MXPA97006575A - Resonador dielectrico de modalidad tm y filtro dielectrico y duplexor, ambos de modalidad tm, que utilizan el resonador - Google Patents

Abstract

La presente invención se refiere a un resonador dieléctrico diseñado de tal forma que substancialmente no hay ninguna pérdida en un conductor sobre la superficie de un estuche que forma una cavidad protegida, y de tal manera que la Q no cargada y la frecuencia resonante cambiarse independientemente una de otra. Un bloque dieléctrico cilíndrico que tiene un par de electrodos formados sobre sus dos superficies opuestas, estádispuesto en un estuche metálico de cavidad protegida, de tal modo que uno de loe electrodos estáen contacto con una superficie del fondo interior del estuche de cavidad protegida. Este electrodo estáconectado eléctricamente al estuche de cavidad protegida mediante soldadura o algo similar.

Description

RESONADOR DIELÉCTRICO DE MODALIDAD TM Y FILTRO DIELÉCTRICO Y DUPLEXOR, AMBOS DE MODALIDAD TM, QUE UTILIZAN EL RESONADOR ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN 1. Campo de la Invención La presente invención se refiere a un resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética (TM) , a un filtro dieléctrico de modalidad TM, y a un duplexor dieléctrico de modalidad TM, que utilizan el resonador. 2. Descripción del Estado de la Técnica Se conoce como filtro dieléctrico que utilice un resonador dieléctrico de modalidad TM, un filtro dieléctrico que tiene una estructura tal como la que se muestra en la Figura 13. Cada uno de los resonadores dieléctricos que se muestran en la Figura 13 está arreglado como de tipo de modalidad dual, de tal forma que los bloques dieléctricos del tipo de modalidad TMU0, de cortocircuito, se combinan íntegramente de forma entrecruzada. Esta estructura permite que un resonador dieléctrico de modalidad TM tenga la función de dos resonadores dieléctricos de modalidad TM, estando formado al mismo tiempo de manera a ser igual de tamaño a un resonador dieléctrico común de esta clase. Con referencia a la Figura 13, un filtro dieléctrico 101 tiene cuatro resonadores dieléctricos de modalidad dual: 102, 103, 104 y 105, arreglados en una fila con sus aberturas hacía la misma dirección. Los paneles metálicos 106 y 107 están conectados a estos resonadores dieléctricos de manera a cubrir las aberturas. El resonador dieléctrico de modalidad dual TM 102 posee un estuche de cavidad, 102a, que tiene aberturas en los lados delantero y trasero, como se observa en la Figura 13, y un bloque dieléctrico entrecruzado 102XY. El estuche de cavidad 102a y el bloque dieléctrico entrecruzado 102XY están formados íntegramente del mismo material dieléctrico. Un conductor 102b se forma sobre la superficie exterior del estuche de cavidad 102a, excepto sobre las orillas de abertura delantera y trasera. El estuche de cavidad 102a, con el conductor 102b, forma una cavidad protegida. El bloque dieléctrico 102XY está formado de una porción horizontal 102X y una porción vertical 102Y, conforme se observa en la Figura 13. De esta forma, un resonador dieléctrico de modalidad dual TM 102 se forma como un resonador bifásico. Cada uno de los resonadores dieléctricos de modalidad dual TM: 103, 104 y 105, tiene la misma estructura que el resonador dieléctrico de modalidad dual TM 102. Un anillo de admisión 108 y un anillo de salida 109 están montados sobre el panel 106. El anillo de admisión 108 y el anillo de salida 109 están conectados a circuitos externos mediante conectores coaxiales (que no se muestran) .

Los anillos de acoplamiento 107a, 107b, 107c y 107d para acoplar cada par adyacente de los resonadores dieléctricos de modalidad dual TM están montados sobre el panel 107. En resonadores dieléctricos que deban utilizarse en un filtro dieléctrico tal, la frecuencia resonante de cada resonador dieléctrico se determina por el tamaño de la cavidad y el tamaño del bloque dieléctrico. Por ejemplo, en el caso de un resonador dieléctrico común de modalidad TMno que tenga una estructura de bloque dieléctrico vertical único, la frecuencia resonante se reduce si la amplitud de la cavidad se aumenta, mientras que la amplitud, espesor y altura del bloque dieléctrico y la altura de la cavidad están fijos. La frecuencia resonante se reduce si la amplitud o espesor del bloque dieléctrico se incrementa mientras que el tamaño de la cavidad permanece fijo. Además, cuando la frecuencia está fija, un aumento en la Q no cargada del resonador dieléctrico se logra incrementando la altura del bloque dieléctrico. En tal caso, si la altura del bloque dieléctrico se incrementa, la altura de la cavidad aumenta necesariamente. Ya que una corriente real fluye a través del conductor sobre la superficie del estuche de cavidad en el resonador dieléctrico de modalidad TM110, la pérdida en el conductor sobre la superficie del estuche de cavidad se vuelve mayor si el tamaño del estuche de cavidad se incrementa. Sin embargo, un aumento en la Q no cargada, logrado al agrandar la cavidad, es lo suficientemente grande en comparación con la pérdida en el conductor sobre la superficie del estuche de cavidad. Por consiguiente, la Q no cargada se vuelve más alta si se aumenta la altura del bloque dieléctrico. Si la pérdida en el conductor sobre la superficie del estuche de cavidad puede reducirse, la Q no cargada puede incrementarse mientras se limita el aumento en la altura del bloque dieléctrico. Por lo tanto, ha habido necesidad de un resonador dieléctrico que reduzca la pérdida en el conductor sobre la superficie del estuche de cavidad. En el resonador dieléctrico de modalidad dual TM que se muestra en la Figura 13, cuando los tamaños de las porciones vertical y horizontal del bloque dieléctrico se ajustan de acuerdo con una frecuencia predeterminada, el tamaño de la cavidad también se determina. Por lo tanto, para aumentar la Q no cargada, es necesario incrementar tanto la amplitud como la altura de la cavidad, lo cual da como resultado un aumento en el tamaño general del filtro dieléctrico. Asimismo, la frecuencia resonante se reduce si el tamaño de la cavidad se aumenta, mientras el tamaño del bloque dieléctrico está fijo. Por lo tanto, si el tamaño de la cavidad se incrementa, la amplitud o el espesor del bloque dieléctrico se reduce necesariamente. De esta forma, en el resonador dieléctrico de modalidad dual TM convencional, es difícil cambiar independientemente ya sea la Q no cargada o la frecuencia. SUMARIO DE LA INVENCIÓN En vista de los problemas anteriormente descritos, un objeto de la presente invención es proporcionar un resonador dieléctrico que no tenga substancialmente ninguna pérdida en el conductor sobre la superficie del estuche de cavidad, y en el cual la Q no cargada y la frecuencia resonante puedan cambiarse independientemente una de otra. Otro objeto de la presente invención es proporcionar un filtro dieléctrico y un duplexor dieléctrico que tengan una Q no cargada mejorada y un espesor reducido. A fin de lograr estos objetos, de acuerdo con un primer aspecto de la presente invención, se proporciona un resonador dieléctrico de modalidad TM que comprende un estuche de cavidad protegida que posee conductividad eléctrica, y cuando menos un bloque dieléctrico dispuesto en el estuche de cavidad protegida, en cuyo caso se forman electrodos sobre dos superficies del bloque dieléctrico, opuestas una a otra, y una de las dos superficies sobre las cuales se forman los electrodos se coloca sobre una superficie interior del estuche de cavidad protegida. En esta estructura, no fluye substancialmente ninguna corriente real en el estuche de cavidad protegida que corresponda al estuche de cavidad del resonador dieléctrico de modalidad TM convencional. De acuerdo con un segundo aspecto de la presente invención, se sobrepone una pluralidad de los bloques dieléctricos descritos anteriormente, uno sobre otro, de tal forma que cuando menos una de las dos superficies de cada bloque dieléctrico, sobre las cuales se forman los electrodos, esté en contacto con la superficie adyacente de otro de los bloques dieléctricos. La Q no cargada del resonador, de acuerdo con el primer aspecto de la invención, puede mejorarse adicionalmente utilizando esta estructura. De acuerdo con un tercer aspecto de la presente invención, se sobrepone una pluralidad de los bloques dieléctricos anteriormente descritos, uno sobre otro, de tal forma que cuando menos una de las dos superficies de cada bloque dieléctrico sobre las cuales se forman los electrodos, esté opuesta a la superficie adyacente de otro de los bloques dieléctricos, estando al mismo tiempo espaciada a distancia del mismo. Esta estructura permite el uso del resonador dieléctrico de la presente invención como resonador multifásico. De acuerdo con un cuarto aspecto de la presente invención, se utiliza un electrodo multicapas de película delgada, formado al sobreponer alternativamente un conductor de película delgada y un dieléctrico de película delgada. La pérdida en los electrodos formados sobre las superficies superior e inferior del bloque dieléctrico en el resonador, según el primer aspecto de la invención, puede reducirse si los electrodos se forman de esta manera, mejorando así adicionalmente la Q no cargada. Según un quinto aspecto de la presente invención, el bloque dieléctrico se forma en una figura cilindrica. La pérdida en la orilla del electrodo puede reducirse en relación con la del electrodo sobre un bloque dieléctrico en forma de un prisma poligonal. De acuerdo con un sexto aspecto de la presente invención, el resonador dieléctrico de modalidad TM descrito arriba se acopla externamente a dispositivos de admisión y salida. Un filtro dieléctrico que tenga una alta Q no cargada puede obtenerse al construirse de esta manera. Según un séptimo aspecto de la presente invención, los dispositivos de acoplamiento se disponen entre el resonador dieléctrico de modalidad TM y el dispositivo de admisión y salida. Es posible controlar fácilmente el grado de acoplamiento entre el resonador dieléctrico de modalidad TM y el dispositivo de admisión y salida cambiando, agregando o retirando los dispositivos de acoplamiento. De acuerdo con un octavo aspecto de la presente invención, los dispositivos de acoplamiento se disponen entre una pluralidad de resonadores dieléctricos de modalidad TM. Es posible controlar fácilmente el grado de acoplamiento entre los resonadores dieléctricos de modalidad TM cambiando, agregando o retirando los dispositivos de acoplamiento. Según un noveno aspecto de la presente invención, el dispositivo de acoplamiento comprende una lámina de electrodos formada de una lámina dieléctrica y un electrodo formado sobre una superficie de la lámina dieléctrica. Es posible obtener fácilmente el grado deseado de acoplamiento seleccionando adecuadamente la constante dieléctrica del dieléctrico y el tamaño de la lámina de electrodos. De acuerdo con un décimo aspecto de la presente invención, en una pluralidad de resonadores dieléctricos de modalidad TM, la frecuencia resonante de la fase inicial y la fase final únicamente en la condición de operación, se aumenta en relación con la frecuencia resonante de los otros resonadores dieléctricos de modalidad TM, igualando así las frecuencias resonantes de los resonadores dieléctricos de modalidad TM cuando los resonadores forman un filtro dieléctrico. Según un décimo primer aspecto de la presente invención, una pluralidad de filtros dieléctricos de modalidad TM, conforme se describen arriba, se combinan para formar un primer filtro dieléctrico de modalidad TM que tenga una primera banda de frecuencia y un segundo filtro dieléctrico de modalidad TM que tenga una segunda banda de frecuencia, y la primera banda de frecuencia y la segunda banda de frecuencia están hechas de forma diferente una de otra. De esta manera, puede obtenerse un duplexor dieléctrico que tenga una Q no cargada más alta. De acuerdo con un décimo segundo aspecto de la presente invención, la figura del resonador dieléctrico de modalidad TM que forma el primer filtro dieléctrico de modalidad TM y la figura del resonador dieléctrico de modalidad TM que forma el segundo filtro dieléctrico de modalidad TM se hacen diferentes una de otra para lograr que la primera banda de frecuencia y la segunda banda de frecuencia sean diferentes una de otra.

De esta manera, se elimina la necesidad de añadir un circuito para desplazar relativamente las bandas de frecuencia, mientras que se requiere tal circuito en caso de utilizar resonadores dieléctricos de modalidad TM de igual forma. Según un décimo tercer aspecto de la presente invención, el primer filtro dieléctrico de modalidad TM se emplea como filtro transmisor, mientras que el segundo filtro dieléctrico de modalidad TM se utiliza como filtro receptor. De esta manera, puede obtenerse un duplexor dieléctrico de modalidad TM usado para un transmisor-receptor, y que tenga una Q no cargada más alta. BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DIBUJOS La Figura ÍA es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, de un filtro dieléctrico que representa una primera realización de la presente invención; La Figura IB es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea A-A de la Figura ÍA; La Figura 2A es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, de un filtro dieléctrico que representa una segunda realización de la presente invención; La Figura 2B es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea B-B de la Figura 2A; La Figura 3A es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, de una modificación del filtro dieléctrico conforme se muestra en las Figuras 2A y 2B; La Figura 3B es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea C-C de la Figura 3A; La Figura 4A es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, de un filtro dieléctrico que representa una tercera realización de la presente invención; La Figura 4B es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea D-D de la Figura 4A; La Figura 5A es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, de un filtro dieléctrico que representa una cuarta realización de la presente invención; La Figura 5B es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea E-E de la Figura 5A; La Figura 6 comprende vistas en planta de porciones internas de secciones superiores e inferiores del filtro dieléctrico conforme se muestra en las Figuras 5A y 5B; La Figura 7 es una vista de sección transversal de una modificación del filtro dieléctrico conforme se muestra en las Figuras 5A, 5B y 6; La Figura 8 es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, de un duplexor dieléctrico que representa una quinta realización de la presente invención; La Figura 9 es una vista despiezada, en perspectiva, del duplexor dieléctrico que se muestra en la Figura 8; La Figura 10 es una vista de sección transversal de una modificación del duplexor dieléctrico que se muestra en las Figuras 8 y 9; La Figura 11 es una vista de sección transversal de otra modificación del duplexor dieléctrico que se muestra en las Figuras 8 y 9; La Figura 12 es una vista de sección transversal de un filtro dieléctrico que representa una sexta realización de la presente invención; y La Figura 13 es una vista despiezada, en perspectiva, de un filtro dieléctrico de modalidad TM convencional. DESCRIPCIÓN DE LAS REALIZACIONES PREFERIDAS Un filtro dieléctrico que representa una primera realización de la presente invención se describirá con referencia a las Figuras ÍA y IB. La Figura ÍA es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, de un filtro dieléctrico 1, y la Figura IB es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea A-A de la Figura ÍA. Conforme se muestra en las Figuras ÍA y IB, el filtro dieléctrico 1 tiene un bloque dieléctrico 2 provisto en un estuche 5, hecho de un metal, y el cual forma una cavidad protegida.

El bloque dieléctrico 2 es un miembro cilindrico formado de un material dieléctrico. Los electrodos 3 y 4 se forman sobre dos superficies opuestas del bloque dieléctrico 2. El bloque dieléctrico 2 está colocado de tal manera que el electrodo 4 esté en contacto con una superficie interior del fondo del estuche de cavidad protegida 5. El electrodo 4 está fijo y conectado eléctricamente con el estuche de cavidad protegida 5 mediante soldadura o algo parecido. El electrodo 3 del bloque dieléctrico 2 está colocado frente a una superficie interior del techo del estuche de cavidad protegida 5 y está espaciado a una distancia uniforme de esta superficie. Cuando se admite una señal de alta frecuencia al filtro dieléctrico 1, construido de esta manera, se genera un campo eléctrico entre los electrodos 3 y 4 en el bloque dieléctrico 2, y se genera un campo magnético a lo largo de la circunferencia del bloque dieléctrico 2. Como resultado, un campo electromagnético se concentra y confina dentro del bloque dieléctrico 2 en una distribución de campo electromagnético aproximada a una modalidad TM010. En este momento, el bloque dieléctrico 2 funciona como un resonador dieléctrico monofásico. Un par de conectores coaxiales 6 para admisión y salida externas están unidos a porciones laterales de la pared del estuche de cavidad protegida 5. Los electrodos centrales de los conectores coaxiales 6 están conectados eléctricamente a las láminas de electrodos 7 mediante alambres, por ejemplo. Cada una de las láminas de electrodos 7 está formada de una lámina de material aislante tal como una. resina, y de una película de electrodos formada sobre la superficie superior de la lámina de material aislante. No se forma ninguna película de electrodos sobre la superficie inferior de la lámina de material aislante. Las láminas de electrodos 7 están dispuestas sobre y se conectan al electrodo 3 formado sobre la superficie superior del bloque dieléctrico 2. Las superficies inferiores de las láminas de electrodos 7, sobre las cuales no se forman ningunas películas de electrodos, se colocan en contacto con el electrodo 3. El filtro dieléctrico 1 construido de esta manera funciona como se describe a continuación: Una señal de alta frecuencia se admite a uno de los conectores coaxiales 6. La capacidad eléctrica a través del material aislante entre el electrodo 3 del bloque dieléctrico 2 y la película de electrodos sobre la superficie superior de una de las láminas de electrodos 7, conectadas al electrodo central del conector coaxial 6, actúa para el acoplamiento entre el electrodo central del conector coaxial 6 y el bloque dieléctrico 2. El bloque dieléctrico 2 resuena con la señal de admisión mediante este acoplamiento. De esta manera, se produce la salida de una señal a través de la capacidad de la otra lámina de electrodos 7 y a través del otro conector coaxial 6 conectado a la película de electrodos sobre esta lámina de electrodos 7. El filtro dieléctrico arreglado de esta forma puede ser mucho menor en espesor que el filtro dieléctrico convencional, que emplea resonadores dieléctricos de modalidad TM110 del tipo de cortocircuito. La frecuencia resonante y la Q no cargada del filtro dieléctrico de esta realización se determinan por los mismos factores que el filtro dieléctrico convencional que utiliza resonadores dieléctricos de modalidad TMU0 del tipo de cortocircuito. Es decir, la frecuencia resonante se determina por el área seccional a lo largo de un plano perpendicular a la dirección de la altura, mientras que la Q no cargada se determina por la altura del bloque dieléctrico. Sin embargo, en esta realización no fluye substancialmente ninguna corriente real a través de la superficie lateral del estuche de cavidad protegida, correspondiente al estuche de cavidad convencional. De esta forma, no resulta substancialmente ningún deterioro en la Q no cargada, con respecto a esta porción. Por consiguiente, el aumento en la altura del bloque dieléctrico necesario para obtener la deseada Q no cargada, puede limitarse, limitando así el incremento en la altura del filtro dieléctrico total.

La realización de la presente invención se ha descrito con respecto al uso de un bloque dieléctrico cilindrico. Sin embargo, tal bloque dieléctrico cilindrico no se usa exclusivamente, y los bloques dieléctricos que tengan cualesquiera otras formas también pueden utilizarse, siempre y cuando tengan electrodos correspondientes a los dos electrodos 3 y 4 que se muestran en la Figura 1. Sin embargo, entre tales bloques dieléctricos utilizables de acuerdo con la presente invención, un bloque dieléctrico cilindrico, tal como el bloque dieléctrico 2 de la realización descrita anteriormente, se utiliza de forma particularmente ventajosa por una razón descrita a continuación. En la superficie de tal bloque dieléctrico cilindrico, sobre la cual se forma un electrodo, la distancia desde el centro del círculo hasta la orilla del circuito, es decir, la circunferencial, es constante. En otros bloques dieléctricos en forma de prismas poligonales, la distancia desde el centro hasta los vértices de la forma poligonal es diferente a la distancia desde el centro hasta otras porciones de la orilla. Por lo tanto, en tales bloques dieléctricos, ocurre una diferencia de potencial que ocasiona una corriente en la orilla del electrodo a lo largo de la forma poligonal, lo cual da como resultado la aparición de una pérdida en el electrodo. En contraste, en un bloque dieléctrico cilindrico, no fluye substancialmente ninguna corriente debido a tal diferencia de potencial, ya que la distancia entre el centro del círculo y la orilla circunferencial de la superficie sobre la cual se forma el electrodo, es constante. La pérdida resultante en este caso es pequeña, ventajosamente. Debido al efecto anteriormente descrito de utilizar una forma cilindrica, un superconductor, con el cual pueda surgir un serio problema de pérdida en la orilla del electrodo, puede emplearse como electrodos 3 y 4. Si se utiliza un superconductor como los electrodos 3 y 4, puede obtenerse un resonador o filtro dieléctrico que tenga una Q no cargada más alta. A continuación se describirá una segunda realización de la presente invención, con referencia a las Figuras 2A y 2B. La Figura 2A es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, y la Figura 2B es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea B-B de la Figura 2A. Se indican los componentes de esta realización, idénticos a aquéllos de la primera realización, mediante los mismos números de referencia, y no se describirán en detalle. Con referencia a las Figuras 2A y 2B, un filtro dieléctrico 11 tiene los bloques dieléctricos 12a y 12b dispuestos en un estuche metálico de cavidad protegida 5. Los electrodos 13a y 14a se forman sobre dos superficies opuestas del bloque dieléctrico 12a. Los electrodos 13b y 14b se forman sobre dos superficies opuestas del bloque dieléctrico 12b. El electrodo 13a del bloque dieléctrico 12a está conectado fijamente a una superficie interior del techo del estuche de cavidad protegida 5, mediante soldadura o algo parecido, mientras que el electrodo 14b del bloque dieléctrico 12b está conectado fijamente a una superficie interior del fondo del estuche de cavidad protegida 5, mediante soldadura o algo parecido. El electrodo 14a del bloque dieléctrico 12a y el electrodo 13b del bloque dieléctrico 13b están conectados eléctricamente uno con otro. Las láminas de electrodos 7 se forman de la misma manera que aquéllas de la primera realización. Cada una de las láminas de electrodos 7 está unida a la juntura entre los bloques dieléctricos 12a y 12b, estando la superficie de la lámina de electrodos 7, sobre la cual no se forma ninguna película de electrodos, en contacto con los bloques dieléctricos 12a y 12b. Si se considera el equilibrio en la distribución de un campo electromagnético a través de los bloques dieléctricos superior e inferior, es preferible unir las láminas de electrodos 7 a la juntura entre los bloques dieléctricos 12a y 12b. Sin embargo, las láminas de electrodos 7 pueden unirse a otras porciones. Los electrodos centrales de los conectores coaxiales 6 unidos a las superficies laterales del estuche de cavidad protegida 5, están conectados eléctricamente a las películas de electrodos sobre las láminas de electrodos 7, mediante alambres, por ejemplo. Los electrodos centrales de los conectores coaxiales 6 pueden conectarse directamente con los electrodos 13b y 14a sin utilizar las láminas de electrodos 7. En tal caso, puede formarse un filtro dieléctrico de banda amplia debido a que se maximiza el grado de acoplamiento externo. El filtro dieléctrico construido de esta manera 11 funciona como un filtro dieléctrico monofásico y posee una Q no cargada mejorada en comparación con el filtro dieléctrico de la primera realización, si estos filtros dieléctricos son iguales de altura. Puede hacerse una modificación de esta realización tal como la que se muestra en las Figuras 3A y 3B. La Figura 3A es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, y la Figura 3B es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea C-C de la Figura 3A. Se indican los componentes de esta realización, idénticos a aquéllos de la primera o segunda realización, mediante los mismos números de referencia, y no se describirán en detalle. Con referencia a las Figuras 3A y 3B, los bloques dieléctricos 22a y 22b, construidos de la misma manera que el bloque dieléctrico 2 que se muestra en las Figuras ÍA y IB, y los bloques dieléctricos 12a y 12b que se muestran en las Figuras 2A y 2B, se colocan en un estuche de cavidad protegida 5. Un bloque dieléctrico 22c, recientemente provisto, se interpone entre los bloques dieléctricos 22a y 22b, construyendo de esta forma un filtro dieléctrico 21. En este arreglo, los bloques dieléctricos 22a y 22c forman un resonador monofásico y los bloques dieléctricos 22b y 22c también forman un resonador monofásico. De la misma manera, los bloques dieléctricos 22a a 22c, sobrepuestos en el filtro dieléctrico 21 que se muestra en las Figuras 3A y 3B, funcionan como un resonador dieléctrico de modalidad dual, de tal forma que el filtro dieléctrico 21 puede utilizarse como un filtro que posee un resonador bifásico. En base a esta estructura, un filtro dieléctrico que tenga n-l fases de resonador dieléctrico puede construirse sobreponiendo bloques dieléctricos adicionales, de tal manera a formar un cúmulo de n bloques dieléctricos. El resonador dieléctrico de modalidad dual TM descrito arriba en esta realización, que tenga la estructura que se muestra en las Figuras 3A y 3B, emplea bloques dieléctricos lo suficientemente delgados como para reducir el espesor general relativo a aquél del resonador dieléctrico de modalidad dual TM del tipo de cortocircuito convencional, el cual posea la misma frecuencia resonante. En esta realización, así como en la primera realización, la forma de los bloques dieléctricos no está limitada a una figura cilindrica y podrá tener la forma de cualquier prisma poligonal. Sin embargo, se prefiere que cada uno de los bloques dieléctricos esté formado en una figura cilindrica, por la razón descrita anteriormente con respecto a la primera realización. Asimismo, las formas de la pluralidad de bloques dieléctricos del filtro dieléctrico mostrado en las Figuras 2A y 2B ó 3A y 3B pueden variarse. A continuación se describirá una tercera realización de la presente invención, con referencia a las Figuras 4A y 4B. La Figura 4A es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, y la Figura 4B es una vista de sección transversal tomada a lo largo de la línea D-D de la Figura 4A. Se indican los componentes de esta realización, idénticos a aquéllos de la primera o segunda realización, mediante los mismos números de referencia, y no se describirán en detalle. Con referencia a las Figuras 4A y 4B, un filtro dieléctrico 31 tiene una estructura tal que un electrodo 34a de un bloque dieléctrico 32a, y un electrodo 33b de un bloque dieléctrico 32b, están aislados eléctricamente el uno del otro por un espaciado entre los mismos. Los bloques dieléctricos 32a y 32b funcionan como resonadores, independientes uno de otro, de tal manera que el filtro dieléctrico 31 se forme a partir de un resonador bifásico. Una placa de control de acoplamiento 39, que tenga un orificio de control de acoplamiento 39a, formado generalmente en el centro, se dispone entre el electrodo 34a del bloque dieléctrico 32a y el electrodo 33b del bloque dieléctrico 32b. El grado de acoplamiento entre el resonador formado por el bloque dieléctrico 32a y el resonador formado por el bloque dieléctrico 32b, se controla seleccionando el tamaño del orificio de control de acoplamiento 39a. Si el orificio de control de acoplamiento 39a es mayor, el grado de acoplamiento entre el resonador formado por el bloque dieléctrico 32a y el resonador formado por el bloque dieléctrico 32b es mayor. Si el orificio de control de acoplamiento 39a es menor, el grado de acoplamiento entre el resonador formado por el bloque dieléctrico 32a y el resonador formado por el bloque dieléctrico 32b es menor. En esta realización, así como en la primera y segunda realizaciones, la forma de los bloques dieléctricos no se limita a una figura cilindrica. Sin embargo, se prefiere que cada uno de los bloques dieléctricos esté formado en una figura cilindrica, por la razón descrita arriba respecto a la primera realización. Asimismo, las formas de los dos bloques dieléctricos empleados pueden ser diferentes una de otra.

A continuación se describirá una cuarta realización de la presente invención, con referencia a las Figuras 5A, 5B y 6. La Figura 5A es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, y la Figura 5B es una vista de sección transversal, tomada a lo largo de la línea E-E de la Figura 5A. La Figura 6 comprende vistas en planta de las secciones superior e inferior del filtro dieléctrico que se muestra en las Figuras 5A y 5B. Los miembros de apoyo 48 que se muestran en la Figura 5B se omiten en la Figura 6. En esta realización, un filtro dieléctrico 41 formado de un resonador tetrafásico, se construye disponiendo, en una forma de lado a lado, dos filtros dieléctricos 31 conforme se describen arriba como la tercera realización. Se indican los componentes de esta realización, idénticos a aquéllos de la primera, segunda o tercera realización, mediante los mismos números de referencia, y no se describirán en detalle. Con referencia a las Figuras 5A y 5B, el filtro dieléctrico 41 tiene cuatro bloques dieléctricos cilindricos 42a a 42d, y los pares de electrodos 43a y 44a, 43b y 44b, 43c y 44c, y 43d y 44d se forman respectivamente sobre dos superficies opuestas principales de los bloques dieléctricos 42a a 42d. La estructura de cada uno de los bloques dieléctricos 42a a 42d es la misma que la de los bloques dieléctricos anteriormente descritos de la primera a la tercera realización, y no se describirá en detalle. El estuche de cavidad protegida 45 está formado de un material dieléctrico que tiene el mismo coeficiente de expansión termal que los bloques dieléctricos 42a a 42d, y un electrodo 45a formado sobre su superficie exterior y, por lo tanto, tiene la misma función protectora que un estuche metálico de cavidad protegida. Como el estuche de cavidad protegida 45 tiene el mismo coeficiente de expansión termal que los bloques dieléctricos, está libre del problema de la diferencia entre los coeficientes de expansión termal de un metal y un dieléctrico. El estuche de cavidad protegida 45 se forma al combinar secciones separadas superior e inferior. En cada una de las secciones superior e inferior se forman ranuras para acomodar los bloques dieléctricos 42a a 42d. Además, se forman electrodos de admisión/salida 46 sobre una de las superficies laterales del estuche de cavidad protegida 45, estando al mismo tiempo separados eléctricamente del electrodo 45a formado sobre la superficie exterior del estuche de cavidad protegida 45. Los electrodos de admisión/salida 46 se extienden verticalmente desde la superficie del piso del estuche de cavidad protegida 45 utilizada como superficie de montaje. Uno de los electrodos de admisión/salida 46 está acoplado al bloque dieléctrico 42b a través de una lámina de electrodos 7. El bloque dieléctrico 42b está acoplado al bloque dieléctrico 42a, espaciado uniformemente a distancia del bloque dieléctrico 42b. A su vez, el bloque dieléctrico 42a está acoplado al bloque dieléctrico 42c adyacente al bloque dieléctrico 42a a través de una lámina de electrodos 7. Además, el bloque dieléctrico 42c está acoplado al bloque dieléctrico 42d, espaciado uniformemente a distancia del bloque dieléctrico 42c. El bloque dieléctrico 42d está acoplado al otro electrodo de admisión/salida 46 a través de una lámina de electrodos 7. El miembro de apoyo 48, hecho de un material dieléctrico que tiene una constante dieléctrica menor, está dispuesto entre los bloques dieléctricos 42a y 42b y espacia uniformemente a estos bloques dieléctricos uno a distancia del otro. Otro miembro de apoyo 48 está dispuesto entre los bloques dieléctricos 42c y 42d para el mismo fin. Una placa de control de acoplamiento 49, hecha de metal, está combinada íntegramente con cada miembro de apoyo 48, estando parcialmente incrustada en el miembro de apoyo 48. Cada placa de control de acoplamiento 49 posee un orificio de control de acoplamiento 49a para controlar el acoplamiento entre los bloques dieléctricos 42a y 42b ó los bloques dieléctricos 42c y 42d.

El filtro dieléctrico construido de esta forma puede obtenerse como un filtro menor en espesor y capaz de ser montado en una superficie a manera de montaje. Los bloques dieléctricos 42a a 42d pueden tener diferentes frecuencias resonantes características. Es decir, en los bloques dieléctricos 42b y 42d acoplados a los electrodos de admisión/salida 46 y que forman respectivamente los resonadores dieléctricos de fase inicial y fase final, la superficie lateral circunferencial sobre la cual no se forma ningún electrodo, está parcialmente desconectada a fin de ajustar la frecuencia de resonancia del resonador dieléctrico correspondiente hasta una frecuencia más alta que la de los resonadores formados por los otros bloques dieléctricos 42a y 42c. Esto se debe a que, cuando se acoplan respectivamente los dispositivos de admisión y salida a los resonadores dieléctricos de fase inicial y fase final mediante un acoplamiento capacitivo, la capacidad eléctrica debida a cada acoplamiento reduce la frecuencia resonante aparente de cada uno de los resonadores dieléctricos de fase inicial y fase final, en una cantidad tal que no puede obtenerse la característica de filtración deseada del filtro dieléctrico formado por los resonadores dieléctricos. Es decir, para presentar este fenómeno, la frecuencia resonante de cada uno de los resonadores dieléctricos de fase inicial y fase final, en el estado de operar solo, se aumenta de tal forma que las frecuencias resonantes aparentes de todos los resonadores dieléctricos se vuelven aproximadamente iguales una a otra, cuando se forma el resonador dieléctrico. Una estructura como la que se muestra en la Figura 7 puede utilizarse alternativamente como un dispositivo para aumentar la frecuencia resonante de cada uno de los resonadores dieléctricos de fase inicial y fase final. La Figura 7 es una vista de sección transversal de un filtro dieléctrico 41a correspondiente a la sección transversal del filtro dieléctrico que se muestra en la Figura 5B. Conforme se muestra en la Figura 7, los bloques dieléctricos 42e y 42f, más pequeños en diámetro que los bloques dieléctricos 42b y 42d que forman los resonadores dieléctricos de fase inicial y fase final, se proporcionan en lugar de los bloques dieléctricos 42b y 42d. Es decir, el bloque dieléctrico 42e se proporciona en la fase inicial, mientras que el bloque dieléctrico 42f, que tiene el mismo diámetro que el bloque dieléctrico 42e, se proporciona en la fase final, aumentando de esta manera la frecuencia resonante de cada uno de los resonadores dieléctricos de fase inicial y fase final, en el estado de operar solo. En esta realización, así como en la primera a tercera realizaciones, la forma de los bloques dieléctricos no se limita a una figura cilindrica. Sin embargo, se prefiere que cada uno de los bloques dieléctricos esté formado en una figura cilindrica, por la razón descrita anteriormente con respecto a la primera realización. Asimismo, puede cambiarse la forma de uno de entre la pluralidad de bloques dieléctricos. En esta realización, los dispositivos de admisión y salida no son conectores coaxiales tales como los utilizados en la primera, segunda o tercera realizaciones, sino que son electrodos de admisión/salida del tipo de montaje en la superficie. Sin embargo, en esta realización pueden emplearse alternativamente conectores coaxiales arreglados de la misma manera que los de la primera, segunda o tercera realización. No es preciso decir la estructura de electrodos de admisión/salida de esta realización, adecuada para un montaje en la superficie; puede utilizarse en lugar de los conectores coaxiales en los filtros dieléctricos descritos arriba, como en las realizaciones primera a tercera. A continuación se describirá una quinta realización de la presente invención, con referencia a las Figuras 8 y 9. La Figura 8 es una vista en perspectiva, parcialmente fragmentaria, y la Figura 9 es una vista despiezada, en perspectiva. Se indican los componentes de esta realización, idénticos a aquéllos de la primera, segunda, tercera o cuarta realización, mediante los mismos números de referencia, y no se describirán en detalle. Con referencia a la Figura 8, un duplexor dieléctrico 51 se forma a partir de un primer filtro dieléctrico 51a que tenga una primera banda de frecuencia y de un segundo filtro dieléctrico 51b que tenga una segunda banda de frecuencia. El primer filtro dieléctrico 51a está formado de bloques dieléctricos 52a a 52d, conforme se muestran en la Figura 9. En el filtro dieléctrico 51a, un conector coaxial 56a está acoplado al bloque dieléctrico 52b a través de una lámina de electrodos 7, y el bloque dieléctrico 52b está acoplado al bloque dieléctrico 52a. El bloque dieléctrico 52a está acoplado al bloque dieléctrico 52c a través de una lámina de electrodos 7. El bloque dieléctrico 52c está acoplado al bloque dieléctrico 52d, el cual está acoplado a un conector coaxial 56b a través de una lámina de electrodos 7 y una bobina Ll y un capacitor Cl proporcionado como dispositivo de adaptación. De esta manera, se forma el filtro dieléctrico 51a, que tiene un resonador dieléctrico tetrafásico, conforme se muestra en la Figura 8. El segundo filtro dieléctrico 51b está formado de los bloques dieléctricos 52e a 52h que se muestran en la Figura 9. En el filtro dieléctrico 51b, un conector coaxial 56b está acoplado al bloque dieléctrico 52f a través de un capacitor Cl y una bobina Ll provista como dispositivo de adaptación, y a través de una lámina de electrodos 7. El bloque dieléctrico 52f está acoplado al bloque dieléctrico 52e. El bloque dieléctrico 52e está acoplado al bloque dieléctrico 52g a través de una lámina de electrodos 7. El bloque dieléctrico 52g está acoplado al bloque dieléctrico 52h, el cual está acoplado a un conector coaxial 56c a través de una lámina de electrodos 7. De esta manera, se forma el filtro dieléctrico 51b, que posee un resonador dieléctrico tetrafásico, como se muestra en la Figura 8. Conforme aparece en la Figura 9, un estuche de cavidad protegida 55 se forma al combinar secciones separadas superior e inferior. Se forman ranuras para acomodar los bloques dieléctricos 52a a 52h en cada una de las secciones superior e inferior. Los bloques dieléctricos 52a a 52h están conectados eléctricamente a superficies ranuradas del estuche de cavidad protegida 55 mediante placas anulares de conexión a tierra 60. Como se muestra en la Figura 9, se proporcionan series de miembros de apoyo 58 como soporte de los bloques dieléctricos 52a a 52h y una placa de control de acoplamiento 59, apoyada al ser interpuesta entre los miembros de apoyo superior e inferior 58, entre los grupos de bloques dieléctricos 52a, 52c, 52e y 52g y el grupo de bloques dieléctricos 52b, 52d, 52f y 52h. Los miembros de apoyo 58 están hechos de un material que tiene una constante dieléctrica pequeña. Tres miembros de apoyo 58 forman una serie para apoyar un bloque dieléctrico de una manera de soporte de tres puntas. Los cortes 58a se forman en los miembros de apoyo 58 a fin de permitir que las láminas de electrodos 7 queden fijas al ser prendidas entre los bloques dieléctricos y los miembros de apoyo 58a. Los orificios de control de acoplamiento 59a están formados en la placa de control de acoplamiento 59. El diámetro y la forma de los orificios de control de acoplamiento 59a se seleccionan para controlar el acoplamiento entre los bloques dieléctricos 52a y 52b, entre los bloques dieléctricos 52c y 52d, entre los bloques dieléctricos 52e y 52f y entre los bloques dieléctricos 52g y 52h. El duplexor dieléctrico construido de esta manera 51 puede obtenerse como un duplexor delgado de pérdida pequeña, formado de un resonador dieléctrico octafásico. Los bloques dieléctricos de fase inicial y fase final de los filtros dieléctricos 51a y 52b del duplexor dieléctrico 51 pueden reducirse en diámetro, como lo han sido aquéllos de la modificación anteriormente descrita de la cuarta realización.

La Figura 10 es una vista de sección transversal de un duplexor dieléctrico 61, en el cual los diámetros de los bloques dieléctricos de fase inicial y fase final de cada uno de los filtros dieléctricos, están reducidos. Una estructura alrededor de los conectores coaxiales de este duplexor dieléctrico, es la misma que la del duplexor dieléctrico 51 que se muestra en las Figuras 8 y 9, y la descripción de la misma no se "repetirá. Como se muestra en la Figura 10, los diámetros de los bloques dieléctricos 62b, 62d, 62f y 62h correspondientes a las fases inicial y final de los filtros dieléctricos están reducidos en relación con los de los otros bloques dieléctricos 62a, 62c, 62e y 62g. Las formas de los miembros de apoyo 68a y placas de conexión a tierra 60a para apoyar los bloques dieléctricos 62b, 62d, 62f y 62h también están cambiadas de acuerdo con los tamaños de dichos bloques dieléctricos. De esta manera, las frecuencias resonantes de los resonadores dieléctricos de fase inicial y fase final en estado de operar solos se aumentan a fin de asegurar que, en cada uno de los filtros dieléctricos primero y segundo, las frecuencias resonantes aparentes de los resonadores dieléctricos sean aproximadamente iguales una a otra. No es preciso decir que la frecuencia resonante aparente de los resonadores dieléctricos que forman el primer filtro dieléctrico y la frecuencia resonante aparente de los resonadores dieléctricos que forman el segundo filtro dieléctrico están fijadas de tal manera a ser diferentes una de otra. Una estructura como la que se muestra en la Figura 11 también puede utilizarse como una estructura para permitir que el primer y segundo filtros dieléctricos tengan diferentes bandas de frecuencia. Una estructura alrededor de los conectores coaxiales del duplexor dieléctrico que se muestra en la Figura 11 es la misma que aquélla en el duplexor dieléctrico 51 que se muestra en las Figuras 8 y 9, y la descripción de la misma no se repetirá. Conforme se muestra en la Figura 11, los bloques dieléctricos 72a a 72d que forman un primer filtro dieléctrico y los bloques dieléctricos 72e a 72h que forman un segundo filtro dieléctrico, están hechos de diferente forma uno de otro; los bloques dieléctricos 72a a 72d son más pequeños en diámetro que los bloques dieléctricos 72e a 72h, permitiendo de esta manera que el primer y segundo filtros dieléctricos posean diferentes bandas de frecuencia. Aunque en esta modificación los diámetros de los bloques dieléctricos están hechos diferentes uno de otro, también es posible cualquier otro diverso dispositivo para establecer diferentes bandas de frecuencia, por ejemplo, hacer bloques dieléctricos rectangulares y cilindricos. Las bandas de frecuencia del primer y segundo filtros dieléctricos pueden hacerse diferentes una de otra agregando elementos de reactancia tales como capacitores e inductores, sin cambiar la forma de los bloques dieléctricos, o cortando los bloques dieléctricos.

Cada uno de los duplexores que se muestran en las Figuras de la 8 a la 11, puede usarse como un dispositivo de antena común para un receptor-transmisor de tal manera que la banda de primera frecuencia del primer filtro dieléctrico se use como una banda de frecuencia receptora de un filtro receptor, mientras que la banda de segunda frecuencia se usa como una banda de frecuencia transmisora de un filtro transmisor. También, el primer y segundo filtros dieléctricos pueden utilizarse como dos filtros transmisores o dos filtros receptores. Una sexta realización de la presente invención será descrita a continuación con referencia a la Figura 12. Esta realización usa la misma construcción que la del filtro dieléctrico 1 que se muestra en la Figura 1. Los componentes o porciones idénticos o correspondientes a aquéllos que se muestran en la Figura 1, se indican con los mismos números de referencia y no se describirán en detalle.

Un filtro dieléctrico 81 que se muestra en la Figura 12, difiere del filtro dieléctrico 1 que se muestra en la Figura 1 en la estructura de los electrodos formados en el bloque dieléctrico. Esto es, mientras cada uno de los electrodos 3 y 4 del bloque dieléctrico 2 en el filtro dieléctrico 1 que se muestra en la Figura 1 está formado de un conductor de una sola capa, cada uno de los electrodos 83 y 84 de un bloque dieléctrico 82 en el filtro dieléctrico 81 que se muestra en la Figura 12 está formado de un electrodo de múltiples capas de una película delgada formada laminando alternativamente un conductor de película delgada y un dieléctrico de película delgada. Tal electrodo de múltiples capas de película delgada, por ejemplo, uno descrito en la Solicitud de Patente Japonesa N° . 310900/1994, puede utilizarse con una pérdida reducida de inserción en comparación con un conductor de una sola capa. Por lo tanto, si tal electrodo de múltiples capas de película delgada se usa en un resonador, el resonador puede tener una Q no cargada más alta. Un arreglo que use un electrodo de múltiples capas de película delgada en el filtro dieléctrico que se muestra en la Figura 1 se ha descrito como la sexta realización como ejemplo. No es preciso decir que tal electrodo de múltiples capas de película delgada puede también aplicarse a cada uno de los filtros dieléctricos de la segunda a la cuarta realizaciones y el duplexor dieléctrico de la quinta realización para obtener un filtro dieléctrico o un duplexor dieléctrico que tenga una Q no cargada más alta. De acuerdo con la presente invención, substancialmente no fluye ninguna corriente verdadera en el estuche de cavidad protegida para acomodar el bloque dieléctrico, de tal manera que substancialmente no hay pérdida en el estuche de cavidad protegida. Como resultado, pueden obtenerse un resonador dieléctrico, un filtro dieléctrico y un duplexor dieléctrico, cada uno de ellos con una Q no cargada más alta. De acuerdo con el segundo aspecto de la presente invención, una pluralidad de bloques dieléctricos está dispuesta en un espacio donde se genera una distribución de campo electromagnético, de esta manera haciendo posible la obtención de un resonador dieléctrico, un filtro dieléctrico y un duplexor dieléctrico, cada uno de ellos con una Q no cargada más alta. De acuerdo con el tercer aspecto de la presente invención, una pluralidad de bloques dieléctricos está dispuesta en la dirección de la altura, estando espaciados uno del otro para formar un resonador multifase, logrando de esta manera una reducción en el área de la superficie del fondo.

De acuerdo con el cuarto aspecto de la presente invención, se usa un electrodo de múltiples capas de película delgada para obtener un resonador dieléctrico, un filtro dieléctrico y un duplexor dieléctrico, cada uno de ellos con una Q no cargada mucho más alta. De acuerdo con el quinto aspecto de la presente invención, el bloque dieléctrico está en forma cilindrica de tal manera que la orilla de la superficie del electrodo está a una distancia constante del centro de la superficie, de esta manera previniendo el incidente de una diferencia potencial y, por lo tanto, una corriente en la orilla. La pérdida en el electrodo puede de esta manera reducirse posteriormente. Como resultado, se puede obtener un resonador dieléctrico con una Q no cargada más alta. De acuerdo con el noveno aspecto de la presente invención, se usan una lámina de electrodo formada de una lámina dieléctrica y un electrodo formado sobre una superficie de la lámina dieléctrica como un dispositivo de acoplamiento y el grado deseado de acoplamiento puede lograrse fácilmente seleccionando apropiadamente la constante dieléctrica del dieléctrico y el tamaño de la lámina del electrodo. De acuerdo con el décimo aspecto de la presente invención, la frecuencia resonante de la fase inicial y la fase final de la modalidad TM de los resonadores dieléctricos en estado de operación se aumenta, ecualizando por lo tanto las frecuencias resonantes de la modalidad TM de los resonadores dieléctricos cuando los resonadores forman un filtro dieléctrico. De acuerdo con el décimo primer aspecto de la presente invención, una pluralidad de filtros dieléctricos de la modalidad TM descrita anteriormente se combina para formar un primer filtro dieléctrico de la modalidad TM que tiene una banda de primera frecuencia y un segundo filtro dieléctrico de la modalidad TM que tiene una banda de segunda frecuencia, y la banda de primera frecuencia y la banda de segunda frecuencia son diferentes una de otra, obteniéndose por lo tanto un duplexor dieléctrico con una Q no cargada más alta.

De acuerdo con el décimo segundo aspecto de la presente invención, la forma del resonador dieléctrico de la modalidad TM que constituye el primer filtro dieléctrico de la modalidad TM y la forma del resonador dieléctrico de la modalidad TM que constituye el segundo filtro dieléctrico de la modalidad TM son diferentes una de otra para hacer distintas una de otra a la banda de primera frecuencia y a la banda de segunda frecuencia. Por lo tanto, se elimina la necesidad de añadir un circuito para cambiar relativamente las bandas de frecuencia, mientras que tal circuito se requiere en caso de usar resonadores dieléctricos de la modalidad TM de igual forma.

Claims (13)

1. REIVINDICACIONES 1. Un resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética que comprende lo siguiente: un estuche de cavidad protegida con conductividad eléctrica; y cuando menos un bloque dieléctrico dispuesto en dicho estuche de cavidad protegida, en el cual se forman electrodos sobre dos superficies de dicho bloque dieléctrico opuestas una a otra, y donde una de las dos superficies sobre las cuales se forman electrodos está colocada sobre una superficie interior del mencionado estuche de cavidad protegida.
2. 2. Un resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con la Reivindicación 1, en el cual una pluralidad de dichos bloques dieléctricos están sobrepuestos uno con otro de tal manera que los electrodos formados sobre cuando menos un par de las superficies de los bloques dieléctricos mencionados, están en contacto unos con otros.
3. 3. Un resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con la Reivindicación 1, en el cual una pluralidad de los bloques dieléctricos mencionados están sobrepuestos uno con otro de tal manera que los electrodos formados sobre cuando menos un par adyacente de las superficies de dichos bloques dieléctricos están opuestos unos a otros, estando al mismo tiempo espaciados, a distancia uno de otro.
4. 4. Un resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con cualquiera de las Reivindicaciones de la 1 a la 3, en el cual cuando menos uno de los electrodos formados sobre las dos superficies de cada uno de los bloques dieléctricos mencionados, está formado de un electrodo multicapa de película delgada, formado al sobreponer alternativamente un conductor de película delgada y un dieléctrico de película delgada.
5. 5. Un resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con cualquiera de las Reivindicaciones de la 1 a la 4, en el cual el bloque dieléctrico mencionado es cilindrico.
6. 6. Un filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética que comprende lo siguiente: cuando menos un resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con cualquiera de las Reivindicaciones de la 1 a la 5; y dispositivos de admisión y salida acoplados a dicho resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética.
7. 7. Un filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con la Reivindicación 6, en el cual los dispositivos de acoplamiento están dispuestos entre dicho resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética y los dispositivos de admisión y salida mencionados.
8. 8. Un filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con la Reivindicación 6 ó 7, en el cual está dispuesta una pluralidad de los mencionados resonadores dieléctricos de modalidad transversal magnética, y están dispuestos dispositivos de acoplamiento entre la pluralidad de los resonadores dieléctricos de modalidad transversal magnética.
9. 9. Un filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con la Reivindicación 7 u 8, en el cual dicho dispositivo de acoplamiento comprende una lámina de electrodos formada de una lámina dieléctrica y un electrodo formado sobre una superficie de la lámina dieléctrica.
10. 10. Un filtro dieléctrico, de acuerdo con cualquiera de las Reivindicaciones de la 7 a la 9, en el cual está dispuesta una pluralidad de los mencionados resonadores dieléctricos de modalidad transversal magnética, y en el cual, en dicha pluralidad de resonadores dieléctricos de modalidad transversal magnética, la frecuencia resonante de los resonadores dieléctricos de modalidad transversal magnética de fase inicial y fase final, se aumenta con relación a la frecuencia resonante de los otros resonadores dieléctricos de modalidad transversal magnética.
11. 11. Un duplexor dieléctrico de modalidad transversal magnética en el cual se combina una pluralidad de filtros dieléctricos de modalidad transversal magnética, de acuerdo con cualquiera de las Reivindicaciones de la 6 a la 10, y dicho duplexor comprende lo siguiente: un primer filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética, que tiene una primera banda de frecuencia; y un segundo filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética, que tiene una segunda banda de frecuencia, en los cuales la primera banda de frecuencia y la segunda banda de frecuencia son diferentes una de otra.
12. 12. Un duplexor dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con la Reivindicación 11, en el cual la figura del resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética que forma el primer filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética y la figura del resonador dieléctrico de modalidad transversal magnética que forma el segundo filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética, se han hecho diferentes una de otra a fin de hacer que la primera banda de frecuencia y la segunda banda de frecuencia sean diferentes una de otra.
13. 13. Un duplexor dieléctrico de modalidad transversal magnética, de acuerdo con la Reivindicación 11 ó 12, en el cual el primer filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética se utiliza como filtro transmisor, mientras que el segundo filtro dieléctrico de modalidad transversal magnética se emplea como filtro receptor.