b电连接并且从该分离接片朝向能导电的滤波器框架2的第四侧5d延伸并且同样间隔开距离地在能导电的滤波器框架2前结束和/或与该滤波器框架电分离。在此适用与已经对于第一内谐振导体7a所作的说明相同的说明。

所述内谐振导体7a、7b优选具有比所述滤波器框架2小的高度H。这意味着，所述盖装置以其外部盖22、23以及必要时其中间盖20与内谐振导体7a、7b间隔开距离并且不放置到所述内谐振导体上。

滤波器框架2的第一侧5a平行于滤波器框架2的第二侧5b延伸。滤波器框架2的第三侧5c平行于滤波器框架2的第四侧5d延伸。滤波器框架2的第三侧5c和第四侧5d相对于滤波器框架2的第一侧5a和第二侧5b成直角地延伸。

鉴于图1B可看出，所述至少一个分离接片4与所述内谐振导体7a、7b一体式构造。相同的内容也适用于所述至少一个分离接片4和所述滤波器框架2。

就此而言参阅图3A和3B。图3A同样示出同轴滤波器1的另一种实施例的空间示图，而图3B示出图3A中的实施例沿纵轴线的剖视图。在图3A中，所述至少一个第一内谐振导体7a与所述至少一个能导电的滤波器框架2的第三侧5c电连接并且从该滤波器框架朝向能导电的分离接片4的第一侧4a延伸并且间隔开距离地在能导电的分离接片4前结束和/或与能导电的分离接片4电分离。相同的内容也适用于第二内谐振导体7b。所述第二内谐振导体与所述至少一个能导电的滤波器框架2的第四侧5d电连接并且从该滤波器框架朝向能导电的分离接片4的第二侧4b延伸并且间隔开距离地在分离接片4前结束和/或与分离接片4电分离。

优选适用的是：所述至少一个第一内谐振导体7a设置在容纳空间3的所述至少一个第一容纳腔室3a中，而所述至少一个第二内谐振导体7b设置在容纳空间3的所述至少一个第二容纳腔室3b中。

此外适用的是：所述内谐振导体7a、7b、所述至少一个分离接片4以及相应的滤波器框架2一体式构造。优选借助铸造方法、尤其是压铸方法、例如是铝压铸方法进行制造。然而也可能的是，按照本发明的同轴滤波器1借助铣削工艺制造。

图2A中的同轴滤波器1具有第一内谐振导体7a，所述第一内谐振导体与能导电的分离接片4的第一侧4a电连接并且从该分离接片朝向滤波器框架2的第三侧5c延伸并且间隔开距离地在滤波器框架2前结束。而第二内谐振导体7b与滤波器框架2的第四侧5d电连接并且从该滤波器框架朝向能导电的分离接片4的第二侧4b延伸并且间隔开距离地在能导电的分离接片4前结束。也可能的是，所述至少一个第一内谐振导体7a与滤波器框架2的第三侧5c连接，而第二内谐振导体7b与分离接片4的第二侧4b连接。图2B示出图2A中的同轴滤波器1的相应的纵剖视图，更确切地说在平行于取下的盖装置的剖切面中的纵剖视图。

也可设想，所述第一内谐振导体7a和第二内谐振导体7b中的几个内谐振导体交替地分别与滤波器框架2和分离接片4的对应的侧连接。

此外，同轴滤波器1具有第一耦合输入和/或耦合输出装置8a，所述第一耦合输入和/或耦合输出装置设置在所述至少一个滤波器框架2的第一侧5a上并且对在第一容纳腔室3a中设置成最靠近第一侧5a的第一内谐振导体7a产生主要电容性的或主要电感性的耦合。在图1A中涉及电感性的耦合。

此外，同轴滤波器1具有至少一个第二耦合输入和/或耦合输出装置8b，所述第二耦合输入和/或耦合输出装置设置在所述至少一个滤波器框架2的第一侧5a上并且对在第二容纳腔室3b中设置成最靠近第一侧5a的那个第二内谐振导体7b产生主要电容性的或主要电感性的耦合。每个耦合输入和/或耦合输出装置8a、8b优选仅仅与仅一个内谐振导体7a、7b直接耦合。

在示出按照本发明的同轴滤波器1的另一种实施例的图17中，可得出第三耦合输入和/或耦合输出装置8c，所述第三耦合输入和/或耦合输出装置设置在所述至少一个滤波器框架2的第二侧5b上并且具有主要电容性的或主要电感性的耦合。在图17中，对在第一容纳腔室3a中的设置成最靠近第二侧5b的那个第一内谐振导体7a进行主要电感性的耦合。同时，同样对在第二容纳腔室3b中设置成最靠近第二侧5b的那个内谐振导体7b进行主要电感性的耦合。也可能的是，所述第三耦合输入和/或耦合输出装置8c仅对一个内谐振导体7a、7b产生电容性的或电感性的耦合。第三耦合输入和/或耦合输出装置8c延伸穿过开口6。

在图1A中，所述至少一个分离接片4在中央延伸穿过所述滤波器框架2。然而，所述分离接片也可以偏心地延伸穿过滤波器框架2，从而在该情况下所述两个容纳腔室3a、3b是不一样大的。

所述至少一个分离接片4的偏心的走向尤其是如下的情况：所述同轴滤波器还具有m个其他分离接片4，其中m≥1，这些分离接片将容纳空间3分成m个其他容纳腔室3a、3b，其中，所述m个其他容纳腔室3a、3b具有至少各一个其他内谐振导体7a、7b。在该情况下，所述m个其他分离接片4可以交替地在所述至少一个滤波器框架2的第一侧5a和第二侧5b上导电地连接，从而各个容纳腔室3a、3b波纹形地互相连接。由此能够提高滤波路径的长度。所述其他分离接片4也可以都在所述至少一个滤波器框架2的第一侧5a上与该滤波器框架导电地连接并且伸入到容纳空间3中并且朝向第二侧5b延伸并且在那里在所述第二侧上构成开口6的情况下结束。在该情况下有多个滤波路径，其中，优选每个滤波路径具有自己的耦合输入和/或耦合输出装置8a、8b，所述耦合输入和/或耦合输出装置设置在所述滤波器框架2的第一侧5a上。

所述至少一个第一内谐振导体7a正如所述至少一个第二内谐振导体7b那样唯一地在一个位置上与滤波器框架2或分离接片4连接。所述一个位置也称作足点。因此，所述至少一个第一内谐振导体7a与所述至少一个第二内谐振导体7b同样少地与所述盖装置连接。这意味着，所述至少一个第一内谐振导体7a和所述至少一个第二内谐振导体7b具有比滤波器框架2低的高度，从而所述第一和第二内谐振导体与所述盖装置以预定的值间隔开距离。该距离优选小于内谐振导体7a、7b的真正厚度。这优选适用于所有内谐振导体7a、7b。

在图1A中，所述分离接片4与滤波器框架2的第二侧5b完全间隔开距离。由此形成开口6。在图12中，所述至少一个分离接片4至少部分地与滤波器框架2的第二侧5b电连接，其中，该分离接片4在至滤波器框架2第二侧5b的过渡部上具有的高度比滤波器框架2直至未示出的盖装置的高度小，从而形成开口6。分离接片4在此具有隆起或空隙部，通过所述隆起或空隙部形成开口6。

为了增大内谐振导体7a、7b的电有效长度，鉴于图1A，所述至少一个第一内谐振导体7a的第二端部以延长区段9a朝向滤波器框架2的第二侧5b补充或延长，所述第二端部与所述第一端部(该第一端部形成所述足点)对置。由此，所述第一内谐振导体7a在俯视图中具有“L”的形状。相同的内容也适用于第二内谐振导体7b。所述第二内谐振导体也具有延长区段9b，该延长区段朝向滤波器框架2的第二侧5b延伸。也可能的是，所述第一内谐振导体7a的延长区段9a或第二内谐振导体7b的延长区段9b朝向滤波器框架2的第一侧5a延伸。所述延长区段9a、9b也可以不仅朝向滤波器框架2的第一侧5a、而且朝向滤波器框架2的第二侧5b延伸。在该情况下，相应的内谐振导体7a、7b在俯视图中是T形的。由此实现直至滤波器框架2或鉴于图3直至分离接片4的较大的表面，从而增强电容性的耦合。

鉴于图1A，所述两个内谐振导体7a、7b的两个延长区段9a、9b指向相同的方向，并且在该情况下指向滤波器框架2的第二侧5b的方向。所述两个延长区段二者也可以指向滤波器框架2的第一侧5a的方向。

延长区段9a、9b优选以直角远离相应的内谐振导体7a、7b延伸。

延长区段9a、9b优选与相应的内谐振导体7a、7b一样宽。所述延长区段也可以更窄或更宽。

所述延长区段9a、9b优选比相应的内谐振导体7a、7b短。所述延长区段在此优选比相应内谐振导体7a、7b短多于一半。

设置成最靠近滤波器框架第二侧5b的内谐振导体7a、7b的延长区段9a、9b的端部伸出超过所述至少一个分离接片4的端部。所述两个内谐振导体7a、7b的两个延长区段9a、9b因此通过开口6互相直接通视，从而实现耦合。

至少一个、优选所有延长区段9a、9b仅平行于滤波器框架2的第三侧5c或第四侧5d延伸。所述延长区段也可以相对于滤波器框架2的第三侧5c或第四侧5d倾斜地延伸。一内谐振导体7a、7b的两个端部优选同样厚并且进一步优选同样远地与盖装置的包围所述端部的盖间隔开距离。

容纳腔室3a的各个内谐振导体7a彼此之间的距离优选同样大。相同的内容也适用于在第二容纳腔室3b中的第二内谐振导体7b彼此之间的距离。各个内谐振导体7a、7b彼此之间的距离也可能变化。

在图4A中以及在图4B中与此有关的纵剖视图中，第一内谐振导体7a的延长区段9a并不是所有都指向相同的方向，即例如朝向滤波器框架2的第二侧5b。在图4A中，两个相邻的第一内谐振导体7a的两个延长区段9a相向指向。两个延长区段9a之间的距离优选小于相应内谐振导体直至滤波器框架2的距离。然而，该距离也可以一样大或更大。

相同的内容也适用于第二内谐振导体7b的延长区段9b。在图5A和5B中，第一内谐振导体7a的所有延长区段9a指向相同的方向，在该情况下指向滤波器框架2的第二侧5b的方向，而第二内谐振导体7b的所有延长区段9b指向相反的方向，即这里指向滤波器框架2的第一侧5a的方向。

在图10中示出在两个相邻的第一内谐振导体7a之间增强的电感性的耦合。为此使用第一耦合接片10a，所述第一耦合接片将两个相邻的内谐振导体7a彼此电连接。第一耦合接片10a以其朝向所述至少一个分离接片4的侧与所述至少一个分离接片4电连接(一体式构造)。所述电感性的耦合当在相应内谐振导体7a的足点上进行连接时最强。此外，在图10中示出在两个相邻的第二内谐振导体7b之间的电感性的耦合。嵌入的第二耦合接片10b与滤波器框架2间隔开距离地以及与所述至少一个分离接片4间隔开距离地设置。通过第二耦合接片10b的电感性耦合小于通过第一耦合接片10a的电感性耦合，因为所述第二耦合接片距离相应的内谐振导体7b的足点更远。第二耦合接片10b也与第二内谐振导体7b一体式构造。备选地，第一和第二耦合接片10a、10b可以与滤波器框架2间隔开距离并且与所述至少一个分离接片4间隔开距离。备选地，第一和第二耦合接片10a、10b可以在其朝向滤波器框架2或所述至少一个分离接片4的侧上与滤波器框架2或与所述至少一个分离接片4电连接。

第一耦合接片10a和第二耦合接片10b分别安装在相邻的第一内谐振导体7a和第二内谐振导体7b的侧面上，所述内谐振导体设置成平行于滤波器框架2的第一侧5a和第二侧5b。耦合接片10a、10b优选安装在内谐振导体7a、7b的长度的第一半中。第一半从内谐振导体7a、7b的足点开始。

在图11中示出在设置成最靠近滤波器框架2第二侧5b的两个内谐振导体7a、7b之间的电感性耦合。在此，经由开口6利用过耦合棒17实现电感性的耦合。所述过耦合棒17可以与所述两个内谐振导体7a、7b钎焊。也可设想所述过耦合棒17与所述两个内谐振导体7a、7b的一件式的构造。

为了调节两个相邻的内谐振导体7a、7b之间的耦合，使用分离隔板或分离壁11a、11b。图9示出，在两个相邻的第一内谐振导体7a之间设有至少一个第一分离隔板11a(也称为第一分离壁)，以便减少所述两个第一内谐振导体7a的耦合。在该情况下，所述至少一个第一分离隔板11a与所述至少一个分离接片4的第一侧4a电连接并且以确定的长度伸入到第一容纳腔室3a中。同样可能的是，所述第一分离隔板11a与滤波器框架2的第三侧5c电连接并且从那里出发伸入到第一容纳腔室3a中。第一分离隔板11a也可以设置在未示出的盖装置上。

同样地构造有第二分离隔板11b(也称为第二分离壁)，所述第二分离隔板设置在两个相邻的第二内谐振导体7b之间。与对于第一分离隔板11a相同的说明适用于所述第二分离隔板。

分离隔板11a、11b优选与分离接片4以及滤波器框架2一样高。在邻接盖装置时，所述分离隔板优选接触所述盖装置。所述分离隔板因此在其对置的侧上优选与相应放置的盖装置(例如外部盖22、23或中间盖20)电连接。

所述分离隔板11a、11b也可以由两个部件组成，其中，两个部件从两个对置的侧5c、4a朝向中间收尾并且在彼此构成间隙的情况下结束。所述两个部件因此优选正对着地对置。分离隔板11a、11b以及分离接片4或滤波器框架2优选一体式构造。

在图8中示出在同一个容纳腔室3a中两个内谐振导体7a之间的至少一个电容性过耦合装置15。所述电容性过耦合装置由过耦合元件15形成，所述过耦合元件具有至少两个互相机械和电连接的电容性耦合面15a、15b，其中，每个所述电容性耦合面15a、15b间隔开距离地设置在所述两个内谐振导体7a之一与盖装置之间。所述过耦合元件15与内谐振导体7a、所述至少一个分离接片4以及滤波器框架2电分离。过耦合元件15因此优选通过电介质保持并且由此与上面提到的元件间隔开距离。所述过耦合元件15通过电介质电分离地放置在第一内谐振导体7a上。

在图8中，所述过耦合元件15仅在第一容纳腔室3a中延伸。也可能的是，所述过耦合元件仅在第二容纳腔室3b中延伸。过耦合元件15的电容性耦合面15a、15b优选贴靠在内谐振导体7a的延长区段9a上方。所述耦合面应该通过该贴靠尽可能地远离相应第一内谐振导体7a的足点。所述电容性的耦合面15a、15b因此优选更多地设置在第一内谐振导体7a的如下端部上，该端部不与分离接片4或滤波器框架2电连接，即与所述分离接片或滤波器框架最远地间隔开距离。相同的内容也适用于位于第二容纳腔室3b中的过耦合元件15。

在图7C中，过耦合元件15从第一容纳腔室3a经由另一个空隙部16延伸到第二容纳腔室3b中，所述另一个空隙部构造在所述至少一个分离接片4中。在图7A中可以看到所述空隙部16。

过耦合元件15优选以相同的部件设置在第一容纳腔室3a以及第二容纳腔室3b中。所述耦合面15a、15b分别指向相同的方向并且优选指向延长区段9a、9b也指向的方向。过耦合元件15在图7C中与分离接片4电分离。空隙部16完全由电介质封闭，该电介质在确定的长度上完全包围过耦合元件15。在该情况下，所述过耦合元件15涉及一个接片，所述接片在两个端部具有优选相对于接片走向成直角延伸的耦合面15a、15b。所述耦合面优选比所述接片宽。所述接片自身优选完全由电介质沿确定的长度包围。通过该电介质进行直至盖装置或者说分离接片4或所述第一内谐振导体7a或第二内谐振导体7b的电分离。

在图7B中，所述接片具有比图7A中短的长度。所述接片应该这样长，使得所述耦合面15a、15b贴靠在所述内谐振导体7a、7b的延长区段9a、9b上方。

在图6中再次示出在同一个容纳腔室3a中两个内谐振导体7a之间的电感性过耦合装置。在图11中示出在两个不同的容纳腔室3a、3b中两个内谐振导体7a、7b之间的这样的电感性过耦合装置。在图6中，电感性过耦合装置在两个不相邻的内谐振导体之间或在信号传输路径上不相继的内谐振导体7a之间实现。所述电感性过耦合装置由过耦合棒17形成，所述过耦合棒与所述两个内谐振导体7a电连接并且在所述两个内谐振导体与所述盖装置之间延伸。过耦合棒17具有两个优选折弯的端部，其中，所述过耦合棒在这些端部上与所述两个内谐振导体7a电连接、尤其是通过钎焊工艺连接。过耦合棒17优选比在内谐振导体7a的自由端部更靠近于其足点地与这些内谐振导体电连接。电感性耦合也可以无接触地进行。鉴于图6，过耦合棒17仅在第一容纳腔室3a中延伸。然而，所述过耦合棒也可以仅在第二容纳腔室3b中延伸。在图11中，过耦合棒17从第一容纳腔室3a经由开口6延伸到第二容纳腔室3b中。也可能的是，过耦合棒17通过另一个空隙部延伸穿过所述至少一个分离接片4，该空隙部例如在图7A中对于电容性的过耦合元件15示出。

图16示出，同轴滤波器1总共包括n个滤波器框架2，其中n≥2，并且在每个滤波器框架2中构造有至少一个分离接片4连同第一内谐振导体7a和第二内谐振导体7b。所述n个滤波器框架2彼此相叠地设置并且优选完全重叠。所述n个滤波器框架因此全等地彼此相叠地设置。所有滤波器框架2优选具有相同的尺寸。这尤其适用于宽度(侧5c至侧5d)和长度(侧5a至侧5d)。优选地，这些滤波器框架可以唯一在高度上彼此区分。

未示出的盖装置一方面关闭外部的滤波器框架2。此外，所述盖装置具有至少n-1个中间盖20。至少其中一个中间盖20分别设置在两个滤波器框架2之间。所述至少一个中间盖20具有至少一个耦合开口18，从而在不同滤波器框架2的至少两个内谐振导体7a、7b之间进行耦合。

由此可以非常简单地延长滤波路径，而同时同轴滤波器1紧凑地构造。因此不同的滤波路径也可能互相连接。

图18A和18B示出，不同的调谐元件19可以通过盖装置旋入到各个容纳腔室3a、3b中。

为此，内谐振导体7a、7b在端部上具有优选在俯视图中部分圆形的空隙部，在所述端部上所述内谐振导体与滤波器框架2或分离接片4电分离，调谐元件19延伸到所述空隙部中。所述在俯视图中部分圆形的空隙部也可以在滤波器框架2中(如在图18A和18B中示出的那样)或在分离接片4中延续。

调谐元件19也可以设置在相应内谐振导体7a、7b的延长区段9a或9b旁边。

此外，后面的事实情况还适用于框架结构方式的同轴滤波器1。

所述至少一个第一内谐振导体7a和/或第二内谐振导体7b的平行于盖装置、即平行于外部盖22、23延伸的表面大于所述至少一个第一内谐振导体7a和/或第二内谐振导体7b的横向于、优选垂直于盖装置、即垂直于外部盖22、23延伸的最大侧面。鉴于图1A，第一内谐振导体7a例如具有五个侧面以及两个表面。一个表面与第一外部盖22相邻地设置并且另一个表面与第二外部盖23相邻地设置。

所述至少一个第一内谐振导体7a和/或第二内谐振导体7b的横截面和纵截面优选是有角的，尤其是矩形的或正方形的。

所述至少一个第一分离隔板11a和/或第二分离隔板11b的平行于盖装置、即平行于外部盖22、23延伸的表面小于所述至少一个第一分离隔板11a和/或第二分离隔板11b的横向于、优选垂直于盖装置、即垂直于外部盖22、23延伸的最大或最小侧面。鉴于图9，所述至少一个第一分离隔板11a具有三个侧面和两个表面。一个表面与第一外部盖22相邻地设置并且另一个表面与第二外部盖23相邻地设置。优选地，所述至少一个第一分离隔板11a的一个表面或两个表面与一个或两个外部盖22、23电连接(它们相互接触)。相同的内容优选同样适用于所述至少一个第二分离隔板11b。与此相反，内谐振导体7a、7b的表面与外部盖22、23无接触地设置，即与所述外部盖间隔开距离。

两个直接相邻的设置在同一个容纳腔室3a、3b中的第一内谐振导体7a和/或第二内谐振导体7b优选彼此通视。优选地，一个容纳腔室3a、3b具有至少两个内谐振导体7a、7b。在相应容纳腔室3a、3b内的分离装置(例如分离隔板11a、11b)不在相应容纳腔室3a、3b的整个宽度上延伸。所述宽度例如由朝向滤波器框架2的第三侧5c或第四侧5d的所述至少一个分离接片4限定。由此，在同一容纳腔室3a、3b中的两个内谐振导体7a、7b的(直接)耦合是可能的，尽管所述耦合在使用分离隔板11a、11b时比没有这样的分离隔板弱。

本发明不限于所说明的实施例。在本发明的范围中所有说明的和/或示出的特征可以任意相互组合。

Claims (20)

1.框架结构方式的同轴滤波器(1)，其具有如下特征：

——至少一个滤波器框架(2)，所述滤波器框架由能导电的介质制成并且具有包括第一容纳腔室(3a)的容纳空间(3)，其中，所述容纳空间(3)设置在所述至少一个能导电的滤波器框架(2)内，从而所述至少一个能导电的滤波器框架(2)构成容纳空间(3)的边缘；

——盖装置，所述盖装置设置在所述至少一个滤波器框架(2)的两个敞开的端部上，使得该容纳空间(3)从所有的侧是封闭的；

——至少一个第一内谐振导体(7a)设置在该容纳空间(3)中；

——所述至少一个第一内谐振导体(7a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的一侧电连接并且从该侧朝向该能导电的滤波器框架(2)的尤其是对置的另一侧延伸并且间隔开距离地在该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧前结束和/或与该能导电的滤波器框架(2)的对置的侧电分离。

2.根据权利要求1所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——至少一个能导电的分离接片(4)在所述至少一个滤波器框架(2)的第一侧(5a)上伸出并且与该滤波器框架导电地连接并且伸到容纳空间(3)中并且朝向所述至少一个滤波器框架(2)的与第一侧(5a)对置的第二侧(5b)延伸并且在那里在与所述第二侧构成开口(6)的情况下结束，从而容纳空间(3)至少被分为第一容纳腔室(3a)和第二容纳腔室(3b)以及连接所述至少两个容纳腔室(3a、3b)的所述开口(6)；

——所述至少一个第一内谐振导体(7a)设置在容纳空间(3)的所述至少一个第一容纳腔室(3a)中；

——所述至少一个第一内谐振导体(7a)：

a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的第三侧(5c)电连接并且从该滤波器框架朝向能导电的分离接片(4)的第一侧(4a)延伸并且间隔开距离地在能导电的分离接片(4)前结束和/或与能导电的分离接片(4)电分离；和/或

b)与能导电的分离接片(4)的第一侧(4a)电连接并且从该分离接片朝向所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的第三侧(5c)延伸并且间隔开距离地在能导电的滤波器框架(2)前结束和/或与能导电的滤波器框架(2)电分离；以及

——至少一个第二内谐振导体(7b)设置在容纳空间(3)的所述至少一个第二容纳腔室(3b)中；

所述至少一个第二内谐振导体(7b)：

a)与所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的第四侧(5d)电连接并且从该滤波器框架朝向能导电的分离接片(4)的第二侧(4b)延伸并且间隔开距离地在能导电的分离接片(4)前结束和/或与能导电的分离接片(4)电分离；和/或

b)与能导电的分离接片(4)的第二侧(4b)电连接并且从该分离接片朝向所述至少一个能导电的滤波器框架(2)的第四侧延伸并且间隔开距离地在能导电的滤波器框架(2)前结束和/或与能导电的滤波器框架(2)电分离。

3.根据权利要求2所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述分离接片(4)具有中间空间或外部空间(30)，所述中间空间或外部空间与容纳空间(3)或第一容纳腔室和第二容纳腔室(3a、3b)分开，因此是不可接近的。

4.根据上述权利要求2或3之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述至少一个分离接片(4)在中央或偏心地延伸穿过滤波器框架(2)。

5.根据权利要求2至4之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述至少一个滤波器框架(2)连同所述至少一个分离接片(4)以及所述至少一个第一内谐振导体和第二内谐振导体(7a、7b)一体式构造；和/或

——所述至少一个滤波器框架(2)连同所述至少一个分离接片(4)以及所述至少一个第一内谐振导体和第二内谐振导体(7a、7b)用铸造方法制成。

6.根据权利要求2至5之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述至少一个分离接片(4)与滤波器框架(2)的第二侧(5b)电连接，其中，该分离接片(4)在至滤波器框架(2)第二侧(5b)的过渡部上具有的高度比滤波器框架(2)直至该盖装置的高度小，从而形成开口(6)；或

——所述至少一个分离接片(4)与滤波器框架(2)的第二侧(5b)间隔开距离，从而形成开口(6)。

7.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——第一耦合输入和/或耦合输出装置(8a)，所述第一耦合输入和/或耦合输出装置优选设置在所述至少一个滤波器框架(2)的第一侧(5a)上并且对在第一容纳腔室(3a)中的设置成最靠近第一侧(5a)的所述至少一个第一内谐振导体(7a)产生电容性的或电感性的或者主要电容性的或主要电感性的耦合；和/或

——至少一个第二耦合输入和/或耦合输出装置(8b)，所述第二耦合输入和/或耦合输出装置优选设置在所述至少一个滤波器框架(2)的第一侧(5a)上并且对在第二容纳腔室(3b)中的设置成最靠近第一侧(5a)的所述至少一个第二内谐振导体(7b)产生电容性的或电感性的或者主要电容性的或主要电感性的耦合。

8.根据权利要求7所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——第三耦合输入和/或耦合输出装置(8c)，所述第三耦合输入和/或耦合输出装置优选设置在所述至少一个滤波器框架(2)的第二侧(5b)上并且对

i在第一容纳腔室(3a)中的设置成最靠近第二侧(5b)的所述至少一个第一内谐振导体(7a)产生电容性的或电感性的或者主要电容性的或主要电感性的耦合；和/或

ii在第二容纳腔室(3b)中的设置成最靠近第二侧(5b)的所述至少一个第二内谐振导体(7b)产生电容性的或电感性的或者主要电容性的或主要电感性的耦合。

9.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述至少一个第一内谐振导体(7a)具有低于滤波器框架(2)和/或低于分离接片(4)的高度并且与盖装置以预定的值间隔开距离；和/或

——所述至少一个第二内谐振导体(7b)具有低于滤波器框架(2)和/或低于分离接片(4)的高度并且与盖装置以预定的值间隔开距离。

10.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

a)——所述至少一个第一内谐振导体(7a)在其第一端部上与滤波器框架(2)的第三侧(5c)和/或与所述至少一个分离接片(4)的第一侧(4a)电连接；

——所述至少一个第一内谐振导体(7a)的与第一端部对置的第二端部具有朝向滤波器框架(2)第一侧和/或第二侧(5a、5b)的延长区段(9a)，从而所述至少一个第一内谐振导体(7a)在俯视图中构造成L形或T形的；

和/或

b)——所述至少一个第二内谐振导体(7b)在其第一端部上与滤波器框架(2)的第四侧(5d)和/或与所述至少一个分离接片(4)的第二侧(4b)电连接；

——所述至少一个第二内谐振导体(7b)的与该第一端部对置的第二端部具有朝向滤波器框架(2)第一侧和/或第二侧(5a、5b)的延长区段(9b)，从而所述至少一个第二内谐振导体(7b)在俯视图中构造成L形或T形的。

11.根据权利要求10所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所有第一内谐振导体(7a)的延长区段(9a)指向相同的方向；和/或

所有第二内谐振导体(7b)的延长区段(9b)指向相同的方向；和/或

——所述至少一个第一内谐振导体(7a)的延长区段(9a)指向与所述至少一个第二内谐振导体(7b)的延长区段(9b)相同的方向；或

所述至少一个第一内谐振导体(7a)的延长区段(9a)指向与所述至少一个第二内谐振导体(7b)的延长区段(9b)相反的方向。

12.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——两个相邻的第一内谐振导体(7a)通过第一耦合接片(10a)互相电连接，其中，所述第一耦合接片(10a)：

a)设置成与滤波器框架(2)间隔开距离并且与所述至少一个分离接片(4)间隔开距离；或

b)在其朝向滤波器框架(2)或所述至少一个分离接片(4)的侧上与滤波器框架(2)或与所述至少一个分离接片(4)电连接；和/或

——两个相邻的第二内谐振导体(7b)通过第二耦合接片(10b)互相电连接，其中，所述第二耦合接片(10b)：

a)设置成与滤波器框架(2)间隔开距离并且与所述至少一个分离接片(4)间隔开距离；或

b)在其朝向滤波器框架(2)或所述至少一个分离接片(4)的侧上与滤波器框架(2)或与所述至少一个分离接片(4)电连接。

13.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——在两个相邻的第一内谐振导体(7a)之间设置有至少一个第一分离隔板(11a)，以便减少这两个第一内谐振导体(7a)的耦合，其中，所述至少一个第一分离隔板(11a)与滤波器框架(2)的第三侧(5c)和/或与所述至少一个分离接片(4)的第一侧(4a)电连接并且以确定的长度伸入到第一容纳腔室(3a)中；和/或

——在两个相邻的第二内谐振导体(7b)之间设置有至少一个第二分离隔板(11b)，以便减少这两个第二内谐振导体(7b)的耦合，其中，所述至少一个第二分离隔板(11b)与滤波器框架(2)的第四侧(5d)和/或与所述至少一个分离接片(4)的第二侧(4b)电连接并且以确定的长度伸入到第二容纳腔室(3b)中。

14.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——在两个不相邻的或在信号传输路径上不相继的内谐振导体(7a、7b)之间设有至少一个电容性的和/或电感性的过耦合装置。

15.根据权利要求14所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述至少一个电容性的和/或电感性的过耦合装置设置在同一个容纳腔室(3a、3b)中的两个内谐振导体(7a、7b)之间或在两个不同的容纳腔室(3a、3b)中的两个内谐振导体(7a、7b)之间。

16.根据权利要求14或15所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述电感性的过耦合装置由过耦合棒(17)形成，所述过耦合棒与所述两个内谐振导体(7a、7b)电连接并且在所述两个内谐振导体与盖装置之间延伸；

——所述过耦合棒(17)：

a)仅在第一容纳腔室(3a)中延伸；或

b)仅在第二容纳腔室(3b)中延伸；或

c)从第一容纳腔室(3a)经由开口(6)或经由在所述至少一个分离接片(4)中的其他空隙部延伸到第二容纳腔室(3b)中。

17.根据权利要求14至16之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述电容性的过耦合装置由过耦合元件(15)形成，所述过耦合元件具有至少两个互相连接的电容性耦合面(15a、15b)，其中，每个所述电容性耦合面(15a、15b)间隔开距离地设置在所述两个内谐振导体(7a、7b)之一与盖装置之间；

——所述过耦合元件(15)与内谐振导体(7a、7b)、所述至少一个分离接片(4)以及滤波器框架(2)电分离；以及

——所述过耦合元件(15)：

a)仅在第一容纳腔室(3a)中延伸；或

b)仅在第二容纳腔室(3b)中延伸；或

c)从第一容纳腔室(3a)经由开口(6)或经由在所述至少一个分离接片(4)中的其他空隙部(16)延伸到第二容纳腔室(3b)中。

18.根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述同轴滤波器(1)具有n个滤波器框架(2)，其中n≥2，并且在每个滤波器框架(2)中构造有多个内谐振导体(7a、7b)；

——所述n个滤波器框架(2)彼此相叠地设置；

——盖装置关闭外部的滤波器框架(2)；

——盖装置具有至少n-1个中间盖(20)；

——至少其中一个中间盖(20)分别设置在两个滤波器框架(2)之间；

——所述中间盖(20)具有至少一个耦合开口(18)，从而在不同滤波器框架(2)的至少两个内谐振导体(7a、7b)之间实现耦合。

19.根据权利要求18所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——在每个滤波器框架(2)中构造有至少一个分离接片(4)连同第一内谐振导体和第二内谐振导体(7a、7b)。

20.在引用权利要求2的情况下根据上述权利要求之一所述的同轴滤波器(1)，其特征在于，如下特征：

——所述同轴滤波器(1)还具有m个其他分离接片，其中m≥1，所述其他分离接片将容纳空间(3)分成m个其他容纳腔室，其中，所述m个其他容纳腔室具有至少各一个其他内谐振导体并且所述m个其他分离接片：

a)在所述至少一个滤波器框架(2)的第一侧(5a)上与该滤波器框架导电地连接并且伸入到容纳空间(3)中并且朝向第二侧(5b)延伸并且在那里在与所述第二侧构成开口的情况下结束；或

b)交替地在所述至少一个滤波器框架(2)的第一侧和第二侧(5a、5b)上与该滤波器框架导电地连接，从而各个容纳腔室(3a、3b)波纹形地互相连接。